leistungs mosfet

100V 9,7A N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor IRF520 Einfache Montage, platzsparend. Produktname: MOSFET Modellnr.: IRF520 Typ: N-Kanal Spannung...

. Es ist auch für beliebige Anwendungen mit niedrigen Gate-Antriebsanforderungen bestimmt. . Drain-Strom 80A . Paket TO-220 . Drain-Source Spannung 75V . Es ist, als Hauptschalter in fortgeschrittenen hocheffizienten geeignet, Hochfrequenz-isolierten -Wandler für -und Computer-Anwendungen.

IRLR8743PbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteile: . Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS . Ultra-niedrige Gate-Impedanz . Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom Anwendungen: . Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler für die Stromversorgung von Computerprozessoren . Isolierte Hochfrequenz-DC/DC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung für Telekommunikation und Industrie . Bleifrei

Modell 10N60 Diese neueste Technologie speziell entwickelt, um auf -Zustand Widerstand zu minimieren, haben eine hohe Lawinen robusten Eigenschaften. Drain-Strom 10A Drain-Source-Spannung 600V Diese Geräte ist besonders gut für hocheffiziente Schaltnetzteile, Leistungsfaktorkorrektur, UPS und einem elektronischem Vorschaltgerät auf Basis Halbbrücke geeignet.

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei RoHS-konform, halogenfrei Anwendungen Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Stromschaltung Hart geschaltete Hochfrequenzschaltungen

STABIL-Der maximale Strom kann für eine stabile Langzeitarbeit bis zu 30 A betragen. PROFESSIONELL-Kann durch ein digitales Signal von 5 V bis 24 V gesteuert werden. Wenn die Leistung des heißen Bettes größer als 150 W ist, wenden Sie sich bitte an ein externes Hochleistungsmodul. EINFACH ZU BENUTZEN-Kann direkt über das Ausgangssignal des Motherboards der Hauptplatine der Ramp1.4- und MKS-Serie gesteuert werden. HOHE QUALITÄT-Ein hochwertiger großer Kühlkörper sorgt für eine bessere Wärmeableitung. LANGLEBIG-Die Leistung der MOS-Röhre ist ausgezeichnet, der maximale Nennstrom beträgt 280A.

Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler. Besondere Merkmale . niedriger RDSon (= 11,7 mOhm) . geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 13°C/W) . niedriges Profil (= 1,0 mm) . Industriestandard Pinout

Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler. Besondere Merkmale . niedriger RDSon (= 45 mOhm) . geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 19°C/W) . niedriges Profil (= 1,0 mm) . Industriestandard Pinout

Produktname: IRFP460 Großchip-N-Kanal-Transistor Farbe: Schwarz + Silber Material: Kunststoff + Metall Stromstärke: 20 A Spannung: 500 V...

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler. Merkmale Industriestandard-Gehäuse für die Oberflächenmontage Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter

The IR2125(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with over-current limiting protection circuitry. Features Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +500V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune Gate drive supply range from 12 to 18V Undervoltage lockout Current detection and limiting loop to limit driven power transistor current Error lead indicates fault conditions and programs shutdown time Output in phase with input 2.5V, 5V and 15V input logic compatible

Produktname: MOSFET; Modellnummer: IRFP450 Kanaltyp: N - Kanal; Drain - Source - Spannung: 500V Drainstrom: 15A; Durchmesser der Befestigungsbohrung: 3,5 mm / 0,138 Anschlussgröße: 14 × 1 mm / 0,551 × 0,039 (L * Abstand); Gesamtgröße: 33 × 14 × 4 mm / 1,299 × 0,551 × 0,157 (L * B * H) (b1879c66-c652-11e9-a051-4cedfbbbda4e Gewicht: 6 g; Packungsinhalt: 1 x N-Kanal-MOSFET (

① Produktname: IRFP460 N-Kanal-Transistor (großer Chip) ② Farbe: Schwarz + Silber ③ Material: Kunststoff + Metall ④ Stromstärke:...

Der IR 2117 ist ein Hochspannungs- , High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber. Features Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune Gate drive supply range from 10 to 20V Undervoltage lockout CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down Output in phase with input

10 x IRF9540 P-Kanal-Leistungs-MOSFET 23A 100V TO-220 "IR" Ein MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, gesprochen MAWS-feht)...

IAUT300N10S5N015ATMA1 Dauer-Drainstrom Id300ADrain-Source-Spannung Vds100VBetriebswiderstand, Rds(on)0.0013ohmRds(on)-Messspannung Vgs10VTransistormontageOberflächenmontageSchwellenspannung Vgs3VBauform - TransistorHSOFVerlustleistung Pd375WAnzahl der Pins8Pin(s)Betriebstemperatur, max.175°C : Neu, . Lieferumfang: 1x IAUT300N10S5N015ATMA1 mit ausgewiesener MwSt. (PDF Datei) Hersteller/ EU Verantwortliche PersonInfineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG, KönigsbrückerStraße 180, 01099 Dresden

Quellspannung 600 V Drain. Drain mit 4,5 A Strom. TO-220-Gehäuse. Durchmesser der Montagebohrung: ca. 3 mm. Niedriger Einschaltwiderstand,

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.

Quellspannung 600 V Drain. Drain mit 4,5 A Strom. TO-220-Gehäuse. Durchmesser der Montagebohrung: ca. 3 mm. Niedriger Einschaltwiderstand,

Produktname: Power MOSFET; Modell: IRF540N; Gehäusetyp: TO-220 Typ: N-Kanal; Drain-Source-Spannung: 100V Drain-Strom: 33A; Einschaltwiderstand: 0,04 Ohm Gesamtgröße: 30 x 10 x 5 mm / 1,2 'x 0,4' x 0,2 '(L * B * H); Farbe: Schwarz, Silberton (b5a50cc9-c652-11e9-a051-4cedfbbbda4e Gewicht: 101 g; Packungsinhalt: 50 ± 2% xPower-MOSFET (

- N-Kanal MOSFET - Nennspannung: 100 V - Nennstrom: 14 A - Nennleistung: 79 W - Gehäuse: T0220

STripFET F6 Leistungs-MOSFET Diese N-Kanal Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der STripFET F6-Technologie mit einer neuen Trench-Gate-Struktur entwickelt. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist in allen Gehäusen einen sehr niedrigen RDS(on) auf. Merkmale AEC-Q101-qualifiziert Sehr niedriger Einschaltwiderstand Sehr niedrige Gate-Ladung Hohe Avalanche-Robustheit Geringe Gate-Drive-Verlustleistung Anwendungen Schaltanwendungen

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Extrem niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltung Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Extrem niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltung Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Fortgeschrittene Prozesstechnologie Schnelle Schaltung Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendungen Lade- und Entladeschalter für Batterieanwendungen System-/Lastschalter