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Arbeitsspeicher RAM Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB 1x8GB DDR4 3200MHz CL21 SO-DIMM 11101099
Steigern Sie die Leistung Ihres Laptops mit dem Samsung 8GB DDR4 Arbeitsspeicher entwickelt für hohe Geschwindigkeit und Stabilität.Eigenschaften Arbeitsspeicher RAM Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB DDR4 3200MHzDieser 8 GB DDR4 Arbeitsspeicher bietet eine hohe Taktfrequenz von 3200 MHz für flüssige und reaktionsschnelle Leistung ideal für anspruchsvolle Nutzer wie Gamer Entwickler und Content-Ersteller. Das 260-Pin SO-DIMM Format ist speziell für Laptops konzipiert und gewährleistet einfache Installation und breite Kompatibilität.Mit einer CAS-Latenz von 21 sorgt dieser Speicher für schnelle Reaktionszeiten und reduziert Verzögerungen bei Multitasking und anspruchsvollen Anwendungen. Die Betriebsspannung von 1 2 V ermöglicht einen effizienten Energieverbrauch verlängert die Akkulaufzeit und erhält die Systemstabilität.Der Speicher ist nicht ECC und unbuffered ideal für den Einsatz in privaten und professionellen Umgebungen in denen Zuverlässigkeit und Leistung entscheidend sind. Ob Sie die Geschwindigkeit oder Ka...

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Galaxus Deutschland GmbH
Samsung M471A1K43EB1-CWE (1 x 8GB, 3200 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMM), RAM, Grün
Kleiner als normale DIMMs. Unterstützt x8 / x16 / bis zu 2 Ranks pro DIMM und 2DPC-Konfiguration. Für Systeme mit begrenztem Platzangebot.

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PolisElectro
Samsung M471A1K43EB1-CWE, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR4, 3200 MHz, 260-pin SO-DIMM
Speicherkapazität:8 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR4Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:260-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:21Speichertaktfrequenz:3200 MHzSpeicherspannung:1.2 VModulkonfiguration:1024M x 8 Samsung M471A1K43EB1-CWE. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3200 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 21MerkmaleCAS Latenz21Speicherkapazität8 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 8 GBInterner SpeichertypDDR4Speichertaktfrequenz3200 MHzKomponente fürLaptopMemory Formfaktor260-pin SO-DIMMECCNeinGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)Speicherspannung1.2 VModulkonfiguration1024M x 8 AllgemeinKapazität8 GBErweiterungstypGenerischArbeitsspeicherTypDRAM SpeichermodulTechnologieDDR4 SDRAMFormfaktorSO DIMM 260-PINGeschwindigkeit3200 MHz (PC4-25600)DatenintegritätsprüfungNon-ECCBesonderheitenSingle Rank, ungepuffertChip-Organis

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G-Electronics
Samsung M471A1K43EB1-CWE, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR4, 3200 MHz, 260-pin SO-DIMM
Speicherkapazität:8 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR4Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:260-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:21Speichertaktfrequenz:3200 MHzSpeicherspannung:1.2 VModulkonfiguration:1024M x 8 Hersteller:SamsungModell:M471A1K43EB1-CWESpeichertyp:DDR4 SODIMM, NotebookspeicherAnzahl der Pins:260Geschwindigkeit:PC4-25600 (DDR4-3200)Anzahl der Module:1Größe:8GBGesamtgröße:8GBECC-Speicher:Nein : SO DDR4 8GB PC 3200 CL22 Samsung Bulk: Hochleistungs-RAM-Modul mit 8 GB Kapazität, DDR4-Technologie, 3200 MHz Geschwindigkeit und CL22-Latenzzeit, im Bulk-Verpackung. SAMSUNG SO-DIMM 8GB DDR4-3200 CL22 (1Gx8) SR (M471A1K43EB1-CWE)

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