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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 2,3A 0,5W SOT23 BSS306NH6327XTSA1 N-Kanal-Tr _1GH_BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 93m Montage: SMD
3 Wochen
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
11,12€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A 57W unipolar ™ C2 600V SOT223 WMF10N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMF10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 57W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 720m Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
7,60€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET TO263 480W 60V unipolar 270A 47ns IXFA270N06T3 N-Kanal-Tr _1GH_IXFA270N06T3
Hersteller: IXYS Montage: SMD Verlustleistung: 480W Gate-Ladung: 200nC Polarisierung: unipolar Technologie: HiPerFET™ Technologie: T3™ Drainstrom: 270A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 3.1m Gate-Source Spannung: 20V Bereitschaftszeit: 47ns
3 Wochen
15,10€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 45W 600V ™ C2 6A TO263 WMM09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940m Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,70€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -20V unipolar -0,54A 0,31W SOT323 DMG1013UW-7 P-Kanal-Tra _1GH_DMG1013UW-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -0.54A Verlustleistung: 0.31W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 6V Widerst im Leitungszust: 1.5 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
7,94€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -7,1A 0,9W -30V unipolar ®3333-8 DMP3008SFGQ-7 P-Kanal-Tr _1GH_DMP3008SFGQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: ®3333-8 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.025 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.9W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
6,63€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A X2-Class 650V 150W unipolar TO263 IXFA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Gehäuse: TO263 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 4 Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Gate-Source Spannung: 30V Bereitschaftszeit: 105ns Gate-Ladung: 11nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
10,54€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 2 UCC27524AD MOSFET/IGBT-Treiber -5÷5A _1GH_UCC27524AD
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Versorgungsspannung: 4.5...18V DC Montage: SMD Gehäuse: SO8 Betriebstemperatur: -40...140°C Verpackungs-Art: Tube Ausgangsstrom: -5...5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel Sicherung: Unterspannung Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2
3 Wochen
9,61€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 6A 30V 1W SOT23F SSM3K333R,LF(B N-Kanal-Transist _1GH_SSM3K333R
Hersteller: TOSHIBA Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Verlustleistung: 1W Gate-Ladung: 3.4nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23F Widerst im Leitungszust: 42m Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
7,50€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 2,1A 0,35W unipolar 20V SOT23 LGE2302 N-Kanal-Transistore _1GH_LGE2302-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.1A Verlustleistung: 0.35W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 115m Montage: SMD Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,22€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 0,225W 0,115A unipolar 60V SOT323 2N7002W N-Kanal-Transis _1GH_2N7002W-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Verlustleistung: 0.225W Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 7.5 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,76€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET unipolar -20V -4,2A 1,4W SOT23 DMP2305U-7 P-Kanal-Transis _1GH_DMP2305U-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4.2A Verlustleistung: 1.4W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 0.06 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,88€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 73W unipolar 2,9A D2PAK FQB5N50CTM N-Kanal-Transisto _1GH_FQB5N50CTM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 2.9A Verlustleistung: 73W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.4 Montage: SMD Gate-Ladung: 24nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V ™ M3 130W unipolar 13A TO263 WMM13N80M3 N-Kanal-Tran _1GH_WMM13N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 130W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 480m Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,52€
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TNE 25x Transistor: N-MOSFET 0,5W unipolar 60V 0,3A PG-SOT23 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal- _1GH_2N7002H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: PG-SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4 Montage: SMD Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,74€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 4,4A 650V 70W D2PAK STB8N65M5 N-Kanal-Transistor _1GH_STB8N65M5
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 70W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 600m Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
11,56€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 12A unipolar 30V 30W DPAK STD17NF03LT4 N-Kanal-Transistor _1GH_STD17NF03LT4
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 60m Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
8,22€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 5A 17W WSON6 2x2mm CSD17313Q2T N-Kanal-Trans _1GH_CSD17313Q2T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Verlustleistung: 17W Gate-Ladung: 2.1nC Polarisierung: unipolar Technologie: NexFET™ Drainstrom: 5A Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Abmessungen: 2x2mm Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: WSON6 Widerst im Leitungszust: 26m Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar 1,5W -0,225A -250V SOT223 BSP225.115 P-Kanal-Tra _1GH_BSP225.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -250V Drainstrom: -0.225A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 15 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,58€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET unipolar -0,13A -50V 0,2W SOT323 BSS84W-7-F P-Kanal-Trans _1GH_BSS84W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT323 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.2W Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10 Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V
3 Wochen
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TNE 1x -9÷9A low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 1 IXDD609SI MOSFET/IGBT-Treiber -EP _1GH_IXDD609SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 115ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 105ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 1 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -9...9A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO252 WMO14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMO14N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 405m Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 4,9A 25W DPAK IRFR014PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFR014PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200m Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,52€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET P™ 83W -18A unipolar -100V TO263 IXTA18P10T P-Kanal-Trans _1GH_IXTA18P10T
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: P™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -18A Verlustleistung: 83W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 15V Widerst im Leitungszust: 120m Montage: SMD Gate-Ladung: 39nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 62ns
3 Wochen
12,42€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET Polar™ 500V 200W unipolar 12A TO263 IXTA12N50P N-Kanal-Tr _1GH_IXTA12N50P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Polar™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 200W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500m Montage: SMD Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 300ns
3 Wochen
14,68€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 75V unipolar 480W 230A TO263-7 59ns IXFA230N075T2-7 N-Kan _1GH_IXFA230N075T2-7
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 230A Verlustleistung: 480W Gehäuse: TO263-7 Widerst im Leitungszust: 4.2m Montage: SMD Gate-Ladung: 178nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: thrench gate power mosfet Bereitschaftszeit: 59ns
3 Wochen
13,70€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,5W 200V 0,55A unipolar SOT223 BSP122.115 N-Kanal-Transi _1GH_BSP122.115
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Verlustleistung: 1.5W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.55A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 2.5 Gate-Source Spannung: 2V
3 Wochen
7,58€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 0,8A 100V unipolar 0,625W SOT23 ZXMN10A07F N-Kanal-Transi _1GH_ZXMN10A07F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verlustleistung: 0.625W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 100V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 0.7 Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,56€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 68W unipolar 50A 30V PG-TO263-3 IPB055N03LGATMA1 N-Kanal- _1GH_IPB055N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 68W Gehäuse: PG-TO263-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5.5m Montage: SMD Kanal-Art: stark
3 Wochen
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