leistungs mosfet

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei Anwendungen Anwendungen für bürstenbehaftete Motorantriebe Anwendungen für BLDC-Motorantriebe Batteriebetriebene Schaltungen Halbbrücken- und Vollbrückentopologien Synchrongleichrichter-Anwendungen Stromversorgungen im Resonanzmodus OR-ing und redundante Leistungsschalter DC/DC- und AC/DC-Wandler DC/AC-Wechselrichter

IRFR1018EPbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteile . Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit . Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA . Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Anwendungen . Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS . Unterbrechungsfreie Stromversorgung . Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil . Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler. Merkmale Industriestandard-Gehäuse für die Oberflächenmontage Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter

HEXFET Leistungs-MOSFET Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, hohe Schaltgeschwindigkeit und verbesserte repetitive Avalanche-Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen. Merkmale Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Dynamischer dv/dt-Wert 175°C Betriebstemperatur Schnelles Schalten Vollständig Avalanche bewertet Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, hohe Schaltgeschwindigkeit und verbesserte repetitive Avalanche-Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen. Merkmale Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Dynamischer dv/dt-Wert 175°C Betriebstemperatur Schnelles Schalten Vollständig Avalanche bewertet Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, hohe Schaltgeschwindigkeit und verbesserte repetitive Avalanche-Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen. Merkmale Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Dynamischer dv/dt-Wert 175°C Betriebstemperatur Schnelles Schalten Vollständig Avalanche bewertet Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, hohe Schaltgeschwindigkeit und verbesserte repetitive Avalanche-Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen. Merkmale Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Dynamischer dv/dt-Wert 175°C Betriebstemperatur Schnelles Schalten Vollständig Avalanche bewertet Bleifrei

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler. Merkmale Industriestandard-Gehäuse für die Oberflächenmontage Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler. Merkmale Industriestandard-Gehäuse für die Oberflächenmontage Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter

Leistungs-MOSFET PowerTrench Dieser N-Kanal-MOSFET ist mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Verfahren von Fairchild Semiconductor hergestellt, das auf die Minimierung des Einschaltwiderstands bei gleichzeitiger Beibehaltung einer hervorragenden Schaltleistung zugeschnitten ist. Merkmale Schnelle Schaltgeschwindigkeit Niedrige Gate-Ladung Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrige RDS(on) Hohe Leistung und Strombelastbarkeit RoHS-konform Anwendungen Synchrone Gleichrichtung für ATX / Server / Telecom PSU Batterieschutzschaltung Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen Micor Solar Wechselrichter

Leistungs-MOSFET N-Kanal-Erweiterungsmodus Avalanche-Bewertung Schneller Intrinsic-Gleichrichter Merkmale Internationales Standard-Gehäuse miniBLOC, mit Aluminiumnitrid-Isolation 175°C Betriebstemperatur Isolationsspannung 2500 V~ Hochstrom-Handhabungsfähigkeit Schnelle Intrinsische Diode Avalanche bewertet Niedriger RDS(on) Vorteile Einfach zu montieren Platzersparnis Hochleistungsdichte Anwendungen DC-DC-Wandler und Off-Line USV Primärseitenschalter Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen

Kabelsatz – 9 m Lautsprecherkabel, 6 m, 8 GA rotes Stromkabel, 4,9 m, 18 GA blaues Einschaltdraht, 0,9 m, 8 GA schwarzes Erdungskabel, Wettkampf-Qualität, Sicherungshalter mit AGU-Sicherung Kabelsatz fortgesetzt – 10 5/16 Zoll und 1/4 Zoll Ringkabelschuhe, 1,8 m, geteilter Webrahmen, 3 Gummitüllen, 20 10,2 cm Drahtbinder, 6 m High Performance Blue RCA (TRCA) Interconnect Verstärkerleistung – 1100 Watt max x 1 @ 2 Ohm, 550 Watt max x 1 @ 4 Ohm MOSFET STROMVERSORGUNG - Ein MOSFET ist ein elektrischer Schalter, der den Durchfluss von elektrischem Strom ermöglicht. Es kontrolliert die Ausgangsspannung und den Strom genau, indem der Ausgangsstrom-Sensor-Verlust entfernt wird und alle sekundären Feedback-Schaltungen eliminiert werden. Variable Low-Pass Crossover – Subwoofer reproduzieren Sound basierend auf einer Reihe von verschiedenen Frequenzen mit niedriger Reichweite. Sie können genaue Klangspezifikationen für die Bassfrequenzwiedergabe einstellen. Internationale Produkte haben separate Bedingungen, werden aus dem Ausland verkauft und können sich von lokalen Produkten unterscheiden, einschließlich Passform, Alterseinstufungen und Sprache des Produkts, Kennzeichnung oder Anweisungen.

Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-247AC-Gehäuse wird bevorzugt für industriellen Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungs Leistungspegel die Verwendung von TO-220AB-Bauteilen ausschließen. Das TO-247AC ist ähnlich, aber dem früheren TO-218 Gehäuse, weil es eine isolierte Montageöffnung hat. Es bietet außerdem eine größere Kriechstrecke zwischen den Stiften, um die die Anforderungen der meisten Sicherheitsspezifikationen zu erfüllen. Eigenschaften - Dynamische dV/dt-Bewertung - Bemessung für wiederholte Lawinenabgänge - Isolierte zentrale Montagebohrung - Schnelles Schalten - Leichte Parallelisierung - Einfache Antriebsanforderungen

600V Cool MOS C7 Leistungs-MOSFET CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-LeistungsMOSFETs, die nach dem Superjunction-Prinzip (SJ) und Pionierarbeit von Infineon Technologies entwickelt wurde. Merkmale Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC) Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit bis 120V/ns Erhöhter Wirkungsgrad durch das klassenbeste FOM RDS(on)*Eoss und RDS(on)*Qg Klassenbester RDS(on) /Gehäuse Anwendungen PFC-Stufen und PWM-Stufen (TTF, LLC) für Hochleistungs-/LeistungsSMPS, z. B. für Computer, Server, Telekommunikation, USV und Solar.

Leistungs-MOSFET UniFET UniFETTM MOSFET ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die auf der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie basiert. Dieser MOSFET ist darauf zugeschnitten, den Einschaltwiderstand zu reduzieren und eine bessere Schaltleistung sowie eine höhere Avalanche-Energiestärke zu bieten. Diese Bauelementenfamilie eignet sich für Schaltnetzteilanwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), TV-Stromversorgung für Flachbildschirme (FPD), ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte. Anwendungen LCD/LED/PDP TV Beleuchtung Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Cool MOS C6 Leistungs-MOSFET CoolMOS C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Merkmale Äußerst geringe Verluste durch sehr niedrige Leistungszahl R DS(on) Q g und Eoss Sehr hohe Kommutierungs-Robustheit Einfach zu bedienen JEDEC qualifiziert, Pb-freie Bleibeschichtung, Halogenfrei Anwendungen PFC-Stufen, hart/resonant schaltende PWM-Stufen für z.B. PC Silver Box, Adapter, LCD & PDP TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und UPS.

STP55NF06L, STB55NF06L - STB55NF06L-1 Beschreibung Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-Prozess auf Streifenbasis. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte und damit eine bemerkenswerte Fertigungsreproduzierbarkeit. Merkmale . Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . Anwendungsorientierte Charakterisierung

Beschreibung Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung des einzigartigen streifenbasierten "Single Feature Size"-Prozesses von STMicroelectronics. Der daraus resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf, was zu einer bemerkenswerten Reproduzierbarkeit bei der Herstellung führt. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . niedrige Schwellenansteuerung Anwendungen . Schaltanwendungen

STB80NF10; STP80NF10 Diese mit STMicroelectronics einzigartigem STripFET-Prozess realisierte Leistungs-MOSFET-Serie wurde speziell zur Minimierung der Eingangskapazität Eingangskapazität und Gate-Ladung zu minimieren. Sie eignet sich daher als Primärschalter in fortschrittlichen isolierten DC/DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen. Er ist auch für alle Anwendungen geeignet, die eine geringe Gate-Ladung erfordern. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet Anwendungen . Schaltanwendungen

Neun N-Kanal-Transistoren und ein P-Kanal-Transistoren mit sehr geringem Widerstand im Zustand, der durch Siliziumzone verläuft. Dynamische DV/DT-Bewertung, robust Dieses Set enthält 50 Transistoren und 10 IRF-Serien, nur eine perfekte Kombination, um Ihre Bedürfnisse zu erfüllen. Jedes Transistormodell ist zur einfachen Identifizierung deutlich gekennzeichnet. Profis und Amateure wissen, dass Leistungs-MOSFETs extreme Effizienz und Zuverlässigkeit bieten.

Leistungs-MOSFET UniFET UniFETTM MOSFET ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die auf der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie basiert. Dieser MOSFET ist darauf zugeschnitten, den Einschaltwiderstand zu reduzieren und eine bessere Schaltleistung sowie eine höhere Avalanche-Energiestärke zu bieten. Diese Bauelementenfamilie eignet sich für Schaltnetzteilanwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), TV-Stromversorgung für Flachbildschirme (FPD), ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte. Anwendungen PDP TV Beleuchtung Unterbrechungsfreie Stromversorgung AC-DC Stromversorgung

Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . Dynamische dV/dt-Bewertung . fortschrittliche Prozesstechnologie . Schnelles Schalten . 175°C Betriebstemperatur . voll Avalanche-tauglich . bleifrei

IRLB3034PbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteile . Optimiert für Logic Level Drive . Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5V VGS . Überlegener R*Q bei 4,5V VGS . Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit . Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA . Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit . Bleifrei Anwendungen . DC-Motor-Antrieb . Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS . Unterbrechungsfreie Stromversorgung . Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil . Hart geschaltete und hochfrequente Schaltungen

Cool MOS C6 Leistungs-MOSFET CoolMOS C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Merkmale Äußerst geringe Verluste durch sehr niedrige Leistungszahl R DS(on) Q g und Eoss Sehr hohe Kommutierungs-Robustheit Einfach zu bedienen JEDEC qualifiziert, Pb-freie Bleibeschichtung, Halogenfrei Anwendungen PFC-Stufen, hart/resonant schaltende PWM-Stufen für z.B. PC Silver Box, Adapter, LCD & PDP TV,

IRF5210S , HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung Dieses Design zeichnet sich durch eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein verbessertes Repetitive-Avalanche-Rating aus. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von anderen Anwendungen. Merkmale . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra niedriger Ein-Widerstand . 150°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt . Einige Parameter sind anders als beim IRF5210S/L . P-Kanal . Bleifrei

IXFN82N60P Leistungs-MOSFET N-Kanal-Erweiterungsmodus Avalanche-Bewertung Schneller Intrinsic-Gleichrichter Merkmale . Internationales Standard-Paket . miniBLOC, mit Aluminiumnitrid-Isolation . Dynamische dv/dt Bewertung . Lawinen-Bewertung . Schneller Intrinsic-Gleichrichter . Niedriges RDS(on) . Niedrige Drain-to-Tab-Kapazität . Niedrige Packungsinduktivität Vorteile . Leicht zu montieren . Platzersparnis Applikationen . DC-DC-Wandler . Batterie-Ladegeräte . Schaltnetz- und Resonanzmodus-Stromversorgungen . Unterbrechungsfreie Stromversorgungen . AC-Motor-Antriebe . Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen

Leistungs-MOSFET N-Kanal Logic Level Es handelt sich um N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungs-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus, die speziell für den Einsatz mit Treiberquellen auf Logikniveau (5 V) in Anwendungen wie programmierbaren Steuerungen, Automobilschaltungen und Magnetventil-Treibern entwickelt wurden. Diese Leistung wird durch ein spezielles Gate-Oxid-Design erreicht, das bei Gate-Vorspannungen im Bereich von 3V bis 5V volle Leitfähigkeit bietet und damit eine echte Ein-Aus-Leistungssteuerung direkt von den Versorgungsspannungen der Logikschaltungen ermöglicht. Merkmale Optimiertes Design für 5V-Gate-Treiber Kann direkt von QMOS-, NMOS- und TTL-Schaltungen angesteuert werden Kompatibel mit Automotive-Antriebsanforderungen SOA ist in der Verlustleistung begrenzt Schaltgeschwindigkeiten im Nanosekundenbereich Lineare Übertragungseigenschaften Hohe Eingangsimpedanz Mehrheits-Trägerbauelement

Cool MOS C6 Leistungs-MOSFET CoolMOS C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Merkmale Äußerst geringe Verluste durch sehr niedrige Leistungszahl R DS(on) Q g und Eoss Sehr hohe Kommutierungs-Robustheit Einfach zu bedienen JEDEC qualifiziert, Pb-freie Bleibeschichtung, Halogenfrei Anwendungen PFC-Stufen, hart/resonant schaltende PWM-Stufen für z.B. PC Silver Box, Adapter, LCD & PDP TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und UPS.

Cool MOS C6 Leistungs-MOSFET CoolMOS C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Merkmale Äußerst geringe Verluste durch sehr niedrige Leistungszahl R DS(on) Q g und Eoss Sehr hohe Kommutierungs-Robustheit Einfach zu bedienen JEDEC qualifiziert, Pb-freie Bleibeschichtung, Halogenfrei Anwendungen PFC-Stufen, hart/resonant schaltende PWM-Stufen für z.B. PC Silver Box, Adapter, LCD & PDP TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und UPS.

Cool MOS C6 Leistungs-MOSFET CoolMOS C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Merkmale Äußerst geringe Verluste durch sehr niedrige Leistungszahl R DS(on) Q g und Eoss Sehr hohe Kommutierungs-Robustheit Einfach zu bedienen JEDEC qualifiziert, Pb-freie Bleibeschichtung, Halogenfrei Anwendungen PFC-Stufen, hart/resonant schaltende PWM-Stufen für z.B. PC Silver Box, Adapter, LCD & PDP TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und UPS.