smd mosfet

BSP92PH6327XTSA1 von INFINEON ist ein P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Elektronikschaltungen. Geeignet für Lastschalter, Pegelsteuerungen, Signalpfade und platzsparende SMD-Designs. . P-Channel . Enhancement mode . Logic Level . dv/dt rated . qualified according to AEC Q101

FAN3224TMX aus der FAN3224-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 29 ns Propagation Delay, 17 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, matched propagation delays, Dual-Ausgänge parallel nutzbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MOSFET-Treiber Ausgangsstrom max.: 3,2 µA Treiberkonfiguration: High-Side MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur max.: +125 °C Betriebstemperatur min.: -40 °C Eingangsspannung max.: 75 V Eingangsspannung min.: 5 V Gehäusegröße: SOT-23 Montage-Typ: SMD Pinanzahl: 6

FDN337N von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

2EDN7524FXTMA1 aus der 2EDN7524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, GaN. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, Eingänge tolerant -10...+20 V Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, 1 ns Kanal-zu-Kanal-Delay-Matching, Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform PG-DSO-8-60, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IX4340UE aus der IX4340UE-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, TTL/CMOS-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 16 ns Propagation Delay, 7 ns Rise Time, 7 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, Enable je Ausgang, Ausgänge parallelisierbar, schnelle Rise/Fall-Zeiten. Die Bauform 8-MSOP-EP, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MIC4124YME aus der MIC4124-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, TTL/CMOS, Logikeingang bis VS Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, ESD-Schutz, geringe Crossover-Ströme. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -40...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

FDV303N von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

MIC4123YME aus der MIC4123-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..20 V, TTL/CMOS, Logikeingang bis VS Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, ESD-Schutz, geringe Crossover-Ströme. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -40...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MIC4422ZM aus der MIC4422-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, VIL/VIH 0,8/2,4 V, TTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 20 ns Rise Time, 24 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, ESD-Schutz, geringe Crossover-Ströme. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

BSS84PWH6327XTSA1 von INFINEON ist ein P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Elektronikschaltungen. Geeignet für Lastschalter, Pegelsteuerungen, Signalpfade und platzsparende SMD-Designs. . Avalanche rated . Logic Level . dv/dt rated

Hersteller: IXYS Betriebsspannung: 650V Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: MOSFET Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Dimmung PWM Eigenschafte integrierter Schaltkreise: gleitende Dimmung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: LED Steuerung Ausgangsstrom: 1.7A

BSS138P,215 von NEXPERIA ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM2N7002KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

UCC27324DR aus der UCC27324-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27201ADDAR aus der UCC27201A-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 8..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 120 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO high-/low-side, integrierte Bootstrap-Diode, unabhängige Eingänge. Die Bauform SO PowerPAD-8 / HSOP-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27424DR aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27322DR aus der UCC27322-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, Enable, Split Outputs, hohe Miller-Stromfähigkeit. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS44273LTRPBF aus der IRS44273-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, MOSFET-/IGBT-Ansteuerung. Die Bauform 5-lead SOT-23, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27511DBVR aus der UCC27511-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS-kompatibel, duale IN+/IN- Eingänge Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 13 ns Propagation Delay, 9 ns Rise Time, 7 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend und nicht invertierend, UVLO, Ausgang low bei UVLO, rail-to-rail, minimierter Shoot-through-Strom. Die Bauform SOT-23-6, SMD, -40...+140 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2112STRPBF aus der IR2112-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 135 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, matched propagation delay. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IX4427N aus der IX4427N-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit

IRS2011STRPBF aus der IRS2011-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3 V und 5 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 60 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend laut DigiKey, HIN/LIN active high laut Datenblatt bitte prüfen, UVLO, matched propagation delay, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

600 V half-bridge gate driver IC with integrated bootstrap diode 2EDL05N06PFXUMA1 aus der 2EDL05N06-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,7 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17,5 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 300 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, Offline-Gate-Clamping, LS-SOI-Technologie. Die Bauform PG-DSO-8, SMD, -40...+95 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

1EDC30I12MH aus der 1EDC30I12MH-Familie ist ein Isolierter Single-Gate-Treiber / High-Side für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD VCC1 3,1..5,5, VCC2 n. g. V, 3,3-/5-V-Logik Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, galvanische Isolation UL1577 / n. g. kVrms, galvanische Isolation, aktiver Miller-Clamp, UVLO. Die Bauform PG-DSO-8 Wide Body, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie. ±3.0 A with 3.0 A Miller clamp

TQM2N7002KCU RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KCU RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KDCU6 RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TQM138KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

IR2113STRPBF aus der IR2113-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel, separate Logikversorgung möglich Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / unabhängige Eingänge, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.