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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 100A unipolar VSONP8 116W 5x6mm CSD18533Q5AT N-Kanal- _1GH_CSD18533Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 116W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.7mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
3 Wochen
6,63€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V unipolar 1,8A SOT223 BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.8A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
3 Wochen
6,66€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 2,3A 20V 0,5W unipolar SOT23 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal-T _1GH_BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 82mΩ Montage: SMD
3 Wochen
5,72€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 0,375A 250V unipolar 1,5W SOT223 BSP126.115 N-Kanal-Trans _1GH_BSP126.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 0.375A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,29€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,2W unipolar 60V 0,073A SOT323 2N7002W-7-F N-Kanal-Trans _1GH_2N7002W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.073A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 1.8Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
5,52€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET unipolar 170mA 60V Idm: 900mA NX7002BKR N-Kanal-Transisto _1GH_NX7002BKR
Hersteller: NEXPERIA Drainstrom im Impuls: 900mA Gate-Ladung: 1nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 170mA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Gehäuse: TO236AB Widerst im Leitungszust: 5.7Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 400V 6,3A D2PAK IRF740SPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,40€
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TNE 25x Transistor: P-MOSFET 0,25W unipolar -50V -0,13A SOT23 MMFTP84 P-Kanal-Transist _1GH_MMFTP84-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.25W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
5,37€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 325mW unipolar 0,12A 60V SOT23 NX7002AK.215 N-Kanal-Trans _1GH_NX7002AK.215
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 3W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 6.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
5,41€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 0,225W 0,115A SOT23 2N7002 N-Kanal-Transisto _1GH_2N7002-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 3.75Ω Montage: SMD Verlustleistung: 0.225W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A
3 Wochen
5,44€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 0,11A 300mW SOT323 NX3020NAKW.115 N-Kanal-Tr _1GH_NX3020NAKW.115
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 300mW Gate-Ladung: 0.44nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 9.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 13,3A 200V 140W unipolar D2PAK FQB19N20LTM N-Kanal-Transi _1GH_FQB19N20LTM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Montage: SMD Verlustleistung: 140W Gate-Ladung: 35nC Polarisierung: unipolar Technologie: QFET® Drainstrom: 13.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
7,60€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO252 IXTY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
3 Wochen
8,51€
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TNE 1x -4÷4A Kanäle: 2 IXDF604SIA MOSFET/IGBT-Treiber low-side,Steuerung für Gates _1GH_IXDF604SIA
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: -4...4A Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Ausgangs-Art: reversibel Anschaltzeit: 81ns Ausschaltzeit: 79ns
3 Wochen
7,98€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 2,1W 55V 2A unipolar SOT223 IRLL014NTRPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 2A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,86€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -2÷2A Kanäle: 2 IXDI602SI MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_IXDI602SI
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: -2...2A Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Ausgangs-Art: reversibel Anschaltzeit: 93ns Ausschaltzeit: 93ns
3 Wochen
8,26€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 2W -55V -3,4A IRF7342TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -3.4A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,86€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -4÷4A -EP Kanäle: 2 IXDD604SI MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_IXDD604SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 81ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 79ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -4...4A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
9,73€
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VISHAY IRFR 9024 - MOSFET, P-Ch, -60V 8,8A 0,28R, DPAK (TO-252AA) IRFR9024PBF
Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die Oberflächenmontage unter Verwendung von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken vorgesehen. Die Version mit gerader Leitung (Serie IRFU, SiHFU) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. Bei typischen Anwendungen zur Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 W möglich. Merkmale: . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Avalanche-Bewertung . SMD-Montage (IRFR9024, SiHFR9024) . Gerade Anschlüsse (IRFU9024, SiHFU9024) . Verfügbar als gegurtete Ware . P-Kanal . Schnelles Umschalten
0,44€
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NEXPERIA BSS 138BK NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,36A 0,35W, SOT-23 BSS138BK,215
Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert . ESD-Schutz bis zu 1,5 kV Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,05€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 6A 30V 1W SOT23F SSM3K333R,LF(B N-Kanal-Transist _1GH_SSM3K333R
Hersteller: TOSHIBA Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Verlustleistung: 1W Gate-Ladung: 3.4nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23F Widerst im Leitungszust: 42mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,48€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -7,1A 0,9W -30V unipolar ®3333-8 DMP3008SFGQ-7 P-Kanal-Tr _1GH_DMP3008SFGQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: ®3333-8 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.025Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.9W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
7,03€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 230W 40V unipolar Idm: 790A D2PAK IRL1404ZSTRLPBF N- _1GH_IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: Rolle Drain-Source Spannung: 40V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 3.1mΩ Gate-Source Spannung: 16V Drainstrom im Impuls: 790A Verlustleistung: 230W Gate-Ladung: 75nC Polarisierung: unipolar Technologie: ® Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 120A Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,51€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 110W 43A Idm: 240A unipolar 55V DPAK IRLR2905ZTRPBF N-Kan _1GH_IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 43A Drainstrom im Impuls: 240A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 13.5mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
7,15€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 2,1A 0,35W unipolar 20V SOT23 LGE2302 N-Kanal-Transistore _1GH_LGE2302-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.1A Verlustleistung: 0.35W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 115mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,93€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar 200mW -0,2A -60V SC59 2SJ168(TE85L,F) P-Kanal-Tr _1GH_2SJ168
Hersteller: TOSHIBA Verlustleistung: 200mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,48€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -30V Idm: -30A -7,2A 2,7W SI4431CDY-T1-GE3 P-Ka _1GH_SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7.2A Drainstrom im Impuls: -30A Verlustleistung: 2.7W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,09€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 2,7A 30V 0,8W Idm: 17A unipolar SOT23 IRLML6346TRPBF N-Ka _1GH_IRLML6346TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.7A Drainstrom im Impuls: 17A Verlustleistung: 0.8W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 80mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 2.9nC Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,87€
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NEXPERIA BSS 84AK NXP - MOSFET, P-CH, 50V 0,18A 0,35W, SOT-23 BSS84AK,215
Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert . ESD-Schutz bis zu 1,5 kV Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,07€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V unipolar 0,1A 0,2W SOT23 MMFTN3018W N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN3018W-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.1A Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,37€
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