G.Skill SO-DIMM 4GB PC3-12800 SQ Kit (F3-12800CL9D-4GBSQ)

F3-12800CL9D-4GBSQ, SQ, Lite Retail

Hersteller: G.SkillModellname: SQ SeriesGesamtkapazität: 4GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 2GBArt des Speichers: DDR3-1600JEDEC Norm: PC3-12800SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.50VAnschluss des Speichers: 204-pinLatenz (CL): CL9RAS to CAS Delay (tRCD): 9Ras Precharge Time (tRP): 9Row Active Time (tRAS): 28

Der G.Skill 4GB DDR3-1600 SQ ist ein leistungsstarker Arbeitsspeicher, der speziell für Laptops entwickelt wurde. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 2 GB, bietet dieser SO-DIMM-RAM eine zuverlässige und effiziente Lösung für verschiedene Anwendungen. Die Speichertaktfrequenz von 1600 MHz sorgt für eine schnelle Datenverarbeitung, während die CAS-Latenz von 9 eine reaktionsschnelle Leistung gewährleistet. Der unbuffered und non-ECC Speicher ist ideal für den Einsatz in Notebooks, wo Stabilität und Geschwindigkeit entscheidend sind. Mit einer Spannung von 1,5 V ist dieser RAM sowohl energieeffizient als auch leistungsstark, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Nutzer macht, die ihre Systemleistung optimieren möchten. - Speicherkapazität von 4 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 2 GB - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für schnelle Datenverarbeitung - CAS-Latenz von 9 für verbesserte Reaktionsgeschwindigkeit - Unbuffered und non-ECC für optimale Stabilität in Notebooks.

4096 MB G.Skill SO-DIMM 4 GB DDR3-1600 Kit

Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 2 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:9Speichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherkanäle:ZweikanaligSpeicherspannung:1.5 VSPD profil:JaVerpackungsart:SO-DIMM G.Skill 4GB DDR3-1600 SQ. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 2 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 9MerkmaleGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)RAM-Speicher4 GBSpeicherlayout (Module x Größe)2 x 2 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMECCNeinCAS Latenz9SpeicherkanäleDual-channelSpeicherspannung1,5 VSPD profilJaVerpackungsdatenVerpackungsartSO-DIMM SO-DIMM DDR3-1600 Kit Arbeitsspeicher Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazitä

F3-12800CL9D-4GBSQ, SQ-Serie Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Die Module sind auf Latenzen von 9-9-9-28 bei 1600 MHz programmiert und verfügen über vergoldete Kontakte.