smd mosfet

IXDD604SI aus der IXDD604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 29 / 35 ns Propagation Delay,

MC34152DG aus der MC34152-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, CMOS/LSTTL-kompatibel mit Hysterese Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35 / 36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO mit Hysterese, latch-up-fest, interner 100-kO-Pulldown je Ausgang, keine Überstrom-/Thermal-Schutzfunktion. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDN630YI aus der IXDN630-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 30 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 12,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,5 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 11 ns Rise Time, 11 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, UVLO, latch-up-fest, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through. Die Bauform TO-263-5 / D2PAK, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

TC427COA aus der TC427COA-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS/TTL, Eingangslogik bis VDD möglich Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 30 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MIC4422ZM aus der MIC4422-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, VIL/VIH 0,8/2,4 V, TTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 20 ns Rise Time, 24 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, ESD-Schutz, geringe Crossover-Ströme. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

BSS123NH6327XTSA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Enhancement mode . Logic level (4.5V rated) . Avalanche rated . Qualified according to AEC Q101

IXDI602SIA aus der IXDI602-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, VIL/VIH ca. 0,8/3 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 7,5 ns Rise Time, 6,5 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend, latch-up-fest, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27524DR aus der UCC27524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

ZXGD3009E6TA aus der ZXGD3009-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD bis 40 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. ca. 3,8/4 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, schneller 1-A-Gate-Treiber, geringe Eingangsleistung. Die Bauform SOT-26, SMD, n. g. °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MC33152DR2G aus der MC33152-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35/36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, hohe Slew-Rate, duale Ausgänge. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+85 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

TPS2829DBVR aus der TPS2829-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..14 V, Schaltschwellen ca. 1/3 und 2/3 VCC Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 50 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 14 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, BiCMOS-Ausgang, geringe Shoot-through-Ströme, geringe Ruhestromaufnahme ohne internen Regler. Die Bauform SOT-23-5 / DBV, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2186STRPBF aus der IRS2186-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 170/170 max. ns Propagation Delay, 38 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / unabhängige Eingänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, getrennte high-/low-side Eingänge. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IX4427NTR aus der IX4427-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit

600 V half-bridge gate driver IC with integrated bootstrap diode 2EDL05N06PFXUMA1 aus der 2EDL05N06-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,7 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17,5 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 300 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, Offline-Gate-Clamping, LS-SOI-Technologie. Die Bauform PG-DSO-8, SMD, -40...+95 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

1EDC30I12MH aus der 1EDC30I12MH-Familie ist ein Isolierter Single-Gate-Treiber / High-Side für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD VCC1 3,1..5,5, VCC2 n. g. V, 3,3-/5-V-Logik Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, galvanische Isolation UL1577 / n. g. kVrms, galvanische Isolation, aktiver Miller-Clamp, UVLO. Die Bauform PG-DSO-8 Wide Body, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie. ±3.0 A with 3.0 A Miller clamp

IX4427N aus der IX4427N-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit

IRS2011STRPBF aus der IRS2011-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3 V und 5 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 60 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend laut DigiKey, HIN/LIN active high laut Datenblatt bitte prüfen, UVLO, matched propagation delay, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Betriebsspannung: 650V Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: MOSFET Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Dimmung PWM Eigenschafte integrierter Schaltkreise: gleitende Dimmung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: LED Steuerung Ausgangsstrom: 1.7A

UCC27201ADDAR aus der UCC27201A-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 8..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 120 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO high-/low-side, integrierte Bootstrap-Diode, unabhängige Eingänge. Die Bauform SO PowerPAD-8 / HSOP-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27324DR aus der UCC27324-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27322DR aus der UCC27322-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, Enable, Split Outputs, hohe Miller-Stromfähigkeit. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2112STRPBF aus der IR2112-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 135 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, matched propagation delay. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2109STRPBF aus der IR2109-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, abhängig angesteuert, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

TQM2N7002KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

BSS138P,215 von NEXPERIA ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

UCC27511DBVR aus der UCC27511-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS-kompatibel, duale IN+/IN- Eingänge Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 13 ns Propagation Delay, 9 ns Rise Time, 7 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend und nicht invertierend, UVLO, Ausgang low bei UVLO, rail-to-rail, minimierter Shoot-through-Strom. Die Bauform SOT-23-6, SMD, -40...+140 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27424DR aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

L6384ED aus der L6384E-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, single-input / invertierend laut Distributor, Cross-Conduction-Schutz, UVLO, einstellbare Dead-Time. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Verlustleistung: 48W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.8mΩ Montage: SMD

IR2111SPBF aus der IR2111-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,42 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, internes Dead-Time/Shoot-through-Vermeidung, latch-immune HVIC, Ausgangsstufe mit geringer Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.