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Samsung Enterprise SO-DIMM 32GB DDR5 2Rx8 5600MHz PC5-44800 M425R4GA3BB0-CWM (M425R4GA3BB0-CWM)
Samsung Enterprise SO-DIMM 32GB DDR5 2Rx8 5600MHz PC5-44800 M425R4GA3BB0-CWM (M425R4GA3BB0-CWM)

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SAMSUNG SO-DIMM 32GB DDR5-5600 CL46 (2Gx8) DR (M425R4GA3BB0-CWM)

474,32€
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GaladorEU
Samsung M425R4GA3BB0-CWM, 32 GB, 2 x 16 GB, DDR5, 5600 MHz, 262-pin SO-DIMM
Speicherkapazität:32 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 16 GBInterner Speichertyp:DDR5Komponente für:PCMemory Formfaktor:262-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:46Speichertaktfrequenz:5600 MHzSpeicherrangfolge:1Speicherspannung:1.1 V Samsung - DDR5 - Modul - 32 GB - SO DIMM 262-PIN - 2800 MHz / PC5-44800 - 1.1 V - ungepuffert - on-die ECC

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JACOB
Samsung M425R4GA3BB0-CWM (2 x 16GB, 5600 MHz, DDR5-RAM, SO-DIMM), RAM
Der Samsung M425R4GA3BB0-CWM ist ein leistungsstarker DDR5-RAM, der speziell für den Einsatz in PCs konzipiert wurde. Mit einer Speicherkapazität von 32 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 16 GB, bietet dieser RAM eine hohe Leistung und Effizienz für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking. Die Speichertaktfrequenz von 5600 MHz sorgt für schnelle Datenübertragungsraten, während die CAS-Latenz von 46 eine reaktionsschnelle Leistung gewährleistet. Der SO-DIMM Formfaktor mit 262 Pins macht ihn ideal für kompakte Systeme und Laptops, die eine hohe Speicherkapazität benötigen. Mit einer Betriebsspannung von nur 1,1 Volt ist dieser RAM zudem energieeffizient und trägt zur Reduzierung des Gesamtstromverbrauchs bei. Der unbuffered RAM-Chip sorgt für eine direkte Verbindung zwischen dem RAM und der CPU, was die Leistung weiter optimiert. - Hohe Speicherkapazität von 32 GB für anspruchsvolle Anwendungen - Schnelle Speichertaktfrequenz von 5600 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffiziente Betriebsspannung von 1,1 Volt - Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit der CPU.

527,71€
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