smd mosfet

IX4427N aus der IX4427N-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit

IRS2011STRPBF aus der IRS2011-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3 V und 5 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 60 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend laut DigiKey, HIN/LIN active high laut Datenblatt bitte prüfen, UVLO, matched propagation delay, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

600 V half-bridge gate driver IC with integrated bootstrap diode 2EDL05N06PFXUMA1 aus der 2EDL05N06-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,7 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17,5 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 300 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, Offline-Gate-Clamping, LS-SOI-Technologie. Die Bauform PG-DSO-8, SMD, -40...+95 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

1EDC30I12MH aus der 1EDC30I12MH-Familie ist ein Isolierter Single-Gate-Treiber / High-Side für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD VCC1 3,1..5,5, VCC2 n. g. V, 3,3-/5-V-Logik Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, galvanische Isolation UL1577 / n. g. kVrms, galvanische Isolation, aktiver Miller-Clamp, UVLO. Die Bauform PG-DSO-8 Wide Body, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie. ±3.0 A with 3.0 A Miller clamp

L6384ED aus der L6384E-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, single-input / invertierend laut Distributor, Cross-Conduction-Schutz, UVLO, einstellbare Dead-Time. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: STMicroelectronics Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Topologie: Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: 400mA Ausgangsspannung: 580V Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 17V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Frequenz: 400kHz Verpackungs-Art: Tube

TQM2N7002KCU RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KCU RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KDCU6 RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

IR2113STRPBF aus der IR2113-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel, separate Logikversorgung möglich Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / unabhängige Eingänge, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2010STRPBF aus der IR2010-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,0 V Logik Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 95 / 65 ns Propagation Delay, 10 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, matched propagation delay, latch-immune HVIC, Schutz gegen Cross-Conduction. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR4427STRPBF aus der IR4427-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,3 A Source / 3,3 A Sink, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, Ausgangsstufe gegen Cross-Conduction optimiert. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das SMD-220 ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Die-Größen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in jedem bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das SMD-220 eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Merkmale . Oberflächenmontage . erhältlich in Tape & Reel . dynamischer dv/dt-Wert . schnelles Schalten . einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen

BSS138NH6327XTSA2 von INFINEON ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Logic level . dv /dt rated . Pb-free lead-plating; RoHS compliant . Qualified according to AEC Q101

BSS84-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Elektronikschaltungen. Geeignet für Lastschalter, Pegelsteuerungen, Signalpfade und platzsparende SMD-Designs. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed . Low Input/Output Leakage . Totally Lead-Free & Fully RoHS

1EDN7512BXTSA1 aus der 1EDN7512-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, GaN-FET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,2..20 V, TTL/CMOS-kompatibel, Eingang bis -10 V robust Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind invertierend und nicht invertierend, UVLO, Eingang bis -10 V robust, getrennte INV-/NINV-Eingänge, Ausgang bei UVLO definiert low. Die Bauform PG-SOT23-5-1, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27524AD aus der UCC27524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27714D aus der UCC27714-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 90 ns Propagation Delay, 15 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, UVLO, Enable, getrennte Logic-/Driver-Grounds, negative Input-Spannungstoleranz. Die Bauform SOIC-14, SMD, -40...+150 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

2EDN8524FXTMA1 aus der 2EDN8524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, GaN. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, TTL / 3,3-V-CMOS-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay, 5,3 ns Rise Time, 4,5 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, Shoot-through-Schutz, Current-Limiting, Reverse-Current-Robustheit, Kanäle parallelisierbar. Die Bauform PG-TSSOP-8, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27424QDRQ1 aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS, VIL/VIH ca. 1/2 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, AEC-Q100 unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

FAN3111CSX aus der FAN3111-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MC34151DG aus der MC34151-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, CMOS/LSTTL-kompatibel mit Hysterese Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35 / 36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, UVLO mit Hysterese, latch-up-fest, interner 100-kO-Pulldown je Ausgang, keine Überstrom-/Thermal-Schutzfunktion. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

BSS138-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed

UCC27523D aus der UCC27523-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, invertierend, UVLO, Enable, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27524DR aus der UCC27524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MC33152DR2G aus der MC33152-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35/36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, hohe Slew-Rate, duale Ausgänge. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+85 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

TPS2829DBVR aus der TPS2829-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..14 V, Schaltschwellen ca. 1/3 und 2/3 VCC Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 50 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 14 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, BiCMOS-Ausgang, geringe Shoot-through-Ströme, geringe Ruhestromaufnahme ohne internen Regler. Die Bauform SOT-23-5 / DBV, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2186STRPBF aus der IRS2186-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 170/170 max. ns Propagation Delay, 38 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / unabhängige Eingänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, getrennte high-/low-side Eingänge. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

L6384ED013TR aus der L6384ED-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, single-input / invertierend laut Distributor, Cross-Conduction-Schutz, UVLO, einstellbare Dead-Time. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.