leistungs mosfet

IPD023N04NF2SATMA1 von INFINEON ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET für verlustarme Niedervolt-Schaltanwendungen. Ideal für DC/DC-Wandler, Lastschalter, Motorsteuerungen und leistungsdichte Stromversorgungen. Optimized for wide range of applications N.channel, normal level 100% avalanche tested Pb.free lead plating; RoHS compliant Halogen.free according to IEC61249.2.21

Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler. Besondere Merkmale . niedriger RDSon (= 11,7 mOhm) . geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 13°C/W) . niedriges Profil (= 1,0 mm) . Industriestandard Pinout

Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler. Besondere Merkmale . niedriger RDSon (= 45 mOhm) . geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 19°C/W) . niedriges Profil (= 1,0 mm) . Industriestandard Pinout

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Logischer Pegel Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler. Merkmale Industriestandard-Gehäuse für die Oberflächenmontage Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter

. Es ist auch für beliebige Anwendungen mit niedrigen Gate-Antriebsanforderungen bestimmt. . Drain-Strom 80A . Paket TO-220 . Drain-Source Spannung 75V . Es ist, als Hauptschalter in fortgeschrittenen hocheffizienten geeignet, Hochfrequenz-isolierten -Wandler für -und Computer-Anwendungen.

Packung enthält: 5 Stück -Transistor. Qualitätsmaterial: Der Transistor ist aus Metalloxid-Halbleitermaterial, das eine gute thermische Stabilität und eine lange Lebensdauer hat. Eigenschaften: Gute Schaltgeschwindigkeit & robustes Design & stabile Leistung DV/dt Kapazität. Einfache Identifikation: Bequeme Verpackung für einfache Aufbewahrung und Verwendung; bedruckte Markierungen für schnelle Identifikation. Breite Anwendung: Transistoren werden in verschiedenen Anwendungen weit verbreitet eingesetzt. Technische Daten: Modell: Packung: TO-220 FET Typ: N-Kanal Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C Widerstand im aktivierten Zustand Rds(on): 0,85 Ohm Maximaler Leistungsverlust (Pd(max)): 125W Dauerstrom (Id): 8A Maximale Abflussquelle Spannung (Vdss): 500V Schwellenspannung (VGS(th)): 4V Montageart: Durchlaufpaket enthält: 5 x -Transistor

Paket enthält: 10 Stück MOSFET Transistoren Anforderungen: MAX Entwässerungsstrom 74A, MAX Spannung Vds 55V, Max Power 200W Betriebstemperatur: -55 °C bis +175 °C Transistor Polarität: PMOS P Kanal Transistor. Encased To-220AB Package Anwendung: Anwenden auf leistungsstarke Schalt- und Signalverbesserungsanwendungen in elektronischen Geräten. MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor

Paket enthält: 10 Stück MOSFET Transistoren Anforderungen: Abflussstrom Id 49A, Abflussquellenspannung Vds 55V Betriebstemperatur:-55 °C bis +175 °C Transistor Polarität: N-Kanal Transistor. Encased To-220AB Package Anwendung: Anwendung für leistungsstarke Schalt- und Signalverbesserungsanwendungen in elektronischen Geräten. MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor MOSFET Transistor

Produktname: IRFP460 Großchip-N-Kanal-Transistor Farbe: Schwarz + Silber Material: Kunststoff + Metall Stromstärke: 20 A Spannung: 500 V...

The IR2125(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Features Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +500V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune Gate drive supply range from 12 to 18V Undervoltage lockout Current detection and limiting loop to limit driven power transistor current Error lead indicates fault conditions and programs shutdown time Output in phase with input 2.5V, 5V and 15V input logic compatible

① Produktname: IRFP460 N-Kanal-Transistor (großer Chip) ② Farbe: Schwarz + Silber ③ Material: Kunststoff + Metall ④ Stromstärke:...

Der IR 2117 ist ein Hochspannungs- , High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber. Features Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune Gate drive supply range from 10 to 20V Undervoltage lockout CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down Output in phase with input

IAUT300N10S5N015ATMA1 Dauer-Drainstrom Id300ADrain-Source-Spannung Vds100VBetriebswiderstand, Rds(on)0.0013ohmRds(on)-Messspannung Vgs10VTransistormontageOberflächenmontageSchwellenspannung Vgs3VBauform - TransistorHSOFVerlustleistung Pd375WAnzahl der Pins8Pin(s)Betriebstemperatur, max.175°C : Neu, . Lieferumfang: 1x IAUT300N10S5N015ATMA1 mit ausgewiesener MwSt. (PDF Datei) Hersteller/ EU Verantwortliche PersonInfineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG, KönigsbrückerStraße 180, 01099 Dresden

STripFET F6 Leistungs-MOSFET Diese N-Kanal Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der STripFET F6-Technologie mit einer neuen Trench-Gate-Struktur entwickelt. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist in allen Gehäusen einen sehr niedrigen RDS(on) auf. Merkmale AEC-Q101-qualifiziert Sehr niedriger Einschaltwiderstand Sehr niedrige Gate-Ladung Hohe Avalanche-Robustheit Geringe Gate-Drive-Verlustleistung Anwendungen Schaltanwendungen

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Extrem niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltung Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Extrem niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltung Bleifrei

Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis der OptiMOS-Serie Mit dem kombinierten Portfolio von Infineons OptiMOS- und StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familien bietet Infineon die richtige Wahl für alle unterschiedlichen Kunden und deren Anforderungen. Insbesondere für Kunden, die eine einfache und preisgünstige Lösung suchen, aber dennoch eine stabile Versorgung in der bewährten Infineon-Qualität genießen wollen, bieten wir die richtigen Produkte.

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Hochfrequenz-DC/DC-Wandler Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Hochfrequenz-DC/DC-Wandler Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Fortgeschrittene Prozesstechnologie Schnelle Schaltung Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Fortgeschrittene Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Dynamischer dv/dt Wert Schnelle Schaltung Bleifrei