leistungs mosfet

Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis Mit dem kombinierten Portfolio der Infineon OptiMOS- und StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familien bietet Infineon die richtige Wahl für die unterschiedlichsten Kunden und deren Anforderungen. Insbesondere für Kunden, die eine einfache und preisgünstige Lösung suchen, aber dennoch eine stabile Versorgung in der bewährten Infineon-Qualität genießen wollen, bieten wir die richtigen Produkte. Besondere Merkmale Wettbewerbsfähiges Preis-/Leistungsverhältnis einfache Anwendung und Entwicklung, und falls Unterstützung benötigt wird, Verfügbarkeit von Online-Simulationswerkzeugen und Komponentenvergleichen sichere Wahl durch die höchsten Qualitätsstandards in der Branche und eine stabile, langfristige Versorgung

TQM019NH04LCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

HEXFET Leistungs-MOSFET STRONG IR FET Anwendung: . Motorantrieb . batteriebetriebene Schaltungen . Halb- und Vollbrücken Topologien . Synchrongleichrichter . DC/DC- und AC/DC- Wandler . DC/AC Wechselrichter

Atomotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Dieser SiC-Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Bauelement zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz sowie eine Verringerung von Systemgröße und Gewicht verbessert.

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei Anwendungen Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Stromschaltung Hart geschaltete Hochfrequenzschaltungen

HEXFET Leistungs-MOSFET STRONG IR FET Anwendung: . Motorantrieb . batteriebetriebene Schaltungen . Halb- und Vollbrücken Topologien . Synchrongleichrichter . DC/DC- und AC/DC- Wandler . DC/AC Wechselrichter

TQM032NH04LCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IRFP260MPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen. Dynamic dv/dt Rating 175 °C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Ease of Paralleling Simple Drive Requirements

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei Anwendungen Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Stromschaltung Hart geschaltete Hochfrequenzschaltungen

IRFP250MPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schaltanwendungen. Geeignet für Motorsteuerungen, Netzteile, Lastschalter, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen. Dynamic dv/dt Rating 175 °C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Ease of Paralleling Simple Drive Requirements

Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis Mit dem kombinierten Portfolio der Infineon OptiMOS- und StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familien bietet Infineon die richtige Wahl für die unterschiedlichsten Kunden und deren Anforderungen. Insbesondere für Kunden, die eine einfache und preisgünstige Lösung suchen, aber dennoch eine stabile Versorgung in der bewährten Infineon-Qualität genießen wollen, bieten wir die richtigen Produkte. Besondere Merkmale Wettbewerbsfähiges Preis-/Leistungsverhältnis einfache Anwendung und Entwicklung, und falls Unterstützung benötigt wird, Verfügbarkeit von Online-Simulationswerkzeugen und Komponentenvergleichen sichere Wahl durch die höchsten Qualitätsstandards in der Branche und eine stabile, langfristige Versorgung

Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis Mit dem kombinierten Portfolio der Infineon OptiMOS- und StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familien bietet Infineon die richtige Wahl für die unterschiedlichsten Kunden und deren Anforderungen. Insbesondere für Kunden, die eine einfache und preisgünstige Lösung suchen, aber dennoch eine stabile Versorgung in der bewährten Infineon-Qualität genießen wollen, bieten wir die richtigen Produkte. Besondere Merkmale Wettbewerbsfähiges Preis-/Leistungsverhältnis einfache Anwendung und Entwicklung, und falls Unterstützung benötigt wird, Verfügbarkeit von Online-Simulationswerkzeugen und Komponentenvergleichen sichere Wahl durch die höchsten Qualitätsstandards in der Branche und eine stabile, langfristige Versorgung

N-Kanal 60V - 0,014O - 60A TO-220 STripFET II Leistungs-MOSFET Diese mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisierte Leistungs-MOSFET-Serie wurde speziell zur Minimierung der Eingangskapazität und der Gate-Ladung entwickelt. Er eignet sich daher als Primärschalter in fortschrittlichen isolierten DC/DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen. Er ist auch für alle Anwendungen geeignet, die eine geringe Gate-Ladung erfordern. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . anwendungsorientierte Charakterisierung Anwendungen . Schaltanwendung

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Niedrige Gate-Impedanz Sehr niedriger RDS(on) bei 10 V VGS Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom Anwendungen Synchroner MOSFET für Notebook-Prozessorleistung Synchrone Gleichrichter-MOSFETs für isolierte DC-DC-Wandler in Netzwerksystemen

TQM043NH04LCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

TQM025NH04LCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei Anwendungen DC-Motorantrieb Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Stromschaltung Hart geschaltete Hochfrequenzschaltungen

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei Anwendungen DC-Motorantrieb Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Stromschaltung Hart geschaltete Hochfrequenzschaltungen

IRF3805PBF von INFINEON ist ein N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schaltanwendungen. Geeignet für Motorsteuerungen, Netzteile, Lastschalter, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen. Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Dieser SiC-Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Bauelement zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und einer sehr hohen Schaltfrequenz, was die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz sowie eine Verringerung von Systemgröße und Gewicht verbessert.

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Sehr niedriger R DS(on) bei 4,5V VGS Ultra-niedrige Gate-Impedanz Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom Bleifrei Anwendungen Optimiert für USV/Inverter-Anwendungen Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler für die Stromversorgung von Computerprozessoren Isolierte Hochfrequenz-DC/DC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung für Telekommunikation und Industrie

IRF740, Leistungs-MOSFET Beschreibungen: Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche-Bewertung . Schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

N-Kanal 800 V, 0,37 O typ., 12 A MDmesh K5 Leistungs-MOSFETs in D²PAK, TO-220FP, TO-220 und TO-247 Beschreibung: Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden unter Verwendung der MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Reduzierung des Durchlasswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Merkmale: . Branchenweit niedrigste RDS(on)x-Fläche . Bester FoM der Industrie (Zahl der Verdienste) . Ultra-niedrige Gate-Ladung . 100% lawinengeprüft . Zener-geschützt Anwendungen: . Schalt-Anwendungen

-100V Ein P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse Beschreibung: Der IRF9520NPBF ist ein -100V Single-P-Kanal HEXFET Power MOSFET, ein HEXFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Avalanche-Rating . P-Kanal . 175 °C Betriebstemperatur . Schnelles Umschalten . Leichte Parallelisierung

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei RoHS-konform, halogenfrei Anwendungen Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Stromschaltung Hart geschaltete Hochfrequenzschaltungen

IRF1407PBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen. Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

IRF4905PbF , HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung bis etwa 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO- 220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei. Eigenschaften: - Fortschrittliche Prozesstechnologie - Extrem niedriger On-Widerstand - Dynamische dv/dt Bewertung - 175°C Betriebstemperatur - Schnelles Schalten - P-Kanal - Vollständig Avalanche tauglich - Bleifrei

Leistungs-MOSFET Beschreibung Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziellen Industrieanwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei. Merkmale . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Lawinen-Bewertung . P-Kanal . 175 °C Betriebstemperatur . Schnelles Umschalten . Leichte Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.