smd mosfet

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7.2A Drainstrom im Impuls: -30A Verlustleistung: 2.7W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Kanal-Art: stark

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 65mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10.4nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -20V Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Gate-Source Spannung: 12V

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 3.5A Drainstrom im Impuls: 10A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: junction x-class Bereitschaftszeit: 170ns

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Technologie: PowerTrench® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SC70-6 Gate-Source Spannung: ±8V Widerstand im Leitungs 389m? Montage: SMD Gate-Ladung: 2.6nC Verpackungs-Art: Band Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 0.028Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -45V Drainstrom: -0.09A Drainstrom im Impuls: -1.6A Verlustleistung: 0.33W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14Ω Montage: SMD Kanal-Art: stark

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4.1A Verlustleistung: 1.7W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 75mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 7.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT323 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Drainstrom im Impuls: 0.8A Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.7A Drainstrom im Impuls: 17A Verlustleistung: 0.8W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 80mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 2.9nC Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: TOSHIBA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4.2A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: UF6 Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 66mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Einfache Bedienung --- Ein-Klick-Bedienung, starten Sie den Test und erwerben Sie den Schlüssel.Widerstand: 0Ω ~ 50Ω, Auflösung: 0,01 Ohm, Kapazität: 25pF ~ 100mF, Auflösung: 1pF. Großes LCD-Display mit Hintergrundbeleuchtung für einfaches Ablesen.Die Pin-Komponenten werden automatisch getestet und auf dem LCD angezeigt.Kapazität ESR-Auflösung: 0,01 Ω Automatische Erkennung --- Automatische Erkennungskomponenten wie NPN-, PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Transistoren, Widerstände und Kondensatoren. Genaue Messung --- Kann die Vorwärtsvorspannung des Transistoremitters, der MOSFET-Schutzdiode und die Referenz des Verstärkungsfaktors erfassen.Messungen der MOSFET-Gate-Schwellenspannung und Gate-Kapazität. Anwendung --- Das Instrument ist ein , ein elektronisches Wartungs- und Fabrikgerät.Test-Plug-Ins und SMD-Geräte sind sehr einfach und können verschiedene Arten von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Analysevorrichtungstypen, Pin-Polarität, Ausgangs-HFE, Ventilspannung, Sperrschicht-Kapazitäts-FET testen. Kundendienst --- Wenn Sie während des Gebrauchs auf Probleme stoßen, wenden Sie sich bitte an unseren Kundendienst. Wir sind 24 Stunden am Tag für Sie da.

Der IR 2183S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit abhängigen Ausgangskanälen. Die Logik-Eingänge sind kompatibel mit den Standard CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis zu 3,3 V. Gehäuse: SO-8

【Hohe PräzisionslCR-Messerpinzette】 Unterstützt Dreifrequenz-Tests mit effektiven Werte-Teststufen von 100 Hz, 1 kHz und 10 kHz und 3 V/0,6 Vrms, umfassende und genaue Testergebnisse. 【Für Smart for SMD-Pinzette】Intelligente Identifizierung und automatische Messung, ermöglicht die gleichzeitige Anzeige von Haupt- und Hilfsparametern, wodurch das Testen einfacher und effizienter wird. Stabile und zuverlässige Leistung: Verwendet importierte Chips und fortschrittliche Messalgorithmen, stabile und zuverlässige Leistung für präzise Messungen. Praktische Bedienung und klares Display: Ausgestattet mit einem 35,6 cm (14 Zoll) High-Definition-Farbdisplay, das eine klare und intuitive Schnittstelle für müheloses Lesen von Daten und flüssigeres Testen bietet. 【Flexible Montage und mehrere Anwendungen】Austauschbare Messingpinzettenköpfe (gerade und gebogen) mit hoher Härte für genaue Messungen in verschiedenen Szenarien, Verbesserung der Messstabilität.

Power(max): 11 W Breakdown Voltage: 725 Output Profile: CV Mit dem netzkompensierten Überlastschutz reduzieren die TinySwitch-4-Geräte die maximale Überlastschwankung über den gesamten Eingangsspannungsbereich drastisch. Dies ist besonders hilfreich bei Anwendungen wie PC-Standby und CV-Adaptern zur Begrenzung der maximalen Ausgangsleistung während des Überlast-Fehlerzustands. Der TinySwitch-4 enthält auch einen 725-V-MOSFET, der bei Designs mit hoher reflektierter Spannung und hoher Busspannung problemlos ein De-Rating von 80 % ermöglicht. Über den BP/M-Pin kann die MOSFET-Strombegrenzung nach oben oder unten angepasst werden, so dass die Entwickler die Leistungsabgabe und den Wirkungsgrad in einer Vielzahl von physikalischen Implementierungen optimieren können. Eine On-Time-Extension-Funktion erweitert den Low-Line-Regelungsbereich, so dass die Hold-up-Zeit auch bei niedrigeren Werten der Eingangskapazität eingehalten werden kann. MOSFET mit 725 V Nennspannung Erhöht die BV-Derating-Marge Netzkompensierte Überlastleistung - keine zusätzlichen Komponenten Reduziert die maximale Überlastschwankung über den universellen Eingangsspannungsbereich drastisch ±5% Einschaltschwelle für UV: Erkennung der Netzspannung mit einem einzigen externen Widerstand Einfache ON/OFF-Steuerung, keine Schleifenkompensation erforderlich Wählbare Strombegrenzung durch BP/M-Kondensatorwert Ermöglicht optimale TinySwitch-4-Auswahl durch Austausch von Bauteilen ohne weitere Schaltungsumgestaltung Enge I2f-Parametertoleranz reduziert die Systemkosten Maximiert die Nutzung von MOSFETs und Magneten Verlängerung der Einschaltdauer - erweitert den Low-Line-Regelbereich/die Vorhaltezeit zur Reduzierung der Eingangskapazität Selbstvorgespannt: keine Vorspannungswicklung oder Vorspannungskomponenten Frequenz-Jittering reduziert die Kosten für EMI-Filter

Der IR 2112S ist ein Hochspannungs- , High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit unabhängigen Ausgangskanälen. Gehäuse: SOL-16

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drainstrom im Impuls: 1.2A Verlustleistung: 320mW Gate-Ladung: 0.39nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1.75Ω Gate-Source Spannung: 20V

【Auto-Modus: Einfach stecken, sofort erkennen】Nehmen Sie den Portable Transistor Tester, stecken Sie ein Bauteil ein und drücken TEST. Das Gerät wechselt in den Auto-Modus, erkennt automatisch Widerstand, Kondensator, Diode oder Transistor. Kein Einstellen, kein Rätsel. Der LCR Transistor Tester spart Zeit und macht Messungen intuitiv. 【NEC-Decodierung: Fernbedienungen prüfen】Halten Sie Ihre Fernbedienung an den LCR messgerat. Drücken Sie eine Taste – sofort erscheint Code und Wellenform. Prüfen Sie IR-Signale präzise, ideal für Reparaturen. Ihr Kondensator Tester wird so zum universellen Diagnose-Werkzeug. 【Entladeschutz: Sicherheit mit Hinweis】Vergessen, einen Kondensator zu entladen? Der kondensatorzähler entlädt ihn beim Einstecken automatisch – das schützt vor Durchbrennen. Diese Funktion ist nur eine Sicherheitsreserve. Zur korrekten Messung empfehlen wir: Kondensatoren stets manuell entladen. 【Rundum-Paket: Integrierter SMD-Sockel】Messen Sie NPN/PNP, MOSFETs, Dioden, Spulen – mit automatischer Pin-Belegung. DDank des integrierten SMD-Sockels entfällt das lästige Wechseln – und Sie müssen keine Angst haben, ihn zu verlieren. Ein LCR Transistor Tester, der alles kann – perfekt für Entwickler, Studenten und Reparaturprofis. 【USB-C Akku: Immer einsatzbereit】Keine 9V-Blockbatterien mehr. Der 300-mAh-Akku lädt über USB-C (5V/1A) – am Laptop oder Netzteil. Das kompakte Portable Transistor Tester ist schnell voll und stets bereit. Ideal für Werkstatt, Labor oder unterwegs.

Der IR 2181S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber. Die Logik-Eingänge sind kompatibel mit den Standard CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis zu 3,3 V. Gehäuse: SO-8

Die IR2104S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung . 3,3 V, 5V und 15V-Eingang Logik kompatibel . Intern gesetzte deadtime . High-Side-Ausgang in Phase mit Eingang . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle

Die IR2132S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für alle Kanäle . Überstrom-Abschaltung . Unabhängige Halbbrücken-Treiber . Abgestimmt Laufzeitverzögerung für alle Kanäle . 2,5 V-Logik kompatibel . Ausgänge aus der Phase mit Eingängen

DC-OK-Signal Remote Funktion Remote Sense Der isolierte 2-W-DC/DC-Wandler der Serie R24C2T25 ist eine vielseitige Lösung für isolierte Gate-Bias-Spannungen, insbesondere für Transistoren wie IGBTs, Si und SiC MOSFETs und Cascode GaNs entwickelt. Mit hoher 3kVAC/1min Isolierung, hoher 150kV/µs CMTI und bemerkenswerter Stabilität bis zu 125°C (0,5W) bietet er überragende Zuverlässigkeit, selbst unter rauen Hochleistungs- und Hochfrequenz Schaltumgebungen. Alle diese außergewöhnlichen Eigenschaften sind in einem kompakten SMD-Formfaktor von 7,5 x 12,83 mm untergebracht, was ihn zu einer idealen Wahl für alle Anforderungen an isolierte Gate-Vorspannungen macht. Recom

Die IR2101S/IR2102S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung . 3,3 V, 5V, 15V und Logik-Eingang kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . Ausgänge in Phase mit den Eingängen (IR2101) oder aus Phase bei den Eingängen (IR2102)

Die IR2106S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für beide Kanäle . 3,3 V, 5V und 15V-Eingang Logik kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . bessere Störsicherheit . Ausgänge in Phase mit den Eingängen

"Transistoren- & Bauteiltester für vielseitige Messungen FNIRSI LCR-P1 ermöglicht die Analyse und Messung von SMD-Komponenten, NPN-/PNP-Transistoren, Trioden, MOSFETs, FETs, Dioden, Zenerdioden, Kondensatoren, Widerständen, Induktivitäten und Batterien. Benutzerfreundliches Design mit austauschbarem Testsockel: Der austauschbare Testsockel ermöglicht die Messung von kleinen Präzisionsbauteilen bis hin zu leistungsstarken Komponenten. Ausgestattet mit einem 1,44-Zoll-Farbdisplay, 300-mAh-Akku, USB-C-Anschluss für Laden und Datenübertragung sowie Firmware-Upgrade. Schutzmechanismus gegen Beschädigungen: Der ESR- und Komponententester erkennt automatisch nicht entladene Kondensatoren und entlädt sie beim NEC-Infrarot-Protokollanalyse: Der FNIRSI LCR-P1 unterstützt die Analyse von NEC-Infrarot-Codes und eignet sich für die Fehlersuche, Wartung und Reparatur von Fernbedienungen und Infrarotgeräten. Intelligente automatische Bauteilerkennung: Der Komponententester erkennt automatisch Pinbelegung, Modell und wichtige Parameter von Bauteilen und ermöglicht eine schnelle Analyse, wodurch die Arbeitseffizienz bei Elektronikreparaturen verbessert wird.

Die IR2184S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung für beide Kanäle . 3,3 V und 5V-Eingang Logik kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . Geringere di / dt-Gate-Treiber für eine bessere Störsicherheit

Die IR2101S/IR2102S sind Hochspannungs-, High-Speed-Leistungs-MOSFET-und IGBT-Treiber mit unabhängigen High and Low Side verwiesenen Ausgangskanälen. . Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb ausgelegt . Gate-Treiber liefern Bereich von 10 bis 20V . Abschaltung bei Unterspannung . 3,3 V, 5V, 15V und Logik-Eingang kompatibel . Abgestimmte Signallaufzeit für beide Kanäle . Ausgänge in Phase mit den Eingängen (IR2101) oder aus Phase bei den Eingängen (IR2102)

LNK362-364 LinkSwitch-XT Familie LinkSwitch-XT verfügt über einen 700-V-Leistungs-MOSFET, Oszillator, ein einfaches ON/OFF-Steuerungsschema, eine Hochspannungs geschaltete Stromquelle, Frequenz-Jittering, zyklusweise Strombegrenzung und thermische Abschaltung in einem einem monolithischen IC. Die Anlauf- und Betriebsleistung wird direkt vom DRAIN-Pin abgeleitet, wodurch eine Vorspannungswicklung Vorspannungswicklung und zugehörige Schaltungen entfallen. Technische Merkmale Details: Energy Efficient, Low Power Off-Line Switcher IC Pinanzahl: 7 Eingangsspannung: 85 - 265 V Ausgangsleistung Adapter: 2,6 W Ausgangsleistung open Frame: 2,6 W Drainspannung: -0,3 - 700 V Feedbackspannung: 1,65 V Durchbruchspannung: 700 V Drain-Spitzenstrom: 200 mA Feedbackstrom: 100 mA Drain-Source-Durchlasswiderstand @ Tj 25/100 °C: 48/76 Ohm Ausgangsfrequenz: 132 kHz Betriebstemperatur: -40 - 150 °C

TNY274-280 TinySwitch-Familie Energieeffizienter Offline-Switcher mit erhöhter Flexibilität und erweitertem Leistungsbereich Produkt-Highlights Geringste Systemkosten bei erhöhter Flexibilität . Einfache EIN/AUS-Regelung, keine Schleifenkompensation erforderlich. . Wählbare Stromgrenze durch BP/M-Kondensatorwert - Höhere Strombegrenzung erweitert die Spitzenleistung oder, bei Open-Frame-Anwendungen, die maximale Dauerleistung - Untere Strombegrenzung verbessert den Wirkungsgrad in geschlossenen Adaptern/Ladegeräten - Ermöglicht eine optimale TinySwitch-III-Auswahl durch Austausch von Geräten ohne weitere Schaltungsänderung . Enge I2f-Parametertoleranz reduziert die Systemkosten - Maximiert die Leistungsabgabe von MOSFETs und Magneten - Minimiert die maximale Überlastleistung und reduziert die Kosten für Transformator, Primärklemme und Sekundärkomponenten . ON-Zeit-Verlängerung - erweitert den Regelbereich/Haltezeit bei niedrigen Leitungslängen, um die Eingangsmassenkapazität zu reduzieren . Selbstvorspannung: keine Vorspannungswicklung oder Vorspannungskomponenten . Frequenzzittern reduziert die Kosten für EMI-Filter . Pinbelegung vereinfacht den Kühlkörper auf der Leiterplatte . SOURCE Pins sind elektrisch leise für niedrige EMI Erweiterte Sicherheit und Zuverlässigkeitsmerkmale . Präziser hysteretischer thermischer Abschaltschutz mit automatischer Wiederherstellung macht eine manuelle Rückstellung überflüssig . Verbesserter automatischer Wiederanlauf liefert