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TEXAS INSTRUMENTS LM 5050MK-1 - MOSFET-Treiber, high-side, SOT-23-6 LM5050MK-1/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS LM 5050MK-1 - MOSFET-Treiber, high-side, SOT-23-6 LM5050MK-1/NOPB
MOSFET-Treiber Ausgangsstrom max.: 3,2 µA Treiberkonfiguration: High-Side MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur max.: +125 °C Betriebstemperatur min.: -40 °C Eingangsspannung max.: 75 V Eingangsspannung min.: 5 V Gehäusegröße: SOT-23 Montage-Typ: SMD Pinanzahl: 6
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ONSEMI FDN337N - MOSFET, N-Kanal, 30V, 2,2A, 0,065R, SOT-23
ONSEMI FDN337N - MOSFET, N-Kanal, 30V, 2,2A, 0,065R, SOT-23
FDN337N von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27524AD - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 5A SOIC-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27524AD - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 5A SOIC-8
UCC27524AD aus der UCC27524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON 2EDN7524FXTMA1 - Low-Side MOSFET/GaN 2-Kanäle 5A DSO-8
INFINEON 2EDN7524FXTMA1 - Low-Side MOSFET/GaN 2-Kanäle 5A DSO-8
2EDN7524FXTMA1 aus der 2EDN7524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, GaN. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, Eingänge tolerant -10...+20 V Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, 1 ns Kanal-zu-Kanal-Delay-Matching, Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform PG-DSO-8-60, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON 2EDN8524FXTMA1 - Low-Side MOSFET/GaN 2-Kanäle 5A TSSOP-8
INFINEON 2EDN8524FXTMA1 - Low-Side MOSFET/GaN 2-Kanäle 5A TSSOP-8
2EDN8524FXTMA1 aus der 2EDN8524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, GaN. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, TTL / 3,3-V-CMOS-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay, 5,3 ns Rise Time, 4,5 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, Shoot-through-Schutz, Current-Limiting, Reverse-Current-Robustheit, Kanäle parallelisierbar. Die Bauform PG-TSSOP-8, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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ONSEMI FAN3111CSX - Low-Side MOSFET 1-Kanal 1,4A SOT-23-5
ONSEMI FAN3111CSX - Low-Side MOSFET 1-Kanal 1,4A SOT-23-5
FAN3111CSX aus der FAN3111-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IX4340UE - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 5A MSOP-8EP
LITTELFUSE IX4340UE - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 5A MSOP-8EP
IX4340UE aus der IX4340UE-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, TTL/CMOS-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 16 ns Propagation Delay, 7 ns Rise Time, 7 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, Enable je Ausgang, Ausgänge parallelisierbar, schnelle Rise/Fall-Zeiten. Die Bauform 8-MSOP-EP, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDD609SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A SOIC-8
LITTELFUSE IXDD609SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A SOIC-8
IXDD609SIA aus der IXDD609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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MICROCHIP MIC4124YME - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 3A 8-SOIC-EP
MICROCHIP MIC4124YME - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 3A 8-SOIC-EP
MIC4124YME aus der MIC4124-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, TTL/CMOS, Logikeingang bis VS Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, ESD-Schutz, geringe Crossover-Ströme. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -40...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDI602SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 2A SOIC-8
LITTELFUSE IXDI602SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 2A SOIC-8
IXDI602SIA aus der IXDI602-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, VIL/VIH ca. 0,8/3 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 7,5 ns Rise Time, 6,5 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend, latch-up-fest, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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DIODES INCORPORATED ZXGD3009E6TA - Low-Side MOSFET 1-Kanal 1A SOT-26
DIODES INCORPORATED ZXGD3009E6TA - Low-Side MOSFET 1-Kanal 1A SOT-26
ZXGD3009E6TA aus der ZXGD3009-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD bis 40 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. ca. 3,8/4 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, schneller 1-A-Gate-Treiber, geringe Eingangsleistung. Die Bauform SOT-26, SMD, n. g. °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27524DR - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 5A SOIC-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27524DR - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 5A SOIC-8
UCC27524DR aus der UCC27524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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ONSEMI MC33152DR2G - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
ONSEMI MC33152DR2G - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
MC33152DR2G aus der MC33152-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35/36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, hohe Slew-Rate, duale Ausgänge. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+85 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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TEXAS INSTRUMENTS TPS2829DBVR - Low-Side MOSFET 1-Kanal 2A SOT-23-5
TEXAS INSTRUMENTS TPS2829DBVR - Low-Side MOSFET 1-Kanal 2A SOT-23-5
TPS2829DBVR aus der TPS2829-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..14 V, Schaltschwellen ca. 1/3 und 2/3 VCC Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 50 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 14 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, BiCMOS-Ausgang, geringe Shoot-through-Ströme, geringe Ruhestromaufnahme ohne internen Regler. Die Bauform SOT-23-5 / DBV, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON IRS2186STRPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A SOIC-8
INFINEON IRS2186STRPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A SOIC-8
IRS2186STRPBF aus der IRS2186-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 170/170 max. ns Propagation Delay, 38 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / unabhängige Eingänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, getrennte high-/low-side Eingänge. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON BSS123NH6327XTSA - MOSFET, N-Kanal, 100V, 0,19A, 6R, SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
INFINEON BSS123NH6327XTSA - MOSFET, N-Kanal, 100V, 0,19A, 6R, SOT-23 BSS123NH6327XTSA1
BSS123NH6327XTSA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Enhancement mode . Logic level (4.5V rated) . Avalanche rated . Qualified according to AEC Q101
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INFINEON IR2110STRPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 2,5A SOIC-16
INFINEON IR2110STRPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 2,5A SOIC-16
IR2110STRPBF aus der IR2110-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/TTL, separate Logikversorgung 3,3..20 V Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 500 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 35 ns Rise Time, 25 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,30
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LITTELFUSE IXDD604SI - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDD604SI - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A 8-SOIC-EP
IXDD604SI aus der IXDD604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 29 / 35 ns Propagation Delay,
2,70
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ONSEMI MC34152DG - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
ONSEMI MC34152DG - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
MC34152DG aus der MC34152-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, CMOS/LSTTL-kompatibel mit Hysterese Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35 / 36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO mit Hysterese, latch-up-fest, interner 100-kO-Pulldown je Ausgang, keine Überstrom-/Thermal-Schutzfunktion. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,25
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LITTELFUSE IXDN630YI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 30A D2PAK-5
LITTELFUSE IXDN630YI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 30A D2PAK-5
IXDN630YI aus der IXDN630-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 30 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 12,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,5 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 11 ns Rise Time, 11 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, UVLO, latch-up-fest, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through. Die Bauform TO-263-5 / D2PAK, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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MICROCHIP TC427COA - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
MICROCHIP TC427COA - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
TC427COA aus der TC427COA-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS/TTL, Eingangslogik bis VDD möglich Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 30 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,50
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LITTELFUSE IX4427NTR - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
LITTELFUSE IX4427NTR - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5A SOIC-8
IX4427NTR aus der IX4427-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit
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TAIWAN-SEMICONDUCTOR TQM2N7002KCX RFG - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0,37A, 1,6R, SOT-23
TAIWAN-SEMICONDUCTOR TQM2N7002KCX RFG - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0,37A, 1,6R, SOT-23
TQM2N7002KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27324DR - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 4A SOIC-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27324DR - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 4A SOIC-8
UCC27324DR aus der UCC27324-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
0,99
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27201ADDAR - Halbbrücke MOSFET 2-Kanäle 3A HSOP-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27201ADDAR - Halbbrücke MOSFET 2-Kanäle 3A HSOP-8
UCC27201ADDAR aus der UCC27201A-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 8..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 120 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO high-/low-side, integrierte Bootstrap-Diode, unabhängige Eingänge. Die Bauform SO PowerPAD-8 / HSOP-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDN609SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDN609SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A 8-SOIC-EP
IXDN609SI aus der IXDN609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27424DR - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 4A SOIC-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27424DR - Low-Side MOSFET 2-Kanäle 4A SOIC-8
UCC27424DR aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27322DR - Low-Side MOSFET 1-Kanal 9A SOIC-8
TEXAS INSTRUMENTS UCC27322DR - Low-Side MOSFET 1-Kanal 9A SOIC-8
UCC27322DR aus der UCC27322-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, Enable, Split Outputs, hohe Miller-Stromfähigkeit. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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INFINEON IRS44273LTRPBF - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 1,5A SOT-23-5
INFINEON IRS44273LTRPBF - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 1,5A SOT-23-5
IRS44273LTRPBF aus der IRS44273-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, MOSFET-/IGBT-Ansteuerung. Die Bauform 5-lead SOT-23, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDI609SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A SOIC-8
LITTELFUSE IXDI609SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A SOIC-8
IXDI609SIA aus der IXDI609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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