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Transcend MTE670T 128GB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS128GMTE670T
Die M.2 SSD MTE670T von Transcend verfügt über modernste 3D-NAND-Technologie, die es ermöglicht, 112 Schichten von 3D-NAND-Flash-Chips vertikal zu stapeln. Im Vergleich zu 3D NAND mit 96 Schichten verbessert dieser Durchbruch bei der Dichte die Speichereffizienz erheblich. Die MTE670T verfügt über die PCI Express (PCIe) Gen 3 x4-Schnittstelle und ist mit den NVM Express (NVMe) 1.3-Spezifikationen kompatibel, um noch nie dagewesene Übertragungsgeschwindigkeiten zu erreichen. Die MTE670T bietet 30µ\ -Goldkontakte sowie Corner-Bond-Technologie und wurde vollständig von uns getestet, um die Zuverlässigkeit in unternehmenskritischen Anwendungen zu gewährleisten. Sie verfügt über eine Lebensdauer von 3K Schreib-/Löschzyklen und eine erweiterte Betriebstemperatur von -20℃ bis 75℃.

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voelkner
Transcend Transcend MTE670T 128 GB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 3.0 interne SSD (128)
Überblick Speicherkapazität: 128 GB Formfaktor: M.2 2280 Verbindungsschnittstelle Bus: NVMe PCIe Gen3 x4 Flash-Typ: 112-layer 3D NAND flash Beschreibung Die M.2 SSD MTE670T von Transcend verfügt über modernste 3D-NAND-Technologie, die es ermöglicht, 112 Schichten von 3D-NAND-Flash-Chips vertikal zu stapeln. Im Vergleich zu 3D NAND mit 96 Schichten verbessert dieser Durchbruch bei der Dichte die Speichereffizienz erheblich. Die MTE670T verfügt über die PCI Express (PCIe) Gen 3 x4-Schnittstelle und ist mit den NVM Express (NVMe) 1.3-Spezifikationen kompatibel, um noch nie dagewesene Übertragungsgeschwindigkeiten zu erreichen. Die MTE670T bietet 30µ",-Goldkontakte sowie Corner-Bond-Technologie und wurde vollständig von uns getestet, um die Zuverlässigkeit in unternehmenskritischen Anwendungen zu gewährleisten. Sie verfügt über eine Lebensdauer von 3K Schreib-/Löschzyklen und eine erweiterte Betriebstemperatur von -20℃ bis 75℃

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Transcend M2 128GB MTE670T M2 128GB MTE670T (128 GB, M.2 2280), SSD TS128GMTE670T
Die M.2 SSD MTE670T von Transcend verfügt über modernste 3D-NAND-Technologie, die es ermöglicht, 112 Schichten von 3D-NAND-Flash-Chips vertikal zu stapeln. Im Vergleich zu 3D NAND mit 96 Schichten verbessert dieser Durchbruch bei der Dichte die Speichereffizienz erheblich. Die MTE670T verfügt über die PCI Express (PCIe) Gen 3 x4-Schnittstelle und ist mit den NVM Express (NVMe) 1.3-Spezifikationen kompatibel, um noch nie dagewesene Übertragungsgeschwindigkeiten zu erreichen. Die MTE670T bietet 30µ-Goldkontakte sowie Corner-Bond-Technologie und wurde vollständig getestet, um die Zuverlässigkeit in unternehmenskritischen Anwendungen zu gewährleisten. Sie verfügt über eine Lebensdauer von 3K Schreib-/Löschzyklen und eine erweiterte Betriebstemperatur von -20℃ bis 75℃.

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