darlington transistoren

Darlington-Transistor, PNP, 30V, 0,5A, 0,3W, SOT-23

Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,3A, 0,33W, SOT-23

Gehäuse: SOT-23

Die TIP120, TIP121 und TIP122 sind NPN-Leistungstransistoren auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse. Sie sind für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP125, TIP126 und TIP127. Eigenschaften . STMicroelectronics bevorzugte Vertriebstypen

PNP-Silizium-Darlington-Transistor . hohe Stromverstärkung . hoher Kollektorstrom . komplementärer Typ: BC 517 (NPN)

High-Current Complementary Silicon Transistors . . . zur Verwendung als Ausgabegeräte für ergänzende allgemeine Verstärkeranwendungen. . Hohe Gleichstromverstärkung - - hFE = 1000 (min) @ IC - 20 Adc . Monolithische Konstruktion mit eingebautem Basis-Emitter-Shunt Widerstand . Sperrschichttemperatur bis +200 ° C

Beschreibung . mit TO-220C-Gehäuse . ergänzend zum Typ BD644 . Darlington Anwendungen für den Einsatz in Ausgangsstufen in Audio Geräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen

High-Current Complementary Silicon Transistors . . . zur Verwendung als Ausgabegeräte für ergänzende allgemeine Verstärkeranwendungen. . Hohe Gleichstromverstärkung - - hFE = 1000 (min) @ IC - 20 Adc . Monolithische Konstruktion mit eingebautem Basis-Emitter-Shunt Widerstand . Sperrschichttemperatur bis +200 ° C

Die Bauelemente werden in Planar-Base-Insel-Technologie mit monolithischer Darlington-Konfiguration hergestellt. Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Beschreibung . Die Bauelemente werden in Planarsockel Insel-Technologie mit monolithischer Darlington Konfiguration hergestellt Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Entwickelt für den Anschluss von Logik an eine Vielzahl von Hochstrom- und Hochspannungslasten, enthalten diese jeweils vier NPN-Darlington-Schalter, die bis zu 1,5 A mit einer spezifizierten mindest Durchbruchspannung von 50 V und einer Dauerspannung von 35 V, gemessen bei 100 mA. Die ULN2067B und ULN2069B enthalten integrierte Unterdrückungsdioden für induktive Lasten haben gemeinsame Emitter. Die ULN2075B verfügen über isolierte Darlington-Pinouts und ist für Anwendungen wie Emitterfolger-Konfigurationen. Technische Merkmale Ausgangsstrom bis zu 1,5 A für jeden Transistor Durchbruchspannung mindestens 80 V Haltespannung mindestens 35 V isolierte Darlington-Pinbelegung für alle gängigen Logikfamilien kompatibel

Die Bauelemente werden in Planar-Base-Insel-Technologie mit monolithischer Darlington-Konfiguration hergestellt. Eigenschaften . gute hFE-Linearität . hohe fT-Frequenz . monolithische Darlington-Konfiguration mit integrierter antiparalleler Kollektor-Emitter-Diode Anwendungen . lineare und schaltende Industrieanlagen

Komplementäre Siliziumtransistoren aus Kunststoff für mittlere Leistungen Diese Bauelemente sind für universelle Verstärker- und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit konzipiert. Eigenschaften . hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (Typ) @ - IC = 4,0 Adc . Kollektor-Emitter-Haltespannung - @ 100 mAdc - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - BDX53B, 54B - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BDX53C, 54C . niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 2,0 Vdc (Max) @ IC = 3,0 Adc - VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc . Monolithischer Aufbau mit integrierten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen . Pb-Free-Gehäuse sind verfügbar

PNP-Darlington-Transistor in einem SOT223-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzungen: BSP50, BSP51 und BSP52

DPAK für oberflächenmontierte Anwendungen Entwickelt für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit Anwendungen. Merkmale . für die Oberflächenmontage in Kunststoffhülsen geformtes Blei . Oberflächenmontierter Ersatz für die Serien 2N6040-2N6045, TIP120-TIP122 und TIP125-TIP127 . monolithischer Aufbau mit eingebauten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen . hohe DC-Stromverstärkung: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4,0 Adc . Epoxid erfüllt UL 94 V-0 @ 0,125 in . ESD-Bewertungen: Menschliches Körpermodell, 3B 8000 V; Maschinenmodell, C 400 V . Pb-Free-Gehäuse sind verfügbar

Die TIP120, TIP121 und TIP122 sind NPN-Leistungstransistoren auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse. Sie sind für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen. Die komplementären PNP-Typen sind TIP125, TIP126 und TIP127. Eigenschaften . STMicroelectronics bevorzugte Vertriebstypen

PNP-Silizium-Darlington-Transistoren . hoher Kollektorstrom . niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung . komplementäre Typen: BSP50 ... BSP52 (NPN)

BCV46, 60V PNP DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23 Merkmale: . BVCEO > -60V . Darlington-Transistor hFE > 10k @ 100mA für hohe Verstärkung . IC = -500mA hoher kontinuierlicher Kollektorstrom . Komplementärer Darlington PNP-Typ: BCV47 . Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform (Anmerkungen 1 und 2) . Halogen- und antimonfrei. "Grünes" Bauteil (Anmerkung 3) . Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit . PPAP-fähig (Anmerkung 4) Mechanische Daten: . Gehäuse: SOT23 . Gehäusematerial: geformter Kunststoff, "grüne" Formmasse . UL-Entflammbarkeitsklassifizierung: 94V-0 . Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 nach J-STD-020 . Anschlussklemmen: Oberfläche - matt verzinnte Litzen, lötbar nach MIL-STD-202, Methode 208 . Gewicht: 0,008 Gramm (ungefähr) Lieferung in kompletter Industrieverpackung (7-Zoll-Rolle a 3000 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!

NPN-Kleinsignal-Darlington-Transistor Dieser NPN-Kleinsignal-Darlington-Transistor ist für den Einsatz in Schaltanwendungen wie Druckhammer-, Relais-, Magnet- und Lampentreibern vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-223-Gehäuse untergebracht, das für Oberflächenmontageanwendungen mittlerer Leistung ausgelegt ist. Merkmale - Das SOT-223-Gehäuse kann mittels Welle oder Reflow gelötet werden. Die geformten Anschlüsse absorbieren den thermischen Stress während des Lötens, wodurch die Möglichkeit einer Beschädigung des Chips ausgeschlossen wird. - Erhältlich in 12 mm Band - PNP-Ergänzung ist BSP62 - Diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Kleinsignal Transistoren

Eigenschaften . garantiert hFE spezifiziert bis zu 2A . schnell schaltend . Teilkennzeichnung Detail - FZT605 . Ergänzende Typen - FZT705

Gehäuse: SOT-23

BCV26, PNP-Silizium-Darlington-Transistoren Merkmale: . Für allgemeine NF-Anwendungen . Hoher Kollektorstrom . Hohe Stromverstärkung . Komplementäre Typen: BCV27, BCV47 (NPN) . Pb-freies (RoHS-konformes) Gehäuse . Qualifiziert nach AEC Q101

BCV46, PNP-Silizium-Darlington-Transistoren Merkmale: . Für allgemeine NF-Anwendungen . Hoher Kollektorstrom . Hohe Stromverstärkung . Komplementäre Typen: BCV27, BCV47 (NPN) . Pb-freies (RoHS-konformes) Gehäuse . Qualifiziert nach AEC Q101

BOJACK 10 Werte Sortimentskit der TIP-Serie Produktname: Darlington Transistors Modell: 10 Typ: NPN- (TIP31C, TIP41C, TIP120, TIP121, TIP122), PNP- (TIP32C, TIP42C, TIP125, TIP126, TIP127) RoHS-konform Verpackungsmenge: 50 Stück (jedes Modell 5 Stück), verpackt in einem Kunststoffkoffer.

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Verlustleistung: 2W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: Darlington Transistor-Typ: PNP Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220AB Kollektor-Emitter-Strom: 2A Kollektor-Emitter-Spannung: 100V

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Verlustleistung: 2W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: Darlington Transistor-Typ: PNP Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220AB Kollektor-Emitter-Strom: 2A Kollektor-Emitter-Spannung: 60V

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Gehäuse: TO220 Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Transistor-Art: Darlington Transistor-Typ: NPN Transistorverstärkung: 1000 Kollektor-Emitter-Strom: 5A Kollektor-Emitter-Spannung: 100V Verlustleistung: 2W Polarisierung: bipolar

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Verlustleistung: 65W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: Darlington Transistor-Typ: NPN Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220AB Kollektor-Emitter-Strom: 5A Kollektor-Emitter-Spannung: 80V

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Transistor-Art: Darlington Transistor-Typ: NPN Transistorverstärkung: 750 Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220AB Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollektor-Emitter-Spannung: 80V Verlustleistung: 60W Polarisierung: bipolar