Suche verfeinern
Filtern
Alles löschen
Kategorie
✓Preis
✓Marke
✓Verkäufer
✓Deine Suche ergab leider keine Ergebnisse. Bitte ändere die zuletzt verwendeten Filter und versuche es erneut.
Anzeige
Zeigt 271 - 300 von 442 Ergebnissen
Filtern
Sortieren:
Beste Treffer
Beste Treffer
Preis: niedrig bis hoch
Preis: hoch bis niedrig
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,2W unipolar 60V 0,073A SOT323 2N7002W-7-F N-Kanal-Trans _1GH_2N7002W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.073A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 1.8Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
5,52€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V 0,6W 5,8A unipolar SOT23 DMN3023L-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3023L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 0.028Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23
3 Wochen
5,97€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 400V 6,3A D2PAK IRF740SPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,40€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 25x Transistor: P-MOSFET 0,25W unipolar -50V -0,13A SOT23 MMFTP84 P-Kanal-Transist _1GH_MMFTP84-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.25W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
5,37€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,21A 0,54W unipolar SOT23 DMN65D8L-7 N-Kanal-Transis _1GH_DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
5,41€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 325mW unipolar 0,12A 60V SOT23 NX7002AK.215 N-Kanal-Trans _1GH_NX7002AK.215
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 3W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 6.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
5,41€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 0,225W 0,115A SOT23 2N7002 N-Kanal-Transisto _1GH_2N7002-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 3.75Ω Montage: SMD Verlustleistung: 0.225W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A
3 Wochen
5,44€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 0,11A 300mW SOT323 NX3020NAKW.115 N-Kanal-Tr _1GH_NX3020NAKW.115
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 300mW Gate-Ladung: 0.44nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 9.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
5,41€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 13,3A 200V 140W unipolar D2PAK FQB19N20LTM N-Kanal-Transi _1GH_FQB19N20LTM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Montage: SMD Verlustleistung: 140W Gate-Ladung: 35nC Polarisierung: unipolar Technologie: QFET® Drainstrom: 13.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
7,60€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO252 IXTY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
3 Wochen
8,51€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,2W unipolar 0,115A SOT23 2N7002-TP N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23
3 Wochen
5,29€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 2,1W 55V 2A unipolar SOT223 IRLL014NTRPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 2A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,86€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -4÷4A -EP Kanäle: 2 IXDD604SI MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_IXDD604SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 81ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 79ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -4...4A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
9,73€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ C2 11A 700V unipolar 85W TO263 WMM14N70C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMM14N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 530mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,46€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 50V 0,36W 0,22A unipolar SOT23 MMFTN138 N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN138-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0.22A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,50€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 5x Transistor: P-MOSFET -0,12A unipolar 0,36W -60V SOT23 NDS0610 P-Kanal-Transist _1GH_NDS0610
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 10Ω Verlustleistung: 0.36W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
5,59€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,21A unipolar 0,3W 60V SOT23 2N7002-7-F N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.3W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,48€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,1A 1,5W 100V unipolar SOT89 ZXMN10A07ZTA N-Kanal-Transi _1GH_ZXMN10A07ZTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.1A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT89 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.9Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,40€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar 200mW -0,2A -60V SC59 2SJ168(TE85L,F) P-Kanal-Tr _1GH_2SJ168
Hersteller: TOSHIBA Verlustleistung: 200mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,48€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W ™ C2 650V unipolar 6A TO263 WMM09N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 8A 57W ™ C2 TO263 WMM10N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 100V 0,17A 0,36W unipolar SOT23 MMFTN123 N-Kanal-Transist _1GH_MMFTN123-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 6Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,53€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -30V Idm: -30A -7,2A 2,7W SI4431CDY-T1-GE3 P-Ka _1GH_SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7.2A Drainstrom im Impuls: -30A Verlustleistung: 2.7W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,09€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar ™ C2 8A 57W TO263 WMM10N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 5x Transistor: N-MOSFET 20V 0,5W 1,4A unipolar SOT323 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.4A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,59€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 36W VSONP8 unipolar 25A 5x6mm CSD17579Q5AT N-Kanal-Tr _1GH_CSD17579Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 25A Verlustleistung: 36W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.6mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 5.4nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
3 Wochen
7,07€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 25V 0,4W 0,23A SOT23 DMG301NU-13 N-Kanal-Transis _1GH_DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.23A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 25V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 8V Verlustleistung: 0.4W Polarisierung: unipolar
3 Wochen
5,51€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 2,5W unipolar -30V -5,1A DMP3056LSD-13 Multikanaltran _1GH_DMP3056LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.065Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2.5W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -5.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET x2
3 Wochen
6,67€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 1x Transistor: P-MOSFET 0,625W -30V -1,5A unipolar SOT26 ZXM62P03E6TA P-Kanal-Tra _1GH_ZXM62P03E6TA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verlustleistung: 0.625W Gehäuse: SOT26 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.23Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,34€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Verlustleistung: 1.6W Gehäuse: SuperSOT-6 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 53mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 25nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,71€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de
