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INFINEON BSS123NH6327XTSA - MOSFET, N-Kanal, 100V, 0,19A, 6R, SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
INFINEON BSS123NH6327XTSA - MOSFET, N-Kanal, 100V, 0,19A, 6R, SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
BSS123NH6327XTSA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Enhancement mode . Logic level (4.5V rated) . Avalanche rated . Qualified according to AEC Q101
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INFINEON IR2110STRPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 2,5A SOIC-16
INFINEON IR2110STRPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 2,5A SOIC-16
IR2110STRPBF aus der IR2110-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/TTL, separate Logikversorgung 3,3..20 V Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 500 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 35 ns Rise Time, 25 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDD604SI - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDD604SI - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A 8-SOIC-EP
IXDD604SI aus der IXDD604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 29 / 35 ns Propagation Delay,
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ONSEMI MC34152DG - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
ONSEMI MC34152DG - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
MC34152DG aus der MC34152-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, CMOS/LSTTL-kompatibel mit Hysterese Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35 / 36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO mit Hysterese, latch-up-fest, interner 100-kO-Pulldown je Ausgang, keine Überstrom-/Thermal-Schutzfunktion. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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MICROCHIP TC427COA - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
MICROCHIP TC427COA - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
TC427COA aus der TC427COA-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS/TTL, Eingangslogik bis VDD möglich Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 30 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IX4427NTR - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
LITTELFUSE IX4427NTR - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
IX4427NTR aus der IX4427-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit
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TAIWAN-SEMICONDUCTOR TQM2N7002KCX RFG - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0,37A, 1,6R, SOT-23
TAIWAN-SEMICONDUCTOR TQM2N7002KCX RFG - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0,37A, 1,6R, SOT-23
TQM2N7002KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27324DR - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 4A SOIC-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27324DR - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 4A SOIC-8
UCC27324DR aus der UCC27324-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27201ADDAR - Halbbrücke MOSFET 2-Kanäle 3A HSOP-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27201ADDAR - Halbbrücke MOSFET 2-Kanäle 3A HSOP-8
UCC27201ADDAR aus der UCC27201A-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 8..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 120 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO high-/low-side, integrierte Bootstrap-Diode, unabhängige Eingänge. Die Bauform SO PowerPAD-8 / HSOP-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDN609SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDN609SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A 8-SOIC-EP
IXDN609SI aus der IXDN609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27424DR - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 4A SOIC-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27424DR - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 4A SOIC-8
UCC27424DR aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27322DR - Low-Side MOSFET 1-Kanal 9A SOIC-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27322DR - Low-Side MOSFET 1-Kanal 9A SOIC-8
UCC27322DR aus der UCC27322-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, Enable, Split Outputs, hohe Miller-Stromfähigkeit. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON IRS44273LTRPBF - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 1,5A SOT-23-5
INFINEON IRS44273LTRPBF - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 1,5A SOT-23-5
IRS44273LTRPBF aus der IRS44273-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, MOSFET-/IGBT-Ansteuerung. Die Bauform 5-lead SOT-23, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDI609SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A SOIC-8
LITTELFUSE IXDI609SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A SOIC-8
IXDI609SIA aus der IXDI609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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ONSEMI FAN3100CSX - Low-Side MOSFET 1-Kanal 3A SOT-23-5
ONSEMI FAN3100CSX - Low-Side MOSFET 1-Kanal 3A SOT-23-5
FAN3100CSX aus der FAN3100-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay, 13 ns Rise Time, 9 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON IR2112STRPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2A SOIC-16
INFINEON IR2112STRPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2A SOIC-16
IR2112STRPBF aus der IR2112-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 135 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, matched propagation delay. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON 1EDN7550BXTSA1 - Low-Side MOSFET/GaN 1-Kanal 4/8A SOT-23-6
INFINEON 1EDN7550BXTSA1 - Low-Side MOSFET/GaN 1-Kanal 4/8A SOT-23-6
1-channel non-isolated gate-driver IC family with truly differential inputs 1EDN7550BXTSA1 aus der 1EDN7550-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber mit differentiellen Eingängen für MOSFET, GaN. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,5..20 V, differentielle Eingänge Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, echte differentielle Eingänge, hohe CMR-Störfestigkeit, kurzer Mindestpuls. Die Bauform PG-SOT23-6, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDD614SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 14A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDD614SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 14A 8-SOIC-EP
IXDD614SI aus der IXDD614-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDN614SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 14A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDN614SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 14A 8-SOIC-EP
IXDN614SI aus der IXDN614-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IX4427N - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
LITTELFUSE IX4427N - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
IX4427N aus der IX4427N-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit
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INFINEON IRS2011STRPBF - High/Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1A SOIC-8
INFINEON IRS2011STRPBF - High/Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1A SOIC-8
IRS2011STRPBF aus der IRS2011-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3 V und 5 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 60 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend laut DigiKey, HIN/LIN active high laut Datenblatt bitte prüfen, UVLO, matched propagation delay, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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MICROCHIP TC4452VOA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 12A SOIC-8
MICROCHIP TC4452VOA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 12A SOIC-8
TC4452VOA aus der TC4452-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 12 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, 3..18 V Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 44 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, ESD bis 4 kV HBM, geringe Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDF604SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A SOIC-8
LITTELFUSE IXDF604SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A SOIC-8
IXDF604SIA aus der IXDF604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit
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TNE 1x einzelner Transistor high-side,Torsteuerung IGBT 1EDC10I12MHXUMA1 MOSFET/IGBT _1GH_1EDC10I12MH
TNE 1x einzelner Transistor high-side,Torsteuerung IGBT 1EDC10I12MHXUMA1 MOSFET/IGBT _1GH_1EDC10I12MH
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-DSO-8 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Technologie: ™ Spannungsklasse: 600/650/1200V Integrierten Schaltkreises-Art: high-side Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 1 Topologie: einzelner Transistor Montage: SMD Versorgungsspannung: 3.1...17/13...18V Ausgangsstrom: -1...1A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: ive Miller cl Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 2W -3,6A IRF7306TRPBF P-Kanal-Transistoren _1GH_IRF7306TRPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -30V unipolar 2W -3,6A IRF7306TRPBF P-Kanal-Transistoren _1GH_IRF7306TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -3.6A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 800V 10A 300W TO263 IXFA10N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFA10N80P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 800V 10A 300W TO263 IXFA10N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFA10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 89A 48W unipolar PG-TDSON-8 BSC0902NSIATMA1 N-Kanal-T _1GH_BSC0902NSIATMA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 89A 48W unipolar PG-TDSON-8 BSC0902NSIATMA1 N-Kanal-T _1GH_BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Verlustleistung: 48W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.8mΩ Montage: SMD
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 52A unipolar 200V 357W D2PAK FDB52N20TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB52N20TM
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 52A unipolar 200V 357W D2PAK FDB52N20TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB52N20TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: UniFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 52A Verlustleistung: 357W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 49mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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INFINEON IR2111STRPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2/0,42A SOIC-8
INFINEON IR2111STRPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2/0,42A SOIC-8
IR2111SPBF aus der IR2111-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,42 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, internes Dead-Time/Shoot-through-Vermeidung, latch-immune HVIC, Ausgangsstufe mit geringer Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON IR2106STRPBF - H/L-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2/0,35A SOIC-8
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IR2106STRPBF aus der IR2106-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Soft-Turn-On, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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