darlington transistoren

TRANSISTOR NPN/DARLINGTON RoHS konform: Ja Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück

TRANSISTOR PNP/DARLINGTON RoHS konform: Ja Herstellerverpackungseinheit: 30 Stück

TRANSISTOR NPN/DARLINGTON RoHS konform: Ja Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück

Darlington-Transistor, NPN, 50V, 0,5A, W, DIP-16

Darlington-Transistor, PNP, 80V, 1A, 1,5W, SOT-223

Gehäuse: TO-220

Beschreibung . mit TO-3-Gehäuse . DARLINGTON . hohe DC-Stromverstärkung . Ergänzung zum Typ MJ3000/3001 Anwendungen . zur Verwendung als Ausgangsbauelemente in komplementären Verstärkeranwendungen für allgemeine Zwecke

Darlington-Transistor, NPN, 140V, 2A, 20W, SOT-223

Darlington-Transistor, PNP, 100V, 8A, 1,75W, DPAK

Beschreibung . mit TO-3PN-Gehäuse . DARLINGTON . 10A Nennstrom des Kollektors im Dauerbetrieb Anwendungen . für den Einsatz in Automobilzündungen, Schalt- und Motorsteuerungsanwendungen

Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen Beschreibung . Die Bauelemente werden in Planarsockel Insel-Technologie mit monolithischer Darlington Konfiguration hergestellt

Gehäuse: SOT-32

Der TIP142 ist ein NPN-Leistungstransistor mit Epitaxiesockel Leistungs-Transistor in monolithischer Darlington-Konfiguration, montiert im TO-247 Kunststoffgehäuse. Er ist vorgesehen für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen. Der komplementäre PNP-Typ ist TIP147. Eigenschaften . monolithische Darlington-Konfiguration . integrierte antiparallele Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Darlington-Transistoren mit komplementärer Leistung Beschreibung Die Geräte werden in planarer Basisinseltechnologie mit monolithischer Darlington-Konfiguration hergestellt. Merkmale . Gute hFE-Linearität . Hohe fT-Frequenz . Monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendung . Audio-Verstärker . Lineare und schaltende Industrieausrüstung

Beschreibung . mit TO-220C-Gehäuse . Ergänzung zum Typ BD896/898/900/902 . DARLINGTON Anwendung für den Einsatz als Ausgangsstufen in Audiogeräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen

Diese Herstellungshinweise gelten für alle MEMS-basierten Silizium-Timing-Produkte von SiTime im Quad, Flat No-Lead (QFN)-Gehäuse, SOT23-5-Gehäuse, 2,0 x 1,2mm SMD und WLCSP. Die in diesem Dokument enthaltenen Informationen sollen Kunden bei der Herstellung und Verwendung von SiTime-Produkten in Systemen unterstützen. Die bei der Herstellung von SiTime-Produkten verwendeten Materialien entsprechen den Green Standards. Sie entsprechen den Anforderungen von RoHS und REACH163. Berichte über die Materialzusammensetzung sind in den Akten enthalten und können auf Anfrage zur Verfügung gestellt werden. Die Produkte enthalten keine gefährlichen Materialien, die von der OSHA definiert sind, und MSDS-Berichte sind bei der Verwendung von SiTime-Produkten nicht erforderlich. Alle SiTime-Produkte wurden gemäß den JEDEC JESD47-Anforderungen qualifiziert, die sich auf den Produkttyp und die Verpackung des Produkts. Zuverlässigkeitsberichte erhalten Sie auf Anfrage von Ihrem Vertriebsmitarbeiter erhältlich.

Beschreibung . mit TO-3PN-Gehäuse . Ergänzung zum Typ BDW84/84A/84B/84C/84D . DARLINGTON . hohe DC-Stromverstärkung Anwendungen für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungs Anwendungen.

Darlington-Transistor, PNP, 30V, 0,5A, 0,3W, SOT-23

Absolute Maximalwerte(1), (2) Spannungen, die die absoluten Höchstwerte überschreiten, können das Gerät beschädigen. Bei Überschreitung der empfohlenen Betriebsbedingungen ist das Gerät möglicherweise nicht funktionsfähig, und es wird nicht empfohlen, die Teile bis zu diesen Werten zu belasten. Darüber hinaus kann die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigt werden, wenn es über längere Zeit Belastungen ausgesetzt wird, die über den empfohlenen Betriebsbedingungen liegen. Die absoluten Höchstwerte sind nur Belastungswerte. Die Werte gelten bei TA = 25°C, sofern nicht anders angegeben. Eigenschaften . Dieser Baustein ist für Anwendungen konzipiert, die eine extrem hohe Stromverstärkung bei Strömen bis 1,0 A erfordern . gespeist aus Prozess 05.

Beschreibung . mit TO-3-Gehäuse . entsprechend der Ergänzung zum Typ MJ4035 . DARLINGTON . hohe DC-Stromverstärkung Anwendungen . zur Verwendung als Ausgangsbauelemente in komplementären Allzweckverstärkeranwendungen

Die BDX53B und BDX53C sind Silizium Epitaxial-Basis-NPN-Leistungstransistoren in monolithischer Darlington-Konfiguration, montiert im Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse. Sie sind gedacht für für den Einsatz in Hammertreibern, Audioverstärkern und und anderen linearen und schaltenden Anwendungen mittlerer Anwendungen. Die komplementären PNP-Typen sind BDX54B und BDX54C. Anwendungen . Audio-Verstärker . lineare und schaltende industrielle Geräte

NPN Darlington Leistungstransistor im TO-220C Gehäuse hohe Stromverstärkung geringe Ucesat Komplementärtyp zu TIP125/126/127

Gehäuse: SOT-32

Darlington-Transistor, NPN, 40V, 0,5A, 0,3W, SOT-23

Beschreibung . mit TO-126-Gehäuse . Ergänzung zum Typ BD676/678/680 . DARLINGTON . hohe DC-Stromverstärkung Anwendung zur Verwendung als Ausgangsbauelemente in komplementären Mehrzweck Verstärkeranwendungen

Gehäuse: SOT-32

Komplementäre Darlington-Silizium-Leistungstransistoren Beschreibung Diese Bausteine sind für den Einsatz als Allzweckverstärker, Niederfrequenzschalter und Motorsteuerungsanwendungen vorgesehen. Merkmale . Hohe Gleichstromverstärkung bei 10 Adc - hFE = 400 Min (alle Typen) . Aufrechterhaltung der Kollektor-Emitter-Spannung VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) - MJH11018, 17 = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19 = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21 . Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,2 V (Typ) @ IC = 5,0 A = 1,8 V (Typ) @ IC = 10 A . Monolithische Konstruktion . Dies sind Pb-freie Geräte

Gehäuse: SOT-32

Beschreibung . mit TO-3-Gehäuse . DARLINGTON . Hochstrom Anwendungen Entwickelt für Leistungsverstärkung und Schaltanwendungen.

Beschreibung . mit TO-3-Gehäuse . DARLINGTON . Hochstrom Anwendungen Entwickelt für Leistungsverstärkung und Schaltanwendungen.