leistungs mosfet

30V P-Kanal Leistungs-MOSFET

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendung: . Load/ System Switch . DC Motor Treiber

Leistungs-MOSFET Merkmale Höhere Leistungsdichte Höhere Schaltfrequenz OptiMOS TM 5 Chip Direkt von Mikrocontrollern angesteuert (langsame Schaltung) Geringere Systemkosten Anwendungen Kabellose Batterieaufladung Adapter Telekommunikation

IRFZ44NPbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die fortschrittlichen HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand . Dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Vollständig Avalanche-geeignet . Bleifrei

Material: Kunststoff + Metall Stromstärke: 20 A Produktname: N-Kanal-Transistor mit großem Chip IRFP460 Farbe: Schwarz + Silber Spannung: 500 V

SUD23N06-31-GE3 von VISHAY ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IRFR5305TRLPBF von INFINEON ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Lastschalter und Leistungssteuerungen. Das Bauteil eignet sich für Verpolschutz, Power-Management, Motorsteuerungen und robuste Schaltanwendungen. Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated

SI2371EDS-T1-GE3 von VISHAY ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Lastschalter und Leistungssteuerungen. Das Bauteil eignet sich für Verpolschutz, Power-Management, Motorsteuerungen und robuste Schaltanwendungen.

IRF9Z14SPBF von INFINEON ist ein P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schaltanwendungen. Geeignet für Motorsteuerungen, Netzteile, Lastschalter, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen.

HEXFET Leistungs-MOSFET Anwendung: . Load/ System Switch Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten

IRFR5305TRPBF von INFINEON ist ein P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schaltanwendungen. Geeignet für Motorsteuerungen, Netzteile, Lastschalter, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen. Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated

TQM070NH04CR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

TQM056NH04CR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

SI9407BDY-T1-GE3 von VISHAY ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Lastschalter und Leistungssteuerungen. Das Bauteil eignet sich für Verpolschutz, Power-Management, Motorsteuerungen und robuste Schaltanwendungen.

Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse ist universell für alle kommerziell-industrielle Anwendungen bei Verlustleistungen Verlustleistung bis ca. 50 W. Der niedrige thermische Widerstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Dynamischer dV/dt-Wert . Repetitive Avalanche-Bewertung . Schnell schaltend . Einfaches Parallelisieren . Einfache Antriebsanforderungen . Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

IRF9640, Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche-Bewertung . P-Kanal . Schnelles Schalten . Leichte Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Materialkategorisierung: Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com/doc?99912

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Bleifreie Beschichtung RoHS-konform Halogenfrei Anwendungen Beleuchtung Batterieladegerät Stromversorgung Schaltung Anwendungen

IRF710, Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche-Bewertung . Schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

IRFZ34NPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schaltanwendungen. Geeignet für Motorsteuerungen, Netzteile, Lastschalter, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen. Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Ease of Paralleling

IRF540ZPbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteile: Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Betriebstemperatur von 175°C an der Sperrschicht Betriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem machen dieses Design zu einem extrem effizienten und und zuverlässiges Bauteil für eine Vielzahl von Anwendungen Anwendungen. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt . Bleifrei

Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche-Bewertung . Schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Materialkategorisierung: für Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com

IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Allgemeine Beschreibung Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein verbessertes repetitives Avalanche-Rating. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Merkmale . Logik-Pegel . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra niedriger Ein-Widerstand . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt . Bleifrei

IRLR8743PbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteile: . Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS . Ultra-niedrige Gate-Impedanz . Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom Anwendungen: . Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler für die Stromversorgung von Computerprozessoren . Isolierte Hochfrequenz-DC/DC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung für Telekommunikation und Industrie . Bleifrei

IRFU5305PBF von INFINEON ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Lastschalter und Leistungssteuerungen. Das Bauteil eignet sich für Verpolschutz, Power-Management, Motorsteuerungen und robuste Schaltanwendungen. Ultra Low On-Resistance Surface Mount (IRFR5305) Straight Lead (IRFU5305) Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated

Die HEXFET-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . dynamische dV/dt-Bewertung . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . volle Avalanche-Bewertung . bleifrei

IRFR1010ZTRPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schaltanwendungen. Geeignet für Motorsteuerungen, Netzteile, Lastschalter, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen. Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

IRF840, Leistungs-MOSFET Beschreibung Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale . Dynamischer dV/dt-Wert . Repetitive Avalanche-Bewertung . Schnelles Schalten . Leichte Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Materialkategorisierung: Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com/doc?99912

Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei. Merkmale: . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Avalanche-Rating . P-Kanal . 175 °C Betriebstemperatur . Schnelles Umschalten . Leichte Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen

HEXFET-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs für die HEXFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein extrem effizientes Bauelement für einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken. Die Version mit geradem Anschluss (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage. Verlustleistungen von bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage möglich. . Logik-Level Gate Drive . Oberflächenmontage (IRLR024N) . gerader Anschluss (IRLU024N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . vollständig Avalanche-geeignet . Bleifrei

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Schnelle Schaltung Bleifreie Beschichtung RoHS-konform Halogenfrei Anwendungen Netzwerken Lastschalter Beleuchtung