darlington transistoren

Darlington-Transistor, NPN, 80V, 0,5A, 0,3W, SOT-23

Die TIP120, TIP121 und TIP122 sind NPN-Leistungstransistoren auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse. Sie sind für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP125, TIP126 und TIP127. Eigenschaften . STMicroelectronics bevorzugte Vertriebstypen

KOMPLEMENTÄRE SILIZIUM-LEISTUNGS-DARLINGTON-TRANSISTOREN Der BDW93C ist ein Silizium-Epitaxie-Basis-NPN-Leistungstransistor in monolithischer Darlington-Konfiguration in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen. Der komplementäre PNP-Typ ist BDW94C. Auch der BDW94B ist ein PNP-Typ. Eigenschaften . stmicroelectronics bevorzugte verkaufstypen . komplementäre pnp - npn bauelemente . integrierte antiparallele Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Die Bauelemente werden in Planar-Base-Insel-Technologie mit monolithischer Darlington-Konfiguration hergestellt. Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Darlington-Verstärker Transistoren NPN . Gleichstromverstärkung: 5000

Die Bauelemente werden in Planar-Base-Insel-Technologie mit monolithischer Darlington-Konfiguration hergestellt. Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Die Bauelemente werden in Planarsockel Insel-Technologie mit monolithischer Darlington Konfiguration hergestellt. Merkmale . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industriegeräte

Darlington-Transistor, PNP, 30V, 0,5A, 0,3W, SOT-23

Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,3A, 0,33W, SOT-23

Gehäuse: SOT-23

Die TIP120, TIP121 und TIP122 sind NPN-Leistungstransistoren auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse. Sie sind für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP125, TIP126 und TIP127. Eigenschaften . STMicroelectronics bevorzugte Vertriebstypen

PNP-Silizium-Darlington-Transistor . hohe Stromverstärkung . hoher Kollektorstrom . komplementärer Typ: BC 517 (NPN)

High-Current Complementary Silicon Transistors . . . zur Verwendung als Ausgabegeräte für ergänzende allgemeine Verstärkeranwendungen. . Hohe Gleichstromverstärkung - - hFE = 1000 (min) @ IC - 20 Adc . Monolithische Konstruktion mit eingebautem Basis-Emitter-Shunt Widerstand . Sperrschichttemperatur bis +200 ° C

Beschreibung . mit TO-220C-Gehäuse . ergänzend zum Typ BD644 . Darlington Anwendungen für den Einsatz in Ausgangsstufen in Audio Geräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen

High-Current Complementary Silicon Transistors . . . zur Verwendung als Ausgabegeräte für ergänzende allgemeine Verstärkeranwendungen. . Hohe Gleichstromverstärkung - - hFE = 1000 (min) @ IC - 20 Adc . Monolithische Konstruktion mit eingebautem Basis-Emitter-Shunt Widerstand . Sperrschichttemperatur bis +200 ° C

Die Bauelemente werden in Planar-Base-Insel-Technologie mit monolithischer Darlington-Konfiguration hergestellt. Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Beschreibung . Die Bauelemente werden in Planarsockel Insel-Technologie mit monolithischer Darlington Konfiguration hergestellt Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Entwickelt für den Anschluss von Logik an eine Vielzahl von Hochstrom- und Hochspannungslasten, enthalten diese jeweils vier NPN-Darlington-Schalter, die bis zu 1,5 A mit einer spezifizierten mindest Durchbruchspannung von 50 V und einer Dauerspannung von 35 V, gemessen bei 100 mA. Die ULN2067B und ULN2069B enthalten integrierte Unterdrückungsdioden für induktive Lasten haben gemeinsame Emitter. Die ULN2075B verfügen über isolierte Darlington-Pinouts und ist für Anwendungen wie Emitterfolger-Konfigurationen. Technische Merkmale Ausgangsstrom bis zu 1,5 A für jeden Transistor Durchbruchspannung mindestens 80 V Haltespannung mindestens 35 V isolierte Darlington-Pinbelegung für alle gängigen Logikfamilien kompatibel

Die Bauelemente werden in Planar-Base-Insel-Technologie mit monolithischer Darlington-Konfiguration hergestellt. Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Komplementäre Siliziumtransistoren aus Kunststoff für mittlere Leistungen Diese Bauelemente sind für universelle Verstärker- und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit konzipiert. Eigenschaften . hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (Typ) @ - IC = 4,0 Adc . Kollektor-Emitter-Haltespannung - @ 100 mAdc - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - BDX53B, 54B - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BDX53C, 54C . niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 2,0 Vdc (Max) @ IC = 3,0 Adc - VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc . Monolithischer Aufbau mit integrierten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen . Pb-Free-Gehäuse sind verfügbar

Beschreibung . Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 120V(Min) . hohe DC-Stromverstärkung : hFE= 750(Min) @IC= 3A . niedrige Sättigungsspannung . Ergänzung zu Typ BD652 Anwendungen konzipiert für den Einsatz als komplementäre AF-Gegentakt-Ausgangsstufenanwendungen

Beschreibung . mit TO-220C-Gehäuse . Ergänzung zu Typ BD645/647/649/651 . DARLINGTON Anwendungen für den Einsatz in Ausgangsstufen in Audio universellen Verstärkern und analogen analogen Schaltanwendungen

Die Bauelemente werden in Planarsockel Insel-Technologie mit monolithischer Darlington Konfiguration hergestellt. Merkmale . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industriegeräte

Komplementärer Silizium-Leistungs-Darlington-Transistor Beschreibung: Die TIP110 und TIP112 sind NPN-Transistoren auf Silizium-Epitaxialbasis in monolithischer Darlington-Konfiguration, die in einem Jedec TO-220-Kunststoffgehäuse montiert sind. Sie sind für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen mittlerer Leistung vorgesehen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP115 und TIP117. Merkmale . STMicroelectronics bevorzugte Verkaufsart . Ergänzende PNP-NPN-Geräte . Monolithische Darlington-Konfiguration . Integrierte antiparallele Kollektor-Emitter-Diode Applikationen > . Lineare und schaltende Industrieausrüstung

Beschreibung . mit TO-220C-Gehäuse . ergänzend zum Typ BD644 . Darlington Anwendungen für den Einsatz in Ausgangsstufen in Audio Geräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen

Komplementäre Silizium-Leistungstransistoren für hohe Ströme sind zur Verwendung als Ausgangsbauelemente in komplementären Allzweckverstärkern. Eigenschaften . hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 1000 (Min) bei IC = 25 Adc; - hFE = 400 (Min) bei IC = 50 Adc . Kurven bis 100 A (gepulst) . Diodenschutz bis zum Nenn-IC . monolithischer Aufbau mit integriertem Basis-Emitter-Shunt-Widerstand . Sperrschichttemperatur bis +200C . pb-Free-Gehäuse sind verfügbar

Die Bauelemente werden in Planartechnik mit "Base Island"-Layout und monolithischer Darlington-Konfiguration hergestellt. Die daraus resultierenden Transistoren weisen eine außergewöhnlich hohe Verstärkungsleistung bei gleichzeitig sehr niedriger Sättigungsspannung Spannung. Eigenschaften . monolithische Darlington-Konfiguration . integrierte antiparallele Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Die TIP110 und TIP112 sind Silizium-Epitaxie-Basis-NPN-Transistoren in monolithischer Darlington-Konfiguration, montiert im Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse. Sie sind vorgesehen für Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen mit Anwendungen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP115 und TIP117. Eigenschaften . STMicroelectronics bevorzugte Vertriebstypen . komplementäre PNP - NPN-Bausteine . monolothische Darlington-Konfiguration . integrierte antiparallele Kolektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Beschreibung . mit TO-220C-Gehäuse . ergänzung zu Typ BD645/647/649/651 . DARLINGTON Anwendungen für den Einsatz in Ausgangsstufen in Audio Geräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen

Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 0,25W, SOT-23