smd mosfet

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.8Ω Montage: SMD

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 2A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.04Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 116W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.7mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm

Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.073A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 1.8Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 70W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.38Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 81ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 79ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -4...4A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver

Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 3W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 6.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.8A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 82mΩ Montage: SMD

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.25W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 0.375A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Montage: SMD Verlustleistung: 140W Gate-Ladung: 35nC Polarisierung: unipolar Technologie: QFET® Drainstrom: 13.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Kanal-Art: stark

Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 300mW Gate-Ladung: 0.44nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 9.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 3.75Ω Montage: SMD Verlustleistung: 0.225W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A

Präzise Halbleiteranalyse: Der DY294 testet zuverlässig DC-Parameter von Dioden, Transistoren, Thyristoren und MOSFETs sowie 78/79-Spannungsregler. für ideal für schnelle Fehlerdiagnose und Qualitätskontrolle in der Elektronikfertigung. Umfangreiche Komponentenprüfung: Erkennt und misst automatisch Kondensator-Spannungsfestigkeit, Varistor-Schutzspannung und Isolationswerte. Ein unverzichtbares Werkzeug für Techniker zur umfassenden Bauteilverifizierung. Kristallklares LCD-Display: Ausgestattet mit einem hochauflösenden Großbildschirm für direkte Ablesbarkeit der Messwerte. Der ergonomische Drehknopf ermöglicht eine intuitive Bereichswahl und einfache Bedienung im Laboralltag. Robustes & Kompaktes Design: Gefertigt aus langlebigem ABS-Material (150x100x70mm) mit festen Buchsen für stabilen Kontakt. Perfekt als tragbarer Tester für Reparaturen vor Ort oder den Einsatz in Werkstätten. Breite Anwendbarkeit: Geeignet für Elektroniker, Labore und Hobbybastler zur Prüfung von für smd-Komponenten und diskreten Bauteilen. Lieferumfang umfasst Gerät und praktische Aufbewahrungstasche für sicheren Transport.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 43A Drainstrom im Impuls: 240A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 13.5mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.1A Verlustleistung: 0.35W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 115mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: TOSHIBA Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Verlustleistung: 1W Gate-Ladung: 3.4nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23F Widerst im Leitungszust: 42mΩ Gate-Source Spannung: 20V

Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die Oberflächenmontage unter Verwendung von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken vorgesehen. Die Version mit gerader Leitung (Serie IRFU, SiHFU) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. Bei typischen Anwendungen zur Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 W möglich. Merkmale: . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Avalanche-Bewertung . SMD-Montage (IRFR9024, SiHFR9024) . Gerade Anschlüsse (IRFU9024, SiHFU9024) . Verfügbar als gegurtete Ware . P-Kanal . Schnelles Umschalten

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: ®3333-8 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.025Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.9W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: Rolle Drain-Source Spannung: 40V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 3.1mΩ Gate-Source Spannung: 16V Drainstrom im Impuls: 790A Verlustleistung: 230W Gate-Ladung: 75nC Polarisierung: unipolar Technologie: ® Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 120A Kanal-Art: stark

Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert . ESD-Schutz bis zu 1,5 kV Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise

Hersteller: TOSHIBA Verlustleistung: 200mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V

Umfassendes Set mit 71 Komponenten: Dieses Set enthält 71 häufig verwendete elektronische Teile, die von Widerständen und Kondensatoren bis hin zu MOSFETs und SCRs reichen, und bietet eine komplette One-Stop-Lösung für die Beherrschung sowohl für Oberflächenmontage (für SMD) als auch Durchgangsloch-Löttechniken. Skill-Building für alle Niveaus: Speziell für Anfänger, Studenten und Bastler entwickelt, bietet dieses DIY-Montageset eine intuitive Möglichkeit, die Hand-Augen-Koordination und die Lötgenauigkeit zu verbessern, was es zu einem idealen Trainingsgerät für Elektronik-Enthusiasten macht. Für Premium 100 x 100 mm FR4 Board: Verfügt über eine Standard 10 cm x 10 cm Leiterplatte aus strapazierfähigem FR4-Material mit klarem Siebdruck und intuitiver Komponentenidentifikation, erleichtert die Ausrichtung und eine professionelle Praxiserfahrung, die wiederholtem Erhitzen standhält. Perfekt für MINT-Bildung: Eine ausgezeichnete Ressource für Schulprojekte, Universitäten für Labore und Gruppentraining für Sitzungen. Dieses Set unterstützt STEM-Lehrpläne, indem es Teenagern und Erwachsenen ermöglicht, echte Schaltungen zu bauen und gleichzeitig grundlegende elektronische Komponenten zu verstehen. Komplettes DIY-Paket: Wird als komplettes Set mit der Leiterplatte und allen notwendigen Komponenten für die sofortige Montage geliefert; für einfach Ihren eigenen Lötkolben und Lötzinn hinzufügen, um mit dem Üben zu beginnen, Kreativität und technisches Vertrauen sofort zu fördern.

Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert . ESD-Schutz bis zu 1,5 kV Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise