smd mosfet

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -20V Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Gate-Source Spannung: 12V

Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die Oberflächenmontage unter Verwendung von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken vorgesehen. Die Version mit gerader Leitung (Serie IRFU, SiHFU) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. Bei typischen Anwendungen zur Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 W möglich. Merkmale: . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Avalanche-Bewertung . SMD-Montage (IRFR9024, SiHFR9024) . Gerade Anschlüsse (IRFU9024, SiHFU9024) . Verfügbar als gegurtete Ware . P-Kanal . Schnelles Umschalten

Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert . ESD-Schutz bis zu 1,5 kV Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise

Hersteller: TOSHIBA Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Verlustleistung: 1W Gate-Ladung: 3.4nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23F Widerst im Leitungszust: 42mΩ Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: ®3333-8 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.025Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.9W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: Rolle Drain-Source Spannung: 40V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 3.1mΩ Gate-Source Spannung: 16V Drainstrom im Impuls: 790A Verlustleistung: 230W Gate-Ladung: 75nC Polarisierung: unipolar Technologie: ® Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 120A Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 43A Drainstrom im Impuls: 240A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 13.5mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.1A Verlustleistung: 0.35W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 115mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: TOSHIBA Verlustleistung: 200mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7.2A Drainstrom im Impuls: -30A Verlustleistung: 2.7W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.7A Drainstrom im Impuls: 17A Verlustleistung: 0.8W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 80mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 2.9nC Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert . ESD-Schutz bis zu 1,5 kV Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 3.5A Drainstrom im Impuls: 10A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: junction x-class Bereitschaftszeit: 170ns

Hersteller: TOSHIBA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4.2A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: UF6 Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 66mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT323 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Drainstrom im Impuls: 0.8A Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V

Einfache Bedienung --- Ein-Klick-Bedienung, starten Sie den Test und erwerben Sie den Schlüssel.Widerstand: 0Ω ~ 50Ω, Auflösung: 0,01 Ohm, Kapazität: 25pF ~ 100mF, Auflösung: 1pF. Großes LCD-Display mit Hintergrundbeleuchtung für einfaches Ablesen.Die Pin-Komponenten werden automatisch getestet und auf dem LCD angezeigt.Kapazität ESR-Auflösung: 0,01 Ω Automatische Erkennung --- Automatische Erkennungskomponenten wie NPN-, PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Transistoren, Widerstände und Kondensatoren. Genaue Messung --- Kann die Vorwärtsvorspannung des Transistoremitters, der MOSFET-Schutzdiode und die Referenz des Verstärkungsfaktors erfassen.Messungen der MOSFET-Gate-Schwellenspannung und Gate-Kapazität. Anwendung --- Das Instrument ist ein , ein elektronisches Wartungs- und Fabrikgerät.Test-Plug-Ins und SMD-Geräte sind sehr einfach und können verschiedene Arten von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Analysevorrichtungstypen, Pin-Polarität, Ausgangs-HFE, Ventilspannung, Sperrschicht-Kapazitäts-FET testen. Kundendienst --- Wenn Sie während des Gebrauchs auf Probleme stoßen, wenden Sie sich bitte an unseren Kundendienst. Wir sind 24 Stunden am Tag für Sie da.

Der IR 2183S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit abhängigen Ausgangskanälen. Die Logik-Eingänge sind kompatibel mit den Standard CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis zu 3,3 V. Gehäuse: SO-8

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drainstrom im Impuls: 1.2A Verlustleistung: 320mW Gate-Ladung: 0.39nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1.75Ω Gate-Source Spannung: 20V

Präzise Halbleiteranalyse: Der DY294 testet zuverlässig DC-Parameter von Dioden, Transistoren, Thyristoren und MOSFETs sowie 78/79-Spannungsregler. für ideal für schnelle Fehlerdiagnose und Qualitätskontrolle in der Elektronikfertigung. Umfangreiche Komponentenprüfung: Erkennt und misst automatisch Kondensator-Spannungsfestigkeit, Varistor-Schutzspannung und Isolationswerte. Ein unverzichtbares Werkzeug für Techniker zur umfassenden Bauteilverifizierung. Kristallklares LCD-Display: Ausgestattet mit einem hochauflösenden Großbildschirm für direkte Ablesbarkeit der Messwerte. Der ergonomische Drehknopf ermöglicht eine intuitive Bereichswahl und einfache Bedienung im Laboralltag. Robustes & Kompaktes Design: Gefertigt aus langlebigem ABS-Material (150x100x70mm) mit festen Buchsen für stabilen Kontakt. Perfekt als tragbarer Tester für Reparaturen vor Ort oder den Einsatz in Werkstätten. Breite Anwendbarkeit: Geeignet für Elektroniker, Labore und Hobbybastler zur Prüfung von für smd-Komponenten und diskreten Bauteilen. Lieferumfang umfasst Gerät und praktische Aufbewahrungstasche für sicheren Transport.

【Auto-Modus: Einfach stecken, sofort erkennen】Nehmen Sie den Portable Transistor Tester, stecken Sie ein Bauteil ein und drücken TEST. Das Gerät wechselt in den Auto-Modus, erkennt automatisch Widerstand, Kondensator, Diode oder Transistor. Kein Einstellen, kein Rätsel. Der LCR Transistor Tester spart Zeit und macht Messungen intuitiv. 【NEC-Decodierung: Fernbedienungen prüfen】Halten Sie Ihre Fernbedienung an den LCR messgerat. Drücken Sie eine Taste – sofort erscheint Code und Wellenform. Prüfen Sie IR-Signale präzise, ideal für Reparaturen. Ihr Kondensator Tester wird so zum universellen Diagnose-Werkzeug. 【Entladeschutz: Sicherheit mit Hinweis】Vergessen, einen Kondensator zu entladen? Der kondensatorzähler entlädt ihn beim Einstecken automatisch – das schützt vor Durchbrennen. Diese Funktion ist nur eine Sicherheitsreserve. Zur korrekten Messung empfehlen wir: Kondensatoren stets manuell entladen. 【Rundum-Paket: Integrierter SMD-Sockel】Messen Sie NPN/PNP, MOSFETs, Dioden, Spulen – mit automatischer Pin-Belegung. DDank des integrierten SMD-Sockels entfällt das lästige Wechseln – und Sie müssen keine Angst haben, ihn zu verlieren. Ein LCR Transistor Tester, der alles kann – perfekt für Entwickler, Studenten und Reparaturprofis. 【USB-C Akku: Immer einsatzbereit】Keine 9V-Blockbatterien mehr. Der 300-mAh-Akku lädt über USB-C (5V/1A) – am Laptop oder Netzteil. Das kompakte Portable Transistor Tester ist schnell voll und stets bereit. Ideal für Werkstatt, Labor oder unterwegs.

[Robustes Design] Mit Silikon versiegelt für Wasserbeständigkeit, Staubbeständigkeit, Vibrationsdämpfung und Eignung für raue Bedingungen. [Effiziente Leistung] Verfügt über synchrone Spannungsstabilisierungstechnologie und Mosfet-Technologie für geringe Wärmeentwicklung und hohe Effizienz. [Verbesserte Effizienz] Mosfet ersetzt die Gleichrichterdiode, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz des Wandlers zu verbessern. [Hochwertige Komponenten] Hergestellt aus hochwertigen Fr,4-Mehrschicht-PCB- und SMD-Komponenten für Haltbarkeit und Zuverlässigkeit. [Maßnahmen] Unterstützt Überstrom, Überspannung, Übertemperatur und Kurzschluss für einen sicheren Betrieb.

Power(max): 11 W Breakdown Voltage: 725 Output Profile: CV Mit dem netzkompensierten Überlastschutz reduzieren die TinySwitch-4-Geräte die maximale Überlastschwankung über den gesamten Eingangsspannungsbereich drastisch. Dies ist besonders hilfreich bei Anwendungen wie PC-Standby und CV-Adaptern zur Begrenzung der maximalen Ausgangsleistung während des Überlast-Fehlerzustands. Der TinySwitch-4 enthält auch einen 725-V-MOSFET, der bei Designs mit hoher reflektierter Spannung und hoher Busspannung problemlos ein De-Rating von 80 % ermöglicht. Über den BP/M-Pin kann die MOSFET-Strombegrenzung nach oben oder unten angepasst werden, so dass die Entwickler die Leistungsabgabe und den Wirkungsgrad in einer Vielzahl von physikalischen Implementierungen optimieren können. Eine On-Time-Extension-Funktion erweitert den Low-Line-Regelungsbereich, so dass die Hold-up-Zeit auch bei niedrigeren Werten der Eingangskapazität eingehalten werden kann. MOSFET mit 725 V Nennspannung Erhöht die BV-Derating-Marge Netzkompensierte Überlastleistung - keine zusätzlichen Komponenten Reduziert die maximale Überlastschwankung über den universellen Eingangsspannungsbereich drastisch ±5% Einschaltschwelle für UV: Erkennung der Netzspannung mit einem einzigen externen Widerstand Einfache ON/OFF-Steuerung, keine Schleifenkompensation erforderlich Wählbare Strombegrenzung durch BP/M-Kondensatorwert Ermöglicht optimale TinySwitch-4-Auswahl durch Austausch von Bauteilen ohne weitere Schaltungsumgestaltung Enge I2f-Parametertoleranz reduziert die Systemkosten Maximiert die Nutzung von MOSFETs und Magneten Verlängerung der Einschaltdauer - erweitert den Low-Line-Regelbereich/die Vorhaltezeit zur Reduzierung der Eingangskapazität Selbstvorgespannt: keine Vorspannungswicklung oder Vorspannungskomponenten Frequenz-Jittering reduziert die Kosten für EMI-Filter

Großes LCD-Display mit Hintergrundbeleuchtung für einfaches Ablesen. Kann die Vorwärtsvorspannung des Transistoremitters, die MOSFET-Schutzdiode und die Verstärkungsfaktorreferenz erkennen. MOSFET-Gate-Schwellenspannung und Gate-Kapazitätsmessung. Testen Sie die Pin-Elemente automatisch und zeigen Sie sie auf dem LCD an. Automatische Erkennung von Komponenten wie NPN-, PNP-Bipolartransistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET, Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Transistoren, Widerständen und Kondensatoren usw.

Der IR 2112S ist ein Hochspannungs- , High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit unabhängigen Ausgangskanälen. Gehäuse: SOL-16

Die IR2132S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für alle Kanäle . Überstrom-Abschaltung . Unabhängige Halbbrücken-Treiber . Abgestimmt Laufzeitverzögerung für alle Kanäle . 2,5 V-Logik kompatibel . Ausgänge aus der Phase mit Eingängen

Der IR 2181S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber. Die Logik-Eingänge sind kompatibel mit den Standard CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis zu 3,3 V. Gehäuse: SO-8

Die IR2104S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung . 3,3 V, 5V und 15V-Eingang Logik kompatibel . Intern gesetzte deadtime . High-Side-Ausgang in Phase mit Eingang . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle

Die IR2101S/IR2102S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung . 3,3 V, 5V, 15V und Logik-Eingang kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . Ausgänge in Phase mit den Eingängen (IR2101) oder aus Phase bei den Eingängen (IR2102)

Die IR2106S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für beide Kanäle . 3,3 V, 5V und 15V-Eingang Logik kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . bessere Störsicherheit . Ausgänge in Phase mit den Eingängen

Die IR2184S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für beide Kanäle . 3,3 V und 5V-Eingang Logik kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . Geringere di / dt-Gate-Treiber für eine bessere Störsicherheit