smd mosfet

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 65mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10.4nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Technologie: PowerTrench® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SC70-6 Gate-Source Spannung: ±8V Widerstand im Leitungs 389m? Montage: SMD Gate-Ladung: 2.6nC Verpackungs-Art: Band Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -20V Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Gate-Source Spannung: 12V

Hersteller: TOSHIBA Verlustleistung: 200mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7.2A Drainstrom im Impuls: -30A Verlustleistung: 2.7W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.7A Drainstrom im Impuls: 17A Verlustleistung: 0.8W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 80mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 2.9nC Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert . ESD-Schutz bis zu 1,5 kV Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT323 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Drainstrom im Impuls: 0.8A Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -45V Drainstrom: -0.09A Drainstrom im Impuls: -1.6A Verlustleistung: 0.33W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14Ω Montage: SMD Kanal-Art: stark

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 3.5A Drainstrom im Impuls: 10A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: junction x-class Bereitschaftszeit: 170ns

Hersteller: TOSHIBA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4.2A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: UF6 Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 66mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Einfache Bedienung --- Ein-Klick-Bedienung, starten Sie den Test und erwerben Sie den Schlüssel.Widerstand: 0Ω ~ 50Ω, Auflösung: 0,01 Ohm, Kapazität: 25pF ~ 100mF, Auflösung: 1pF. Großes LCD-Display mit Hintergrundbeleuchtung für einfaches Ablesen.Die Pin-Komponenten werden automatisch getestet und auf dem LCD angezeigt.Kapazität ESR-Auflösung: 0,01 Ω Automatische Erkennung --- Automatische Erkennungskomponenten wie NPN-, PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Transistoren, Widerstände und Kondensatoren. Genaue Messung --- Kann die Vorwärtsvorspannung des Transistoremitters, der MOSFET-Schutzdiode und die Referenz des Verstärkungsfaktors erfassen.Messungen der MOSFET-Gate-Schwellenspannung und Gate-Kapazität. Anwendung --- Das Instrument ist ein , ein elektronisches Wartungs- und Fabrikgerät.Test-Plug-Ins und SMD-Geräte sind sehr einfach und können verschiedene Arten von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Analysevorrichtungstypen, Pin-Polarität, Ausgangs-HFE, Ventilspannung, Sperrschicht-Kapazitäts-FET testen. Kundendienst --- Wenn Sie während des Gebrauchs auf Probleme stoßen, wenden Sie sich bitte an unseren Kundendienst. Wir sind 24 Stunden am Tag für Sie da.

Der IR 2183S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit abhängigen Ausgangskanälen. Die Logik-Eingänge sind kompatibel mit den Standard CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis zu 3,3 V. Gehäuse: SO-8

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drainstrom im Impuls: 1.2A Verlustleistung: 320mW Gate-Ladung: 0.39nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1.75Ω Gate-Source Spannung: 20V

Präzise Halbleiteranalyse: Der DY294 testet zuverlässig DC-Parameter von Dioden, Transistoren, Thyristoren und MOSFETs sowie 78/79-Spannungsregler. für ideal für schnelle Fehlerdiagnose und Qualitätskontrolle in der Elektronikfertigung. Umfangreiche Komponentenprüfung: Erkennt und misst automatisch Kondensator-Spannungsfestigkeit, Varistor-Schutzspannung und Isolationswerte. Ein unverzichtbares Werkzeug für Techniker zur umfassenden Bauteilverifizierung. Kristallklares LCD-Display: Ausgestattet mit einem hochauflösenden Großbildschirm für direkte Ablesbarkeit der Messwerte. Der ergonomische Drehknopf ermöglicht eine intuitive Bereichswahl und einfache Bedienung im Laboralltag. Robustes & Kompaktes Design: Gefertigt aus langlebigem ABS-Material (150x100x70mm) mit festen Buchsen für stabilen Kontakt. Perfekt als tragbarer Tester für Reparaturen vor Ort oder den Einsatz in Werkstätten. Breite Anwendbarkeit: Geeignet für Elektroniker, Labore und Hobbybastler zur Prüfung von für smd-Komponenten und diskreten Bauteilen. Lieferumfang umfasst Gerät und praktische Aufbewahrungstasche für sicheren Transport.

【Auto-Modus: Einfach stecken, sofort erkennen】Nehmen Sie den Portable Transistor Tester, stecken Sie ein Bauteil ein und drücken TEST. Das Gerät wechselt in den Auto-Modus, erkennt automatisch Widerstand, Kondensator, Diode oder Transistor. Kein Einstellen, kein Rätsel. Der LCR Transistor Tester spart Zeit und macht Messungen intuitiv. 【NEC-Decodierung: Fernbedienungen prüfen】Halten Sie Ihre Fernbedienung an den LCR messgerat. Drücken Sie eine Taste – sofort erscheint Code und Wellenform. Prüfen Sie IR-Signale präzise, ideal für Reparaturen. Ihr Kondensator Tester wird so zum universellen Diagnose-Werkzeug. 【Entladeschutz: Sicherheit mit Hinweis】Vergessen, einen Kondensator zu entladen? Der kondensatorzähler entlädt ihn beim Einstecken automatisch – das schützt vor Durchbrennen. Diese Funktion ist nur eine Sicherheitsreserve. Zur korrekten Messung empfehlen wir: Kondensatoren stets manuell entladen. 【Rundum-Paket: Integrierter SMD-Sockel】Messen Sie NPN/PNP, MOSFETs, Dioden, Spulen – mit automatischer Pin-Belegung. DDank des integrierten SMD-Sockels entfällt das lästige Wechseln – und Sie müssen keine Angst haben, ihn zu verlieren. Ein LCR Transistor Tester, der alles kann – perfekt für Entwickler, Studenten und Reparaturprofis. 【USB-C Akku: Immer einsatzbereit】Keine 9V-Blockbatterien mehr. Der 300-mAh-Akku lädt über USB-C (5V/1A) – am Laptop oder Netzteil. Das kompakte Portable Transistor Tester ist schnell voll und stets bereit. Ideal für Werkstatt, Labor oder unterwegs.

Großes LCD-Display mit Hintergrundbeleuchtung für einfaches Ablesen. Kann die Vorwärtsvorspannung des Transistoremitters, die MOSFET-Schutzdiode und die Verstärkungsfaktorreferenz erkennen. MOSFET-Gate-Schwellenspannung und Gate-Kapazitätsmessung. Testen Sie die Pin-Elemente automatisch und zeigen Sie sie auf dem LCD an. Automatische Erkennung von Komponenten wie NPN-, PNP-Bipolartransistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET, Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Transistoren, Widerständen und Kondensatoren usw.

[Robustes Design] Mit Silikon versiegelt für Wasserbeständigkeit, Staubbeständigkeit, Vibrationsdämpfung und Eignung für raue Bedingungen. [Effiziente Leistung] Verfügt über synchrone Spannungsstabilisierungstechnologie und Mosfet-Technologie für geringe Wärmeentwicklung und hohe Effizienz. [Verbesserte Effizienz] Mosfet ersetzt die Gleichrichterdiode, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz des Wandlers zu verbessern. [Hochwertige Komponenten] Hergestellt aus hochwertigen Fr,4-Mehrschicht-PCB- und SMD-Komponenten für Haltbarkeit und Zuverlässigkeit. [Maßnahmen] Unterstützt Überstrom, Überspannung, Übertemperatur und Kurzschluss für einen sicheren Betrieb.

Power(max): 11 W Breakdown Voltage: 725 Output Profile: CV Mit dem netzkompensierten Überlastschutz reduzieren die TinySwitch-4-Geräte die maximale Überlastschwankung über den gesamten Eingangsspannungsbereich drastisch. Dies ist besonders hilfreich bei Anwendungen wie PC-Standby und CV-Adaptern zur Begrenzung der maximalen Ausgangsleistung während des Überlast-Fehlerzustands. Der TinySwitch-4 enthält auch einen 725-V-MOSFET, der bei Designs mit hoher reflektierter Spannung und hoher Busspannung problemlos ein De-Rating von 80 % ermöglicht. Über den BP/M-Pin kann die MOSFET-Strombegrenzung nach oben oder unten angepasst werden, so dass die Entwickler die Leistungsabgabe und den Wirkungsgrad in einer Vielzahl von physikalischen Implementierungen optimieren können. Eine On-Time-Extension-Funktion erweitert den Low-Line-Regelungsbereich, so dass die Hold-up-Zeit auch bei niedrigeren Werten der Eingangskapazität eingehalten werden kann. MOSFET mit 725 V Nennspannung Erhöht die BV-Derating-Marge Netzkompensierte Überlastleistung - keine zusätzlichen Komponenten Reduziert die maximale Überlastschwankung über den universellen Eingangsspannungsbereich drastisch ±5% Einschaltschwelle für UV: Erkennung der Netzspannung mit einem einzigen externen Widerstand Einfache ON/OFF-Steuerung, keine Schleifenkompensation erforderlich Wählbare Strombegrenzung durch BP/M-Kondensatorwert Ermöglicht optimale TinySwitch-4-Auswahl durch Austausch von Bauteilen ohne weitere Schaltungsumgestaltung Enge I2f-Parametertoleranz reduziert die Systemkosten Maximiert die Nutzung von MOSFETs und Magneten Verlängerung der Einschaltdauer - erweitert den Low-Line-Regelbereich/die Vorhaltezeit zur Reduzierung der Eingangskapazität Selbstvorgespannt: keine Vorspannungswicklung oder Vorspannungskomponenten Frequenz-Jittering reduziert die Kosten für EMI-Filter

Der IR 2112S ist ein Hochspannungs- , High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit unabhängigen Ausgangskanälen. Gehäuse: SOL-16

Die IR2132S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für alle Kanäle . Überstrom-Abschaltung . Unabhängige Halbbrücken-Treiber . Abgestimmt Laufzeitverzögerung für alle Kanäle . 2,5 V-Logik kompatibel . Ausgänge aus der Phase mit Eingängen

Der IR 2181S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber. Die Logik-Eingänge sind kompatibel mit den Standard CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis zu 3,3 V. Gehäuse: SO-8

Die IR2104S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung . 3,3 V, 5V und 15V-Eingang Logik kompatibel . Intern gesetzte deadtime . High-Side-Ausgang in Phase mit Eingang . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle

Die IR2184S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für beide Kanäle . 3,3 V und 5V-Eingang Logik kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . Geringere di / dt-Gate-Treiber für eine bessere Störsicherheit

Die IR2101S/IR2102S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung . 3,3 V, 5V, 15V und Logik-Eingang kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . Ausgänge in Phase mit den Eingängen (IR2101) oder aus Phase bei den Eingängen (IR2102)

Die IR2106S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für beide Kanäle . 3,3 V, 5V und 15V-Eingang Logik kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . bessere Störsicherheit . Ausgänge in Phase mit den Eingängen

Die IR2101S/IR2102S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung . 3,3 V, 5V, 15V und Logik-Eingang kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . Ausgänge in Phase mit den Eingängen (IR2101) oder aus Phase bei den Eingängen (IR2102)

【Hochwertige Komponenten für hohe Leistung】DC Wandler Step Up Converter Der DC-DC Aufwärtswandler mit SMD-Mehrschichtwiderständen und MOS-FR-4-Röhren ist für hervorragende Effizienz und Langlebigkeit ausgelegt. Ideal für Automotive- und Industrieanwendungen mit bis zu 96% Umwandlungseffizienz. 【Moderne MOSFET-Technologie für hohe Effizienz】DC Wandler Step Up Converter Durch fortschrittliche MOSFET-Technologie können Umwandlungsverluste reduziert werden. Optimiertes Wärmemanagement ermöglicht Dauerbetrieb mit 25W Nennleistung bei 5A Ausgangsstrom. 【Umfassende Schutzfunktionen für zuverlässigen Betrieb】DC Wandler Step Up Converter Umfasst Überstrom-, Überspannungs-, Übertemperatur- und Kurzschlussschutz zur Erhöhung der Betriebssicherheit. Zusätzlicher Softstartschutz unterstützt den sicheren Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. 【Vielseitige Anwendungen von 5V bis 12V/16V】DC Wandler Step Up Converter Wandelt 5V/12V zu 12V/16V mit bis zu 8A Ausgangsstrom. Ideal für LED-Beleuchtung, Motoren und Ladesysteme. IP67 wasserdicht für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen. 【Robustes IP67 Design für vielseitige Einsätze】DC Wandler Step Up Converter Vollständig vergossenes IP67 Gehäuse wasserdicht, stoßfest und staubbeständig. Geeignet für LED-Beleuchtung, Motoren, Lautsprecher und Automotive-Systeme in rauen Industrieumgebungen.