Integral 512 GB M.2 SSD, 520 MB/s, 6 Gbit/s, SATA III 2280

M.2 SSD mit einer Speicherkapazität von 512 GBSchnittstelle: Serial ATA IIILesegeschwindigkeit von 520 MB/s, Schreibgeschwindigkeit von 450 MB/sUnterstützt S.M.A.R.T., TRIM und ECCMittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen von 1.500.000 hBetriebstemperatur von 0 bis 70 °CMaße: Breite 22 mm, Tiefe 80 mm, Höhe 2,25 mm
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Integral 512GB M.2 SATA III 2280 Interne SSD, bis zu 520MB/s Lesen 450MB/s Schreiben 8e728357a7cc976077d50003c76491a50df3bdad
[Leistungssteigerung] - Steigerung der Produktivität und der Effizienz, schnelleres Starten und schnellerer Zugriff auf Anwendungen für ein besseres Computererlebnis [Ultraschnell] - SATA SSD Festplatte LESEN bis zu 520MB/s SCHREIBEN bis zu 450MB/s [Langlebig und zuverlässig] - solides Design ohne interne bewegliche Teile, ideal für Laptop interne SSD oder Desktop SSD Festplatte mit höherer Zuverlässigkeit als HDD [Effizient] - verbessert typische PC/MAC-Arbeitslasten - einfache Installation [Device Optimierung] - Maximierung der Akkulaufzeit für Laptops/Notebooks (geringerer Stromverbrauch als HDD), keine Geräuschentwicklung, keine Hitzeentwicklung.
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Integral INSSD512GM280, 512 GB, M.2, 520 MB/s, 6 Gbit/s
SSD Speicherkapazität:512 GBSSD-Formfaktor:M.2Schnittstelle:Serial ATA IIISpeichertyp:3D TLC NANDKomponente für:PC/LaptopDatenübertragungsrate:6 Gbit/sLesegeschwindigkeit:520 MB/sSchreibgeschwindigkeit:450 MB/sS.M.A.R.T. Unterstützung:JaTRIM-Unterstützung:JaMittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF):1500000 hSchutzfunktion:SchockresistentEnergieverbrauch (lesen):3,3 WVerpackungsbreite:57 mmVerpackungstiefe:154 mmVerpackungshöhe:11 mmPaketgewicht:11 gBetriebstemperatur:0 - 40 °CTemperaturbereich bei Lagerung:-40 - 85 °CRelative Luftfeuchtigkeit in Betrieb:5 - 90%Konformitätsbescheinigungen: Die Integral M.2 SATA III SSD mit Formfaktor der nächsten Generation bietet alle Vorteile der Flash-Speichertechnologie für SATA-basierte Computer. M.2 SATA SSD Speicherlösungen sind für Notebooks, Desktops, Ultrabooks und Tablets konzipiert. Sie erfüllen den Bedarf an kompaktem Speicher mit geringer Leistung, ohne die Leistung und Zuverlässigkeit von Solid-State-Laufwerken zu beeinträchtigen.
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