smd mosfet

- 2-Kanal Verstärker mit SMD- und FULL-MOSFET-Technologie im Class A/B Betrieb - Variable und schaltbare Hochpass-, Tiefpass- und Bandpassfilter - Subsonic-Filter integriert - Effiziente Lüfterkühlung - Cinch-Hochpegeleingang mit automatischem Einschalten - 2 x 330 Watt RMS an 4 Ohm, 2 x 550 Watt RMS an 2 Ohm - Maße: Höhe 50 cm, Länge 58 cm, Breite 18,5 cm

Endstufentreiber - Ausgangsleistung RMS / Musik an 2 x 4Ohm RMS an 12 Volt: 2 x 120 Watt - Outputstage mit 24 MosFet Tranistoren - 8.0 Volt Eingänge - ADC - Separate Lautsprecherschutzschaltung - CPS - SMD - Eingangsimpedanz: 10 kOhm - Frequenzbereich: 20 Hz -20 kHz - Maße: 35 x 240 x 432 mm

- 1-Kanal digitaler Mono Hochleistungsverstärker mit SMD Technologie - RMS-Leistung: 1x1650 Watt an 4 Ohm, 1x3100 Watt an 2 Ohm, 1x5000 Watt an 1 Ohm - QUAD MOSFET Netzteil für hohe Leistung und Effizienz - CLIP/VOLT/TEMPERATUR Display mit Limiter - 24 dB Low Pass und Subsonic-Filter - Bass Boost +9 dB bei 45 Hz, stufenlos regelbarer Phaseshift von 0–180° - Maße: Höhe 63 cm, Länge 550 cm, Br

- 4-Kanal Class A/B Verstärker mit SMD-Technologie - Leistung von 4 × 125 W RMS bei 4 Ohm und 4 × 220 W RMS bei 2 Ohm - Gebrückter Betrieb mit 2 × 440 W RMS bei 4 Ohm - Variable Hoch- und Tiefpassfilter für individuelle Klangoptimierung - Stabile MOSFET-Stromversorgung für saubere Spannung - Aluminiumgehäuse für effiziente Wärmeableitung - Maße: Höhe 54,5 cm, Länge 385 cm, Breite 199,2 cm -

Produktname: P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET; Modell: APM4953 Gehäusetyp: SOP-8; Drain Source Spannung: -30 V Gate-Source-Spannung: ± 25 V; Max. Drain-Strom: -4,9 A Farbe: Schwarz; Gewicht: 1 g (b5795017-c652-11e9-a051-4cedfbbbda4e Packungsinhalt: 10 xP - Channel Enhancement Mode MOSFET (Contenu du paquet: MOSFET en mode d’amélioration 10 canaux xP

Transistor SMD P-FET SOT-23 -50V -0,13A

Transistor P-Kanal-Logic-Level Feld Effekt Transistor . Gehäuse: SOT-23

Transistor . 20V N-Kanal Verstärkung MOSFET . Gehäuse: SOT-23

Transistor SMD P-FET SOT-23 -60V -0,33A . P-Channel . Enhancement mode . Avalanche rated . Logic Level . dv/dt rated

Transistor SMD N-FET SOT-23 100V 0,17A

Transistor . 20V N-Kanal Verstärkung MOSFET . Gehäuse: SOT-23

SIPMOS Kleinsignal-Transistor . N-Kanal

Transistor SMD N-FET SOT-23 50V 0,22A

Eigenschaften . Zellendesign mit hoher Dichte für niedrigen RDS(ON) . spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter . robust und zuverlässig . hohe Sättigungsstromfähigkeit

10 Stück SMD AO4800 MOSFET Dual N-Kanal Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor SOP-8

Design:Das kompakte und leichte Design ermöglicht einfachen Transport. Die Benutzeroberfläche ist benutzerfreundlich und verfügt über klare Anzeigen und Tasten. Die Prüfspitzen sind gut verarbeitet und flexibel für den Anschluss an verschiedene Komponenten. Das robuste Gehäuse schützt die internen Schaltkreise. Funktion:Dieser Multifunktionstester kann Transistoren (NPN, PNP, MOSFET), Kondensatoren, Dioden, Trioden testen und auch LCR- und ESR-Werte von SMD-Komponenten für eine umfassende Analyse messen. Material:Hergestellt aus Materialien, die elektrisch stabil und langlebig sind. Die Materialien gewährleisten zuverlässige elektrische Verbindungen und halten dem regelmäßigen Einsatz in einer elektronischen Testumgebung stand. Anwendung:Verbinden Sie die Prüfspitzen mit den Pins des zu testenden elektronischen Bauteils. Wählen Sie mit den Tasten den entsprechenden Testmodus aus. Lesen Sie die auf dem Display angezeigten Testergebnisse ab. Anwendungsbereich:Ideal für Elektronik-Bastler, Techniker und Ingenieure zum Testen und Identifizieren verschiedener elektronischer Komponenten während des Schaltungsdesigns, der Reparatur und der Produktion.

Fotovoltaik-Relais MOSFET-Ausgang Das Photovoltaik-Relais der Serie PVG612 ist ein einpoliges, normalerweise offenes Solid-State-Relais, das in vielen elektromechanische Relais in vielen Anwendungen ersetzen kann. Es nutzt den International Rectifier's proprietärer HEXFET Leistungs-MOSFET von International Rectifier als Ausgangsschalter, der von einem Photovoltaik-Generator mit integrierter Schaltung und neuartiger Konstruktion. Der Ausgangsschalter wird durch die Strahlung von einer GaAlAs-Leuchtdiode (LED) gesteuert die optisch vom photovoltaischen Generator isoliert ist Generator isoliert ist. Wichtige Merkmale rückprallfreier Betrieb hohe Strombelastbarkeit hoher Aus-Zustands-Widerstand linearer AC/DC-Betrieb 4000 VRMS E/A-Isolierung Solid-State-Zuverlässigkeit

Erhältlich im SO-8 Gehäuse, nutzt der HCPL-072X Optokoppler die neuesten CMOS-IC-Technologie, um herausragende Leistung mit sehr geringem Stromverbrauch zu erreichen. Der HCPL-072X benötigt nur zwei Bypass-Kondensatoren für die komplette CMOS-Kompatibilität. Grundbausteine ??des HCPL-072X ist ein CMOS-LED-Treiber-IC, eine Hochgeschwindigkeits-LED und ein CMOS-Detektor-IC. Ein CMOS-Logik-Eingangssignals steuert den LED-Treiber-IC, der den Strom an die LED liefert. Der Detektor IC beinhaltet eine integrierte Photodiode, einen Hochgeschwindigkeits-Transimpedanzverstärker und einem Komparator mit einem Leistungstreiber. Features . +5 V CMOS-Kompatibilität . 20 ns max prop. Laufzeitunterschied . Hohe Geschwindigkeit: 25 MBd . 40 ns max. prop. Verzögerung . 10 kV / us minimale Gleichtaktunterdrückung . -40 bis 85 ° C Temperaturbereich . Sicherheits-und behördliche Genehmigungen UL-Zulassung - 3750 Vrms für 1 min. pro UL 1577 - CSA - IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 - VIORM = 560 Vpeak für HCPL-072X Anwendungen . Digitale Feldbus-Trennung: CC-Link, DeviceNet, Profibus, SDS . AC Plasma Display Panel Pegelverschiebung . Multiplex-Datenübertragung . Computer Peripheral Interface . Mikroprozessor-System-Schnittstelle

Erhältlich im SO-8 Gehäuse, nutzt der HCPL-0710-Optokoppler die neueste CMOS-IC-Technologie, um herausragende Leistung mit sehr geringem Stromverbrauch zu erreichen. Der HCPL-0710 benötigt nur zwei Bypass-Kondensatoren für die komplette CMOS-Kompatibilität. Grundbausteine ??des HCPL-0710 ist ein CMOS-LED-Treiber-IC, eine Hochgeschwindigkeits-LED und ein CMOS-Detektor-IC. Ein CMOS-Logik-Eingangssignals steuert den LED-Treiber-IC, der den Strom an die LED liefert. Der Detektor IC beinhaltet eine integrierte Photodiode, einen Hochgeschwindigkeits-Transimpedanzverstärker und einem Komparator mit einem Leistungstreiber. Features . +5 V CMOS-Kompatibilität . 8 ns maximale Pulsbreitenverzerrung . 20 ns max prop. Laufzeitunterschied . Hohe Geschwindigkeit: 12 MBd . 40 ns max prop. Verzögerung . 10 kV / us minimale Gleichtaktunterdrückung . -40 ° C bis 100 ° C Temperaturbereich . Sicherheits-und behördliche Genehmigungen: - UL 3750 V rms für 1 min. pro UL 1577 - CSA - IEC / EN / DIN EN 60747-5-2 - VIORM = 560 Vpeak für HCPL-0710 Anwendungen . Digitale Feldbus-Trennung: DeviceNet, SDS, Profibus . AC Plasma Display Panel Pegelverschiebung . Multiplex-Datenübertragung . Computer Peripheral Interface . Mikroprozessor-System-Schnittstelle

PANASONIC Fotovoltaik-Relais mit MOSFET-Ausgang . Zur Steuerung von Low-Level-Signalen . Optische Kopplung für hohe Isolationsspannungen bis 5kV . Niedriger On-Widerstand . Geringer Off-State-Leckstrom . Keine Beschränkung bezüglich der Montage-Richtung Technische Merkmale Steuerstrom= 50mA ton=5ms toff=0,5ms

FDN360P von ONSEMI ist ein P-Kanal-SMD-MOSFET für kompakte Lastschalter und portable Elektronik. Geeignet für Power-Management, Verpolschutz, Akkuschaltungen und platzsparende Schaltanwendungen.

QS5K2TR von ROHM ist ein kompakter SMD-MOSFET für platzsparende Elektronikdesigns. Geeignet für Lastschalter, Signalsteuerungen, Power-Management und allgemeine Schaltanwendungen.

Logic Level PowerTrench MOSFET FDC5614P von ONSEMI ist ein P-Kanal-SMD-MOSFET für kompakte Lastschalter und portable Elektronik. Geeignet für Power-Management, Verpolschutz, Akkuschaltungen und platzsparende Schaltanwendungen.

SI4154DY-T1-GE3 von VISHAY ist ein kompakter SMD-MOSFET für platzsparende Elektronikdesigns. Geeignet für Lastschalter, Signalsteuerungen, Power-Management und allgemeine Schaltanwendungen.

Testen Sie die Stiftelemente automatisch und zeigen Sie sie auf dem LCD an. BREITE ANWENDUNG Der Transistortester kann die automatische Erkennung von Komponenten wie NPN-, PNP-Bipolartransistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, Dioden einschließlich Doppeldioden, Thyristoren, Transistoren, Widerständen und Kondensatoren usw EIN-TASTEN-BETRIEB Der als Ein-Tasten-Betrieb konzipierte Transistortester ist sehr einfach zu bedienen, nur eine Taste zum Bedienen, Boot-Test und andere Funktionen, die mit einer Taste abgerufen werden können Kann die Vorwärtsvorspannung des Transistoremitters, die MOSFET-Schutzdiode und die Verstärkungsfaktorreferenz erkennen. Einfache Bedienung Ein-Klick-Bedienung, Test starten und Schlüssel erwerben. Widerstand: 0 50 , Auflösung: 0,01 Ohm, Kapazität: 25 pF 100 mF, Auflösung: 1 pF. Großes LCD-Display mit Hintergrundbeleuchtung für einfaches Ablesen. Die Stiftkomponenten werden automatisch getestet und auf dem LCD angezeigt. Kapazitäts--Auflösung: 0,01

TSM2306CX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein kompakter SMD-MOSFET für platzsparende Elektronikdesigns. Geeignet für Lastschalter, Signalsteuerungen, Power-Management und allgemeine Schaltanwendungen.

TQM123KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein kompakter SMD-MOSFET für platzsparende Elektronikdesigns. Geeignet für Lastschalter, Signalsteuerungen, Power-Management und allgemeine Schaltanwendungen.

TQM84KDCU6 RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein P-Kanal-SMD-MOSFET für kompakte Lastschalter und portable Elektronik. Geeignet für Power-Management, Verpolschutz, Akkuschaltungen und platzsparende Schaltanwendungen.

TQM84KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein P-Kanal-SMD-MOSFET für kompakte Lastschalter und portable Elektronik. Geeignet für Power-Management, Verpolschutz, Akkuschaltungen und platzsparende Schaltanwendungen.

TQM84KCU RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein P-Kanal-SMD-MOSFET für kompakte Lastschalter und portable Elektronik. Geeignet für Power-Management, Verpolschutz, Akkuschaltungen und platzsparende Schaltanwendungen.