darlington transistoren

Beschreibung . mit TO-126-Gehäuse . Ergänzung zum Typ BD676/678/680 . DARLINGTON . hohe DC-Stromverstärkung Anwendung zur Verwendung als Ausgangsbauelemente in komplementären Mehrzweck Verstärkeranwendungen

Gehäuse: SOT-32

Komplementäre Darlington-Silizium-Leistungstransistoren Beschreibung Diese Bausteine sind für den Einsatz als Allzweckverstärker, Niederfrequenzschalter und Motorsteuerungsanwendungen vorgesehen. Merkmale . Hohe Gleichstromverstärkung bei 10 Adc - hFE = 400 Min (alle Typen) . Aufrechterhaltung der Kollektor-Emitter-Spannung VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) - MJH11018, 17 = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19 = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21 . Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,2 V (Typ) @ IC = 5,0 A = 1,8 V (Typ) @ IC = 10 A . Monolithische Konstruktion . Dies sind Pb-freie Geräte

Gehäuse: SOT-32

Beschreibung . mit TO-3-Gehäuse . DARLINGTON . Hochstrom Anwendungen Entwickelt für Leistungsverstärkung und Schaltanwendungen.

Beschreibung . mit TO-3-Gehäuse . DARLINGTON . Hochstrom Anwendungen Entwickelt für Leistungsverstärkung und Schaltanwendungen.

Eigenschaften . konzipiert für die komplementäre Verwendung mit TIP130, TIP131 und TIP132 . 70 W bei 25°C Gehäusetemperatur . 8 A kontinuierlicher Kollektorstrom . mindestens hFE von 1000 bei 4 V, 4 A

Beschreibung . mit TO-220C-Gehäuse . DARLINGTON . Kollektor-Sättigungsspannung . Ergänzung zum Typ TIP135/136/137 Anwendungen . entwickelt für universelle Verstärker und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit

Gehäuse: SOT-32

Gehäuse: TO-3PN

Darlington Leistungstransistoren 15A Darlington 150-250 V , 150 W PNP

Darlington Leistungstransistoren 20A Darlington 100 V , 160 W NPN

Transistor NPN-Darl+Dio TO-220 400V 8A

Beschreibung . mit TO-220C-Gehäuse . hohe DC-Stromverstärkung . DARLINGTON . komplementär zum Typ BDX34/A/B/C Anwendungen . Lineare und schaltende Leistungsanwendungen . Hammertreiber, Audioverstärker

Beschreibung . mit TO-3PN-Gehäuse . Ergänzung zum Typ BDV65/65A/65B/65C . DARLINGTON . hohe DC-Stromverstärkung Anwendungen für den Einsatz in allgemeine Verstärkeranwendungen

Eigenschaften . Max. Verlustleistung mit Kühlung: 65 W . Kollektorstrom: 5 A . Kunststoffgehäuse: TO-220AB . Gewicht ca.: 2.2 g . Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert . Standard Lieferform in Stangen

Beschreibung . Kollektor-Emitter-Haltespannung - : VCEO(SUS)= 250V (Min.) . hohe DC-Stromverstärkung - : hFE= 400(Min.)@IC= 10A . niedrige Kollektor-Sättigungsspannung - : VCE (sat)= 1.0V(Max.)@ IC= 5.0A Anwendungen . Entwickelt für Allzweckverstärker, Niederfrequenz Schalt- und Motorsteuerungsanwendungen

Gehäuse: TO-247

Eigenschaften . hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (Typ) @ IC - hFE = 4,0 Adc . Kollektor-Emitter-Haltespannung - @ 100 mAdc - VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - TIP120, TIP125 - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - TIP121, TIP126 - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - TIP122, TIP127 . niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 2,0 Vdc (Max) @ IC = 3,0 Adc - VCE(sat)= 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc . monolithischer Aufbau mit integrierten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen . Pb-Free-Gehäuse sind verfügbar Anwendungen Konzipiert für allgemeine Verstärker- und langsame Schaltanwendungen Anwendungen.

Transistor NPN-Darl TO-3PN 100V 10A 125W

Komplementärer Silizium-Leistungs-Darlington-Transistor Beschreibung: Die TIP110 und TIP112 sind NPN-Transistoren auf Silizium-Epitaxialbasis in monolithischer Darlington-Konfiguration, die in einem Jedec TO-220-Kunststoffgehäuse montiert sind. Sie sind für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen mittlerer Leistung vorgesehen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP115 und TIP117. Merkmale . STMicroelectronics bevorzugte Verkaufsart . Ergänzende PNP-NPN-Geräte . Monolithische Darlington-Konfiguration . Integrierte antiparallele Kollektor-Emitter-Diode Applikationen > . Lineare und schaltende Industrieausrüstung

Komplementärer Silizium-Leistungs-Darlington-Transistor Beschreibung: Die TIP110 und TIP112 sind NPN-Transistoren auf Silizium-Epitaxialbasis in monolithischer Darlington-Konfiguration, die in einem Jedec TO-220-Kunststoffgehäuse montiert sind. Sie sind für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen mittlerer Leistung vorgesehen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP115 und TIP117. Merkmale . STMicroelectronics bevorzugte Verkaufsart . Ergänzende PNP-NPN-Geräte . Monolithische Darlington-Konfiguration . Integrierte antiparallele Kollektor-Emitter-Diode Applikationen > . Lineare und schaltende Industrieausrüstung

Darlington-Komplementär-Silizium-Leistungstransistoren entwickelt für allgemeine Verstärker- und Niederfrequenz-Schaltanwendungen. . hohe DC-Stromverstärkung @ IC = 10 Adc - hFE = 2400 (Typ) - 2N6284 - hFE = 4000 (typisch) - 2N6287 . Kollektor-Emitter-Haltespannung - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) . monolithischer Aufbau mit integriertem Basis-Emitter-Shunt Widerstände

Darlington-Transistor, NPN, 30V, 0,5A, 0,25W, SOT-23

Entwickelt für allgemeine Leistungs- und Schaltanwendungen wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern, und Leistungsverstärkern. Elektrisch identisch zur berühmten TIP31 und TIP32 Serie.

Der TIP132 ist ein Silizium-Epitaxie-Basis-NPN-Leistungstransistor in monolithischer Darlington-Konfiguration, der in einem Jedec TO-220-Kunststoffgehäuse montiert ist. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen. Der komplementäre PNP-Typ ist TIP137. Auch TIP135 ist ein PNP-Typ. Eigenschaften . STMicroelectronics bevorzugte Vertriebstypen Anwendung . lineare und schaltende Industrieanlagen

Beschreibung . mit TO-3-Gehäuse . DARLINGTON . hohe DC-Stromverstärkung . Ergänzung zum Typ MJ2500/2501 Anwendungen . zur Verwendung als Ausgangsbauelemente in komplementären Verstärkeranwendungen für allgemeine Zwecke

INCHANGE Semiconductor Silicon PNP Darlington Power Transistor Beschreibung: . Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung... - V(BR)CEO= -120V(Min.) . Hohe Gleichstromverstärkung - - hFE= 1000(Min.)@IC= -20A . Niedrige Kollektor-Sättigungsspannung... - VCE (sat)= -3.0V(Max.)@ IC= -20A . Komplement zu NPN MJ11016 Anwendungen: . Ausgelegt für den Einsatz als Ausgabegeräte in komplementären Verstärker-Anwendungen.

Der BDW93CFP ist ein Silizium-NPN-Transistor auf Epitaxie-Basis Transistor in monolithischer Darlington-Konfiguration im TO-220FP-Gehäuse, das voll isoliert ist Gehäuse. Er ist für den Einsatz in linearen Leistungs und Schaltanwendungen vorgesehen. Der komplementäre PNP-Typ ist der BDW94CFP.

Beschreibung . Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 100V(Min) . hohe DC-Stromverstärkung - : hFE= 750(Min) @IC= 3A . niedrige Sättigungsspannung . Ergänzung zu Typ BD650 Anwendungen entwickelt für den Einsatz als komplementäre AF-Push-Pull-Ausgangs stufen-Anwendungen