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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 420mW 0,28A 60V unipolar SOT23 2N7002P.215 N-Kanal-Transi _1GH_2N7002P.215
Hersteller: NEXPERIA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 420mW Gate-Ladung: 0.8nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.28A
3 Wochen
7,35€
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INFINEON 2ED020I12-FI - Isol. Halbbr. MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5/2,5A DSO-16
1200 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, comparator and OPAMP 2ED020I12-FI aus der 2ED020I12 Familie ist ein Isolierter Halbbrücken-Gate-Treiber für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Source / 2,5 A Sink, Logikeingänge, galvanisch getrennt Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / Halbbrücke, galvanische Isolation, galvanische Isolation, UVLO, getrennte High-/Low-Side-Ansteuerung. Die Bauform PG-DSO-16, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,99€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ C2 11A 700V unipolar 85W TO263 WMM14N70C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMM14N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 530mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,46€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 50V 0,36W 0,22A unipolar SOT23 MMFTN138 N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN138-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0.22A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,50€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -0,12A unipolar 0,36W -60V SOT23 NDS0610 P-Kanal-Transist _1GH_NDS0610
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 10Ω Verlustleistung: 0.36W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
5,59€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,21A unipolar 0,3W 60V SOT23 2N7002-7-F N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.3W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,48€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,1A 1,5W 100V unipolar SOT89 ZXMN10A07ZTA N-Kanal-Transi _1GH_ZXMN10A07ZTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.1A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT89 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.9Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,40€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W ™ C2 650V unipolar 6A TO263 WMM09N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 8A 57W ™ C2 TO263 WMM10N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 100V 0,17A 0,36W unipolar SOT23 MMFTN123 N-Kanal-Transist _1GH_MMFTN123-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 6Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,53€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -30V Idm: -30A -7,2A 2,7W SI4431CDY-T1-GE3 P-Ka _1GH_SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7.2A Drainstrom im Impuls: -30A Verlustleistung: 2.7W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,09€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar ™ C2 8A 57W TO263 WMM10N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 20V 0,5W 1,4A unipolar SOT323 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.4A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,59€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 36W VSONP8 unipolar 25A 5x6mm CSD17579Q5AT N-Kanal-Tr _1GH_CSD17579Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 25A Verlustleistung: 36W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.6mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 5.4nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
3 Wochen
7,07€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 25V 0,4W 0,23A SOT23 DMG301NU-13 N-Kanal-Transis _1GH_DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.23A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 25V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 8V Verlustleistung: 0.4W Polarisierung: unipolar
3 Wochen
5,51€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 2,5W unipolar -30V -5,1A DMP3056LSD-13 Multikanaltran _1GH_DMP3056LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.065Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2.5W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -5.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET x2
3 Wochen
6,67€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 0,625W -30V -1,5A unipolar SOT26 ZXM62P03E6TA P-Kanal-Tra _1GH_ZXM62P03E6TA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verlustleistung: 0.625W Gehäuse: SOT26 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.23Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,34€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Verlustleistung: 1.6W Gehäuse: SuperSOT-6 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 53mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 25nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,71€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 3,6A 1,3W 40V SOT23 IRLML0040TRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 3.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,92€
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NEXPERIA BSS 138P NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,36A 0,9R, SOT-23 BSS138P
Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,06€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V unipolar 0,1A 0,2W SOT23 MMFTN3018W N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN3018W-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.1A Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,37€
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TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -4,1A 1,7W -20V SOT23 LGE2305 P-Kanal-Transistor _1GH_LGE2305-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4.1A Verlustleistung: 1.7W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 75mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 7.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,28€
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TNE IC: driver; Steuerung für Gates; SO8; Kanäle: 1; 4,5÷20V MIC4129YME MOSFET/IGBT-Treiber 7860
Hersteller: MICROCHIP (MICREL) Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Anzahl Kanäle: 1 Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Impulsanstiegszeit: 25ns Impulsabfallzeit: 25ns Betriebsspannung: 4.5...20V Ausgangs-Art: reversibel
2-3 Werktage
6,19€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -30V -0,61A 0,54W unipolar SOT23 IRLML5103TRPBF P-Kanal-T _1GH_IRLML5103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -0.61A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,97€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V 0,6W 5,8A unipolar SOT23 DMN3023L-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3023L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 0.028Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23
3 Wochen
5,97€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,21A 0,54W unipolar SOT23 DMN65D8L-7 N-Kanal-Transis _1GH_DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
5,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V 2,1W 4,4A unipolar SOT223 IRLL024NTRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 65mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10.4nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,43€
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TNE Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1,2A; 0,36W; SC70-6 FDG1024NZ Multikanaltransistoren 7657
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Technologie: PowerTrench® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SC70-6 Gate-Source Spannung: ±8V Widerstand im Leitungs 389m? Montage: SMD Gate-Ladung: 2.6nC Verpackungs-Art: Band Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
2-3 Werktage
7,19€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 0,6W -20V -1,5A SOT26 DMP2240UDM-7 Multikanal _1GH_DMP2240UDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -20V Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Gate-Source Spannung: 12V
3 Wochen
5,78€
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VISHAY IRFR 9024 - MOSFET, P-Ch, -60V 8,8A 0,28R, DPAK (TO-252AA) IRFR9024PBF
Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die Oberflächenmontage unter Verwendung von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken vorgesehen. Die Version mit gerader Leitung (Serie IRFU, SiHFU) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. Bei typischen Anwendungen zur Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 W möglich. Merkmale: . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Avalanche-Bewertung . SMD-Montage (IRFR9024, SiHFR9024) . Gerade Anschlüsse (IRFU9024, SiHFU9024) . Verfügbar als gegurtete Ware . P-Kanal . Schnelles Umschalten
0,44€
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