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TNE 10x Diode: Gleichrichter 1,6kV Ifsm: 30A THT 1A EM513 Universaldioden THT _1GH_EM513-DC
TNE 10x Diode: Gleichrichter 1,6kV Ifsm: 30A THT 1A EM513 Universaldioden THT _1GH_EM513-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 1.6kV Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Verpackungs-Art: Ammo Pack Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: DO41 Vorwärtsspannung max.: 1.1V
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TNE 3x Diode: Gleichrichter 400V SOD57 BYV26B-TAP Universaldioden THT 1A Ifsm: 30A THT _1GH_BYV26B-TAP
TNE 3x Diode: Gleichrichter 400V SOD57 BYV26B-TAP Universaldioden THT 1A Ifsm: 30A THT _1GH_BYV26B-TAP
Hersteller: VISHAY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Bereitschaftszeit: 30ns Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: Avalanche-Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: Ammo Pack Gehäuse: SOD57 Vorwärtsspannung max.: 1.3V Strom im max. Impuls: 30A Leck strom: 100µA
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TNE 1x Diode: TVS Array Bidirektional 30A 600W 3V Kanäle: 8 SLVU2.8-8.TBT Sicherheit _1GH_SLVU2.8-8.TBT
TNE 1x Diode: TVS Array Bidirektional 30A 600W 3V Kanäle: 8 SLVU2.8-8.TBT Sicherheit _1GH_SLVU2.8-8.TBT
Hersteller: SEMTECH Montage: SMD Eigenschaften von Halbleiterelementen: Sicherung Rückspannung max.: 2.8V Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: Bidirektional Gehäuse: Dioden-Typ: TVS Array Anzahl Kanäle: 8 Durchbruchspannung: 3V Strom im max. Impuls: 30A Verlustleistung: 600W
3 Wochen
18,13€
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TNE 3x Diode: Gleichrichter 600V SOD57 BYV26C-TAP Universaldioden THT THT 1A Ifsm: 30A _1GH_BYV26C-TAP
TNE 3x Diode: Gleichrichter 600V SOD57 BYV26C-TAP Universaldioden THT THT 1A Ifsm: 30A _1GH_BYV26C-TAP
Hersteller: VISHAY Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 100µA Gehäuse: SOD57 Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 30ns Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.3V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Avalanche-Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 1A Ifsm: 30A 1N4004 Universaldioden THT 400V unverpackt THT _1GH_1N4004-DCO
TNE 25x Diode: Gleichrichter 1A Ifsm: 30A 1N4004 Universaldioden THT 400V unverpackt THT _1GH_1N4004-DCO
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: DO41 Montage: THT Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: unverpackt Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
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TNE 10x Diode: Schaltdiode 400V Ifsm: 30A 1A THT unverpackt CASE59 1N4936G Universaldi _1GH_1N4936G
TNE 10x Diode: Schaltdiode 400V Ifsm: 30A 1A THT unverpackt CASE59 1N4936G Universaldi _1GH_1N4936G
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Dioden-Typ: Schaltdiode Rückspannung max.: 400V Strom im max. Impuls: 30A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: CASE59 Montage: THT Verpackungs-Art: unverpackt Vorwärtsspannung max.: 1.2V Vorwärtsstrom: 1A Bereitschaftszeit: 200ns
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter THT R2000 Universaldioden THT 0,2A 2kV Ifsm: 30A _1GH_R2000-DC
TNE 10x Diode: Gleichrichter THT R2000 Universaldioden THT 0,2A 2kV Ifsm: 30A _1GH_R2000-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Montage: THT Vorwärtsspannung max.: 3V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung Rückspannung max.: 2kV Vorwärtsstrom: 0.2A Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: DO41 Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A
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TNE 20x Diode: Gleichrichter THT 1A Ifsm: 30A 100V A405 1N4002A RL102 Universaldioden _1GH_RL102-DC
TNE 20x Diode: Gleichrichter THT 1A Ifsm: 30A 100V A405 1N4002A RL102 Universaldioden _1GH_RL102-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Gehäuse: A405 Montage: THT Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: Ammo Pack
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT 1N4007G Universaldioden THT 1A 1000V B Ifsm: 30A _1GH_1N4007G-YAN
TNE 25x Diode: Gleichrichter THT 1N4007G Universaldioden THT 1A 1000V B Ifsm: 30A _1GH_1N4007G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Rückspannung max.: 1000V Strom im max. Impuls: 30A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Montage: THT Verpackungs-Art: B Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Vorwärtsspannung max.: 1.1V Vorwärtsstrom: 1A
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter THT 100V 1A unverpackt Ifsm: 30A CASE59 1N4002G Universal _1GH_1N4002G
TNE 10x Diode: Gleichrichter THT 100V 1A unverpackt Ifsm: 30A CASE59 1N4002G Universal _1GH_1N4002G
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: CASE59 Verpackungs-Art: unverpackt Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
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TNE 10x Diode: Gleichrichter unverpackt 1A 1kV Ifsm: 30A THT CASE59 1N4007G Universald _1GH_1N4007G
TNE 10x Diode: Gleichrichter unverpackt 1A 1kV Ifsm: 30A THT CASE59 1N4007G Universald _1GH_1N4007G
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: CASE59 Montage: THT Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: unverpackt Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 1A THT 400V 75ns HER105 Universaldioden THT Ifsm: 30A _1GH_HER105
TNE 10x Diode: Gleichrichter 1A THT 400V 75ns HER105 Universaldioden THT Ifsm: 30A _1GH_HER105
Hersteller: DC COMPONENTS Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: DO41 Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 75ns Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.3V Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: Ammo Pack
3 Wochen
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TNE 3x Diode: Gleichrichter 1,25A 1kV THT Ifsm: 30A SOD57 BYT54M-TAP Universaldioden _1GH_BYT54M-TAP
TNE 3x Diode: Gleichrichter 1,25A 1kV THT Ifsm: 30A SOD57 BYT54M-TAP Universaldioden _1GH_BYT54M-TAP
Hersteller: VISHAY Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 150µA Gehäuse: SOD57 Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 100ns Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.5V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Avalanche-Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom: 1.25A
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter unverpackt 1A THT 400V Ifsm: 30A CASE59 1N4004G Universal _1GH_1N4004G
TNE 10x Diode: Gleichrichter unverpackt 1A THT 400V Ifsm: 30A CASE59 1N4004G Universal _1GH_1N4004G
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: CASE59 Verpackungs-Art: unverpackt Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
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TNE 25x Diode: Gleichrichter R1 1A1 Universaldioden THT Ifsm: 30A 50V THT 1A _1GH_1A1-DC
TNE 25x Diode: Gleichrichter R1 1A1 Universaldioden THT Ifsm: 30A 50V THT 1A _1GH_1A1-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 50V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Verpackungs-Art: Ammo Pack Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: R1 Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 200V 1A Ifsm: 30A THT 50ns HER103 Universaldioden THT _1GH_HER103
TNE 10x Diode: Gleichrichter 200V 1A Ifsm: 30A THT 50ns HER103 Universaldioden THT _1GH_HER103
Hersteller: DC COMPONENTS Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: DO41 Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 50ns Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 200V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: Ammo Pack
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TNE 20x Diode: Gleichrichter 1000V 1A 500ns FR107 Universaldioden THT B Ifsm: 30A THT _1GH_FR107-YAN
TNE 20x Diode: Gleichrichter 1000V 1A 500ns FR107 Universaldioden THT B Ifsm: 30A THT _1GH_FR107-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 1000V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 500ns
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TNE 25x Diode: Gleichrichter R1 1A6 Universaldioden THT 1A THT Ifsm: 30A 800V _1GH_1A6-DC
TNE 25x Diode: Gleichrichter R1 1A6 Universaldioden THT 1A THT Ifsm: 30A 800V _1GH_1A6-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 800V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Verpackungs-Art: Ammo Pack Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: R1 Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT Rolle,B 1N4003G-T Universaldioden THT 200V Ifsm: 30A 1A _1GH_1N4003G-T
TNE 25x Diode: Gleichrichter THT Rolle,B 1N4003G-T Universaldioden THT 200V Ifsm: 30A 1A _1GH_1N4003G-T
Hersteller: DIODES INCORPORATED Fassungsvermögen: 8pF Montage: THT Gehäuse: Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Vorwärtsspannung max.: 1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Rückspannung max.: 200V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 2µs Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT 1A 1N4004G Universaldioden THT Ifsm: 30A 400V B _1GH_1N4004G-YAN
TNE 25x Diode: Gleichrichter THT 1A 1N4004G Universaldioden THT Ifsm: 30A 400V B _1GH_1N4004G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1.1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 600V THT Ifsm: 30A 1A unverpackt 1N4005 Universaldioden THT _1GH_1N4005-DCO
TNE 25x Diode: Gleichrichter 600V THT Ifsm: 30A 1A unverpackt 1N4005 Universaldioden THT _1GH_1N4005-DCO
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: DO41 Montage: THT Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: unverpackt Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT Ifsm: 30A 1N4936-T Universaldioden THT 400V Rolle,B 1A _1GH_1N4936-T
TNE 25x Diode: Gleichrichter THT Ifsm: 30A 1N4936-T Universaldioden THT 400V Rolle,B 1A _1GH_1N4936-T
Hersteller: DIODES INCORPORATED Fassungsvermögen: 15pF Montage: THT Gehäuse: Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Vorwärtsspannung max.: 1.2V Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 200ns Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 1A B THT 1000V Ifsm: 30A Ufmax: 1V 1N4007 Universaldiode _1GH_1N4007-YAN
TNE 25x Diode: Gleichrichter 1A B THT 1000V Ifsm: 30A Ufmax: 1V 1N4007 Universaldiode _1GH_1N4007-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Rückspannung max.: 1000V Strom im max. Impuls: 30A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Montage: THT Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1V Vorwärtsstrom: 1A
3 Wochen
5,55€
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TNE 3x Diode: Gleichrichter 1,2kV 1A Ifsm: 30A THT SOD57 SF1200-TAP Universaldioden _1GH_SF1200-TAP
TNE 3x Diode: Gleichrichter 1,2kV 1A Ifsm: 30A THT SOD57 SF1200-TAP Universaldioden _1GH_SF1200-TAP
Hersteller: VISHAY Verpackungs-Art: Ammo Pack Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 3.4V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Avalanche-Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schenlle Umschaltung Rückspannung max.: 1.2kV Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 50µA Gehäuse: SOD57 Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 75ns Montage: THT
3 Wochen
6,23€
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TNE 10x Diode: Gleichrichter THT 800V Ifsm: 30A 1A unverpackt CASE59 1N4006G Universal _1GH_1N4006G
TNE 10x Diode: Gleichrichter THT 800V Ifsm: 30A 1A unverpackt CASE59 1N4006G Universal _1GH_1N4006G
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: CASE59 Verpackungs-Art: unverpackt Rückspannung max.: 800V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
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TNE 3x Diode: Gleichrichter 1A SOD57 1kV Ifsm: 30A THT 75ns BYV26E-TAP Universaldiod _1GH_BYV26E-TAP
TNE 3x Diode: Gleichrichter 1A SOD57 1kV Ifsm: 30A THT 75ns BYV26E-TAP Universaldiod _1GH_BYV26E-TAP
Hersteller: VISHAY Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 100µA Gehäuse: SOD57 Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 75ns Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.3V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Avalanche-Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom: 1A
3 Wochen
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TNE 20x Diode: Gleichrichter 400V THT 1A Ifsm: 30A A405 1N4004A RL104 Universaldioden _1GH_RL104-DC
TNE 20x Diode: Gleichrichter 400V THT 1A Ifsm: 30A A405 1N4004A RL104 Universaldioden _1GH_RL104-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Gehäuse: A405 Montage: THT Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: Ammo Pack
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 1A Ifsm: 30A THT 100V R1 1A2 Universaldioden THT _1GH_1A2-DC
TNE 25x Diode: Gleichrichter 1A Ifsm: 30A THT 100V R1 1A2 Universaldioden THT _1GH_1A2-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Verpackungs-Art: Ammo Pack Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: R1 Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
5,45€
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TNE 3x Diode: Gleichrichter 1,5kV THT Ifsm: 30A SOD57 BY448TAP Universaldioden THT 2A _1GH_BY448TAP
TNE 3x Diode: Gleichrichter 1,5kV THT Ifsm: 30A SOD57 BY448TAP Universaldioden THT 2A _1GH_BY448TAP
Hersteller: VISHAY Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 140µA Gehäuse: SOD57 Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 20µs Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.6V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Avalanche-Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung Rückspannung max.: 1.5kV Vorwärtsstrom: 2A
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 600V THT Ifsm: 30A B 1A 250ns FR105 Universaldioden THT _1GH_FR105-YAN
TNE 25x Diode: Gleichrichter 600V THT Ifsm: 30A B 1A 250ns FR105 Universaldioden THT _1GH_FR105-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 250ns
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