Voltcraft USB-Ladegerät 45 W Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25 A

Schnelles Laden für Telefone, Tablets, Switches, Powerbanks und Laptops GaN-Technologie sorgt für geringe Wärmeentwicklung Effiziente Leistung und hohe Sicherheitsstandards Kompakte, platzsparende Bauform im Vergleich zu Standard-Ladegeräten Maximalleistung von 45 W Unterstützt Schnellaufladung per Power Delivery (PD3.0) Unterstützt Schnellaufladung für iPhone 8 oder höher
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VOLTCRAFT UC-1XCX003 USB Ladegerät 45W Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25A 1 x 1x USB-C® GaN VC-13064615
Schnelle Ladegeräte für Telefone, Tablets, Switches, Powerbanks und Laptops. Laden Sie Ihr Gerät schnell, sicher und zuverlässig auf. GaN Technologie (geringe Wärmeentwicklung) Galliumnitrid kurz GaN ist ein Material, welches für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich zu herkömmlichen standard Ladegeräten.
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VOLTCRAFT UC-1XCX003 USB Ladegerät 45 W Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25 A 1 x 1x USB-C® GaN
Max. 45 W GaN-Technologie (niedrige Temperatur) Unterstützt Schnellaufladung per Power Delivery (PD3.0) Unterstützt Schnellaufladung für iPhone 8 oder höher Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben
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VOLTCRAFT GaN VC-13064615 USB-Ladegerät Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25 A 1 x USB-C® (VC-13064615)
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Voltcraft GaN VC-13064615 USB-Ladegerät Innenbereich Ausgangsstrom (max.) 2.25 A (45 W, 1 Port), USB Ladegerät, Weiss
Schnelle Ladegeräte für Telefone, Tablets, Switches, Powerbanks und Laptops. Laden Sie Ihr Gerät schnell, sicher und zuverlässig auf. GaN-Technologie (geringe Wärmeentwicklung) Galliumnitrid, kurz GaN, ist ein Material, das für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED-Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN-Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich zu herkömmlichen Standard-Ladegeräten.
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