darlington transistoren

Dieser NPN-Darlington-Transistor im TO-220-Gehäuse mit 3 Pins ist ein Leistungstransistor für Schalt- und Leistungsanwendungen. Er eignet sich für elektronische Projekte und Bastelschaltungen, zum Beispiel mit Arduino.Polarität: NPNProdukttyp: Darlington-TransistorMaximale Betriebstemperatur: +150 °CMaximaler Kollektor-Abschaltstrom: 200 µAMontage: DurchsteckmontageVerwendungDer Transistor wird in elektronischen Projekten und Schaltungen für Bastler eingesetzt, etwa zum Schalten größerer Lasten.Lieferumfang30 Stück TIP120-Transistoren2,2-kOhm-Widerstände1N4001-Dioden

Spannungsausgang: 50V, Nennkollektorstrom: 500mA Platinengröße: 24 x 23,33 x 4,18 mm / 0,94 x 0,92 x 0,16 Zoll (L x B x H) Material:...

Hersteller: IXYS Verpackungs-Art: Tube Montage: SMD Versorgungsspannung: 1.3...12.5V DC Kollektor-Emitter-Spannung: 350V Ausgangsstrom: 20mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Bezugsspannung: 1.299V Gehäuse: Integrierten Schaltkreises-Art: error lifier Darlington transistor Kollektor-Emitter-Strom: 200mA

Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 1kV Kollektor-Emitter-Strom: 0.5A Verlustleistung: 20W Gehäuse: SOT32 Montage: THT Verpackungs-Art: Tube

Entdecken Sie unsere leistungsstarken NPN Silizium Leistungstransistoren, ideal für Heimwerker. Diese TIP31C Darlington Transistoren unterstützen eine maximale Spannung von 100V und einen Strom von 3A und sind damit perfekt für verschiedene elektronische Projekte geeignet. Mit einer Betriebstemperatur von -65 °C bis +150 °C und einer Leistung von 2W sind diese Transistoren zuverlässig und robust. Das TO-220 Gehäuse sorgt für eine einfache Lagerung und Verwendung. Dieses Paket enthält 20 Stück, ideal für Ihre Elektronik-Werkstatt. Verbessern Sie Ihre Projekte mit diesen hochwertigen Komponenten.

MPSA 13 - Darlington Transistor NPN, 30V, 0,5A, 0,625W, TO-92

ULN2803A - NPN Darlington-Transistor-Array, DIL-18 Das NPN Darlington-Transistor-Array ULN2803A von STMicroelectronics ist ideal für Anwendungen, die hohe Stromverstärkungen erfordern. Es unterstützt einen Dauer-Kollektorstrom von maximal 0,5 A und Spannungen bis zu 50 V. Merkmale im Überblick Transistor-Typ: NPN - bietet robuste Leistung für vielfältige Anwendungen Konfiguration: Octal Common Emitter - ermöglicht die Ansteuerung von acht Transistoren gleichzeitig Montage-Typ: Durchsteckmontage - erleichtert die Installation in Standard-Leiterplatten Technische Daten Dauer-Kollektorstrom max.: 0,5 A Kollektor-Emitter-Spannung max.: 50 V Basis-Emitter Spannung max.: 50 V Gleichstromverstärkung min.: 1000

ULN2003AN - NPN Darlington-Transistor-Array, DIL-16 Das ULN2003AN von Texas Instruments ist ein NPN Darlington-Transistortreiber im DIL-16-Gehäuse, der für verschiedene Anwendungen in der Elektronik geeignet ist. Mit einem Dauer-Kollektorstrom von maximal 0,5 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 50 V bietet dieses Array aus sieben Transistoren pro Chip eine zuverlässige Lösung für Schaltanwendungen. Die durchsteckmontierte Bauweise und die kompakte Größe erleichtern die Integration in verschiedene Schaltungen. Merkmale im Überblick Darlington-Transistortreiber: Zuverlässige Schaltlösung für verschiedene Anwendungen. Durchsteckmontage: Einfache Integration in bestehende Schaltungen. Array mit 7 Transistoren: Effiziente Nutzung des Chips für multiple Schaltvorgänge. Technische

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Betriebstemperatur: -20...85°C Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle ung: für Induktionsbelastungen Eingangsspannung: 30V Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangsspannung: 50V Gehäuse: SO16 Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 7

Hersteller: STMicroelectronics Betriebstemperatur: -40...85°C Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver ung: für Induktionsbelastungen Ausgangsspannung: 50V Gehäuse: DIP16 Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 7 Montage: THT Eingangsspannung: 30V

ULN2003AN - NPN Darlington-Transistor-Array, DIL-16 Das ULN2003AN von Texas Instruments ist ein NPN Darlington-Transistortreiber im DIL-16-Gehäuse, der für verschiedene Anwendungen in der Elektronik geeignet ist. Mit einem Dauer-Kollektorstrom von maximal 0,5 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 50 V bietet dieses Array aus sieben Transistoren pro Chip eine zuverlässige Lösung für Schaltanwendungen. Die durchsteckmontierte Bauweise und die kompakte Größe erleichtern die Integration in verschiedene Schaltungen. Merkmale im Überblick Darlington-Transistortreiber: Zuverlässige Schaltlösung für verschiedene Anwendungen.Durchsteckmontage: Einfache Integration in bestehende Schaltungen.Array mit 7 Transistoren: Effiziente Nutzung des Chips für multiple Schaltvorgänge.Technische Daten Transistor-Typ: NPNDauer-Kollektorstrom max.: 0,5 AKollektor-Emitter-Spannung max.: 50 VBasis-Emitter-Spannung max.: 50 VGehäusegröße: PDIPMontage-Typ: DurchsteckmontagePinanzahl: 16Konfiguration: Array 7Anzahl der Elemente pro Chip: 7Kolle

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: DIP16 Betriebstemperatur: -40...105°C Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver ung: für Induktionsbelastungen Ausgangsspannung: 50V Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 7 Eingangsspannung: 30V

Hersteller: STMicroelectronics Betriebstemperatur: -20...85°C Montage: THT ung: für Induktionsbelastungen Eingangsspannung: 30V Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangsspannung: 50V Gehäuse: DIP18 Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 8

Hersteller: STMicroelectronics Betriebstemperatur: -40...85°C Montage: THT ung: für Induktionsbelastungen Eingangsspannung: 30V Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangsspannung: 50V Gehäuse: DIP16 Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 7

Hersteller: STMicroelectronics Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Gehäuse: DIP18 Ausgangsstrom: 0.5A Ausgangsspannung: 50V Anzahl Kanäle: 8 Montage: THT Betriebstemperatur: -20...85°C ung: für Induktionsbelastungen Eingangsspannung: 30V

Das ULN2803A-Gerät ist ein Darlington-Transistor-Array mit 50 V und 500 mA. Der Kollektorstrom jedes Darlington-Paares beträgt 500 mA. Zur Erhöhung der Stromkapazität können Darlington-Paare parallel geschaltet werden. Jedes Darlington-Paar von ULN2803A-Geräten verfügt über einen Serienbasiswiderstand von 2,7 kΩ und kann direkt mit TTL- oder 5-V-CMOS-Geräten arbeiten Zu den Anwendungen gehören Relaistreiber, Hammertreiber, Lampentreiber, Anzeigetreiber (LED und Gasentladung), Leitungstreiber und Logikpuffer. Das Gerät besteht aus acht NPN-Darlington-Paaren, die über einen Hochspannungsausgang und eine gemeinsame Kathodenklemmdiode zum Schalten induktiver Lasten verfügen.

Konzipiert für universelle Verstärker- und Niederfrequenz Schaltanwendungen. - Hohe DC-Stromverstärkung - Min hFE = 1000 @ IC = 5,0 A, VCE = 4 V - Kollektor-Emitter-Haltespannung - @ 30 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - TIP140, TIP145 = 80 Vdc (Min) - TIP141, TIP146 = 100 Vdc (Min) - TIP142, TIP147

Darlington-Transistor, NPN, 80V, 8A, 60W, TO-220AB

Darlington-Transistor, NPN, 100V, 2A, 20W, DPAK

Darlington-Transistor, PNP, 100V, 8A, 20W, DPAK

Darlington-Transistor, PNP, 100V, 2A, 20W, DPAK Gute Verstärkungslinearität Hohe Grenzfreqzenz Komplementär zu MJD112

Darlington-Transistor, NPN, 100V, 8A, 20W, DPAK

TIP122F NPN Darlington-Transistor, 100V, 8A Der TIP122F ist ein NPN Darlington-Transistor von ST Microelectronics, der in einem TO-220FP-Gehäuse untergebracht ist. Dieser Transistor bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 100V und einen maximalen Kollektor-Emitter-Strom von 5A. Ideal für Anwendungen, die eine hohe Verstärkung und Stromhandhabung erfordern. Merkmale im Überblick Hohe Verstärkung: Ideal für Anwendungen, die eine starke Signalverstärkung benötigen. Robustes TO-220FP-Gehäuse: Bietet eine effiziente Wärmeableitung und Schutz. Hohe Stromhandhabung: Unterstützt bis zu 5A Kollektor-Emitter-Strom. Breiter Spannungsbereich: Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 100V. Technische Daten Vergleichstyp: TIP120, TIP121, TIP122 Transistortyp: NPN Polarisierung:

Darlington-Transistor, NPN, 400V, 15A, 135W, TO-247

Darlington-Transistor, NPN, 100V, 4A, 40W, TO-225

Darlington-Transistor, NPN, 100V, 12A, 70W, D2PAK

Darlington-Transistor, NPN, 100V, 10A, 2W, TO-220FP

Darlington-Transistor, NPN, 60V, 2A, 2W, TO-220AB

Übersicht:Darlington-Transistor von ToshibaTyp: NPNVceo: 50VPd: 760 mWBautyp: Dip-18Signalausgabe: TTLHilfreiche Links:Anleitung (theengineeringprojects.com)Lieferumfang:1x ULN2803APG - Darlington NPN Transistor, 50V, 500mA, DIP-18

Technische Daten Transistor-Typ PNP Polarisierung bipolar Transistor-Art Darlington Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektor-Emitter-Strom 15A Verlustleistung 80W Gehäuse TO220AB Montage THT