Samsung SO-DIMM 16 GB DDR4 3200 MHz M471A2G43AB2-CWE

Speicher mit einer Kapazität von 16 GBTyp: DDR4Bauform: SO-DIMMAnzahl Pins: 260Effektiver Speichertakt von 3200 MHzCAS Latenz von 22Betriebsspannung von 1,2 V
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Samsung Memory Module 16 Gb 1 X 16 Gb (1 x 16GB, 3200 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMM), RAM M471A2G43AB2-CWE
Das Samsung Memory Module mit 16 GB Kapazität ist ein leistungsstarker DDR4-RAM, der für den Einsatz in Notebooks konzipiert ist. Mit einer Speichertaktfrequenz von 3200 MHz bietet dieses SO-DIMM-Modul eine hohe Geschwindigkeit und Effizienz, die für moderne Anwendungen und Multitasking erforderlich sind. Die Betriebsspannung von 1,2 V sorgt für einen energieeffizienten Betrieb, während die CAS-Latenzzeit von 22 eine ausgewogene Leistung gewährleistet. Dieses Modul ist ideal für Benutzer, die ihre Systeme aufrüsten oder erweitern möchten, um eine verbesserte Leistung bei der Ausführung anspruchsvoller Software und Spiele zu erzielen. Die 260 Pins des Moduls sorgen für eine einfache Integration in kompatible Systeme, und die Verwendung von hochwertigen Komponenten garantiert eine zuverlässige Leistung. - Speicherkapazität von 16 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten - Effektive Speichertaktfrequenz von 3200 MHz für hohe Datenübertragungsraten - Energieeffiziente Betriebsspannung von 1,2 V - CAS-Latenzzeit von 22 für optimierte Reaktionszeiten.
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB DDR4 3200MHz PC4-25600 SODIMM, 16 GB, 1 x 16 GB, DDR4, 3200 MHz, 260-pin SO-DIMM, Grün
Speicherkapazität:16 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 16 GBInterner Speichertyp:DDR4Speicherdatenübertragungsrate:3200 MT/sKomponente für:LaptopMemory Formfaktor:260-pin SO-DIMMCAS Latenz:22Speichertaktfrequenz:3200 MHzGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)Speicherrangfolge:1Speicherspannung:1.2 VModulkonfiguration:2048M x 8Produktfarbe:GrünUrsprungsland:Südkorea Hauptmerkmale Merkmale RAM-Speicher 16 GB Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 16 GB Interner Speichertyp DDR4 Speichertaktfrequenz 3200 MHz Komponente für Notebook Memory Formfaktor 260-pin SO-DIMM CAS Latenz 22 Speicherspannung 1.2 V Modulkonfiguration 2048M x 8 Samsung - DDR4 - Modul - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC
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