leistungs mosfet

Diese Digital Audio MosFET-Halbbrücke ist speziell für Class-D-Audioverstärkeranwendungen konzipiert. Er besteht aus zwei Leistungs-MOSFET-Schaltern, die in einer Halbbrücken-Konfiguration verbunden sind. Der neueste Prozess wird verwendet, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus wurden Gate-Ladung, Body-Diode-Reverse-Recovery und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Leistungsfaktoren von Class-D-Audioverstärkern wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Diese Kombination macht diese Halbbrücke zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässiges Bauteil für Class-D-Audioverstärkeranwendungen. Merkmale: . integriertes Halbbrückengehäuse . reduziert die Anzahl der Bauteile um die Hälfte . ermöglicht besseres PCB-Layout . optimierte Schlüsselparameter für Class-D Audioverstärkeranwendungen . niedriger RDS(ON) für verbesserten Wirkungsgrad . niedrige Qg und Qsw für besseren THD und verbesserten Wirkungsgrad . niedriges Qrr für besseren Klirrfaktor und geringere EMI . kann bis zu 300 W pro Kanal an eine 8O Last in Halbbrücken-Konfiguration Verstärker . Bleifreies Gehäuse

Leistungs-MOSFET SUPERFET II, FRFET SUPERFET II MOSFET ist ON Semiconductor's brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie, die die Charge Ladungsausgleichstechnologie nutzt, um einen besonders niedrigen Ein-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung zu erzielen. Diese Technologie ist darauf zugeschnitten, Leitungsverluste zu minimieren und eine überragende Schaltleistung, dv/dt-Rate und höhere Avalanche-Energie zu bieten. Daher eignet sich der SUPERFET II MOSFET sehr gut für Schaltleistungsanwendungen wie PFC, Server-/Telekom-Stromversorgung, FPD-TV-Stromversorgung, ATX-Stromversorgung und industrielle Stromversorgungsanwendungen. Die optimierte Sperrschichtdiodenleistung der SUPERFET II FRFET MOSFETs kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern. Merkmale 650 V @ TJ = 150°C Typ. RDS(on) = 65 mOhm Extrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 165 nC) Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 441 pF) 100% Avalanche-getestet Pb-frei und RoHS-konform Anwendungen Telekommunikations-/Server-Netzteile Industrielle Stromversorgungen EV-Ladegerät UPS/Solar

Leistungs-MOSFET SUPERFET II SUPERFET II MOSFET ist Fairchild Semiconductor's brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie, die die Charge Ladungsausgleichstechnologie nutzt, um einen besonders niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erzielen. Diese Technologie ist darauf zugeschnitten, Leitungsverluste zu minimieren und eine überragende Schaltleistung, dv/dt-Rate und höhere Avalanche-Energie zu bieten. Daher eignet sich der SUPERFET II MOSFET sehr gut für Schaltleistungsanwendungen wie PFC, Server-/Telekom-Stromversorgung, FPD-TV-Stromversorgung, ATX-Stromversorgung und industrielle Stromversorgungsanwendungen. Merkmale 650 V @ TJ = 150°C Typ. RDS(on) = 330 mOhm Extrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 30 nC) Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 95 pF) 100% Avalanche-getestet RoHS-konform Anwendungen LCD/LED/PDP TV Solar-Wechselrichter Beleuchtung AC-DC-Stromversorgung

Leistungs-MOSFET SUPERFET II, FRFET SUPERFET II MOSFET ist ON Semiconductor's brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie, die die Charge Ladungsausgleichstechnologie nutzt, um einen besonders niedrigen On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung zu erzielen. Diese Technologie ist darauf zugeschnitten, Leitungsverluste zu minimieren und eine überragende Schaltleistung, dv/dt-Rate und höhere Avalanche-Energie zu bieten. Daher eignet sich der SUPERFET II MOSFET sehr gut für Schaltleistungsanwendungen wie PFC, Server-/Telekom-Stromversorgung, FPD-TV-Stromversorgung, ATX-Stromversorgung und industrielle Stromversorgungsanwendungen. Die optimierte Sperrschichtdiodenleistung der SUPERFET II FRFET MOSFETs kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern. Merkmale 650 V @ TJ = 150°C Typ. RDS(on) = 36 mOhm Extrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 277 nC) Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 748 pF) 100% Avalanche-getestet Pb-frei und RoHS-konform Anwendungen Telekommunikations-/Server-Netzteile Industrielle Stromversorgungen EV-Ladegerät UPS/Solar

ATOMIC PWM Base (EG27324) Die ATOMIC PWM Base ist ein einstellbarer Ein-Kanal-PWM-DC-Treiber, der für die Atom-Serien-Hauptsteuerung entwickelt wurde. Sie unterstützt einen DC-Stromeingangsbereich von 12-24V. Der Tastgrad des Ausgangssignals wird durch den integrierten MOSFET-Schalter gesteuert. Sie hat eine maximale Lastkapazität von 12V, 100W und umfasst einen eingebauten DCDC-Abwärtswandler. Dies ermöglicht es, die Last über die Eingangsstromversorgung zu betreiben und gleichzeitig das gesamte Gerät mit Strom zu versorgen, was die Bereitstellung vereinfacht. Merkmale im Überblick Anwendbar auf Atom Lite/Atom Matrix/AtomS3/AtomS3 Lite Ein-Kanal-PWM-Signalausgabe mit geringer Latenz Hohe Leistung MOSFET, Ausgangskapazität 12V@100W Reservierte 1xGROVE-Erweiterungsschnittstelle Eingebauter DC-DC

Leistungs-MOSFET SUPERFET II, Easy-Drive SUPERFET II MOSFET ist ON Semiconductor's brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie, die die Charge Ladungsausgleichstechnologie nutzt, um einen besonders niedrigen On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung zu erzielen. Diese Technologie ist darauf zugeschnitten, Leitungsverluste zu minimieren und eine überragende Schaltleistung, dv/dt-Rate und höhere Avalanche-Energie zu bieten. Die SUPERFET II MOSFET easy-drive-Serie bietet etwas langsamere Anstiegs- und Abfallzeiten als die SUPERFET II MOSFET-Serie. Diese Serie, die durch das Suffix "E" gekennzeichnet ist, hilft bei der Bewältigung von EMI-Problemen und ermöglicht eine einfachere Design-Implementierung. Für schnellere Schaltvorgänge in Anwendungen, bei denen Schaltverluste auf ein absolutes Minimum reduziert werden müssen, sollten Sie die SUPERFET II MOSFET-Serie in Betracht ziehen. Merkmale 650 V @ TJ = 150°C Typ. RDS(on) = 132 mOhm Extrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 57 nC) Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 204 pF) 100% Avalanche-getestet Pb-frei und RoHS-konform Anwendungen Telekommunikations-/Server-Netzteile Industrielle Stromversorgungen

Dieser MOSFET-Verwarmingsregler ist speziell für 3D-Drucker entwickelt und ermöglicht die Steuerung von Heizbetten und Extrudern. Er zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit und stabile Leistung aus.Hochwertiger großer Kühlkörper für bessere WärmeableitungHervorragende MOS-Röhrenleistung mit einer Nennmaximalstromstärke von 280 AMaximale Stromstärke von 30 A für stabilen LangzeitbetriebDirekt ansteuerbar über das Ausgangssignal von Ramp1.4 und MKS-SerieSteuerbar durch digitale Signale von 5 V bis 24 VBei Heizbettleistung über 150 W externe Stromversorgung verwendenAbmessungen: 66,6 x 32 mm; Gewicht: ca. 40 gLieferumfang: 1 Steuermodul

Hochwertige Aluminiumnitrid-Keramikplatten (ALN), die for eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit entwickelt wurden und eine optimale Wärmeableitung in elektronischen Anwendungen gewährleisten. Diese Platten sind mit TO-220-, 3P-, 247- und 264-Gehäusen kompatibel und wurden speziell for die effektive Kühlung von MOSFET- und Halbleiterbauelementen entwickelt. Die quadratischen Geräte verbessern die Wärmeableitung und das Wärmemanagement und eignen sich daher ideal for Leistungselektronik und Umgebungen mit hohen Temperaturen. Zuverlässige Leistung in anspruchsvoller Elektronik, effiziente Wärmeübertragung bei gleichzeitiger Beibehaltung der notwendigen elektrischen Isolierung und Zuverlässigkeit. Diese vielseitigen Keramikplatten werden nach präzisen Spezifikationen hergestellt und sind unverzichtbar for Anwendungen, die ein außergewöhnliches Wärmemanagement und Zuverlässigkeit erfordern.

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Dieses Set aus 12 Treibermodulen ist eine ideale Lösung für die Leistungssteuerung in elektronischen Projekten. Entwickelt für den Einsatz mit Mikrocontrollern ermöglichen diese Module eine einfache Steuerung von Lasten mit hoher Leistung über ein Niederspannungssignal. Dank ihrer Kompatibilität mit Eingangsspannungen von 3,3 V und 5 V passen diese Module perfekt in die meisten eingebetteten Systeme und Entwicklungsplattformen. Sie ermöglichen die Steuerung von Lasten bis zu 24 V und eignen sich daher für eine breite Palette von Anwendungen wie LED-Beleuchtung, Gleichstrommotoren, Miniaturpumpen und Magnetventile.Der Hauptvorteil dieses Moduls ist die Fähigkeit, ein schwaches Steuersignal in eine stabile Leistungsausgabe umzuwandeln. Die Bedienung ermöglicht eine präzise und schrittweise Einstellung, sei es beim Dimmen oder bei der Anpassung der Motorgeschwindigkeit. Dies sorgt für eine effiziente Energienutzung und eine bessere Gesamtleistung des Systems. Hergestellt aus hochwertigen Komponenten bieten diese Module eine ausge

Dieser hochwertige Heizungsregler ist für 3D-Drucker konzipiert und bietet hervorragende Leistungen dank des großen Kühlkörpers, der für eine bessere Wärmeabfuhr sorgt. Das Modul kann direkt über das Ausgangssignal von Ramp1.4 und ähnlichen Systemen angesteuert werden, mit einer Steuerung eines digitalen Signals zwischen 5V und 24V. Wenn die Leistung des beheizten Bettes mehr als 150W beträgt, ist eine externe Stromquelle erforderlich. Spezifikationen: Maximale Stromaufnahme von 30A, Abmessungen von 66,6 x 32 mm, Gewicht von etwa 40 g. Lieferumfang: 1 Steuerungsmodul.

Das Ticha Doppelmotor-Treibermodul ist die ideale Lösung für Ihre Motorprojekte. Mit einem Spannungsbereich von 3-36V und einer Spitzenleistung von 30A bietet dieses MOSFET-Motor-Treibermodul eine überlegene Leistung im Vergleich zu Standard-Motor-Treiber-Chips wie dem L298. Der Fokus auf sorgt nicht nur dafür, dass Sie die Motorleistung maximieren, sondern auch die Lebensdauer Ihrer Batterie verlängern. Dieses Modul ist für robuste Anwendungen konzipiert und kann einfach in Ihre bestehenden Systeme integriert werden. Egal, ob Sie einen Roboter, ein Modellfahrzeug oder eine andere motorbetriebene Anwendung entwickeln, dieses Modul bietet die Zuverlässigkeit und Leistung, die Sie benötigen. Die Installation ist einfach und benutzerfreundlich, sodass Sie schnell mit Ihren Projekten beginnen können. Wählen Sie das Ticha Doppelmotor-Treibermodul und erleben Sie die Vorteile einer fortschrittlichen Motorsteuerung.

Das Ticha Doppelmotor-Treibermodul ist die ideale Lösung für Ihre Motorenprojekte. Mit einem Spannungsbereich von 3-36V und einer Spitzenleistung von 30A bietet dieses MOSFET Motortreibermodul eine überlegene Leistung im Vergleich zu Standard-Motortreiberchips wie dem L298. Der Fokus auf sorgt dafür, dass Sie nicht nur die Motorleistung maximieren, sondern auch die Lebensdauer Ihrer Batterie verlängern.

Die SiC-Lösungen von Microchip konzentrieren sich auf hohe Leistung und tragen dazu bei, die Systemeffizienz zu maximieren und das Gewicht und die Größe des Systems zu minimieren. Die bewährte SiC-Zuverlässigkeit von Microchip sorgt außerdem dafür, dass die Leistung während der gesamten Lebensdauer des Endgeräts nicht nachlässt. Wesentliche Merkmale Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung Schnelle Schaltgeschwindigkeit dank niedrigemI nnenmesswiderstand (ESR) Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius Schnelle und zuverlässige Body-Diode Hervorragende Avalanche-Robustheit