mosfet transistor

- Drehzahlsteller für Niederspannungs-Elektromotoren - Stufenlose Drehzahlregelung von Gleichstrombohrmaschinen, Modellautos, Scheibenwischermotoren und Elektrowerkzeugen - Puls-Breitensteuerung mit einstellbarer Frequenz von 500 Hz bis 25 kHz - Verlustleistung bleibt auch bei niedrigen Drehzahlen gering - Ausgangsstrom von 0 bis 10 A stufenlos einstellbar - MOSFET-Transistor für Schutz bei p

- 100 Watt Topteil mit zwei Kanälen: Clean und Overdrive - MOSFET-Preamp mit 3-Band-EQ und ISF-Klangregelung - Leistungsreduzierung von 100W auf 5W - Integriertes digitales Reverb mit Plate- und Hall-Optionen - Serieller Effektschleifweg und Speaker-emulated Line Out - Zwei Lautsprecherausgänge (16 Ohm/8 Ohm)

- Lastabhängiger 1-Quadranten-Drehzahlsteller - Strombegrenzung über Poti einstellbar - Sollwert intern/extern vorwählbar (Jumper) - PWM-MOSFET-Endstufe - EPH Elektronik GS24S/06/M DC-Drehzahlsteller - 6 A, 24 V/DC - Geeignet für Elektromotoren in der Industrie

- Lastabhängiger 1-Quadranten-Drehzahlsteller - Strombegrenzung über Poti einstellbar - Sollwert intern/extern vorwählbar (Jumper) - PWM-MOSFET-Endstufe - Max. Rotorstrom: 3 A - Nennspannung: 24 Vdc - Maße: Länge 25 mm, Breite 100 mm

- DC-Drehzahlsteller GS24S/06/P von EPH Elektronik - Belastungsabhängige Transistorsteuerung - Einstellbare Strombegrenzung per Potentiometer - Interne/externe Vorgabe wählbar (Jumper) - PWM MOSFET Ausgangsstufe - Maße: Länge 35 mm, Breite 100 mm - Max. Rotorstrom: 6 A - Nennspannung: 24 V/DC

- 1Q-Drehzahlsteller mit eingebauter Strombegrenzung - Lastabhängiger 1-Quadranten-Drehzahlsteller - Strombegrenzung über Poti einstellbar - Sollwert intern/extern vorwählbar (Jumper) - PWM-MOSFET-Endstufe - Anker-Strom (Max.): 3 A - Ausgangsspannung (max.): 32 V/DC - Produktabmessung, Breite: 103 mm, Länge: 55 mm

- 1Q-Drehzahlsteller mit eingebauter Strombegrenzung - EPH Elektronik GS24S/06/M/DW DC-Drehzahlsteller 6 A 24 V/DC - Lastabhängiger 1-Quadranten-Drehzahlsteller - Strombegrenzung über Poti einstellbar - Sollwert intern/extern vorwählbar (Jumper) - PWM-MOSFET-Endstufe - Geeignet für Business & Industrie > Automation, Antriebe & Motoren > Elektromotoren > Sonstige Elektromotoren

- LED Dimmer Set mit Dimmerscheibe, Steckdose und Zweifachrahmen - Umschaltbar zwischen Phasenanschnitt und Phasenabschnitt - Geräuscharm durch MOSFET-Transistoren, kurzschlussfest und überlastsicher - Einstellbare Minimalhelligkeit, optimiert für dimmbare Retrofit-LED-Leuchtmittel

- LED-Drehdimmer mit Wahlschalter für Phasenan- und Phasenabschnitt - Geeignet für dimmbare LED-Leuchtmittel, Glühlampen und Halogenlampen - Geräuscharm durch MOSFET-Transistoren, überlastsicher mit einstellbarer Minimalhelligkeit - Einbaufertig mit EBROM Phasenprüfer zur einfachen Montage

- Busch-flexTronics Wireless für flexible Kombination von Sensoren und Einsätzen - LED-Dimmer-Einsatz für dimmbare Retrofit-LED-Leuchtmittel - 2-Leiter-Anschlusstechnik, Neutralleiter optional anschließbar - Geräuscharm durch MOSFET-Transistoren, kurzschlussfest und überlastsicher - Kompatibel mit verschiedenen Bedienelementen und Sensoren

- Zwei Ausgänge für elektrostatische Kopfhörer, Cinch- und XLR-Eingänge - Kaskoden-MOSFET-Transistoren für präzise Steuerung - Hohe Versorgungsspannung von 550-650 V für breites Klangbild - Lautstärkeregler mit 21 Stufen für individuelle Anpassung - Maße: Höhe 9,3 cm, Länge 25,5 cm, Breite 25,1 cm

- Transistor Verstärker Topteil für E-Gitarre mit 100 Watt Leistung - 2 Kanäle: Clean und Overdrive - Mosfet-Preamp für verbesserten Klang - Leistungsreduzierung von 100W auf 5W - Reverb-Optionen: "Plate" und "Hall" - Maße: Höhe 20,9 cm, Breite 46,5 cm, Tiefe 21,9 cm - Verstärker-Typ: Transistor-Topteil

- Analysator für Halbleiter mit automatischer Identifizierung von Komponenten und Pinbelegung - Messung der Verstärkung und des Leckstroms bei bipolaren Transistoren - Gate-Threshold-Spannungsmessung für Anreicherungs-Typ-MOSFETs - Messung der Vorwärtsspannung bei Dioden, LEDs und Transistoren - Betriebstemperatur von 0°C bis 50°C - Kurzschluss-Teststrom von -5,5 mA bis 5,5 mA - Abmessungen: 103 x

- Combo-Verstärker mit 100 Watt Leistung, reduzierbar auf 5 Watt - MOSFET-Preamp mit zwei Kanälen für Clean und Overdrive - Zwei integrierte Reverb-Effekte: Hall und Plate - Serieller Effektschleifweg für externe Effekte - Line In-Eingang und Line Out/Phone-Ausgang für Kopfhörer - 1x12 Zoll Lautsprecher im schwarzen Gehäuse - Verstärker-Typ: Transistor-Combo

Warum den IRLB8721 Transistor kaufen?Der IRLB8721 Transistor ist ein hochwertiges und vielseitiges elektronisches Bauelement, das eine essentielle Rolle in verschiedenen elektronischen Schaltungen spielen kann. Er bietet viele Vorteile.Vorteile des IRLB8721 Transistors:Vielseitig in der Anwendung für diverse elektronische AnwendungenPräzises elektronisches Bauelement für zuverlässige LeistungenDer IRLB8721 Transistor ist ein N-Kanal-Transistor und ideal für verschiedene Anwendungen wie elektronische Schalter und mehr.

Gegründet im Jahr 2010 ist Chips Gate ein vertrauenswürdiger Anbieter von Industrieautomatisierungsgeräten, einschließlich PLC-Modulen, Motorantrieben und Steuerungssystemen, für B2B- und B2C-Bedürfnisse. Breite Auswahl an Automatisierungsgeräten, die für verschiedene industrielle und kommerzielle Anwendungen geeignet sind. Die Produkte werden geprüft und sicher verpackt, um eine zuverlässige Lieferung zu gewährleisten. Verfügbar für Einzelkäufe oder Großbestellungen, um unterschiedliche Projektanforderungen zu erfüllen. Engagement für gleichbleibende Qualitätsstandards durch sorgfältige Auswahl und Handhabung der Geräte.

Effiziente Erkennung & Einfache Bedienung: Mit nur einem Knopfdruck identifiziert der Transistor-Tester intelligently die Parameter verschiedener elektronischer Komponenten. Einfaches Einsetzen und Klemmen ermöglicht schnelle und präzise Messungen – ideal für Profis und Hobby-Elektroniker. Sicherheit & Komfort: Der Tester entlädt Kondensatoren automatisch beim Einsetzen und bietet so einen zuverlässigen Schutz vor Burnout-Unfällen. Ein humanisierter Schutzmechanismus sorgt für sichere und zuverlässige Messungen. Unterstützt Infrarotkodierung: Mit Unterstützung für NRC-Infrarot-Signal-Dekodierung können Sie IR-Signale von Fernbedienungen präzise analysieren. Die präzisen und effizienten Eigenschaften des Testers bieten starke Unterstützung für genaue Messungen. Mehrere Messmodi: Die innovative austauschbare Patchhalter-Funktion ermöglicht es, verschiedene Komponenten einfach und effizient zu testen. Genießen Sie beispiellosen Komfort und Flexibilität bei Ihren Messungen. Tragbares Design & Datenexport: Das ultrakompakte und leichte Design macht den Tester zum perfekten Begleiter für unterwegs. Über die USB-Schnittstelle können Sie Messdaten einfach an einen Computer exportieren und weiter analysieren.

STP16NF06 N-Kanal MOSFET Transistor - Kurzbeschreibung Der STP16NF06 ist ein N-Kanal MOSFET Transistor im TO-220 Gehäuse, konzipiert für hohe Leistung mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60V und einem Dauer-Drainstrom von 16A. Er zeichnet sich durch geringen Widerstand und hohe Effizienz aus, ideal für vielfältige Elektronikanwendungen. Merkmale im Überblick Hohe Drain-Source-Spannung von 60V: Ermöglicht den Einsatz in leistungsstarken Schaltkreisen. Maximaler Dauer-Drainstrom von 16A: Bietet hohe Durchlassfähigkeit für Ströme. Gehäusegröße TO-220: Bekannt für gute Wärmeabführung und einfache Montage. Technische Daten Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 9.15mm Anzahl der Elemente pro Chip: 1 Betriebstemperatur max.: +175

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 41A Verlustleistung: 83W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 22m Montage: THT Gate-Ladung: 32nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 343A Verlustleistung: 375W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.7m Montage: THT Gate-Ladung: 108nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: ALPHA

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 80A Verlustleistung: 200W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 12.6m Montage: THT Gate-Ladung: 89nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 18A Verlustleistung: 45W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 60m Montage: THT Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level