leistungs mosfet

IRFP250NPbF HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibungen: HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungen den Einsatz von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO-247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Vollständige Avalanche-Bewertung . Einfaches Parallelisieren . Einfache Antriebsanforderungen . TO-247AC . Bleifrei

TQM110NB04DCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IRFP260NPbF HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier/Infineon nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen eingesetzt, bei denen höhere Leistungen die Verwendung von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO-247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Vollständige Avalanche-Bewertung . Einfaches Parallelisieren . Einfache Antriebsanforderungen . Bleifrei

TQM076NH04LDCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

HEXFET-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . Gattersteuerung auf Logikniveau . dynamische dv/dt-Bewertung . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-geeignet . bleifrei

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.

Die fortschrittlichen HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauteil für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das für Chipgrößen Größen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den niedrigsten On-Widerstand in jedem bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das D2Pak ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann bis zu 2,0 W in einer typischen Oberflächenmontageanwendung ableiten. Die Durchgangslochversion (IRF3710L) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . volle Avalanche-Bewertung . bleifrei

TQM076NH04DCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

30 V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 3,3 x 3,3 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei Anwendungen Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Stromschaltung Hart geschaltete Hochfrequenzschaltungen

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei Anwendungen Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Stromschaltung Hart geschaltete Hochfrequenzschaltungen

Leistungs-MOSFET PowerTrench Merkmale Niedrige Miller-Ladung Körperdiode mit niedrigem Qrr-Wert (Reverse Recovered Charge) UIS-Fähigkeit (Einzelimpuls und wiederholter Impuls) Pb-frei und RoHS-konform Anwendungen Synchrone Gleichrichtung Batterieschutzschaltungen Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen Mikro-Solar-Wechselrichter

IRFP 9140, Leistungs-MOSFET Beschreibung Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-247AC-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungspegel den Einsatz von TO-220AB-Bauteilen ausschließen. Das TO-247AC-Gehäuse ähnelt dem früheren TO-218-Gehäuse, ist ihm aber aufgrund seiner isolierten Aussparung überlegen. Außerdem bietet es eine größere Kriechstrecke zwischen den Pins, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsspezifikationen zu erfüllen. Merkmale . Dynamische dV/dt-Bewertung . Nennwert für wiederholte Lawinen . P-Kanal . Isolierte zentrale Montagebohrung . 175 °C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Einfaches Parallelisieren . Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

30V Dual N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 2x2 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.

Dieser Satz enthält 10 Stück IRFZ44N Leistungs-MOSFET-Transistoren in N-Kanal-Technologie. Ideal für verschiedene elektronische Schaltungen und Anwendungen, die eine zuverlässige Leistungsschaltung erfordern.Typ: N-Kanal MOSFETDrainstrom (Id): 49A (kontinuierlich 41A, Puls 160A)Drain-Source-Spannung (Vds): 55VMaximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 21VLeistungsaufnahme: 83WGehäusetyp: TO-220ABAnzahl der Pins: 3Pin-Abstand: 2,54 mmMontageart: Durchsteckmontage (THT)

Leistungs-MOSFET MERKMALE - Niedrige Gate-Ladung Qg ergibt einfache Ansteuerungsanforderung - Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit - Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Lawinenspannung und -strom - Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC ANWENDUNGEN - Schaltnetzteil (SMPS) - Unterbrechungsfreie Stromversorgung - Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil TYPISCHE SMPS-TOPOLOGIEN - Vollbrücken-Wandler - Leistungsfaktorkorrektur-Boost

HEXFET-Leistungs-MOSFET Anwendungen Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen Vorteile Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Erhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode

HEXFET-Leistungs-MOSFET Anwendungen Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen Vorteile Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Erhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode

IRFB4710PbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteile . Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung der Schaltverluste - Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich effektivem Coss zur Vereinfachung des Designs . Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und Strom Anwendungen . Hochfrequenz DC/DC-Wandler . Motorsteuerung . Nicht unterbrechbare Stromversorgungen . Bleifrei

IXTH11P50, Leistungs-MOSFETs, P-Kanal-Verstärkungsmodus Merkmale . Internationale Standard-Gehäuse . Niedriger RDS (on) HDMOSTM-Prozess . Robuste Polysilizium-Gatezellenstruktur . Avalanche-tauglich . Niedrige Gehäuse-Induktivität - einfach zu steuern und zu schützen Vorteile . Einfach zu montieren . Platzersparnis . Hohe Leistungsdichte

IXTP80N10T, TrenchTM Leistungs-MOSFET Merkmale: . Ultra-niedriger Einschaltwiderstand . Avalanche-Bewertung . Niedrige Gehäuse-Induktivität - einfach zu betreiben und zu schützen . 175°C Betriebstemperatur . Schnelle intrinsische Diode Vorteile . Einfach zu montieren . Platzersparnis . Hohe Leistungsdichte Anwendungen . Automobil - Motorantriebe - 42-V-Strombus - ABS-Systeme . DC/DC-Wandler und Offline-USV . Primärschalter für 24V- und 48V-Systeme . Verteilte Leistungsarchitekturen und VRMs . Elektronische Ventiltriebsysteme . Hochstrom-Schaltanwendungen . Hochspannungs-Synchronverstärker

StrongIRFET IRFB7434PbF , HEXFET Leistungs-MOSFET Leistungen . Verbesserte Robustheit des Gate, Avalanche und dynamischer dV/dt . Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA . Erweiterte Körperdiode dV/dt und dI/dt Fähigkeit . Bleifrei* . RoHS-konform, halogenfrei* Anwendung . Antriebsanwendungen mit bürstenbehaftetem Motor . BLDC Motorantriebsanwendungen . Batteriebetriebene Schaltkreise . Halbbrücken- und Vollbrückentopologien . Synchrongleichrichter-Anwendungen . Resonanzmodus-Stromversorgungen . ODER-Verknüpfung und redundante Leistungsschalter . DC/DC- und AC/DC-Wandler . DC/AC-Wechselrichter

Die HEXFETÆ Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak ist für Hochstromanwendungen geeignet, da es niedrigen internen Verbindungswiderstand und kann bis zu bis zu 2,0 W in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung. Die Durchgangslochversion (IRF1404L) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . Oberflächenmontage (IRF 1310NS) . flache Durchgangsbohrung (IRF 1310NL) . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich

SiHP22N60E, E-Serie Leistungs-MOSFET Merkmale: . Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg . Niedrige Eingangskapazität (Ciss) . Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste . Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg) . Avalanche-Energie bewertet (UIS) . Materialkategorisierung: für Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com Anwendungen: . Server- und Telekommunikationsnetzteile . Schaltnetzteile (SMPS) . Stromversorgungen mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC) . Beleuchtung - Hochintensive Entladung (HID) - Leuchtstoffröhren-Beleuchtung . Industriell - Schweißen - Induktive Erwärmung - Motorantriebe - Batterie-Ladegeräte - Erneuerbare Energie - Solar (PV-Wechselrichter)

HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteile: . Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS . Ultra-niedrige Gate-Impedanz . Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und Strom . Bleifrei Anwendungen: . Optimiert für USV/Inverter-Anwendungen . Isolierte Hochfrequenz-DC-DC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung für Telekommunikations- und Industrieanwendungen . Elektrowerkzeuge

Leistungs-MOSFET PowerTrench Dieser N-Kanal-MOSFET ist mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Verfahren von Fairchild Semiconductor hergestellt, das auf die Minimierung des Einschaltwiderstands bei gleichzeitiger Beibehaltung einer hervorragenden Schaltleistung zugeschnitten ist. Merkmale Schnelle Schaltgeschwindigkeit Niedrige Gate-Ladung Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrige RDS(on) Hohe Leistung und Strombelastbarkeit RoHS-konform Anwendungen Synchrone Gleichrichtung für ATX / Server / Telecom PSU Batterieschutzschaltung Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung des einzigartigen streifenbasierten "Single Feature Size"-Prozesses von STMicroelectronics. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen Einschaltwiderstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf, was zu einer bemerkenswerten Reproduzierbarkeit bei der Herstellung führt. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . Anwendungsorientierte Charakterisierung Anwendungen . Schaltanwendung

Fotovoltaik-Relais MOSFET-Ausgang Das Photovoltaik-Relais der Serie PVG612 ist ein einpoliges, normalerweise offenes Solid-State-Relais, das in vielen elektromechanische Relais in vielen Anwendungen ersetzen kann. Es nutzt den International Rectifier's proprietärer HEXFET Leistungs-MOSFET von International Rectifier als Ausgangsschalter, der von einem Photovoltaik-Generator mit integrierter Schaltung und neuartiger Konstruktion. Der Ausgangsschalter wird durch die Strahlung von einer GaAlAs-Leuchtdiode (LED) gesteuert die optisch vom photovoltaischen Generator isoliert ist Generator isoliert ist. Wichtige Merkmale rückprallfreier Betrieb hohe Strombelastbarkeit hoher Aus-Zustands-Widerstand linearer AC/DC-Betrieb 4000 VRMS E/A-Isolierung Solid-State-Zuverlässigkeit

IRFR1018EPbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteile . Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit . Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA . Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Anwendungen . Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS . Unterbrechungsfreie Stromversorgung . Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil . Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen