smd mosfet

Hersteller: ALPHA

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Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 22m Montage: SMD Gate-Ladung: 16nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -3A Verlustleistung: 1W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 140m Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse

DMP3056L-7 von DIODES INCORPORATED ist ein P-Kanal-SMD-MOSFET für kompakte Lastschalter und portable Elektronik. Geeignet für Power-Management, Verpolschutz, Akkuschaltungen und platzsparende Schaltanwendungen. Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage

Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: HEXFET® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 55V -Drainstrom: 3.8A -Verlustleistung: 2.1W -Gehäuse: SOT223 -Montage: SMD -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 2 Stk.

Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: ® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 6.3A -Verlustleistung: 1.3W -Gehäuse: SOT23 -Gate-Source Spannung: ±12V -Widerst im Leitungszust: 21m -Montage: SMD -Gate-Ladung: 8.9nC -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 5 Stk.

Hersteller: ALPHA

SIPMOS SMD-Kleinleistungs-MOSFET Merkmale Anreicherungsmodus Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform Qualifiziert nach AEC Q101 Halogenfrei nach IEC61249-2-21

Hersteller: TECHNOLOGY Montage: SMD Versorgungsspannung: 0.8...5.5V Aktiv-Zust: hoch Ausgangsstrom: 1.5A Integrierten Schaltkreises-Typ: power switch Ausgangs-Art: MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: MSOP10 Integrierten Schaltkreises-Art: high-side Anzahl Kanäle: 1 Widerst im Leitungszust: 75m

【Multifunktions-Transistor-Tester】Vollautomatische intelligente Erkennung verschiedener elektronischer Bauteile inklusive NPN/PNP-Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, N-Typ/P-Typ-IGBTs, Thyristoren, TRIACs, Induktivitäten, Widerstände und Kondensatoren. Dieser vielseitige Tester ist der ideale Begleiter für Elektronikreparaturen, Experimente und DIY-Projekte. 【Einfache Bedienung】Der Bauteiltester erkennt automatisch Pin-Belegungen und Parameter, bestimmt schnell Bauteiltyp und Spezifikationen. Durch das klare Display und intuitive Rückmeldung sind alle Messungen präzise und zuverlässig. Das benutzerfreundliche Design steigert sofort Ihre Effizienz. 【Ein-Knopf-Messung】Ausgestattet mit einem leistungsstarken ATmega328P-Mikrocontroller liefert dieser Tester schnelle Ergebnisse auf Knopfdruck. Die automatische Abschaltfunktion spart Energie und macht ihn besonders praktisch. 【Universelle USB-C-Stromversorgung】Mit USB-Type-C-Anschluss kompatibel zu jedem Netzteil, Powerbank oder USB-Port - so haben Sie nie Probleme mit leerem Akku. Überall einsatzbereit, wann immer Sie ihn brauchen. 【Wichtiger Hinweis】Kondensatoren müssen vor der Messung vollständig entladen werden, um Beschädigungen des Geräts zu vermeiden.

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: 2A Betriebstemperatur: -40...125°C Montage: SMD Anzahl Kanäle: 2 Betriebsspannung: 4.5...18V Ausgangs-Art: komplementär

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: 3A Betriebstemperatur: -40...125°C Montage: SMD Anzahl Kanäle: 2 Betriebsspannung: 4.5...18V Ausgangs-Art: komplementär

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SO8 Montage: SMD Ausgangsstrom: 3A Betriebstemperatur: -40...125°C Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Anzahl Kanäle: 1 Betriebsspannung: 4.5...18V Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Leistung: 6W Gehäuse: Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Anschaltzeit: 220ns Ausschaltzeit: 200ns Ausgangsstrom: -350...200mA Betriebstemperatur: -40...125°C Versorgungsspannung: 10...20V DC Topologie: MOSFET Harücke Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: integrated bootstrap functionality Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Ladungspumpe Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Totzeit Spannungsklasse: 600V Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2

Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Gehäuse: DFN8 Ausgangsstrom: -1.5...1.5A Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...30V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Ausgangs-Art: reversibel

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: 4.5A Betriebstemperatur: -40...125°C Montage: SMD Anzahl Kanäle: 2 Betriebsspannung: 4.5...18V Ausgangs-Art: reversibel

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: 6A Betriebstemperatur: -40...125°C Montage: SMD Anzahl Kanäle: 1 Betriebsspannung: 4.5...18V Ausgangs-Art: nicht reversibel

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: 1.5A Anzahl Kanäle: 2 Montage: SMD Betriebstemperatur: 0...70°C Betriebsspannung: 4.5...18V Ausgangs-Art: komplementär

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Leistung: 6W Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Ausschaltzeit: 150ns Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Topologie: MOSFET Harücke Montage: SMD Versorgungsspannung: 10...20V DC Ausgangsstrom: -270...130mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Betriebstemperatur: -40...125°C Spannungsklasse: 600V Anschaltzeit: 680ns

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Betriebstemperatur: -40...125°C Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Spannungsklasse: 30V Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Topologie: MOSFET Harücke Montage: SMD Versorgungsspannung: 4...6.85V DC Ausgangsstrom: -4.5...3A

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangsstrom: -1.8...1.6A Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Betriebstemperatur: -40...125°C Anzahl Kanäle: 2 Sicherung: Unterspannung Spannungsklasse: 100V Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Topologie: MOSFET Harücke Versorgungsspannung: 9...14V DC

MMBF170LT1G von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

TC4452VOA aus der TC4452-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 12 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, 3..18 V Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 44 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, ESD bis 4 kV HBM, geringe Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

2N7002 von DIOTEC ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

BSS138K von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

2N7002NXAKR von NEXPERIA ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.