G.Skill SO-DIMM Kit 16 GB DDR3 1600 MHz Arbeitsspeicher F3-1600C11D-16GSL

F3-1600C11D-16GSL

Hersteller: G.SkillModellname: SL SeriesGesamtkapazität: 16GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 8GBArt des Speichers: DDR3-1600JEDEC Norm: PC3L-12800SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.35VAnschluss des Speichers: 204-pinLatenz (CL): CL11RAS to CAS Delay (tRCD): 11Ras Precharge Time (tRP): 11Row Active Time (tRAS): 28

Der SO-DIMM-Speicher von G.SKILL kann Ihnen helfen. Sie werden den Geschwindigkeitszuwachs sofort spüren, egal ob Sie spielen, programmieren, Multimedia bearbeiten oder einfach nur im Internet surfen. Dies ist eine der intelligentesten und kostengünstigsten Methoden, um Ihre Produktivität und Ihr Computererlebnis auf Ihrem Laptop zu verbessern.

Das G.Skill F3-1600C11D-16GSL ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL11). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support.Auf einen BlickTypDDR3Hersteller-Nr.F3-1600C11D-16GSLKapazität16 GB (2 x 8 GB)Anzahl2 StückBauformSO-DIMMBestückungzweiseitigAlle technischen Daten anzeigen (15 Angaben)Technische DatenTypDDR3Hersteller-Nr.F3-1600C11D-16GSLKapazität16 GB (2 x 8 GB)Anzahl2 StückBauformSO-DIMMBestückungzweiseitigAnschluss204-PinSpannung1,35 Volt (von 1,35 bis 1,5 Volt)StandardDDR3-1600 (PC3-12800)Physikalischer Takt800 MHzTimingsCAS Latency (CL)11RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11RAS-Precharge-Time (tRP)11Row-Active-Time (tRAS)28Gewicht125 GrammTechnische Daten laut Hersteller. Änderungen und Irrtümer vorbehalten. Speicherkapazität:16 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfak

Das G.Skill F3-1600C11D-16GSL ist ein Dual-Channel-Kit aus zwei 8-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800, CL11). Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3L-SO-DIMM-Support. Auf einen BlickTypDDR3Hersteller-Nr.F3-1600C11D-16GSLKapazität16 GB (2 x 8 GB)Anzahl2 StückBauformSO-DIMMBestückungzweiseitigAlle technischen Daten anzeigen (15 Angaben)Technische DatenTypDDR3Hersteller-Nr.F3-1600C11D-16GSLKapazität16 GB (2 x 8 GB)Anzahl2 StückBauformSO-DIMMBestückungzweiseitigAnschluss204-PinSpannung1,35 Volt (von 1,35 bis 1,5 Volt)StandardDDR3-1600 (PC3-12800)Physikalischer Takt800 MHzTimingsCAS Latency (CL)11RAS-to-CAS-Delay (tRCD)11RAS-Precharge-Time (tRP)11Row-Active-Time (tRAS)28Gewicht125 GrammTechnische Daten laut Hersteller. Änderungen und Irrtümer vorbehalten.

Release: 00.00.0000, Format: Hardware/Electronic, Neuware, Inhalt: 1 Discs, Label/ Hersteller: G.skill

Steigern Sie die Systemperformance Ihres Notebooks mit dem G.Skill F3-1600C11D-16GSL 16GB 2x8GB DDR3 1600MHz CL11 SO-DIMM Dual-Channel-Kit – die Upgrade-Lösung für spürbar mehr Rechenpower und Multitasking-Fähigkeit. Eigenschaften Memoria RAM G.Skill F3-1600C11D-16GSL 16GB 2x8GB DDR3 1600MHz CL11 SO-DIMM Dual Channel Mit insgesamt 16 GB (2 x 8 GB) und einer Taktrate von 1600 MHz sorgt dieses Kit für ein bemerkenswertes Rechentempo und eine optimierte Speicherverwaltung im Notebook. Die geringe Latenz von CL11 und die Technologie als unbuffered non-ECC SO-DIMM mit 204 Pins machen den Kit zur idealen Wahl für anspruchsvolle Gaming-Laptops Workstations sowie professionelle Multimedia-Anwendungen. Dank des Dual-Channel Designs profitieren Sie von einer erhöhten Bandbreite kürzeren Ladezeiten und unmittelbarer Reaktionsfähigkeit – besonders gefragt bei kreativer Software virtuellen Umgebungen oder CAD- und Bildbearbeitung. Durch die niedrige Betriebsspannung von 1 35 V bleibt Ihr Gerät jederzeit energiesparend und...