leistungs mosfet

SiC Leistungs-MOSFET Merkmale Niedrige Anstiegs und niedrige Schaltverluste Hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich Reduzierte Temperaturabhängigkeit Anwendung Motorantrieb Wechselrichter, Umrichter Photovoltaik, Windenergieerzeugung Aufbau Dieses Produkt ist ein Choppermodul bestehend aus SiC-DMOS und SiC SBD von ROHM

MDmesh M2 Leistungs-MOSFET Diese N-Kanal Leistungs-MOSFETs sind mit der MDmesh M2-Technologie entwickelt. Dank ihres Streifenlayouts und der verbesserten vertikalen Struktur weisen diese Bauelemente einen niedrigen Einschaltwiderstand und optimierte Schalteigenschaften auf, wodurch sie sich für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler eignen. Merkmale Äußerst niedrige Gate-Ladung Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS) 100% Avalanche-getestet Zener-geschützt Anwendungen Schaltanwendungen LLC-Wandler, Resonanzwandler

MDmesh M5 Leistungs-MOSFET Diese N-Kanal Leistungs-MOSFETs basieren auf der innovativen vertikalen MDmesh M5-Prozesstechnologie in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Die daraus resultierenden Produkte bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, wodurch sie sich besonders für Anwendungen eignen, die eine hohe Leistung und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern. Merkmale Äußerst niedriger RDS(on) Geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität Ausgezeichnetes Schaltleistung 100% Avalanche-getestet Anwendungen Schaltanwendungen

TQM043NH04CR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

TQM025NB04CR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IRFBE20PBF von VISHAY ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IRL40S212ARMA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET der StrongIRFET-Familie. Geeignet für hohe Ströme, niedrige Leitverluste, Motorsteuerungen, Lastschalter und DC/DC-Anwendungen.

TQM032NH04CR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

TQM019NH04CR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

N-Kanal 600 V, 0,135 O typ., 20 A MDmesh II Leistungs-MOSFETs in D²PAK- und TO-220-Gehäusen Beschreibung Bei diesen Bauelementen handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die unter Verwendung der zweiten Generation der MDmesh Technologie entwickelt wurden. Dieser revolutionäre Power-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstände und Gate-Ladungen zu erzielen. Er eignet sich daher für die anspruchsvollsten Wandler mit hohem Wirkungsgrad. Merkmale . 100% Avalanche geprüft . Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung . Niedriger Gate-Eingangswiderstand Applikationen . Schaltapplikationen

STripFET II Leistungs-MOSFET Diese mit einzigartigem STripFET-Prozess von ST Microelectronics realisierte Leistungs-MOSFET-Serie wurde speziell zur Minimierung der Eingangskapazität und der Gate-Ladung entwickelt. Sie eignet sich daher als Primärschalter in fortschrittlichen isolierten DC-DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen, ist auch für alle Anwendungen geeignet, die eine niedrige Gate-Ladung erfordern. Merkmale Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit 100% Avalanche getestet Anwendungen Schaltanwendungen

TQM033NB04CR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

TQM025NH04CR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

SI7139DP-T1-GE3 von VISHAY ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Lastschalter und Leistungssteuerungen. Das Bauteil eignet sich für Verpolschutz, Power-Management, Motorsteuerungen und robuste Schaltanwendungen.

Dieser HEXFET Leistungs-MOSFET wurde speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelt. Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere 175°C Sperrschicht-Betriebstemperatur, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Repetitive Avalanche Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem extrem Vollständig charakterisierte Kapazität und AvalanErhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diodeche SOA einer Vielzahl anderer Anwendungen. Merkmale: . fortschrittliche Prozesstechnologie . ultra-niedriger Einschalt-Widerstand . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt . Bleifrei

SUD50P10-43L-GE3 von VISHAY ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Lastschalter und Leistungssteuerungen. Das Bauteil eignet sich für Verpolschutz, Power-Management, Motorsteuerungen und robuste Schaltanwendungen.

IRFS7530TRLPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IRFP3077PBFXKMA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen. . High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS . Uninterruptible Power Supply . High Speed Power Switching . Hard Switched and High Frequency Circuits

IRFS7730TRLPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

HEXFET Leistungs-MOSFET STRONG IR FET Anwendung: . Motorantrieb . batteriebetriebene Schaltungen . Halb- und Vollbrücken Topologien . Synchrongleichrichter . DC/DC- und AC/DC- Wandler . DC/AC Wechselrichter

HEXFET Leistungs-MOSFET STRONG IR FET Anwendung: . Motorantrieb . batteriebetriebene Schaltungen . Halb- und Vollbrücken Topologien . Synchrongleichrichter . DC/DC- und AC/DC- Wandler . DC/AC Wechselrichter

SI7461DP-T1-GE3 von VISHAY ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Lastschalter und Leistungssteuerungen. Das Bauteil eignet sich für Verpolschutz, Power-Management, Motorsteuerungen und robuste Schaltanwendungen.

SI4463CDY-T1-GE3 von VISHAY ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

Einpunkt-Erdung, Bodenwiderstand liegt nahe an 0,02 Ohm, geräuscharmes Design. Kostengünstigeres Klangmodifikationspotenzial Insgesamt 6 Leistungs-MOSFETs pro Kanal für die Ausgangsleistung. Maximale Eingangsspannung: 6,6 VPP.

IRF9640S , Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der D2PAK (TO-263) ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse. Es bietet die höchsten Leistungsfähigkeiten und den niedrigsten On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2PAK (TO-263) eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Merkmale: . Oberflächenmontage . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche-Bewertung . P-Kanal . Schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . Material-Kategorisierung: Definitionen zur Konformität siehe www.vishay.com/doc?99912

IRF1010EPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen. Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated

IRF3808PbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: Dieser Advanced Planar Stripe HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses HEXFET-Leistungs-MOSFETs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Kombination macht das Design zu einer äußerst effizienten und zuverlässigen Wahl für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Vorteile: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Extrem niedriger Einschaltwiderstand . Dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt . Bleifrei Typische Anwendungen . Industrieller Motorantrieb

IRFP4368PBFXKMA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen. . High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS . Uninterruptible Power Supply . High Speed Power Switching . Hard Switched and High Frequency Circuits

IRFP4110PBFXKMA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen. . High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS . Uninterruptible Power Supply . High Speed Power Switching . Hard Switched and High Frequency Circuits

IRFPE50, Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-247AC-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungen den Einsatz von TO-220AB-Bauelementen nicht zulassen. Das TO-247AC-Gehäuse ähnelt dem früheren TO-218-Gehäuse, ist ihm aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Außerdem bietet es eine größere Kriechstrecke zwischen den Stiften, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsspezifikationen zu erfüllen. Merkmale: . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche rated . Isolierte zentrale Montagebohrung . Schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC