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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 100V 0,17A 0,36W unipolar SOT23 MMFTN123 N-Kanal-Transist _1GH_MMFTN123-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 6Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,53€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar ™ C2 8A 57W TO263 WMM10N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 20V 0,5W 1,4A unipolar SOT323 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.4A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,59€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 36W VSONP8 unipolar 25A 5x6mm CSD17579Q5AT N-Kanal-Tr _1GH_CSD17579Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 25A Verlustleistung: 36W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.6mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 5.4nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
3 Wochen
7,07€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 25V 0,4W 0,23A SOT23 DMG301NU-13 N-Kanal-Transis _1GH_DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.23A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 25V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 8V Verlustleistung: 0.4W Polarisierung: unipolar
3 Wochen
5,51€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 2,5W unipolar -30V -5,1A DMP3056LSD-13 Multikanaltran _1GH_DMP3056LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.065Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2.5W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -5.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET x2
3 Wochen
6,67€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 0,625W -30V -1,5A unipolar SOT26 ZXM62P03E6TA P-Kanal-Tra _1GH_ZXM62P03E6TA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verlustleistung: 0.625W Gehäuse: SOT26 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.23Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,34€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Verlustleistung: 1.6W Gehäuse: SuperSOT-6 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 53mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 25nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,71€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 3,6A 1,3W 40V SOT23 IRLML0040TRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 3.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,92€
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NEXPERIA BSS 138P NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,36A 0,9R, SOT-23 BSS138P
Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,06€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V unipolar 0,1A 0,2W SOT23 MMFTN3018W N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN3018W-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.1A Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,37€
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TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -4,1A 1,7W -20V SOT23 LGE2305 P-Kanal-Transistor _1GH_LGE2305-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4.1A Verlustleistung: 1.7W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 75mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 7.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,28€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -30V -0,61A 0,54W unipolar SOT23 IRLML5103TRPBF P-Kanal-T _1GH_IRLML5103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -0.61A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,97€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 0,375A 250V unipolar 1,5W SOT223 BSP126.115 N-Kanal-Trans _1GH_BSP126.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 0.375A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,29€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,2W unipolar 60V 0,073A SOT323 2N7002W-7-F N-Kanal-Trans _1GH_2N7002W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.073A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 1.8Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
5,52€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V 0,6W 5,8A unipolar SOT23 DMN3023L-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3023L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 0.028Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23
3 Wochen
5,97€
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TNE 25x Transistor: P-MOSFET 0,25W unipolar -50V -0,13A SOT23 MMFTP84 P-Kanal-Transist _1GH_MMFTP84-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.25W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,21A 0,54W unipolar SOT23 DMN65D8L-7 N-Kanal-Transis _1GH_DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
5,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V 2,1W 4,4A unipolar SOT223 IRLL024NTRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 65mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10.4nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,43€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,2W unipolar 0,115A SOT23 2N7002-TP N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23
3 Wochen
5,29€
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TNE Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1,2A; 0,36W; SC70-6 FDG1024NZ Multikanaltransistoren 7657
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Technologie: PowerTrench® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SC70-6 Gate-Source Spannung: ±8V Widerstand im Leitungs 389m? Montage: SMD Gate-Ladung: 2.6nC Verpackungs-Art: Band Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
2-3 Werktage
7,19€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 0,6W -20V -1,5A SOT26 DMP2240UDM-7 Multikanal _1GH_DMP2240UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -20V Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Gate-Source Spannung: 12V
3 Wochen
5,78€
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NEXPERIA BSS 138BK NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,36A 0,35W, SOT-23 BSS138BK,215
Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert . ESD-Schutz bis zu 1,5 kV Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,05€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A X2-Class 650V 150W TO252 IXFY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 105ns
3 Wochen
6,55€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 0,225W 0,115A unipolar 60V SOT323 2N7002W N-Kanal-Transis _1GH_2N7002W-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Verlustleistung: 0.225W Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,79€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 6A 30V 1W SOT23F SSM3K333R,LF(B N-Kanal-Transist _1GH_SSM3K333R
Hersteller: TOSHIBA Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Verlustleistung: 1W Gate-Ladung: 3.4nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23F Widerst im Leitungszust: 42mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,48€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -7,1A 0,9W -30V unipolar ®3333-8 DMP3008SFGQ-7 P-Kanal-Tr _1GH_DMP3008SFGQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: ®3333-8 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.025Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.9W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
7,03€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 230W 40V unipolar Idm: 790A D2PAK IRL1404ZSTRLPBF N- _1GH_IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: Rolle Drain-Source Spannung: 40V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 3.1mΩ Gate-Source Spannung: 16V Drainstrom im Impuls: 790A Verlustleistung: 230W Gate-Ladung: 75nC Polarisierung: unipolar Technologie: ® Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 120A Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,51€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar 1,5W -0,225A -250V SOT223 BSP225.115 P-Kanal-Tra _1GH_BSP225.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -250V Drainstrom: -0.225A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 15Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,48€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 110W 43A Idm: 240A unipolar 55V DPAK IRLR2905ZTRPBF N-Kan _1GH_IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 43A Drainstrom im Impuls: 240A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 13.5mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
7,15€
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