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TNE 25x Diode: Gleichrichter B THT Ifsm: 30A 1A 600V Ufmax: 1V 1N4005 Universaldioden _1GH_1N4005-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1V Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
5,44€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 600V Rolle,B 1A THT 1N4005G-T Universaldioden THT Ifsm: 30A _1GH_1N4005G-T
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: THT Vorwärtsspannung max.: 1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Fassungsvermögen: 8pF Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 2µs Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
5,30€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 1A THT B 50V Ifsm: 30A Ufmax: 1V 1N4001 Universaldioden _1GH_1N4001-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1V Rückspannung max.: 50V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
5,45€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT 1N4006G-T Universaldioden THT 1A Ifsm: 30A 800V Rolle,B _1GH_1N4006G-T
Hersteller: DIODES INCORPORATED Fassungsvermögen: 8pF Montage: THT Gehäuse: Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Vorwärtsspannung max.: 1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Rückspannung max.: 800V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 2µs Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
5,53€
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TNE 20x Diode: Gleichrichter B 600V Ifsm: 30A 1A THT 35ns SF18G Universaldioden THT _1GH_SF18G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.7V Bereitschaftszeit: 35ns
3 Wochen
7,06€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 400V Ifsm: 30A 1A 150ns FR104 Universaldioden THT THT B _1GH_FR104-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 150ns
3 Wochen
6,49€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT 50ns HER104G Universaldioden THT 1A 300V B Ifsm: 30A _1GH_HER104G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 300V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 50ns
3 Wochen
7,07€
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TNE 10x Diode: Gleichrichter Rolle,B Ifsm: 30A 1A THT 800V CASE59 1N4006FFG Universald _1GH_1N4006FFG
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: CASE59 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Rückspannung max.: 800V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
6,69€
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 1,2kV R1200 Universaldioden THT THT Ifsm: 30A 0,5A _1GH_R1200-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Montage: THT Vorwärtsspannung max.: 2V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung Rückspannung max.: 1.2kV Vorwärtsstrom: 0.5A Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: DO41 Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
6,47€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT B 400V 1A Ifsm: 30A Ufmax: 1V 1N4004 Universaldioden _1GH_1N4004-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1V Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 150ns FR102 Universaldioden THT THT B 1A Ifsm: 30A 100V _1GH_FR102-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 150ns
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 200V Ifsm: 30A THT B 1A Ufmax: 1V 1N4003 Universaldioden _1GH_1N4003-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1V Rückspannung max.: 200V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter B Ifsm: 30A 1A THT 100V 150ns FR102G Universaldioden THT _1GH_FR102G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 150ns
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 1A 100V Ifsm: 30A B THT Ufmax: 1V 1N4002 Universaldioden _1GH_1N4002-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1V Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 150ns FR103G Universaldioden THT THT B 1A Ifsm: 30A 200V _1GH_FR103G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 200V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 150ns
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter THT 2,5kV R2500 Universaldioden THT Ifsm: 30A 0,2A _1GH_R2500-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Montage: THT Vorwärtsspannung max.: 3V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung Rückspannung max.: 2.5kV Vorwärtsstrom: 0.2A Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: DO41 Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
6,47€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter B THT 1A 600V 250ns FR105G Universaldioden THT Ifsm: 30A _1GH_FR105G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 250ns
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT 1A 100V B Ifsm: 30A Ufmax: 1V HER102 Universaldioden _1GH_HER102-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1V Bereitschaftszeit: 50ns
3 Wochen
6,55€
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TNE 10x Diode: Gleichrichter THT 1kV 1A Rolle,B Ifsm: 30A CASE59 1N4007RLG Universaldi _1GH_1N4007RLG
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: CASE59 Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter A405 1N4004GS Universaldioden THT B 400V THT 1A Ifsm: 30A _1GH_1N4004GS-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1.1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: A405 Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
5,46€
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 1,5kV THT 0,5A Ifsm: 30A 00 Universaldioden THT _1GH_R1500-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Montage: THT Vorwärtsspannung max.: 2V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung Rückspannung max.: 1.5kV Vorwärtsstrom: 0.5A Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: DO41 Dioden-Typ: Gleichrichter Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
6,47€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 150ns FR103 Universaldioden THT 200V Ifsm: 30A THT 1A B _1GH_FR103-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 200V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 150ns
3 Wochen
6,25€
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TNE Diode: Gleichrichter; THT; 1kV; 1A; Rolle,Band; Ifsm: 30A; DO41; 2us 1N4007-TP Universaldioden THT 8486
Technische Daten: -Dioden-Typ: Gleichrichter -Strom im max. Impuls: 30A -Vorwärtsspannung max.: 1V -Rückspannung max.: 1kV -Vorwärtsstrom: 1A -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Struktur des Halbleiters: einzelne Diode -Gehäuse: -Fassungsvermögen: 15pF -Bereitschaftszeit: 2µs -Montage: THT -Lieferumfang: 2 Stk.
3-4 Werktage
3,89€
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TNE Diode: Gleichrichter; SMD; 400V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A US1G-E3/61T Universaldioden SMD 8384
Technische Daten: -Strom im max. Impuls: 30A -Vorwärtsspannung max.: 1V -Eigenschaften von Halbleiterelementen: schenlle Umschaltung -Rückspannung max.: 400V -Vorwärtsstrom: 1A -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Struktur des Halbleiters: einzelne Diode -Gehäuse: -Fassungsvermögen: 15pF -Dioden-Typ: Gleichrichter -Bereitschaftszeit: 50ns -Montage: SMD -Lieferumfang: 5 Stk.
3-4 Werktage
4,29€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter THT 50V B 1A Ifsm: 30A Ufmax: 1,1V 1N4001G Universaldiod _1GH_1N4001G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Verpackungs-Art: B Vorwärtsspannung max.: 1.1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Rückspannung max.: 50V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
5,52€
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TNE 1x Diode: Gleichrichter 0,3A Ir: 1uA BY16 Universaldioden THT Ifsm: 30A THT 16kV _1GH_BY16-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 16kV Vorwärtsstrom: 0.3A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung Verpackungs-Art: Ammo Pack Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Ø7,3x22mm Vorwärtsspannung max.: 15V Leck strom: 1µA
3 Wochen
11,52€
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 50V THT Ifsm: 30A 1A B Ufmax: 1,3V FR101G Universaldiode _1GH_FR101G-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 50V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.3V Bereitschaftszeit: 150ns
3 Wochen
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Herth + Buss Relais 12 V 20 A; 30 A, 5-polig, Wechsler, mit Diode und Haltelasche, 75 613 173 10321442
Vergl. Nr.: Herth + Buss: 75613173009, 75613173/99 Audi: KDWHL09678 Case IH: 0 707485 0, 1 301458 C1, Deutz-Fahr: 01178519 Fiat: 32190845, 3219084500 Hanomag-Henschel: 3097600M1 Irmscher: 0075312005 Iveco: 5158609 John Deere: AL 57 418 Schmitz Cargobull: 1104 Volvo: 1324492 VW: KDWHL09678 Im BayWa Portal finden Sie ein breites Sortiment an Top-Artikel. Entdecken Sie die große Vielfalt im Online-Shop der BayWa.
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TNE 5x Diode: Gleichrichterdiode Schottky B180-13-F Schottkydioden SMD 80V SMD 1A _1GH_B180-13-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Dioden-Typ: Gleichrichterdiode Schottky Montage: SMD Rückspannung max.: 80V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Fassungsvermögen: 80pF Gehäuse: Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Strom im max. Impuls: 30A
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