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TNE 5x Diode: Gleichrichter 150ns SMD 1A 400V Verpackung: Rolle,B RGF1G Universaldiod _1GH_RGF1G
TNE 5x Diode: Gleichrichter 150ns SMD 1A 400V Verpackung: Rolle,B RGF1G Universaldiod _1GH_RGF1G
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Rückspannung max.: 400V Montage: SMD Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.3V Verlustleistung: 1.76W Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Fassungsvermögen: 8.5pF Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 150ns
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 100V 3A 1N5401 Universaldioden THT THT Ifsm: 180A _1GH_1N5401-DIO
TNE 10x Diode: Gleichrichter 100V 3A 1N5401 Universaldioden THT THT Ifsm: 180A _1GH_1N5401-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 3A Vorwärtsstrom max.: 30A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Verpackungs-Art: Ammo Pack Strom im max. Impuls: 180A Gehäuse: DO201 Vorwärtsspannung max.: 1.2V Leck strom: 5µA Bereitschaftszeit: 1.5µs
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TNE 5x Diode: Gleichrichter 75ns 1,5A SMD 1kV Verpackung: Rolle,B BYG23M-E3/TR Univer _1GH_BYG23M-E3/TR
TNE 5x Diode: Gleichrichter 75ns 1,5A SMD 1kV Verpackung: Rolle,B BYG23M-E3/TR Univer _1GH_BYG23M-E3/TR
Hersteller: VISHAY Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 50µA Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 75ns Montage: SMD Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.35V Eigenschaften von Halbleiterelementen: Avalanche-Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom: 1.5A
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 200V 1A SMD Verpackung: Rolle,B SM4003 Universaldioden SMD _1GH_SM4003-DC
TNE 10x Diode: Gleichrichter 200V 1A SMD Verpackung: Rolle,B SM4003 Universaldioden SMD _1GH_SM4003-DC
Hersteller: DC COMPONENTS Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: DO213AB Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: SMD Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Rückspannung max.: 200V Vorwärtsstrom: 1A
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 500ns 1kV SMD 1A Verpackung: Rolle,B FR1M Universaldioden _1GH_FR1M-DIO
TNE 25x Diode: Gleichrichter 500ns 1kV SMD 1A Verpackung: Rolle,B FR1M Universaldioden _1GH_FR1M-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Vorwärtsspannung max.: 1.3V Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 500ns Strom im max. Impuls: 30A
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 1kV 1A 1,5us SMD Verpackung: Rolle,B S1M Universaldioden _1GH_S1M-DIO
TNE 25x Diode: Gleichrichter 1kV 1A 1,5us SMD Verpackung: Rolle,B S1M Universaldioden _1GH_S1M-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 1.5µs Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V Rückspannung max.: 1kV
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TNE 5x Diode: Gleichrichter 2kV SMD 1A 1,5us Verpackung: Rolle,B S1Y Universaldioden _1GH_S1Y-DIO
TNE 5x Diode: Gleichrichter 2kV SMD 1A 1,5us Verpackung: Rolle,B S1Y Universaldioden _1GH_S1Y-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 1.5µs Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V Rückspannung max.: 2kV
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TNE 20x Diode: Gleichrichter 1,8us SMD 1A 600V Verpackung: Rolle,B S1J-E3/61T Universa _1GH_S1J-E3/61T
TNE 20x Diode: Gleichrichter 1,8us SMD 1A 600V Verpackung: Rolle,B S1J-E3/61T Universa _1GH_S1J-E3/61T
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Fassungsvermögen: 12pF Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 1.8µs Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schenlle Umschaltung Rückspannung max.: 600V
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 1A 35ns SMD 600V Verpackung: Rolle,B ES1J Universaldioden _1GH_ES1J-DIO
TNE 10x Diode: Gleichrichter 1A 35ns SMD 600V Verpackung: Rolle,B ES1J Universaldioden _1GH_ES1J-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 35ns Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.7V Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 600V
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TNE 10x Diode: Gleichrichter SMD 1A 600V 75ns Verpackung: Rolle,B ER1J Universaldioden _1GH_ER1J-DIO
TNE 10x Diode: Gleichrichter SMD 1A 600V 75ns Verpackung: Rolle,B ER1J Universaldioden _1GH_ER1J-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Bereitschaftszeit: 75ns Montage: SMD Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.7V Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter
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TNE 10x Diode: Gleichrichter THT 3A 800V 1N5407 Universaldioden THT Ifsm: 180A _1GH_1N5407-DIO
TNE 10x Diode: Gleichrichter THT 3A 800V 1N5407 Universaldioden THT Ifsm: 180A _1GH_1N5407-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 800V Vorwärtsstrom: 3A Vorwärtsstrom max.: 30A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Verpackungs-Art: Ammo Pack Strom im max. Impuls: 180A Gehäuse: DO201 Vorwärtsspannung max.: 1.2V Leck strom: 5µA Bereitschaftszeit: 1.5µs
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 200V GS1D Universaldioden SMD SMD 1A Verpackung: Rolle,B _1GH_GS1D-YAN
TNE 25x Diode: Gleichrichter 200V GS1D Universaldioden SMD SMD 1A Verpackung: Rolle,B _1GH_GS1D-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Rückspannung max.: 200V Vorwärtsspannung max.: 1.1V Vorwärtsstrom: 1A Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Montage: SMD Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Dioden-Typ: Gleichrichter
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Schaltdiode 1kV SMD 500ns 0,8A Verpackung: Rolle,B RS1ML-R2 Universaldi _1GH_RS1ML-R2
TNE 10x Diode: Schaltdiode 1kV SMD 500ns 0,8A Verpackung: Rolle,B RS1ML-R2 Universaldi _1GH_RS1ML-R2
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Gehäuse: sub Montage: SMD Vorwärtsstrom: 0.8A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Fassungsvermögen: 10pF Dioden-Typ: Schaltdiode Bereitschaftszeit: 500ns Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.3V Rückspannung max.: 1kV
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 2us 400V SMD 1A Verpackung: Rolle,B GS1GE-TP Universaldio _1GH_GS1GE-TP
TNE 10x Diode: Gleichrichter 2us 400V SMD 1A Verpackung: Rolle,B GS1GE-TP Universaldio _1GH_GS1GE-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montage: SMD Gehäuse: E Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Fassungsvermögen: 15pF Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 2µs Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
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TNE 10x Diode: Gleichrichter SMD 1kV 1A 75ns Verpackung: Rolle,B ER1M Universaldioden _1GH_ER1M-DIO
TNE 10x Diode: Gleichrichter SMD 1kV 1A 75ns Verpackung: Rolle,B ER1M Universaldioden _1GH_ER1M-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Bereitschaftszeit: 75ns Montage: SMD Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.7V Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 25ns 400V 1A SMD Verpackung: Rolle,B ES1G Universaldioden _1GH_ES1G-DIO
TNE 10x Diode: Gleichrichter 25ns 400V 1A SMD Verpackung: Rolle,B ES1G Universaldioden _1GH_ES1G-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 25ns Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.3V Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 400V
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter 100V 1A SMD 1,5us Verpackung: Rolle,B S1B Universaldioden _1GH_S1B-DIO
TNE 25x Diode: Gleichrichter 100V 1A SMD 1,5us Verpackung: Rolle,B S1B Universaldioden _1GH_S1B-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 1.5µs Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V Rückspannung max.: 100V
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TNE 1x Diode: Schaltdiode SMD Verpackung: Rolle,B 600V 75ns 1A US1J F3 Universaldiod _1GH_US1J-F3
TNE 1x Diode: Schaltdiode SMD Verpackung: Rolle,B 600V 75ns 1A US1J F3 Universaldiod _1GH_US1J-F3
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.7V Eigenschaften von Halbleiterelementen: schenlle Umschaltung Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Fassungsvermögen: 10pF Dioden-Typ: Schaltdiode Bereitschaftszeit: 75ns Montage: SMD
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 1,8us 100V SMD 1A Verpackung: Rolle,B S1B-E3/61T Universa _1GH_S1B-E3/61T
TNE 10x Diode: Gleichrichter 1,8us 100V SMD 1A Verpackung: Rolle,B S1B-E3/61T Universa _1GH_S1B-E3/61T
Hersteller: VISHAY Vorwärtsspannung max.: 1.1V Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schenlle Umschaltung Rückspannung max.: 100V Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Gehäuse: Fassungsvermögen: 12pF Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 1.8µs Montage: SMD Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE Diode: Gleichrichter; THT; 400V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201 UF5404 Universaldioden THT 8028
TNE Diode: Gleichrichter; THT; 400V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201 UF5404 Universaldioden THT 8028
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Bereitschaftszeit: 50ns Strom im max. Impuls: 100A Vorwärtsspannung max.: 1.25V Eigenschaften von Halbleiterelementen: ultraschenlle Umschaltung Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 3A Vorwärtsstrom max.: 30A Verpackungs-Art: Ammo Pack Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Gehäuse: DO201 Dioden-Typ: Gleichrichter
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TNE 5x Diode: Gleichrichter M SM5400 Universaldioden SMD 3A SMD Verpackung: Rolle,B 50V _1GH_SM5400-DIO
TNE 5x Diode: Gleichrichter M SM5400 Universaldioden SMD 3A SMD Verpackung: Rolle,B 50V _1GH_SM5400-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: SMD Rückspannung max.: 50V Vorwärtsstrom: 3A Vorwärtsstrom max.: 30A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: M Vorwärtsspannung max.: 1.2V Strom im max. Impuls: 100A
3 Wochen
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TNE 20x Diode: Gleichrichter 1,5us 1kV 1A SMD Verpackung: Rolle,B S1M-AQ Universaldiod _1GH_S1M-AQ-DIO
TNE 20x Diode: Gleichrichter 1,5us 1kV 1A SMD Verpackung: Rolle,B S1M-AQ Universaldiod _1GH_S1M-AQ-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom max.: 6A ung: Automobilbranche Vorwärtsstrom: 1A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 1.5µs Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.1V
3 Wochen
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TNE 3x Diode: Gleichrichter 1kV 1,5A SMD 75ns Verpackung: Rolle,B BYG23M-E3/ Universa _1GH_BYG23M-E3/TR3
TNE 3x Diode: Gleichrichter 1kV 1,5A SMD 75ns Verpackung: Rolle,B BYG23M-E3/ Universa _1GH_BYG23M-E3/TR3
Hersteller: VISHAY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: SMD Rückspannung max.: 1kV Vorwärtsstrom: 1.5A Bereitschaftszeit: 75ns Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: Avalanche-Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.7V Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter SMD 1A 15ns 200V Verpackung: Rolle,B ES1D Universaldioden _1GH_ES1D-DIO
TNE 10x Diode: Gleichrichter SMD 1A 15ns 200V Verpackung: Rolle,B ES1D Universaldioden _1GH_ES1D-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 15ns Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 920mV Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 200V
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 1A 1000V SMD 75ns Verpackung: Rolle,B HS1M Universaldiode _1GH_HS1M-YAN
TNE 10x Diode: Gleichrichter 1A 1000V SMD 75ns Verpackung: Rolle,B HS1M Universaldiode _1GH_HS1M-YAN
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: SMD Rückspannung max.: 1000V Vorwärtsstrom: 1A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: glass passivated Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Strom im max. Impuls: 30A Gehäuse: Vorwärtsspannung max.: 1.7V Bereitschaftszeit: 75ns
3 Wochen
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TNE 3x Einphasen Brückengleichrichter If: 0,8A Urmax: 100V Ifsm: 30A H-T Einphasendio _1GH_HD01-T
TNE 3x Einphasen Brückengleichrichter If: 0,8A Urmax: 100V Ifsm: 30A H-T Einphasendio _1GH_HD01-T
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: MiniDIP Rückspannung max.: 100V Elektrische Montage: Vorwärtsstrom: 0.8A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Halbleiter Element-Typ: Einphasen Brückengleichrichter Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 25x Diode: Gleichrichter SMD 600V 1A 1,5us Verpackung: Rolle,B S1J Universaldioden _1GH_S1J-DIO
TNE 25x Diode: Gleichrichter SMD 600V 1A 1,5us Verpackung: Rolle,B S1J Universaldioden _1GH_S1J-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: Montage: SMD Vorwärtsspannung max.: 1.1V Rückspannung max.: 600V Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Dioden-Typ: Gleichrichter Bereitschaftszeit: 1.5µs Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 10x Diode: Gleichrichter 75ns SMD 800V 1A Verpackung: Rolle,B ER1K Universaldioden _1GH_ER1K-DIO
TNE 10x Diode: Gleichrichter 75ns SMD 800V 1A Verpackung: Rolle,B ER1K Universaldioden _1GH_ER1K-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Bereitschaftszeit: 75ns Montage: SMD Strom im max. Impuls: 30A Vorwärtsspannung max.: 1.7V Eigenschaften von Halbleiterelementen: super schnelle Umschaltung Rückspannung max.: 800V Vorwärtsstrom: 1A Vorwärtsstrom max.: 6A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Leck strom: 5µA Gehäuse: Dioden-Typ: Gleichrichter
3 Wochen
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TNE 3x Einphasen Brückengleichrichter Urmax: 400V If: 0,8A Ifsm: 30A HD04-T Einphasen _1GH_HD04-T
TNE 3x Einphasen Brückengleichrichter Urmax: 400V If: 0,8A Ifsm: 30A HD04-T Einphasen _1GH_HD04-T
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: MiniDIP Rückspannung max.: 400V Elektrische Montage: Vorwärtsstrom: 0.8A Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Halbleiter Element-Typ: Einphasen Brückengleichrichter Strom im max. Impuls: 30A
3 Wochen
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TNE 1x Diode: Gleichrichter 8A Ifsm: 120A 400V AC THT Tube 25ns STTH8R04D Universaldi _1GH_STTH8R04D
TNE 1x Diode: Gleichrichter 8A Ifsm: 120A 400V AC THT Tube 25ns STTH8R04D Universaldi _1GH_STTH8R04D
Hersteller: STMicroelectronics Dioden-Typ: Gleichrichter Montage: THT Rückspannung max.: 400V Vorwärtsstrom: 8A Vorwärtsstrom max.: 30A Bereitschaftszeit: 25ns Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Eigenschaften von Halbleiterelementen: schenlle Umschaltung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220AC Vorwärtsspannung max.: 0.9V Strom im max. Impuls: 120A Dicke Kühlkörper: 1.23...1.32mm
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