Samsung DDR5 8GB SO-DIMM 4800MHz RAM M425R1GB4BB0-CQK

Arbeitsspeicher mit einer Kapazität von 8 GBTaktfrequenz von 4800 MHz für schnelle DatenübertragungenSO-DIMM Formfaktor mit 262 Pins für einfache IntegrationUnbuffered Design für direkte Kommunikation mit dem SpeichercontrollerCAS-Latenz von 40 für effiziente DatenverarbeitungKompatibel mit einer Vielzahl von Laptops und NotebooksHöhe des Moduls beträgt 30 mm
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NBRAM DDR5/ 4800 8GB Samsung
DDR5 Memory RAM (M425R1GB4BB0-CQK) 8 GB DDR5 SODIMM 1,1 V 1Rx16, Geschwindigkeiten bis zu 4800 MHz Nicht-ECC ungepuffert, kompatibel mit ausgewählten DDR5-Laptops, Notebooks und All-in-One-Computern Kleiner als normale DIMMs, unterstützt x8 / x16 / bis zu 2 Ränge pro DIMM und 2DPC-Konfiguration Einfache Installation, maximiert die Leistung Ihres Laptops
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Samsung M425R1GB4BB0-CQK, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR5, 4800 MHz, 262-pin SO-DIMM
Speicherkapazität:8 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR5Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:262-pin SO-DIMMECC:JaGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:40Speichertaktfrequenz:4800 MHzSpeicherspannung:1.1 VModulkonfiguration:1024M x 16 Samsung M425R1GB4BB0-CQK. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, Memory Formfaktor: 262-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 40, ECCMerkmaleCAS Latenz40Speicherkapazität8 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 8 GBInterner SpeichertypDDR5Speichertaktfrequenz4800 MHzKomponente fürLaptopMemory Formfaktor262-pin SO-DIMMECCJaGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)Speicherspannung1.1 VModulkonfiguration1024M x 16 AllgemeinKapazität8 GBErweiterungstypGenerischHöhe30 mmArbeitsspeicherTypDRAM SpeichermodulTechnologieDDR5 SDRAMFormfaktorSO DIMM 262-PINGeschwindigkeit4800 MHz (PC5-38400)LatenzzeitenCL40 (40-39-39)Spannung1.1 VVerschiedenesKennzei
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