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Yhenlovtt Closed-Loop Schrittmotor-Treiberplatine 7–28 V mit 16384-Linien-Encoder, Dual-H-Brücken-MOSFETs, für MKS SERVO42C für Nema17-Motoren (SERVO42C)
Yhenlovtt Closed-Loop Schrittmotor-Treiberplatine 7–28 V mit 16384-Linien-Encoder, Dual-H-Brücken-MOSFETs, für MKS SERVO42C für Nema17-Motoren (SERVO42C)
**Hochleistungs-FOC-Steuerung:** für MKS SERVO42C PCBA mit industriellem 16384-Linien-Magnetgeber liefert präzise Positionierung innerhalb von 0,08° Genauigkeit für Nema17-Schrittmotor-Anwendungen, unterstützt 1-256 beliebige Unterteilungen einschließlich ungerader Verhältnisse. **Closed-Loop-System:** Eingebaute blaue LED-Anzeige warnt verpasste Schritte, während der automatische Kompensationsmechanismus einen reibungslosen Betrieb garantiert; Drehmoment/Geschwindigkeit/Positions-Dreifach-Loop-Steuerung läuft mit bis zu 20 kHz Frequenz und sorgt für zuverlässige Leistung. **Plug-and-Play-Konfiguration:** Ein-Klick-Bildschirmparameter-Einstellung mit automatischer Speicherung eliminiert die Computereinrichtung; Power-On-Selbsttest identifiziert Motorspezifikationen automatisch; unterstützt serielle Port-Steuerung für Echtzeit-Positionslesen und Anpassungen. **Robustes Dual-H-Bridge-Design: ** Acht hochwertige MOSFETs bilden Treiberschaltung, die 0–3000 mA Betriebsstrom verarbeiten; breite 7 V-28 V Eingangsspannungs-Kompatibilität; unterstützt sowohl 0,9° als auch 1,8° Schrittmotoren jeder Länge mit lautlosem Betrieb. **Professionelle Druckgeschwindigkeit:** Erreicht 150–180 mm/s maximale Geschwindigkeit für 3D-Druckanwendungen; komplettes Set enthält SERVO42C PCBA Board (39 x 39 x 1,6 mm), Kabel und Zubehör; ersetzt TMC2209 mit leiser Closed-Loop-Technologie.
29,11€
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Yanghaicheng
Spannungsregler Vicma MOSFET für Honda CBR 600 RR PC37, CBR 900 RR SC44 35544
Spannungsregler Vicma MOSFET für Honda CBR 600 RR PC37, CBR 900 RR SC44 35544
Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v
7-8 Werktage
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Heavy-Tuned
Elektronischer MOSFET Kühlerlüfter Widerstand, Gebläsewiderstand 9658508980, Kompatibel mit 207 307 308 für Heizung und Klimaanlage
Elektronischer MOSFET Kühlerlüfter Widerstand, Gebläsewiderstand 9658508980, Kompatibel mit 207 307 308 für Heizung und Klimaanlage
Hitzebeständige & langlebige Materialien: Gefertigt aus robustem ABS und Aluminium für eine hohe Hitzebeständigkeit; bietet zuverlässigen Schutz vor Überhitzung und Korrosion; gewährleistet eine lange Lebensdauer und stabile Leistung unter allen Betriebsbedingungen Einfache Plug-and-Play Installation: Präzise als 1:1 Ersatz für das Originalteil konzipiert; ermöglicht den direkten Austausch ohne Modifikationen oder Spezialwerkzeuge; spart Zeit und senkt die Reparaturkosten erheblich Problemlösung für häufige Gebläsefehler: Stellt die volle Kontrolle über alle Lüftergeschwindigkeiten wieder her; behebt effektiv Symptome wie nur eine funktionierende Lüfterstufe, ausbleibenden Luftstrom oder unregelmäßiges Verhalten des Gebläses Präzise & stufenlose Lüftersteuerung: Reguliert die Gebläsemotorspannung präzise für eine gleichmäßige und stufenlose Einstellung des Luftstroms; sorgt für ein optimales und angenehmes Fahrzeuginnenraumklima OEM-konforme Kompatibilität: Entspricht den strengen OEM-Spezifikationen; direkt ersetzbar für die OE-Nummern 9658508980; kompatibel mit 207 (2006-2013), 307 (2001-2014) und 308 (2007-2013)
18,48€
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Miesucy
Spannungsregler Vicma MOSFET für Yamaha XJ 600 S 1991-2003, TT 600 R 1999-2002 21177
Spannungsregler Vicma MOSFET für Yamaha XJ 600 S 1991-2003, TT 600 R 1999-2002 21177
Der Regler hat die einfache Aufgabe, die Spannung im Bordnetz auch bei stark unterschiedlicher Drehzahl des Motors konstant halten, dadurch die Verbraucher vor einer Überspannung zu schützen und das Überladen der Batterie zu verhindern. MOSFET - Die Revolution der SpannungsregelungMosfet-Transistoren werden verwendet, um elektronische Wellen zu verstärken. Dieses Konzept hat die herkömmliche Drei-Phasen-Spannungsregler Technologie abgelöst, da es weitaus unanfälliger in Punkto Störungen oder Ausfällen ist.Der wesentliche Vorteil besteht in der weitaus geringeren Wärmeentwicklung, die die meisten herkömmlichen Regler "sterben" lässt.Seit vielen Jahren haben die in fast allen Zweirädern verbauten, klassischen Spannungsregler einen sogenannten Silizium-Steuergleichrichter in Verwendung, um die Batteriespannung ständig konstant zu halten. Die neue MOSFET Spannungsregler-Technologie wird hauptsächlich wegen seiner optimierten Leistung immer beliebter bei neuen Fahrzeugen.Heutzutage haben Motorräder, Motorroller und ATVs durch die v
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Heavy-Tuned
Motorrad Spannungsregler Motorrad MOSFET Spannungsreglergleichrichter Für Triumph Für Sprint St 1050 OEM T1300560 Für Geschwindigkeit Für Triple 2005-2012
Motorrad Spannungsregler Motorrad MOSFET Spannungsreglergleichrichter Für Triumph Für Sprint St 1050 OEM T1300560 Für Geschwindigkeit Für Triple 2005-2012
Produktmaterial: Dieses Produkt ist speziell aus Metall gefertigt. Material, das eine hohe Lebensdauer hat und nicht leicht zu beschädigen ist. Hohe Leistung: Der Regler kann dazu beitragen, überschüssige Spannung abzuleiten, die Ladefähigkeit zu verbessern und ein Überladen der Batterie zu verhindern. Spannungsregelung und ausgeglichene Spannung verhindern, dass die Hochspannung alle elektronischen Komponenten durchbrennt. Geringer Stromverbrauch und schnelle Wärmeableitung verhindern Überhitzung, reduzieren die Belastung des Magnetzünders und machen das Fahren sorgenfreier
51,64€
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NovaraGoods!
OMRON G3VM-61HR2 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 4 A, 0,028 R, SO-6 G3VM61HR2
OMRON G3VM-61HR2 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 4 A, 0,028 R, SO-6 G3VM61HR2
G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
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OMRON G3VM-31DR - MOSFET-Relais, SPST-NO, 30 V, 4 A, 0,025 R, DIP-4 G3VM31DR
OMRON G3VM-31DR - MOSFET-Relais, SPST-NO, 30 V, 4 A, 0,025 R, DIP-4 G3VM31DR
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OMRON G3VM-31ER - MOSFET-Relais, SPST-NO, 30 V, 5 A, 0,02 R, DIP-6 G3VM31ER
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OMRON G3VM-31HR1 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 30 V, 4 A, 0,02 R, SO-6 G3VM31HR1
OMRON G3VM-31HR1 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 30 V, 4 A, 0,02 R, SO-6 G3VM31HR1
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INFINEON BTS 462 - MOSFET, N-Ch 40V 3,5A 0,1R 41,6W, TO-252-5 BTS462T
INFINEON BTS 462 - MOSFET, N-Ch 40V 3,5A 0,1R 41,6W, TO-252-5 BTS462T
Smart-Highside Power Switch N-Kanal vertikaler Leistungs-FET in Smart SIPMOS Chip auf Chip-Technologie. . Logic Level Input . ESD - Schutz . Thermische Abschaltung mit Verriegelung . Überlast, Kurzschluss-und Überspannungsschutz . Strombegrenzung . Batterieschutz mit externem Eingangswiderstand . CMOS kompatible Eingänge . nach AEC qualifiziert Anwendung . Alle Arten von ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten in Schalt-oder linearen Anwendungen . uC kompatibel Netzschalter für 12 V und 24 V DC-Anwendungen . Ersetzt elektromechanische Relais und diskrete Schaltungen
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FACAIIO Für FNIRSI LCR-P1 Transistor-Tester Diode Triode Kapazität Multifunktionales LCR MOSFET NPN PNP Widerstandsmessgerät Tester Werkzeug
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【Hohe PräzisionslCR-Messerpinzette】 Unterstützt Dreifrequenz-Tests mit effektiven Werte-Teststufen von 100 Hz, 1 kHz und 10 kHz und 3 V/0,6 Vrms, umfassende und genaue Testergebnisse. 【Für Smart for SMD-Pinzette】Intelligente Identifizierung und automatische Messung, ermöglicht die gleichzeitige Anzeige von Haupt- und Hilfsparametern, wodurch das Testen einfacher und effizienter wird. Stabile und zuverlässige Leistung: Verwendet importierte Chips und fortschrittliche Messalgorithmen, stabile und zuverlässige Leistung für präzise Messungen. Praktische Bedienung und klares Display: Ausgestattet mit einem 35,6 cm (14 Zoll) High-Definition-Farbdisplay, das eine klare und intuitive Schnittstelle für müheloses Lesen von Daten und flüssigeres Testen bietet. 【Flexible Montage und mehrere Anwendungen】Austauschbare Messingpinzettenköpfe (gerade und gebogen) mit hoher Härte für genaue Messungen in verschiedenen Szenarien, Verbesserung der Messstabilität.
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Bealove-eu
OMRON G3VM-31BR - MOSFET-Relais, SPST-NO, 30 V, 5 A, 0,02 R, DIP-6 G3VM31BR
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OMRON G3VM-61BR2 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 4 A, 0,035 R, DIP-6 G3VM61BR2
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G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
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OMRON G3VM-31AR - MOSFET-Relais, SPST-NO, 30 V, 4 A, 0,025 R, DIP-4 G3VM31AR
OMRON G3VM-31AR - MOSFET-Relais, SPST-NO, 30 V, 4 A, 0,025 R, DIP-4 G3VM31AR
G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
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OMRON G3VM-101ER1 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 100 V, 2 A, 0,05 R, DIP-6 G3VM101ER1
OMRON G3VM-101ER1 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 100 V, 2 A, 0,05 R, DIP-6 G3VM101ER1
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OMRON G3VM-101HR2 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 100 V, 3 A, 0,05 R, SO-6 G3VM101HR2
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OMRON G3VM-41GR6 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 40 V, 0,12 A, 10 R, SO-4 G3VM41GR6
OMRON G3VM-41GR6 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 40 V, 0,12 A, 10 R, SO-4 G3VM41GR6
G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
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OMRON G3VM-61DR1 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 3 A, 0,045 R, DIP-4 G3VM61DR1
OMRON G3VM-61DR1 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 3 A, 0,045 R, DIP-4 G3VM61DR1
G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
5,75€
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OMRON G3VM-352J - MOSFET-Relais, DPST-NO, 350 V, 0,11 A, 35 R, SO-8 G3VM352J
OMRON G3VM-352J - MOSFET-Relais, DPST-NO, 350 V, 0,11 A, 35 R, SO-8 G3VM352J
G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
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OMRON G3VM-401VY - MOSFET-Relais, SPST-NO, 400 V, 0,11 A, 40 R, SO-4 G3VM401VY
OMRON G3VM-401VY - MOSFET-Relais, SPST-NO, 400 V, 0,11 A, 40 R, SO-4 G3VM401VY
G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
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OMRON G3VM-61AR1 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 3 A, 0,08 R, DIP-4 G3VM61AR1
OMRON G3VM-61AR1 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 3 A, 0,08 R, DIP-4 G3VM61AR1
G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
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HanOaki LCR-P1 Komponententester, automatische Identifizierung für Transistoren, MOSFET-Kondensatoren, LCR/ESR-Messgerät mit Grafik-LCD- und USB-Export, 5 V/1 A Aufladung
HanOaki LCR-P1 Komponententester, automatische Identifizierung für Transistoren, MOSFET-Kondensatoren, LCR/ESR-Messgerät mit Grafik-LCD- und USB-Export, 5 V/1 A Aufladung
[Sicheres und zuverlässiges Design] Die automatische Entladefunktion schützt vor Beschädigungen, was sie zu einem unverzichtbaren Werkzeug für Elektronikbegeisterte macht, die Wert auf Sicherheit während des Tests legen. [Einfache Datenübertragung] Exportieren Sie mühelos Messdaten auf Ihren Computer für eine gründliche Analyse, perfekt für Profis, die detaillierte Berichte über ihre Ergebnisse benötigen. [Testoptionen] Austauschbare Testboards bieten Flexibilität beim Testen verschiedener Komponenten, die den vielfältigen Bedürfnissen von Hobbyisten und Technikern gleichermaßen gerecht werden. [Schnelle Identifizierung der Komponenten] Sparen Sie Zeit mit Identifikationsfunktionen, sodass Sie sich ohne unnötige Verzögerungen auf Ihre Projekte konzentrieren können. [PRÄDICTIVE ZENER DIODE MEASUREMENT] Messen Sie Zener-Dioden genau mit unserem K, der die Stromversorgungsanforderungen für eine optimale Leistung vorhersagt.
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MICROCHIP MCP 14E10-E/SN - 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 2 x nicht invertierend, SO-8 MCP14E10-E/SN
MICROCHIP MCP 14E10-E/SN - 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 2 x nicht invertierend, SO-8 MCP14E10-E/SN
3,0A Dual-Hochgeschwindigkeitsleistungs-MOSFET-Treiber mit Enable Produktbeschreibung: Die Bausteine MCP14E9/10/11 sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 3,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt entweder von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Durchschaltstrom, nahezu angepasste Anstiegs-/Abfallzeiten und Ausbreitungsverzögerungen aus, wodurch sie sich ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eignen. Die Bausteine MCP14E9/10/11 arbeiten mit einer Einzelstromversorgung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1800 pF MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der MCP14E9/10/11-Ausgänge wird durch die Verwendung separater Freigabefunktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind Active-High und werden intern auf VDD hochgezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei bleiben. Die Treiberfamilie MCP14E9/10/11 mit zwei 3,0A-Ausgängen wird sowohl in oberflächenmontierbaren Gehäusen als auch in Durchsteckgehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige thermische Widerstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses ermöglicht eine höhere Verlustleistung zur Ansteuerung größerer kapazitiver oder ohmscher Lasten. Diese Bausteine sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungswerte hoch einrastungsfest. Sie können nicht beschädigt werden, wenn bis zu 5 V Störspitzen (beider Polaritäten) am Masse-Pin auftreten. Die Bauelemente sind vollständig verriegelungssicher, wenn sie gemäß JEDEC JESD78A getestet werden. Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) bis zu 4 kV (HBM) oder 400V (MM) geschützt. Merkmale: . Hoher Spitzenausgangsstrom: 3,0A (typisch) . Unabhängige Freigabefunktion für jeden Fahrer Ausgabe . Großer Betriebsbereich der Eingangs-Versorgungsspannung: - 4,5V bis 18V . Niedriger Durchschuss-/Querleitungsstrom in Endstufe . Antriebsfähigkeit bei hoher kapazitiver Last: - tR: 14 ns mit 1800 pF Last (typisch) - tF: 17 ns mit 1800 pF Belastung (typisch) . Kurze Verzögerungszeiten: - tD1: 45 ns (typisch) - tD2: 45 ns (typisch) . Niedriger Versorgungsstrom: - Mit Logic '1' Eingang/Freigabe - 1 mA (typisch) - Mit Logik '0' Eingang/Freigabe - 300 µA (typisch) . Latch-up Geschützt: Bestanden JEDEC JESD78A . Logikeingang widersteht negativem Schwingen, bis zu 5V . Platzsparende Pakete: - 8-poliger SOIC, PDIP, 6x5 DFN Anwendungen: . Schaltnetzteile . Puls-Transformator-Antrieb . Leitungstreiber . Motor und Magnetantrieb
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MICROCHIP MCP 14E10-E/P - 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 2 x nicht invertierend, DIP-8 MCP14E10-E/P
MICROCHIP MCP 14E10-E/P - 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 2 x nicht invertierend, DIP-8 MCP14E10-E/P
3,0A Dual-Hochgeschwindigkeitsleistungs-MOSFET-Treiber mit Enable Produktbeschreibung: Die Bausteine MCP14E9/10/11 sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 3,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt entweder von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Durchschaltstrom, nahezu angepasste Anstiegs-/Abfallzeiten und Ausbreitungsverzögerungen aus, wodurch sie sich ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eignen. Die Bausteine MCP14E9/10/11 arbeiten mit einer Einzelstromversorgung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1800 pF MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der MCP14E9/10/11-Ausgänge wird durch die Verwendung separater Freigabefunktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind Active-High und werden intern auf VDD hochgezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei bleiben. Die Treiberfamilie MCP14E9/10/11 mit zwei 3,0A-Ausgängen wird sowohl in oberflächenmontierbaren Gehäusen als auch in Durchsteckgehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige thermische Widerstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses ermöglicht eine höhere Verlustleistung zur Ansteuerung größerer kapazitiver oder ohmscher Lasten. Diese Bausteine sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungswerte hoch einrastungsfest. Sie können nicht beschädigt werden, wenn bis zu 5 V Störspitzen (beider Polaritäten) am Masse-Pin auftreten. Die Bauelemente sind vollständig verriegelungssicher, wenn sie gemäß JEDEC JESD78A getestet werden. Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) bis zu 4 kV (HBM) oder 400V (MM) geschützt. Merkmale: . Hoher Spitzenausgangsstrom: 3,0A (typisch) . Unabhängige Freigabefunktion für jeden Fahrer Ausgabe . Großer Betriebsbereich der Eingangs-Versorgungsspannung: - 4,5V bis 18V . Niedriger Durchschuss-/Querleitungsstrom in Endstufe . Antriebsfähigkeit bei hoher kapazitiver Last: - tR: 14 ns mit 1800 pF Last (typisch) - tF: 17 ns mit 1800 pF Belastung (typisch) . Kurze Verzögerungszeiten: - tD1: 45 ns (typisch) - tD2: 45 ns (typisch) . Niedriger Versorgungsstrom: - Mit Logic '1' Eingang/Freigabe - 1 mA (typisch) - Mit Logik '0' Eingang/Freigabe - 300 µA (typisch) . Latch-up Geschützt: Bestanden JEDEC JESD78A . Logikeingang widersteht negativem Schwingen, bis zu 5V . Platzsparende Pakete: - 8-poliger SOIC, PDIP, 6x5 DFN Anwendungen: . Schaltnetzteile . Puls-Transformator-Antrieb . Leitungstreiber . Motor und Magnetantrieb
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Puls Mosfet Redundanzmodul 20A Eingänge, 40A Ausgang - Kurzschlussstrom 26A
Quelle: Galaxus.de
Puls Mosfet Redundanzmodul 20A Eingänge, 40A Ausgang - Kurzschlussstrom 26A
- Mosfet Redundanzmodul - Zwei 20A Eingänge, ein 40A Ausgang - Nicht geeignet für QT20, QTD20, SilverLine - Max. 26A Kurzschlussstrom - Volle Leistung -40 bis +60°C
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Makeblock Me Dual DC Motortreiber V1, RJ25, TB6612-MOSFET-Treiber, Arduino-kompatibel, 6-12 V, 1 A 12015
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Makeblock Me Dual DC Motortreiber V1 Der Me Dual Motor Driver V1 ist ein leistungsfähiges Modul zur Ansteuerung von zwei Gleichstrommotoren und gehört zur Me-Serie von Makeblock. Er basiert auf dem TB6612 Motortreiber-IC und ermöglicht eine stabile Steuerung von Motoren über RJ25-Verbindung oder Dupont-Stiftleisten. Das Modul liefert einen Dauerstrom von 1A (Spitzenstrom 2A) pro Kanal und ist ideal für kleinere Robotikprojekte und mobile Plattformen. Durch die Verwendung effizienter MOSFET-H-Brücken bietet das Modul geringe Wärmeentwicklung bei gleichzeitig hoher Leistung. Merkmale im Überblick Steuert zwei DC-Motoren gleichzeitigBasierend auf TB6612 H-Brücken-ChipRJ25-Schnittstellen für einfache VerbindungArduino-kompatibel über LibrarySchutz vor ÜberstromKompatibilität Makeblock Me BaseboardMakeblock Orion, mCore, MegaPi mit AdapterTypische Kombinationen DC-Motoren (Makeblock Serie)RJ25-Kabel für Verbindung zum SteuerboardArduino-kompatible PlattformenTechnische Daten Motorkanäle: 2Betriebsspannung: 6–12VDauerstrom pro Ka
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OMRON G3VM-61GR2 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 1,7 A, 0,08 R, SO-4 G3VM61GR2
OMRON G3VM-61GR2 - MOSFET-Relais, SPST-NO, 60 V, 1,7 A, 0,08 R, SO-4 G3VM61GR2
G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse
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Stinger Audio Monoblock Auto Audio-Verstärker mit Bass-Fernbedienung, überbrückbar, Klasse D 1-K-Auto-Verstärker, Mosfet-Netzteil, High/Low-Level-Eingang, Verstärker in Wettkampfqualität (Schwarz
Stinger Audio Monoblock Auto Audio-Verstärker mit Bass-Fernbedienung, überbrückbar, Klasse D 1-K-Auto-Verstärker, Mosfet-Netzteil, High/Low-Level-Eingang, Verstärker in Wettkampfqualität (Schwarz
【Digitaler Class-D Monoblockverstärker】 Klasse-D-Topologie sorgt für hohe Effizienz bei großer Leistung und geringem Platzbedarf. Dieser Mono-Verstärker wurde für die Ansteuerung von Subwoofern und Subwoofer-Systemen gebaut, um die höchste Klangqualität für Ihr Auto-Audio aufrechtzuerhalten. Kleine Stellfläche und robustes Design: Hergestellt aus Präzisions-Metall-Potentiometer für präzise Abstimmung und stabile Konstruktion. 【Robuste ungeregelte Netzteile】 Die Stromversorgungsschaltung nimmt fortschrittliche integrierte Schaltkreise des Pulsweitenmodulators an, die entwickelt wurden, um eine verbesserte Leistung und Effizienz zu bieten. 【Remote Bass Controller Enthalten】Bietet Fernsteuerung des Basses aus der Hörposition. Mit einem schlanken Unterputzknopf für einfache Installation. Entwickelt mit fortschrittlichem HEXFET Power MOSFET: Verwenden Sie fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und eine zuverlässige schnelle Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.
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POWER INTEGRATIONS LNK 363PN - AC/DC-Offline-Schalter, 85-265 VAC, 7,5W, DIP-8B-7 LNK363PN
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LinkSwitch-XT-Familie Energieeffizienter, stromsparender Off-Line-Schalter-IC Produkt-Highlights Optimiert für geringste Systemkosten . Proprietäre IC-Trimm- und Transformator-Konstruktionstechniken ermöglichen Clampless Designs mit LNK362 für niedrigere Systemkosten, eine geringere Anzahl von Komponenten und einen höheren Wirkungsgrad . Vollständig integrierter automatischer Wiederanlauf für Kurzschluss- und Leerlaufschutz . Selbstvorgespannte Versorgung - spart die Hilfswicklung des Transformators und die damit verbundenen Vorspannungsversorgungskomponenten . Frequenzzittern reduziert die EMI erheblich . Erfüllt die HV-Kriechstromanforderungen zwischen DRAIN und allen anderen Pins sowohl auf der Leiterplatte als auch am Gehäuse . Schalterlösung mit niedrigster Komponentenzahl Eigenschaften Überlegener als Linear/RCC . Präziser hysteretischer thermischer Abschaltschutz - automatische Wiederherstellung verbessert die Zuverlässigkeit im Feld . Universeller Eingangsbereich ermöglicht weltweiten Einsatz . Einfache EIN/AUS-Regelung, keine Schleifenkompensation erforderlich . Eliminiert die Vorspannungswicklung - einfacher und kostengünstiger Transformator . Sehr geringe Komponentenanzahl - höhere Zuverlässigkeit und einseitige Leiterplatte . Der automatische Wiederanlauf reduziert die gelieferte Leistung um 95% bei Kurzschluss und Leerlauffehler . Die hohe Bandbreite ermöglicht ein schnelles Einschalten ohne Überschwingen und ein hervorragendes transientes Lastverhalten EcoSmart- Extrem energieeffizient . Erfüllt problemlos alle globalen Energieeffizienzvorschriften ohne zusätzliche Komponenten . Leerlaufverbrauch
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Yechiry TPA3255 Verstärkerplatine, Stereo-Doppelkerne 600 W X 2 Verstärkerplatine, Digitale Soundverstärker-Audioempfängerplatine mit 85 MR MOSFET, Ideal für Heimkino-Sound
Yechiry TPA3255 Verstärkerplatine, Stereo-Doppelkerne 600 W X 2 Verstärkerplatine, Digitale Soundverstärker-Audioempfängerplatine mit 85 MR MOSFET, Ideal für Heimkino-Sound
Dual-Core-Verstärkerplatine: Diese TPA3255-Verstärkerplatine verfügt über zwei 600-W-Kerne mit verbessertem elektrischen Schutz, die einen stabilen 50-V-Betrieb und Kompatibilität mit 2-16-Ohm-Lautsprechern für robuste Leistung unterstützen. Niedrige Wärmestruktur: Dieses TPA3255-Board wurde für Audiophile und Heimkino-Enthusiasten entwickelt und minimiert durch seine robuste Bauweise die Wärmeentwicklung und sorgt so für eine stabile Leistung bei längerem Gebrauch. Effizientes MOSFET-Design: Die Verstärkerplatine nutzt 85-mR-MOSFET-Technologie und ein erstklassiges Netzteil, um dynamischen Klang zu liefern und gleichzeitig den Standby-Stromverbrauch auf unter 2,5 W zu senken, um einen energiesparenden Betrieb zu ermöglichen. Vielseitige Musiklösung: Diese Verstärkerplatine ist ideal für den Betrieb von Heimmusiksystemen, Studiomonitoren oder Außenlautsprechern und reproduziert Musik, Filme und Live-Event-Soundtracks präzise und klar. Optimiertes Wärmemanagement: Das TPA3255-Board kombiniert hohe Ausgangsleistung mit extrem geringer Verzerrung durch fortschrittliches thermisches Design und bietet anspruchsvollen Benutzern ein beeindruckendes Hörerlebnis.
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