darlington transistoren

Spannungsausgang: 50V, Nennkollektorstrom: 500mA Platinengröße: 24 x 23,33 x 4,18 mm / 0,94 x 0,92 x 0,16 Zoll (L x B x H) Material:...

Spannungsausgang: 50V, Nennkollektorstrom: 500mA Platinengröße: 24 x 23,33 x 4,18 mm / 0,94 x 0,92 x 0,16 Zoll (L x B x H) Material:...

Spannungsausgang: 50V, Nennkollektorstrom: 500mA Platinengröße: 24 x 23,33 x 4,18 mm / 0,94 x 0,92 x 0,16 Zoll (L x B x H) Material:...

Spannungsausgang: 50V, Nennkollektorstrom: 500mA Platinengröße: 24 x 23,33 x 4,18 mm / 0,94 x 0,92 x 0,16 Zoll (L x B x H) Material:...

Hersteller: IXYS Verpackungs-Art: Tube Montage: SMD Versorgungsspannung: 1.3...12.5V DC Kollektor-Emitter-Spannung: 350V Ausgangsstrom: 20mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Bezugsspannung: 1.299V Gehäuse: Integrierten Schaltkreises-Art: error lifier Darlington transistor Kollektor-Emitter-Strom: 200mA

Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 1kV Kollektor-Emitter-Strom: 0.5A Verlustleistung: 20W Gehäuse: SOT32 Montage: THT Verpackungs-Art: Tube

MPSA 13 - Darlington Transistor NPN, 30V, 0,5A, 0,625W, TO-92

Anwendung: Zu den Anwendungen des ULN2803A-Moduls gehören Relaistreiber, Hammertreiber, Lampentreiber, Anzeigetreiber (LED- und Gasentladung), Leitungstreiber und Logikpuffer. Spannung und Strom: Das ULN2803A-Gerät ist ein Darlington-Transistorarray mit einer Spannung von 50 V und einem Strom von 500 mA. Struktur: Das Gerät besteht aus acht NPN-Darlington-Paaren mit einem Hochspannungsausgang und einer gemeinsamen Kathodenklemmdiode zum Schalten induktiver Lasten. Kollektorstrom: Die Kollektorstromstärke jedes Darlington-Paares beträgt 500 mA. Darlington-Paare können parallel geschaltet werden, um die Stromkapazität zu erhöhen. Merkmale: Jedes Darlington-Paar von ULN2803A-Geräten ist mit einem Basiswiderstand der Serie 2,7 kΩ ausgestattet und kann direkt mit TTL- oder 5-V-CMOS-Geräten arbeiten.

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: DIP16 Betriebstemperatur: -40...105°C Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver ung: für Induktionsbelastungen Ausgangsspannung: 50V Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 7 Eingangsspannung: 30V

Hersteller: STMicroelectronics Betriebstemperatur: -40...85°C Montage: THT ung: für Induktionsbelastungen Eingangsspannung: 30V Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangsspannung: 50V Gehäuse: DIP16 Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 7

Hersteller: STMicroelectronics Betriebstemperatur: -20...85°C Montage: THT ung: für Induktionsbelastungen Eingangsspannung: 30V Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangsspannung: 50V Gehäuse: DIP18 Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 8

ULN2003AN - NPN Darlington-Transistor-Array, DIL-16 Das ULN2003AN von Texas Instruments ist ein NPN Darlington-Transistortreiber im DIL-16-Gehäuse, der für verschiedene Anwendungen in der Elektronik geeignet ist. Mit einem Dauer-Kollektorstrom von maximal 0,5 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 50 V bietet dieses Array aus sieben Transistoren pro Chip eine zuverlässige Lösung für Schaltanwendungen. Die durchsteckmontierte Bauweise und die kompakte Größe erleichtern die Integration in verschiedene Schaltungen. Merkmale im Überblick Darlington-Transistortreiber: Zuverlässige Schaltlösung für verschiedene Anwendungen. Durchsteckmontage: Einfache Integration in bestehende Schaltungen. Array mit 7 Transistoren: Effiziente Nutzung des Chips für multiple Schaltvorgänge. Technische

ULN2803A - NPN Darlington-Transistor-Array, DIL-18 Das NPN Darlington-Transistor-Array ULN2803A von STMicroelectronics ist ideal für Anwendungen, die hohe Stromverstärkungen erfordern. Es unterstützt einen Dauer-Kollektorstrom von maximal 0,5 A und Spannungen bis zu 50 V. Merkmale im Überblick Transistor-Typ: NPN - bietet robuste Leistung für vielfältige Anwendungen Konfiguration: Octal Common Emitter - ermöglicht die Ansteuerung von acht Transistoren gleichzeitig Montage-Typ: Durchsteckmontage - erleichtert die Installation in Standard-Leiterplatten Technische Daten Dauer-Kollektorstrom max.: 0,5 A Kollektor-Emitter-Spannung max.: 50 V Basis-Emitter Spannung max.: 50 V Gleichstromverstärkung min.: 1000

Hersteller: STMicroelectronics Betriebstemperatur: -40...85°C Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver ung: für Induktionsbelastungen Ausgangsspannung: 50V Gehäuse: DIP16 Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 7 Montage: THT Eingangsspannung: 30V

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Betriebstemperatur: -20...85°C Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle ung: für Induktionsbelastungen Eingangsspannung: 30V Ausgangsstrom: 0.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangsspannung: 50V Gehäuse: SO16 Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Anzahl Kanäle: 7

ULN2003AN - NPN Darlington-Transistor-Array, DIL-16 Das ULN2003AN von Texas Instruments ist ein NPN Darlington-Transistortreiber im DIL-16-Gehäuse, der für verschiedene Anwendungen in der Elektronik geeignet ist. Mit einem Dauer-Kollektorstrom von maximal 0,5 A und einer Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 50 V bietet dieses Array aus sieben Transistoren pro Chip eine zuverlässige Lösung für Schaltanwendungen. Die durchsteckmontierte Bauweise und die kompakte Größe erleichtern die Integration in verschiedene Schaltungen. Merkmale im Überblick Darlington-Transistortreiber: Zuverlässige Schaltlösung für verschiedene Anwendungen.Durchsteckmontage: Einfache Integration in bestehende Schaltungen.Array mit 7 Transistoren: Effiziente Nutzung des Chips für multiple Schaltvorgänge.Technische Daten Transistor-Typ: NPNDauer-Kollektorstrom max.: 0,5 AKollektor-Emitter-Spannung max.: 50 VBasis-Emitter-Spannung max.: 50 VGehäusegröße: PDIPMontage-Typ: DurchsteckmontagePinanzahl: 16Konfiguration: Array 7Anzahl der Elemente pro Chip: 7Kolle

Hersteller: STMicroelectronics Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: darlington Integrierten Schaltkreises-Art: Transistor-Array Gehäuse: DIP18 Ausgangsstrom: 0.5A Ausgangsspannung: 50V Anzahl Kanäle: 8 Montage: THT Betriebstemperatur: -20...85°C ung: für Induktionsbelastungen Eingangsspannung: 30V

Übersicht:Darlington-Transistor von ToshibaTyp: NPNVceo: 50VPd: 760 mWBautyp: Dip-18Signalausgabe: TTLHilfreiche Links:Anleitung (theengineeringprojects.com)Lieferumfang:1x ULN2803APG - Darlington NPN Transistor, 50V, 500mA, DIP-18

Darlington-Transistor, NPN, 60V, 2A, 2W, TO-220AB

Technische Daten Transistor-Typ PNP Polarisierung bipolar Transistor-Art Darlington Kollektor-Emitter-Spannung 100V Kollektor-Emitter-Strom 15A Verlustleistung 80W Gehäuse TO220AB Montage THT

Die TIP120, TIP121 und TIP122 sind NPN-Leistungstransistoren auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse. Sie sind für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP125, TIP126 und TIP127. Eigenschaften . STMicroelectronics bevorzugte Vertriebstypen

TIP122F NPN Darlington-Transistor, 100V, 8A Der TIP122F ist ein NPN Darlington-Transistor von ST Microelectronics, der in einem TO-220FP-Gehäuse untergebracht ist. Dieser Transistor bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 100V und einen maximalen Kollektor-Emitter-Strom von 5A. Ideal für Anwendungen, die eine hohe Verstärkung und Stromhandhabung erfordern. Merkmale im Überblick Hohe Verstärkung: Ideal für Anwendungen, die eine starke Signalverstärkung benötigen. Robustes TO-220FP-Gehäuse: Bietet eine effiziente Wärmeableitung und Schutz. Hohe Stromhandhabung: Unterstützt bis zu 5A Kollektor-Emitter-Strom. Breiter Spannungsbereich: Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 100V. Technische Daten Vergleichstyp: TIP120, TIP121, TIP122 Transistortyp: NPN Polarisierung:

Darlington-Transistor, PNP, 100V, 2A, 20W, DPAK Gute Verstärkungslinearität Hohe Grenzfreqzenz Komplementär zu MJD112

Darlington-Transistor, NPN, 400V, 15A, 135W, TO-247

Darlington-Transistor, PNP, 100V, 8A, 20W, DPAK

Konzipiert für universelle Verstärker- und Niederfrequenz Schaltanwendungen. - Hohe DC-Stromverstärkung - Min hFE = 1000 @ IC = 5,0 A, VCE = 4 V - Kollektor-Emitter-Haltespannung - @ 30 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - TIP140, TIP145 = 80 Vdc (Min) - TIP141, TIP146 = 100 Vdc (Min) - TIP142, TIP147

Darlington-Transistor, NPN, 80V, 8A, 60W, TO-220AB

Darlington-Transistor, NPN, 100V, 2A, 20W, DPAK

Darlington-Transistor, NPN, 100V, 8A, 20W, DPAK

Darlington-Transistor, NPN, 100V, 4A, 40W, TO-225