leistungs mosfet

650V Cool MOS C7 Leistungs-MOSFET Die CoolMOSC7-Serie bietet alle Vorteile von schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an mit besserer Effizienz, geringerer Gate-Ladung, einfacher Implementierung und hervorragender Zuverlässigkeit. Merkmale Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit Besserer Wirkungsgrad durch klassenbeste FOM RDS(on)*Eoss und RDS(on)*Qg Klassenbester RDS(on)/Gehäuse Einfache Verwendung/Ansteuerung durch Treiber-Source-Pin zur besseren Steuerung des Gate Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22) Anwendungen PFC-Stufen und hart schaltende PWM-Stufen für z.B. Computer, Server, Telekommunikation, USV und Solar.

Cool MOS C6 Leistungs-MOSFET CoolMOS C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Merkmale Äußerst geringe Verluste durch sehr niedrige Leistungszahl R DS(on) Q g und Eoss Sehr hohe Kommutierungs-Robustheit Einfach zu bedienen JEDEC qualifiziert, Pb-freie Bleibeschichtung, Halogenfrei Anwendungen PFC-Stufen, hart/resonant schaltende PWM-Stufen für z.B. PC Silver Box, Adapter, LCD & PDP TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und UPS.

Cool MOS C6 Leistungs-MOSFET CoolMOS C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Merkmale Äußerst geringe Verluste durch sehr niedrige Leistungszahl R DS(on) Q g und Eoss Sehr hohe Kommutierungs-Robustheit Einfach zu bedienen JEDEC qualifiziert, Pb-freie Bleibeschichtung, Halogenfrei Anwendungen PFC-Stufen, hart/resonant schaltende PWM-Stufen für z.B. PC Silver Box, Adapter, LCD & PDP TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und UPS.

Cool MOS C6 Leistungs-MOSFET CoolMOS C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler. Merkmale Äußerst geringe Verluste durch sehr niedrige Leistungszahl R DS(on) Q g und Eoss Sehr hohe Kommutierungs-Robustheit Einfach zu bedienen JEDEC qualifiziert, Pb-freie Bleibeschichtung, Halogenfrei Anwendungen PFC-Stufen, hart/resonant schaltende PWM-Stufen für z.B. PC Silver Box, Adapter, LCD & PDP TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und UPS.

STB80NF10; STP80NF10 Diese mit STMicroelectronics einzigartigem STripFET-Prozess realisierte Leistungs-MOSFET-Serie wurde speziell zur Minimierung der Eingangskapazität Eingangskapazität und Gate-Ladung zu minimieren. Sie eignet sich daher als Primärschalter in fortschrittlichen isolierten DC/DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen. Er ist auch für alle Anwendungen geeignet, die eine geringe Gate-Ladung erfordern. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . 100% Avalanche-getestet . anwendungsorientierte Charakterisierung Anwendungen . Schaltanwendungen

-100V 1-fach-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse Beschreibung: Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150°C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholrate. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl anderer Anwendungen. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger On-Widerstand . 150°C Betriebstemperatur . Schnelles Umschalten . Wiederholungslawine bis Tjmax erlaubt . Einige Parameter unterscheiden sich von IRF9540NS/L . P-Kanal . Bleifrei

650V Cool MOS C7 Leistungs-MOSFET Die CoolMOSC7-Serie bietet alle Vorteile von schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs an mit besserer Effizienz, geringerer Gate-Ladung, einfacher Implementierung und hervorragender Zuverlässigkeit. Merkmale Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit Besserer Wirkungsgrad durch klassenbeste FOM RDS(on)*Eoss und RDS(on)*Qg Klassenbester RDS(on)/Gehäuse Einfache Verwendung/Ansteuerung durch Treiber-Source-Pin zur besseren Steuerung des Gate Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22) Anwendungen PFC-Stufen und hart schaltende PWM-Stufen für z.B. Computer, Server, Telekommunikation, USV und Solar.

Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . wiederholter Lawinenabgang bewertet . schnelles Schalten . einfache Antriebsanforderungen . einfache Parallelschaltung

Leistungs-MOSFET UniFET II UniFET TM II MOSFET ist eine Hochspannungs-MOSFET-Serie von Fairchild Semiconductor, die auf fortschrittlicher planarer Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Diese fortschrittliche MOSFET-Serie hat den kleinsten Einschaltwiderstand unter den planaren MOSFETs und bietet außerdem eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energiestärke. Darüber hinaus ermöglicht die interne Gate-Source-ESD-Diode, dass der UniFET II MOSFET einer Stoßbelastung von über 2 kV HBM standhält. Diese Bauelementenserie eignet sich für Schaltnetzteilanwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), TV-Stromversorgung für Flachbildschirme (FPD), ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte. Anwendungen LCD/LED/PDP TV Beleuchtung Unterbrechungsfreie Stromversorgung AC-DC-Stromversorgung

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage vorgesehen. Verlustleistung bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage Anwendungen möglich. Eigenschaften . Logic Level Gate Drive . Oberflächenmontage (IRLR2905) . gerade Leitung (IRLU2905) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche Rated . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlüssen (Serie IRFU) ist für die Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Eigenschaften . extrem niedriger On-Widerstand . Oberflächenmontage (IRFR3303) . gerader Anschluss (IRFU3033) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird für kommerziell-industrielle Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungspegel die Verwendung von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO_247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . 175°C Betriebstemperatur . dynamische dv/dt-Bewertung . bleifrei . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt.Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . extrem niedriger Widerstand . dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . P-Kanal . volle Avalanche-Bewertung . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird für kommerziell-industrielle Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungspegel die Verwendung von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO_247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . 175°C Betriebstemperatur . dynamische dv/dt-Bewertung . bleifrei . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich

Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . wiederholter Lawinenabgang bewertet . schnelles Schalten . einfache Antriebsanforderungen . einfache Parallelschaltung

Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-247AC-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungspegel den Einsatz von TO-220AB-Bauteilen ausschließen. Das TO-247AC-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber überlegen, da es eine isolierte Montageöffnung hat. Außerdem bietet es größere Kriechstrecken zwischen den Stiften, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsspezifikationen zu erfüllen. Eigenschaften . dynamische dV/dt-Bewertung . nennwert für wiederholte Lawinen . iIsolierte zentrale Montagebohrung . schnelles Schalten . einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen . entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-218-Gehäuse wird für kommerziell-industrielle Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungspegel die Verwendung von TO-218-Bauteilen ausschließen. Das TO_218 -Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Eigenschaften . 175°C Betriebstemperatur . Einfache Antriebsanforderungen . dynamische dv/dt-Bewertung . isoliertes zentrales Montageloch . schnelles Schalten

Half bridge gate driver / Halbbrücken Gate-Treiber Beschreibung: Der L6393 ist ein Hochspannungsgerät, das mit mit der BCD "Offline"-Technologie hergestellt. Er ist ein Einzel Chip-Halbbrücken-Gate-Treiber für den N-Kanal Leistungs-MOSFET oder IGBT.Der High-Side (erdfreie) Teil ist ausgelegt für eine Spannungsschiene bis zu 600 V aushalten.Die Logikeingänge sind CMOS/TTL-kompatibel bis zu bis 3,3 V für die einfache Anbindung von Mikrocontroller/DSP.Der IC verfügt über einen Komparator ohne für den Schutz gegen Überstrom, Übertemperatur, etc. Wesentliche Merkmale: Hochspannungsschiene bis zu 600 V dV/dt-Immunität ± 50 V/nsec im gesamten Temperaturbereich Treiberstrom-Fähigkeit: 290 mA Quelle, 430 mA Senke Schaltzeiten 75/35 nsec Anstieg/Abfall mit 1 nF Last 3,3 V, 5 V CMOS/TTL-Eingangskomparatoren mit Hysterese Integrierte Bootstrap-Diode Ungekoppelter Komparator Einstellbare Totzeit Kompaktes und vereinfachtes Layout Reduzierung der Materialliste Flexibles, einfaches und schnelles Design

Leistungs-MOSFET SuperFET FRFET MOSFET SuperFET MOSFET ist die erste Generation der Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor, die die Ladungsausgleichstechnologie für eine hervorragende Leistung mit niedrigem Ein-Widerstand und geringerer Gate-Ladung nutzt. Diese Technologie ist darauf zugeschnitten, Leitungsverluste zu minimieren, eine überlegene Schaltleistung, dv/dt-Rate und eine höhere Avalanche-Energie zu bieten. Daher ist der SuperFET-MOSFET sehr gut für Schaltleistungsanwendungen wie PFC, Server-/Telekomleistung, FPD TV-Leistung, ATX-Leistung und industrielle Leistungsanwendungen geeignet. Durch die optimierte Rückspeiseleistung der Body-Diode des Super-FET FRFET MOSFET können zusätzliche Bauteile entfernt und die Systemzuverlässigkeit verbessert werden. Merkmale 650 V @ TJ = 150°C Typ. RDS(on) = 320 mOhm Schnelle Widerhestellungstyp Extrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 40 nC) Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 95 pF) 100% Avalanche-getestet RoHS-konform Anwendungen LCD/LED/PDP TV Solar-Wechselrichter Beleuchtung AC-DC-Stromversorgung

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird für kommerziell-industrielle Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungspegel die Verwendung von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO_247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . 175°C Betriebstemperatur . dynamische dv/dt-Bewertung . bleifrei . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe für verbesserte thermische Eigenschaften und Dual-Die-Fähigkeit modifiziert, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W ist in einer typischen PDB-Montageanwendung möglich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . extrem niedriger On-Widerstand . doppelter n-Kanal-MOSFET . Oberflächenmontage . dynamische dv/dt-Bewertung . erhältlich in Tape & Reel . schnelles Schalten

Leistungs-MOSFET SUPREMOS Der SUPREMOS MOSFET ist die nächste Generation der Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-Technologie von ON Semiconductor, bei der ein die sich von den herkömmlichen SJ-MOSFETs durch einen tiefen Grabenfüllprozess unterscheidet. Diese fortschrittliche Technologie und die präzise Prozesssteuerung sorgen für den niedrigsten Rsp-Einschaltwiderstand, hervorragende Schaltleistung und Robustheit. SUPREMOS MOSFETs eignen sich für Hochfrequenz-Schaltnetzteilanwendungen wie PFC, Server-/Telekom-Stromversorgung, FPD-TV-Stromversorgung, ATX-Stromversorgung und industrielle Stromversorgungsanwendungen. Merkmale 650 V @ TJ = 150°C Typ. RDS(on) = 140 mOhm Extrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 45 nC) Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 196,4 pF) 100% Avalanche-getestet Pb-frei und RoHS-konform Anwendungen PDP TV Solar-Wechselrichter AC-DC-Stromversorgung

HEXFETs der fünften Generation von international Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Die Durchgangslochversion (IRF9Z34NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . Oberflächenmontage (IRF9Z34NS) . Low-Profile-Durchgangsbohrung (IRF9Z34NL) . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . P-Kanal . voll Avalanche-geeignet

HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt.Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . dynamische dv/dt-Bewertung . wiederholte Avalanche-Bewertung . schnelles Schalten . einfache Ansteuerungsanforderungen . einfaches paralleles Schalten

Dieses MOSFET-Modul ist die ideale Lösung zur Steuerung von beheizten Betten und Extrudern in 3D-Druckern. Es ermöglicht eine direkte Regelung der Signale für Ramp1.4- und MKS-Serien und unterstützt dank des großen Kühlkörpers Ströme von bis zu 30A oder mehr.Großer Kühlkörper für eine bessere WärmeableitungMaximale Stromstärke bis zu 30A oder mehrHervorragende MOSFET-Leistung (max. 280A)Ermöglicht die direkte Steuerung der Signale für Ramp1.4- und MKS-SerienGeeignet für 5-24V digitale Signale zur Steuerung

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Leistung: 1.6W Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: DIP14 Ausschaltzeit: 145ns Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Topologie: MOSFET Harücke Montage: THT Versorgungsspannung: 10...20V DC Ausgangsstrom: -420...200mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Betriebstemperatur: -40...125°C Spannungsklasse: 600V Anschaltzeit: 205ns

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Leistung: 1.6W Ausgangsstrom: -600...290mA Betriebstemperatur: -40...125°C Montage: THT Versorgungsspannung: 10...20V DC Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: DIP14 Ausschaltzeit: 235ns Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Topologie: MOSFET Harücke Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Spannungsklasse: 600V Anschaltzeit: 320ns

Mehrkanal und Einzelkontrolle: Das kompakte 4-Kanal MOSFET Modul liefert vier unabhängige Kanäle, jedes MOSFET Treibermodul ordnet einen Eingang einem separaten Ausgang zu und sichert so klare Isolation zwischen Signalen; Dies ist eine SPS -Verstärker -Schaltkreisplatine, die die Motordrehzahl, die Helligkeit von Lampen usw. durch Eingabe von PWM steuert. Power +/- ist die Leistung des von der Ausgabe gesteuerten Geräts. Präzise PWM-Steuerung: Das robuste Mosfet-Leiterplatte Treibermodul bietet feinfühlige PWM-Verstärkung zur Regelung von Drehzahl oder Helligkeit; dieses MOSFET Treibermodul akzeptiert PLC-Signale und wandelt jedes Eingangssignal sauber in einen OUT+/OUT- Ausgang Anzeigelicht: Die SPS-Verstärker-Schaltkreisplatine hat Eingangs- und Ausgangssignalindikatoren, das Eingangssignal wird vollständig aus dem Ausgang isoliert und der Eingang wird an die Einzelchip I0, die SPS-Schnittstelle usw. Angeschlossen.Das vielseitige Mosfet-Leiterplatte ist speziell für PLC-Steuerungen ausgelegt; jedes MOSFET Treibermodul akzeptiert Einzelsignale und liefert daraus verstärkte OUT+/OUT- Ausgänge. Direkte Lastansteuerung: Das leistungsorientierte Mosfet-Leiterplatte erlaubt die direkte Versorgung von Motoren oder Magnetventilen über OUT+/OUT- Anschlüsse; jedes MOSFET Treibermodul wandelt Steuerimpulse in belastbare Ausgänge um, das 4-Kanal MOSFET Modul als PWM MOSFET Modul bietet klare Logikzuordnung pro Kanal und sichere -Ausführung. Antistatische Beutelverpackung: Das sorgfältig verpackte Mosfet-Leiterplatte kommt in antistatischer Tüte und schützt die-Platine; jedes MOSFET Treibermodul erfüllt die Quellangaben zur Schnittstellenbelegung (Einzel-Eingang zu Einzel-Ausgang) und das PWM MOSFET Modul unterstützt PLC-Steuerung. Das Ausgangsende der MOS-FET-Platte kann Hochleistungsgeräte, Motoren, Glühbirnen, LED-Streifen, DC-Motoren, Mikrowasserpumpen, Magnetventile usw. Steuern

Diese Digital Audio MosFET-Halbbrücke ist speziell für Class-D-Audioverstärkeranwendungen konzipiert. Er besteht aus zwei Leistungs-MOSFET-Schaltern, die in einer Halbbrücken-Konfiguration verbunden sind. Der neueste Prozess wird verwendet, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus wurden Gate-Ladung, Body-Diode-Reverse-Recovery und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Leistungsfaktoren von Class-D-Audioverstärkern wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Diese Kombination macht diese Halbbrücke zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässiges Bauteil für Class-D-Audioverstärkeranwendungen. Merkmale: . integriertes Halbbrückengehäuse . reduziert die Anzahl der Bauteile um die Hälfte . ermöglicht besseres PCB-Layout . optimierte Schlüsselparameter für Class-D Audioverstärkeranwendungen . niedriger RDS(ON) für verbesserten Wirkungsgrad . niedrige Qg und Qsw für besseren THD und verbesserten Wirkungsgrad . niedriges Qrr für besseren Klirrfaktor und geringere EMI . kann bis zu 300 W pro Kanal an eine 8O Last in Halbbrücken-Konfiguration Verstärker . Bleifreies Gehäuse

IRFI540NPbF , HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Power-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220 Full Pak macht zusätzliche isolierende Hardware in kommerziell-industriellen Anwendungen überflüssig. Die verwendete Vergussmasse sorgt für eine hohe Isolationsfähigkeit und einen geringen thermischen Widerstand zwischen dem Tab und dem externen Kühlkörper. Diese Isolierung entspricht der Verwendung einer 100-Mikron-Glimmer-Barriere bei Standard-TO-220-Produkten. Das Fullpak wird mit einem einzelnen Clip oder einer einzelnen Schraubbefestigung auf einem Kühlkörper montiert. Zielanwendungen . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Isoliertes Gehäuse . Hochspannungsisolation = 2,5KVRMS . Kriechstrecke zwischen Kühlkörper und Leiterplatte = 4,8 mm . Vollständig Avalanche-geeignet . Bleifrei