smd mosfet

IRS44273LTRPBF aus der IRS44273-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, MOSFET-/IGBT-Ansteuerung. Die Bauform 5-lead SOT-23, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDI609SIA aus der IXDI609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

FAN3100CSX aus der FAN3100-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay, 13 ns Rise Time, 9 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2112STRPBF aus der IR2112-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 135 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, matched propagation delay. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

1-channel non-isolated gate-driver IC family with truly differential inputs 1EDN7550BXTSA1 aus der 1EDN7550-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber mit differentiellen Eingängen für MOSFET, GaN. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,5..20 V, differentielle Eingänge Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, echte differentielle Eingänge, hohe CMR-Störfestigkeit, kurzer Mindestpuls. Die Bauform PG-SOT23-6, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDD614SI aus der IXDD614-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDN614SI aus der IXDN614-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IX4427N aus der IX4427N-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit

IRS2011STRPBF aus der IRS2011-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3 V und 5 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 60 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend laut DigiKey, HIN/LIN active high laut Datenblatt bitte prüfen, UVLO, matched propagation delay, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDF604SIA aus der IXDF604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit

Hersteller: STMicroelectronics Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Topologie: Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: 400mA Ausgangsspannung: 580V Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 17V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Frequenz: 400kHz Verpackungs-Art: Tube

IXDN602SIA aus der IXDN602-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, VIL/VIH ca. 0,8/3 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 7,5 ns Rise Time, 6,5 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDD604SIA aus der IXDD604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 29 / 35 ns Propagation Delay,

TQM2N7002KCU RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KCU RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KDCU6 RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

IR2113STRPBF aus der IR2113-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel, separate Logikversorgung möglich Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / unabhängige Eingänge, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2010STRPBF aus der IR2010-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,0 V Logik Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 95 / 65 ns Propagation Delay, 10 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, matched propagation delay, latch-immune HVIC, Schutz gegen Cross-Conduction. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR4427STRPBF aus der IR4427-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,3 A Source / 3,3 A Sink, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, Ausgangsstufe gegen Cross-Conduction optimiert. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDN604SIA aus der IXDN604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 29 / 35 ns Propagation Delay,

HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das SMD-220 ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Die-Größen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in jedem bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das SMD-220 eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Merkmale . Oberflächenmontage . erhältlich in Tape & Reel . dynamischer dv/dt-Wert . schnelles Schalten . einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen

L6384ED aus der L6384E-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, single-input / invertierend laut Distributor, Cross-Conduction-Schutz, UVLO, einstellbare Dead-Time. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 37A Verlustleistung: 69W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -11A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 43W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

BSS84-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Elektronikschaltungen. Geeignet für Lastschalter, Pegelsteuerungen, Signalpfade und platzsparende SMD-Designs. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed . Low Input/Output Leakage . Totally Lead-Free & Fully RoHS

1EDN7512BXTSA1 aus der 1EDN7512-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, GaN-FET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,2..20 V, TTL/CMOS-kompatibel, Eingang bis -10 V robust Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind invertierend und nicht invertierend, UVLO, Eingang bis -10 V robust, getrennte INV-/NINV-Eingänge, Ausgang bei UVLO definiert low. Die Bauform PG-SOT23-5-1, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27714D aus der UCC27714-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 90 ns Propagation Delay, 15 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, UVLO, Enable, getrennte Logic-/Driver-Grounds, negative Input-Spannungstoleranz. Die Bauform SOIC-14, SMD, -40...+150 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27424QDRQ1 aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS, VIL/VIH ca. 1/2 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, AEC-Q100 unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.