mosfet transistor

Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen.

- Busch-flexTronics Wireless für flexible Kombination von Sensoren und Einsätzen - LED-Dimmer-Einsatz für dimmbare Retrofit-LED-Leuchtmittel - 2-Leiter-Anschlusstechnik, Neutralleiter optional anschließbar - Geräuscharm durch MOSFET-Transistoren, kurzschlussfest und überlastsicher - Kompatibel mit verschiedenen Bedienelementen und Sensoren

- Lastabhängiger 1-Quadranten-Drehzahlsteller - Strombegrenzung über Poti einstellbar - Sollwert intern/extern vorwählbar (Jumper) - PWM-MOSFET-Endstufe - Max. Rotorstrom: 3 A - Nennspannung: 24 Vdc - Maße: Länge 25 mm, Breite 100 mm

- Lastabhängiger 1-Quadranten-Drehzahlsteller - Strombegrenzung über Poti einstellbar - Sollwert intern/extern vorwählbar (Jumper) - PWM-MOSFET-Endstufe - EPH Elektronik GS24S/06/M DC-Drehzahlsteller - 6 A, 24 V/DC - Geeignet für Elektromotoren in der Industrie

- DC-Drehzahlsteller GS24S/06/P von EPH Elektronik - Belastungsabhängige Transistorsteuerung - Einstellbare Strombegrenzung per Potentiometer - Interne/externe Vorgabe wählbar (Jumper) - PWM MOSFET Ausgangsstufe - Maße: Länge 35 mm, Breite 100 mm - Max. Rotorstrom: 6 A - Nennspannung: 24 V/DC

- 1Q-Drehzahlsteller mit eingebauter Strombegrenzung - Lastabhängiger 1-Quadranten-Drehzahlsteller - Strombegrenzung über Poti einstellbar - Sollwert intern/extern vorwählbar (Jumper) - PWM-MOSFET-Endstufe - Anker-Strom (Max.): 3 A - Ausgangsspannung (max.): 32 V/DC - Produktabmessung, Breite: 103 mm, Länge: 55 mm

- 1Q-Drehzahlsteller mit eingebauter Strombegrenzung - EPH Elektronik GS24S/06/M/DW DC-Drehzahlsteller 6 A 24 V/DC - Lastabhängiger 1-Quadranten-Drehzahlsteller - Strombegrenzung über Poti einstellbar - Sollwert intern/extern vorwählbar (Jumper) - PWM-MOSFET-Endstufe - Geeignet für Business & Industrie > Automation, Antriebe & Motoren > Elektromotoren > Sonstige Elektromotoren

Verstärker-Frontpanel: RCA / Balanced Input Selector, Electrostatic Headphone Outputs, Volume Control. Verstärker-Rückwand: Cinch-Eingang (L), Cinch-Eingang (R), XLR-symmetrischer Eingang (R), XLR-symmetrischer Eingang (L), Netzkabel, Netzschalter, AC 115–230 V Spannungswähler

- Drehzahlsteller für Niederspannungs-Elektromotoren - Stufenlose Drehzahlregelung von Gleichstrombohrmaschinen, Modellautos, Scheibenwischermotoren und Elektrowerkzeugen - Puls-Breitensteuerung mit einstellbarer Frequenz von 500 Hz bis 25 kHz - Verlustleistung bleibt auch bei niedrigen Drehzahlen gering - Ausgangsstrom von 0 bis 10 A stufenlos einstellbar - MOSFET-Transistor für Schutz bei p

- Transistor Verstärker Topteil für E-Gitarre mit 100 Watt Leistung - 2 Kanäle: Clean und Overdrive - Mosfet-Preamp für verbesserten Klang - Leistungsreduzierung von 100W auf 5W - Reverb-Optionen: "Plate" und "Hall" - Maße: Höhe 20,9 cm, Breite 46,5 cm, Tiefe 21,9 cm - Verstärker-Typ: Transistor-Topteil

- Analysator für Halbleiter mit automatischer Identifizierung von Komponenten und Pinbelegung - Messung der Verstärkung und des Leckstroms bei bipolaren Transistoren - Gate-Threshold-Spannungsmessung für Anreicherungs-Typ-MOSFETs - Messung der Vorwärtsspannung bei Dioden, LEDs und Transistoren - Betriebstemperatur von 0°C bis 50°C - Kurzschluss-Teststrom von -5,5 mA bis 5,5 mA - Abmessungen: 103 x

- Combo-Verstärker mit 100 Watt Leistung, reduzierbar auf 5 Watt - MOSFET-Preamp mit zwei Kanälen für Clean und Overdrive - Zwei integrierte Reverb-Effekte: Hall und Plate - Serieller Effektschleifweg für externe Effekte - Line In-Eingang und Line Out/Phone-Ausgang für Kopfhörer - 1x12 Zoll Lautsprecher im schwarzen Gehäuse - Verstärker-Typ: Transistor-Combo

Packung enthält: 5 Stück -Transistor. Qualitätsmaterial: Der Transistor ist aus Metalloxid-Halbleitermaterial, das eine gute thermische Stabilität und eine lange Lebensdauer hat. Eigenschaften: Gute Schaltgeschwindigkeit & robustes Design & stabile Leistung DV/dt Kapazität. Einfache Identifikation: Bequeme Verpackung für einfache Aufbewahrung und Verwendung; bedruckte Markierungen für schnelle Identifikation. Breite Anwendung: Transistoren werden in verschiedenen Anwendungen weit verbreitet eingesetzt. Technische Daten: Modell: Packung: TO-220 FET Typ: N-Kanal Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C Widerstand im aktivierten Zustand Rds(on): 0,85 Ohm Maximaler Leistungsverlust (Pd(max)): 125W Dauerstrom (Id): 8A Maximale Abflussquelle Spannung (Vdss): 500V Schwellenspannung (VGS(th)): 4V Montageart: Durchlaufpaket enthält: 5 x -Transistor

Paket enthält: 10 Stück MOSFET Transistoren Anforderungen: Abflussstrom Id 49A, Abflussquellenspannung Vds 55V Betriebstemperatur:-55 °C bis +175 °C Transistor Polarität: N-Kanal Transistor. Encased To-220AB Package Anwendung: Anwendung für leistungsstarke Schalt- und Signalverbesserungsanwendungen in elektronischen Geräten. MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor

PREMIUM COMPONENTS MULTI-PACK: Enthält 10 Stück MOSFET Transistoren. Hergestellt aus Standard-Metalloxid-Halbleitermaterial für stabile Arbeitsleistung und lange Lebensdauer. ROBUUSTE TECHNISCHE ANFORDERUNGEN: Diese N-Kanal-Transistoren verarbeiten einen kontinuierlichen 49A-Drainstrom (ID) und eine 55V-Drain-Source-Spannung (Vds). Sie haben eine maximale Vgs von 21V, Pulsstrom (Idm) von 160A und eine Leistungsaufnahme von 83W. EFFIZIENTE KAPAZITÄTSMANAGEMENT: Entwickelt, um hohe dielektrische Festigkeit, schnelle Schaltgeschwindigkeit und hohe Leistungsverluste zu liefern. Sie sind hoch zuverlässig, wenn sie als elektronische Schalter oder einstellbare Gleichrichter verwendet werden. FAR ANWENDUNGEN: Sehr empfehlenswert für High-Power-Schaltung, Signalverbesserung, Motorsteuerung und großflächige integrierte Schaltungen. Perfekt für professionelle Elektronik Reparatur und Heimwerker Hobby-Projekte. STANDARD TO-220AB MONTAGE: Eingehüllt in ein klar gekennzeichnetes 3-Pin TO-220AB Gehäuse mit einem Standard-Anschlussabstand von

IRF3205 IRF3205PBF MOSFET Transistoren . Nennspannung: 55V; Nennstrom: 110A; Verlustleistung: 150 W; Widerstand der Abflussquelle: 8,00 mΩ. Eigenschaften und Vorteile: Schalter & schnell und geringer Stromverbrauch. Breite Anwendung: IRF3205-MOSFET Transistoren werden oft in verschiedenen Anwendungen eingesetzt. Humanisierte Verpackung für einfache Aufbewahrung und Verwendung. # Bedruckte Markierungen für einfache Identifikation. Verlust: 150 WNominale Spannung: 55 V. Nennstrom: 110ADrain Quellenwiderstand: 8 mΩ Betriebstemperatur: -55 °C 150 °C Verpackt in kleinen Boxen # Leicht zu speichern und zu verwenden Modelletikett in hellen Farben # Leicht zu unterscheiden, 10 Stück IRF3205 IRF3205PBF MOSFET Transistors Die Quelle ist in Übereinstimmung mit unserem Markenlogo "Alle elektronischen Komponenten sind in unserem Laden." Wir bemühen uns, die modernsten elektronischen Komponenten und andere Produkte anzubieten, wobei wir den Grundsatz respektieren, dass Qualität die erste Priorität ist und Service der Schlüssel ist. Ich hoff

MOSFET-Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Nennspannung: 30 V; Nennstrom: 62 A; Verlustleistung: 65 W. Merkmale und Vorteile: Hohe Krafttragkraft, schnelle Schaltgeschwindigkeit und robustes Design. Breiter Anwendungsbereich: MOSFET Transistoren werden oft in verschiedenen Anwendungen eingesetzt. Humanisierte Verpackung für einfache Aufbewahrung und Verwendung. # Bedruckte Markierungen für einfache Identifikation. Spannung Vgs. Höchste: ± 20 V. Spannung Vds Typisch: 30 V. Strom im Dauerbetrieb: 62APower Idm Puls: 25 A. Betriebstemperatur: -55 °C 175 °C In

MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, ausgesprochen MAWS-feht) ist eine spezielle Art von Feldeffekttransistor (FET), bei dem die Breite eines Kanals, entlang dem Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) fließen, elektronisch variiert wird. Je breiter der Kanal, desto führt das Gerät. Material: Kunststoff + Metall Farbe: schwarz + silber Produktname: IRF1404 N-Kanal-Transistor mit großem Chip Die Ladungsträger treten an der in den Kanal ein und treten über den Drain aus. Die Breite des Kanals wird durch die Spannung an einer als Gate bezeichneten Elektrode gesteuert, die sich physikalisch zwischen Source und Drain befindet und durch eine extrem dünne Metalloxidschicht vom Kanal isoliert ist.

Produktname: IRF1404 N-Kanal-Transistor mit großem Chip MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, ausgesprochen MAWS-feht) ist eine spezielle Art von Feldeffekttransistor (FET), bei dem die Breite eines Kanals, entlang dem Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) fließen, elektronisch variiert wird. Je breiter Kanal, desto führt das Gerät. Farbe: schwarz + silber : Kunststoff + Metall Die Ladungsträger treten an in den Kanal ein und treten über den Drain . Die Breite des Kanals wird durch die Spannung an einer als Gate bezeichneten Elektrode gesteuert, die sich physikalisch zwischen Source und Drain befindet und durch eine extrem dünne Metalloxidschicht vom Kanal isoliert ist.

Warum den IRLB8721 Transistor kaufen?Der IRLB8721 Transistor ist ein hochwertiges und vielseitiges elektronisches Bauelement, das eine essentielle Rolle in verschiedenen elektronischen Schaltungen spielen kann. Er bietet viele Vorteile.Vorteile des IRLB8721 Transistors:Vielseitig in der Anwendung für diverse elektronische AnwendungenPräzises elektronisches Bauelement für zuverlässige LeistungenDer IRLB8721 Transistor ist ein N-Kanal-Transistor und ideal für verschiedene Anwendungen wie elektronische Schalter und mehr.

Dieses Set enthält 15 Stück IRFZ44N N-Kanal-MOSFET-Transistoren im TO-220-Gehäuse. Ideal für verschiedene elektronische Schaltungen, die einen zuverlässigen Leistungstransistor benötigen.N-Kanal-MOSFET für hohe SchaltleistungDrain-Source-Spannung (Vds): 55 VDauer-Drainstrom (ID): 49 ABetriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °CLieferumfang: 15 Stück

Dieser Satz enthält 10 Stück IRFZ44N Leistungs-MOSFET-Transistoren in N-Kanal-Technologie. Ideal für verschiedene elektronische Schaltungen und Anwendungen, die eine zuverlässige Leistungsschaltung erfordern.Typ: N-Kanal MOSFETDrainstrom (Id): 49A (kontinuierlich 41A, Puls 160A)Drain-Source-Spannung (Vds): 55VMaximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 21VLeistungsaufnahme: 83WGehäusetyp: TO-220ABAnzahl der Pins: 3Pin-Abstand: 2,54 mmMontageart: Durchsteckmontage (THT)

STP16NF06 N-Kanal MOSFET Transistor - Kurzbeschreibung Der STP16NF06 ist ein N-Kanal MOSFET Transistor im TO-220 Gehäuse, konzipiert für hohe Leistung mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60V und einem Dauer-Drainstrom von 16A. Er zeichnet sich durch geringen Widerstand und hohe Effizienz aus, ideal für vielfältige Elektronikanwendungen. Merkmale im Überblick Hohe Drain-Source-Spannung von 60V: Ermöglicht den Einsatz in leistungsstarken Schaltkreisen. Maximaler Dauer-Drainstrom von 16A: Bietet hohe Durchlassfähigkeit für Ströme. Gehäusegröße TO-220: Bekannt für gute Wärmeabführung und einfache Montage. Technische Daten Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 9.15mm Anzahl der Elemente pro Chip: 1 Betriebstemperatur max.: +175

Dieser P-Kanal MOSFET Transistor ist ein Feldeffekttransistor, der viele Anwendungen in analogen und digitalen Schaltungen hat. Der Transistor ist in einem TO-220AB-Haus verpackt, mit einem Rds (on) Einschaltwiderstand von 0,117 Ohm. Die maximale Spannung beträgt ± 20 V. Es hat drei Stifte und ist für eine Betriebstemperatur von -55 bis +175 Grad Celsius geeignet. Die Wärmebeständigkeit des Anschlusses am Gehäuse beträgt 0,91 °C/W.

All-in-Second-Tester: Testet Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOSFETs und Spannungsregler der Serien 78/79 in einem einzigen kompakten Gerät – perfekt für die schnelle Überprüfung und Bauteilsortierung. Spannungsfestigkeitsmessung an Kondensatoren: Direkte Messung der Spannungsfestigkeit des Kondensators, der Varistor-Schutzspannung und der Isolationsleistung – Erweiterung der Diagnosemöglichkeiten bei Standard-Transistortests. Übersichtliche LCD-Anzeige und Bedienelemente: Verfügt über ein kontrastreiches LCD-Display und einen Drehknopf zur intuitiven Bereichsauswahl. Die passgenauen Buchsen gewährleisten stabile und wiederholbare Messwerte der Gleichstromparameter. Kompaktes ABS-Gehäuse für den Feldeinsatz: Das leichte, 150 x 100 x 70 mm große Gehäuse aus schwarzem oder grünem ABS passt problemlos in Werkzeugkästen oder Labortische – konzipiert für Techniker, Hobbyisten, Pädagogen und Reparaturwerkstätten. Verbesserte Genauigkeit durch integriertes : Das eingebaute großflächige Analog-Digital-Wandlermodul liefert reaktionsschnelle und stabile Messungen - Hinweise zur korrekten Einrichtung und Bedienung finden Sie im Dimensionierungsleitfaden.

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 41A Verlustleistung: 83W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 22mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 32nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: ALPHA