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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 0,9W SOT23 AO3420 N-Kanal-Transistoren SMD unipolar 5A 20V _1GH_AO3420
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,3A; 1,3W; SOT23 IRLML6244TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8453
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,3A; 1,3W; SOT23 IRLML6244TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8453
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: ® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 6.3A -Verlustleistung: 1.3W -Gehäuse: SOT23 -Gate-Source Spannung: ±12V -Widerst im Leitungszust: 21mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 8.9nC -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 5 Stk.
3-4 Werktage
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TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3,8A; 2,1W; SOT223 IRLL2705TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8350
TNE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3,8A; 2,1W; SOT223 IRLL2705TRPBF N-Kanal-Transistoren SMD 8350
Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: HEXFET® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 55V -Drainstrom: 3.8A -Verlustleistung: 2.1W -Gehäuse: SOT223 -Montage: SMD -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 2 Stk.
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FNIRSI LCR-P1 Transistor-Tester, Mosfet Transistor-Kondensator-Tester, SMD Elektronischer Komponententester, Dioden-Triode Zener-Diodenwiderstand, Induktivität, Batterietest, LCR Messgerät, MOS, PNP
FNIRSI LCR-P1 Transistor-Tester, Mosfet Transistor-Kondensator-Tester, SMD Elektronischer Komponententester, Dioden-Triode Zener-Diodenwiderstand, Induktivität, Batterietest, LCR Messgerät, MOS, PNP
【Transistorkondensator Tester】FNIRSI LCR-P1 Transistor-Tester kann für die Messung und Analyse von Patch-Komponenten, NPN, PNP, Triode, MOS, Feldeffekttransistor (FET), Diode, Zenerdiode, Kondensator, Widerstand, Induktor, Batterie usw. verwendet werden 【Freundliches Design】Das Design des austauschbaren Patchsitzes ermöglicht die Messung sowohl winziger Präzisionskomponenten als auch von Hochleistungsgeräten. 3,66 cm (1,44 Zoll) Vollfarbbildschirm, 300-mAh-Akku, Typ-C-Schnittstelle zum Laden und zur Datenübertragung, Firmware-Upgrade 【Verbrennungsschutzmechanismus】Der Kapazitätswiderstand esr Tester identifiziert automatisch unentladene Kondensatoren und entlädt sie automatisch im Moment des Einfügens und Verriegelens, wodurch ein versehentliches Brennen effektiv vermieden wird NEC Infrarot Wellenform:FNIRSI LCR-P1 Transistordetektor unterstützt die Analyse von NEC-Infrarot-Protokollcode, sodass er für das Debugging und die Wartung von Fernbedienungsgeräten verwendet werden kann, und bietet Benutzern eine umfassende Erkennung und Analyse 【Intelligente automatische Identifizierung】Kondensatortester intelligente automatische Erkennung der Komponenten-Pin-Definition und Parameter, und kann seine Modelle und Spezifikationen schnell identifizieren, wodurch die Effizienz der Arbeit erheblich verbessert wird
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Transistor-Tester für die Elektronikreparatur, LCR-Messgerät IR-Decodierung | SMD, ESR, Dioden, Zenerdioden, MOSFET, JFET, Automatische Abschaltung, Kapazität, Widerstand 50MΩ, Kondensatortester LCR-D2
Transistor-Tester für die Elektronikreparatur, LCR-Messgerät IR-Decodierung | SMD, ESR, Dioden, Zenerdioden, MOSFET, JFET, Automatische Abschaltung, Kapazität, Widerstand 50MΩ, Kondensatortester LCR-D2
Automatischer/manueller Testmodus: Drehen Sie das Drehrad, um den Automatikmodus für die automatische Erkennung von Bauteilen (Transistoren, Dioden, Kondensatoren, Widerstände, Induktivitäten) auszuwählen, oder wechseln Sie in den manuellen Modus mit speziellen Symbolen für Transistor, Widerstand, Kondensator, Induktivität, Diode, Zenerdiode und IR-Decodierung. Drücken Sie kurz die TEST-Taste, um die jeweilige Messung zu starten Umfassende Messbereiche: Widerstand: 0,01–50 MΩ; Kapazität: 25 pF–100 mF; Induktivität: 0,01 mH–100 mH. hFE-Bereich für Transistoren: 10 < β < 600; Durchlassspannung von Dioden < 4,5 V; Zener-Durchbruchspannung: 0,01–45 V (über KAA-Sockel). Prüft außerdem JFET, MOSFET, IGBT (Einschaltspannung < 5 V) und SCR (Gate-Triggerstrom < 6 mA) und zeigt Parameter wie Ube, Ic/Ie, Cgs, Id, Vt, Rds und die Vf-Spannung der Schutzdiode an Zenerdiode & IR-Decoder: Drücken Sie die Zener-Taste, um den Zener-Modus aufzurufen; stecken Sie die Diode in den KAA-Anschluss (Minuspol an [K]), arretieren Sie den Griff und drücken Sie TEST, um die Durchbruchspannung von 0,01–45 V zu messen. Schalten Sie in den IR-Modus und richten Sie das IR-Bauteil auf die Öffnung des integrierten IR-Empfängers – das Testgerät decodiert Infrarotsignale nach dem NEC-Protokoll und zeigt den Datencode sowie die entsprechende Wellenform an Selbstkalibrierung, akustische Rückmeldung und Energieverwaltung: Schließen Sie die drei 123-Testpins kurz und halten Sie die TEST-Taste 3 Sekunden lang gedrückt, um den Selbstkalibrierungsvorgang zu starten (lassen Sie die Zener-Buchse leer). Ein einzelner „DI“-Signalton bestätigt den erfolgreichen Test, während wiederholte „DI DI“-Signaltöne einen Fehler anzeigen. Das Gerät schaltet sich nach 25 Sekunden Inaktivität automatisch aus; drücken Sie die TEST-Taste 3 Sekunden lang, um es manuell auszuschalten, oder 10 Sekunden lang für einen erzwungenen Reset Hardware, Zubehör und Firmware-Update: Ausgestattet mit einer Testbuchse mit Verriegelungsgriff, abnehmbaren DIP- und SMD-Adapterplatinen, einem übersichtlichen LCD-Display, einem Drehregler und einem Typ-C-Ladeanschluss. Integrierter wiederaufladbarer 400-mAh-Akku (Betriebsstrom: 90 mA im Normalbetrieb, 150 mA im Zener-Modus). Die Firmware kann über das bereitgestellte GitHub-Repository mithilfe der seriellen CH340-Schnittstelle und der Software „iap.exe“ aktualisiert werden (wählen Sie die .bin-Datei aus). Lieferumfang: Hauptgerät, Handbuch, DIP-Adapter, SMD-Adapter, 3 Testpunkte, TCJ8-Steckleiste, F3MM-Diode und 10-µF-Elektrolytkondensator
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SMD SMT Elektronische Komponenten Sortiment, Transistoren, BJT, MOSFET, Dioden, Schottky, Spannungswandler, SOT-23, 28 Typen, 1400 Stück
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ZEBULON EU
Treedix GM328 Transistor Tester, Multifunktionstester mit buntem Display | LCR Messgerät, Bauteiltester für MOSFET/PNP/NPN, Kondensator, Diode, Widerstand, SMD, Triode & Zener-Diode
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【Multifunktions-Transistor-Tester】Vollautomatische intelligente Erkennung verschiedener elektronischer Bauteile inklusive NPN/PNP-Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, N-Typ/P-Typ-IGBTs, Thyristoren, TRIACs, Induktivitäten, Widerstände und Kondensatoren. Dieser vielseitige Tester ist der ideale Begleiter für Elektronikreparaturen, Experimente und DIY-Projekte. 【Einfache Bedienung】Der Bauteiltester erkennt automatisch Pin-Belegungen und Parameter, bestimmt schnell Bauteiltyp und Spezifikationen. Durch das klare Display und intuitive Rückmeldung sind alle Messungen präzise und zuverlässig. Das benutzerfreundliche Design steigert sofort Ihre Effizienz. 【Ein-Knopf-Messung】Ausgestattet mit einem leistungsstarken ATmega328P-Mikrocontroller liefert dieser Tester schnelle Ergebnisse auf Knopfdruck. Die automatische Abschaltfunktion spart Energie und macht ihn besonders praktisch. 【Universelle USB-C-Stromversorgung】Mit USB-Type-C-Anschluss kompatibel zu jedem Netzteil, Powerbank oder USB-Port - so haben Sie nie Probleme mit leerem Akku. Überall einsatzbereit, wann immer Sie ihn brauchen. 【Wichtiger Hinweis】Kondensatoren müssen vor der Messung vollständig entladen werden, um Beschädigungen des Geräts zu vermeiden.
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Transistor-Kondensator-Tester: für FNIRSI LCR-P1 Transistor-Tester kann für die Messung und Analyse von Patch-Komponenten, NPN, PNP, Triode, MOS, Feldeffekttransistor (FET), Diode, Zener-Diode, Kondensator, Widerstand, Induktor, Batterie usw. verwendet werden Freundliches Design: Das Design des austauschbaren Sitzes ermöglicht die Messung sowohl winziger Komponenten als auch Hochleistungsgeräte. 3,7 cm (1,44 Zoll) Vollfarbbildschirm, 300 mAh Akku, Typ-C-Schnittstelle zum Laden und zur Datenübertragung, Firmware-Upgrade Anti-Verbrennungsschutz-Mechanismus: Der Kapazitätswiderstand esr Tester identifiziert automatisch unentladene Kondensatoren und entlädt sie automatisch im Moment des Einfügens und Verriegelens, wodurch ein versehentliches Brennen effektiv vermieden wird Infrarot-Wellenform: für FNIRSI LCR-P1 Transistordetektor unterstützt die Analyse von Infrarot-Protokollcode, sodass er für das Debugging und die Wartung von Fernbedienungsgeräten verwendet werden kann, und bietet Benutzern eine umfassende Erkennung und Analyse Intelligente automatische Identifikation: Kondensatortester intelligente automatische Erkennung von Komponenten-Pins Definition und Parametern, und kann seine Modelle und Spezifikationen schnell identifizieren, wodurch die Effizienz der Arbeit erheblich verbessert wird
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shunshunyi
TNE 1x -270÷130mA Kanäle: 2 IR2104SPBF MOSFET/IGBT-Treiber MOSFET Harücke 625mW _1GH_IR2104SPBF
TNE 1x -270÷130mA Kanäle: 2 IR2104SPBF MOSFET/IGBT-Treiber MOSFET Harücke 625mW _1GH_IR2104SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Leistung: 6W Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Ausschaltzeit: 150ns Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Topologie: MOSFET Harücke Montage: SMD Versorgungsspannung: 10...20V DC Ausgangsstrom: -270...130mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Betriebstemperatur: -40...125°C Spannungsklasse: 600V Anschaltzeit: 680ns
3 Wochen
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ONSEMI BSS138K - MOSFET, N-Kanal, 50V, 0,22A, 2R, SOT-23
ONSEMI BSS138K - MOSFET, N-Kanal, 50V, 0,22A, 2R, SOT-23
BSS138K von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
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ONSEMI NCP3420DR2G - Buck-Halbbrücke MOSFET 2-Kanäle SOIC-8
ONSEMI NCP3420DR2G - Buck-Halbbrücke MOSFET 2-Kanäle SOIC-8
NCP3420DR2G aus der NCP3420-Familie ist ein Synchronous-Buck-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, n, g, A Peak-Ausgangsstrom, PWM/OD-Logik, n. g. Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 20 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, adaptive Non-Overlap-Schaltung, Output Disable, UVLO. Die Bauform SOIC-8, SMD, n. g. °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
0,52€
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NEXPERIA 2N7002NXAKR - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0,19A, 3R, SOT-23
NEXPERIA 2N7002NXAKR - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0,19A, 3R, SOT-23
2N7002NXAKR von NEXPERIA ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
0,26€
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ONSEMI MMBF170LT1G - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0A, 5R, SOT-23
ONSEMI MMBF170LT1G - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0A, 5R, SOT-23
MMBF170LT1G von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
0,14€
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ONSEMI NCP81151MNTBG - Buck-Halbbrücke MOSFET 2-Kanäle DFN-8
ONSEMI NCP81151MNTBG - Buck-Halbbrücke MOSFET 2-Kanäle DFN-8
NCP81151MNTBG aus der NCP81151MNTBG-Familie ist ein Synchronous-Buck-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, n, g, A Peak-Ausgangsstrom, PWM/SMOD-kompatibel, n. g. Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 20 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, adaptive Non-Overlap-/Shoot-through-Vermeidung, VR12.5-kompatibel, UVLO. Die Bauform DFN-8 2x2, SMD, n. g. °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
0,41€
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DIOTEC 2N7002 - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0,28A, 2R, SOT-23
DIOTEC 2N7002 - MOSFET, N-Kanal, 60V, 0,28A, 2R, SOT-23
2N7002 von DIOTEC ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
0,06€
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ONSEMI BSS138LT3G - MOSFET, N-Kanal, 50V, 0,2A, 10R, SOT-23
ONSEMI BSS138LT3G - MOSFET, N-Kanal, 50V, 0,2A, 10R, SOT-23
BSS138LT3G von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
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ONSEMI BSS138W - MOSFET, N-Kanal, 50V, 0,21A, 35R, SC-70
ONSEMI BSS138W - MOSFET, N-Kanal, 50V, 0,21A, 35R, SC-70
BSS138W von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.
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TEXAS INSTRUMENTS LM 5050MK-1 - MOSFET-Treiber, high-side, SOT-23-6 LM5050MK-1/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS LM 5050MK-1 - MOSFET-Treiber, high-side, SOT-23-6 LM5050MK-1/NOPB
MOSFET-Treiber Ausgangsstrom max.: 3,2 µA Treiberkonfiguration: High-Side MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur max.: +125 °C Betriebstemperatur min.: -40 °C Eingangsspannung max.: 75 V Eingangsspannung min.: 5 V Gehäusegröße: SOT-23 Montage-Typ: SMD Pinanzahl: 6
3,35€
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INFINEON 2N7002DWH6327XTS - MOSFET, N-Kanal, 2V, 60A, 3R, SOT-363 2N7002DWH6327XTSA1
INFINEON 2N7002DWH6327XTS - MOSFET, N-Kanal, 2V, 60A, 3R, SOT-363 2N7002DWH6327XTSA1
2N7002DWH6327XTSA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Enhancement mode . Logic level . Avalanche rated . Fast switching . Qualified according to AEC Q101
0,20€
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LITTELFUSE IXDN609SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDN609SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A 8-SOIC-EP
IXDN609SI aus der IXDN609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,61€
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INFINEON IRS44273LTRPBF - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 1,5A SOT-23-5
INFINEON IRS44273LTRPBF - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 1,5A SOT-23-5
IRS44273LTRPBF aus der IRS44273-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, MOSFET-/IGBT-Ansteuerung. Die Bauform 5-lead SOT-23, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,07€
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INFINEON 1EDN7550BXTSA1 - Low-Side MOSFET/GaN 1-Kanal 4/8A SOT-23-6
INFINEON 1EDN7550BXTSA1 - Low-Side MOSFET/GaN 1-Kanal 4/8A SOT-23-6
1-channel non-isolated gate-driver IC family with truly differential inputs 1EDN7550BXTSA1 aus der 1EDN7550-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber mit differentiellen Eingängen für MOSFET, GaN. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,5..20 V, differentielle Eingänge Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, echte differentielle Eingänge, hohe CMR-Störfestigkeit, kurzer Mindestpuls. Die Bauform PG-SOT23-6, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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ONSEMI MC33153DR2G - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 1/2A SOIC-8
ONSEMI MC33153DR2G - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 1/2A SOIC-8
MC33153DR2G aus der MC33153-Familie ist ein Low-Side-IGBT-Gate-Treiber für IGBT, MOSFET, Bipolartransistor. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1 A Source / 2 A Sink. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, Desaturation-/Overcurrent-Sense, UVLO, Fault/Protection-Funktionen. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+105 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,99€
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ONSEMI FAN3100CSX - Low-Side MOSFET 1-Kanal 3A SOT-23-5
ONSEMI FAN3100CSX - Low-Side MOSFET 1-Kanal 3A SOT-23-5
FAN3100CSX aus der FAN3100-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay, 13 ns Rise Time, 9 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
0,93€
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LITTELFUSE IXDN614SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 14A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDN614SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 14A 8-SOIC-EP
IXDN614SI aus der IXDN614-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDD614SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 14A 8-SOIC-EP
LITTELFUSE IXDD614SI - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 14A 8-SOIC-EP
IXDD614SI aus der IXDD614-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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MICROCHIP TC4452VOA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 12A SOIC-8
MICROCHIP TC4452VOA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 12A SOIC-8
TC4452VOA aus der TC4452-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 12 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, 3..18 V Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 44 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, ESD bis 4 kV HBM, geringe Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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ONSEMI FAN3100TSX - Low-Side MOSFET 1-Kanal 2A SOT-23-5
ONSEMI FAN3100TSX - Low-Side MOSFET 1-Kanal 2A SOT-23-5
FAN3100TSX aus der FAN3100-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDI609SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A SOIC-8
LITTELFUSE IXDI609SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 1-Kanal 9A SOIC-8
IXDI609SIA aus der IXDI609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
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LITTELFUSE IXDF604SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A SOIC-8
LITTELFUSE IXDF604SIA - Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 4A SOIC-8
IXDF604SIA aus der IXDF604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit
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