smd mosfet

Das Produkt enthält batteriebetriebenes Zubehör. Bitte bewahren Sie das Produkt außerhalb der Reichweite von Kindern auf, um ein...

Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 60V -Drainstrom: 0.32A -Verlustleistung: 260mW -Gehäuse: SOT323 -Gate-Source Spannung: ±20V -Widerst im Leitungszust: 900mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 0.8nC -Verpackungs-Art: B -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Lieferumfang: 5 Stk.

Design: Das kompakte und leichte Design ermöglicht einfachen Transport. Die Benutzeroberfläche ist benutzerfreundlich und verfügt über übersichtliche Anzeigen und Tasten. Die Prüfspitzen sind hochwertig verarbeitet und flexibel für den Anschluss an verschiedene Komponenten. Das robuste Gehäuse schützt die internen Schaltkreise. Funktion: Dieser Multifunktionstester kann Transistoren (NPN, PNP, MOSFET), Kondensatoren, Dioden, Trioden testen und für eine umfassende Analyse auch LCR- und ESR-Werte von SMD-Komponenten messen. Material: Hergestellt aus elektrisch stabilen und langlebigen Materialien. Die Materialien gewährleisten zuverlässige elektrische Verbindungen und halten dem regelmäßigen Einsatz in einer elektronischen Testumgebung stand. Anwendung: Verbinden Sie die Prüfspitzen mit den Pins des zu prüfenden elektronischen Bauteils. Wählen Sie mit den Tasten den passenden Testmodus aus. Lesen Sie die Testergebnisse auf dem Display ab. Anwendungsbereich: Ideal für Elektronikbastler, Techniker und Ingenieure zum Testen und Identifizieren verschiedener elektronischer Komponenten während des Schaltungsdesigns, der Reparatur und der Produktion.

Hersteller: ALPHA

Hersteller: Infineon (IRF) Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -2.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 12.5A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark

DMP3056L-7 von DIODES INCORPORATED ist ein P-Kanal-SMD-MOSFET für kompakte Lastschalter und portable Elektronik. Geeignet für Power-Management, Verpolschutz, Akkuschaltungen und platzsparende Schaltanwendungen. Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage

Hersteller: ALPHA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 1.4W Gate-Ladung: 6nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 26.5m? Gate-Source Spannung: ±12V

Hersteller: ALPHA

DMN65D8LQ-13 von DIODES INCORPORATED ist ein kompakter SMD-MOSFET für platzsparende Elektronikdesigns. Geeignet für Lastschalter, Signalsteuerungen, Power-Management und allgemeine Schaltanwendungen. Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate

Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: HEXFET® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 55V -Drainstrom: 3.8A -Verlustleistung: 2.1W -Gehäuse: SOT223 -Montage: SMD -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 2 Stk.

Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: ® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 6.3A -Verlustleistung: 1.3W -Gehäuse: SOT23 -Gate-Source Spannung: ±12V -Widerst im Leitungszust: 21mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 8.9nC -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 5 Stk.

SIPMOS SMD-Kleinleistungs-MOSFET Merkmale Anreicherungsmodus Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform Qualifiziert nach AEC Q101 Halogenfrei nach IEC61249-2-21

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Leistung: 6W Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Ausschaltzeit: 150ns Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Topologie: MOSFET Harücke Montage: SMD Versorgungsspannung: 10...20V DC Ausgangsstrom: -270...130mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Betriebstemperatur: -40...125°C Spannungsklasse: 600V Anschaltzeit: 680ns

MMBF170LT1G von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

2N7002 von DIOTEC ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

2N7002NXAKR von NEXPERIA ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

BSS138K von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

MC33153DR2G aus der MC33153-Familie ist ein Low-Side-IGBT-Gate-Treiber für IGBT, MOSFET, Bipolartransistor. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1 A Source / 2 A Sink. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, Desaturation-/Overcurrent-Sense, UVLO, Fault/Protection-Funktionen. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+105 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

FAN3100TSX aus der FAN3100-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

NCP81151MNTBG aus der NCP81151MNTBG-Familie ist ein Synchronous-Buck-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, n, g, A Peak-Ausgangsstrom, PWM/SMOD-kompatibel, n. g. Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 20 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, adaptive Non-Overlap-/Shoot-through-Vermeidung, VR12.5-kompatibel, UVLO. Die Bauform DFN-8 2x2, SMD, n. g. °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

NCP3420DR2G aus der NCP3420-Familie ist ein Synchronous-Buck-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, n, g, A Peak-Ausgangsstrom, PWM/OD-Logik, n. g. Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 20 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, adaptive Non-Overlap-Schaltung, Output Disable, UVLO. Die Bauform SOIC-8, SMD, n. g. °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MOSFET-Treiber Ausgangsstrom max.: 3,2 µA Treiberkonfiguration: High-Side MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur max.: +125 °C Betriebstemperatur min.: -40 °C Eingangsspannung max.: 75 V Eingangsspannung min.: 5 V Gehäusegröße: SOT-23 Montage-Typ: SMD Pinanzahl: 6

1-channel non-isolated gate-driver IC family with truly differential inputs 1EDN7550BXTSA1 aus der 1EDN7550-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber mit differentiellen Eingängen für MOSFET, GaN. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,5..20 V, differentielle Eingänge Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, echte differentielle Eingänge, hohe CMR-Störfestigkeit, kurzer Mindestpuls. Die Bauform PG-SOT23-6, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IX4427N aus der IX4427N-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, TTL/CMOS, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit

IXDD614SI aus der IXDD614-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2011STRPBF aus der IRS2011-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3 V und 5 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 60 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend laut DigiKey, HIN/LIN active high laut Datenblatt bitte prüfen, UVLO, matched propagation delay, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDN614SI aus der IXDN614-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 14 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 18 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

TC4452VOA aus der TC4452-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 12 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, 3..18 V Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 44 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-up-fest, ESD bis 4 kV HBM, geringe Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDF604SIA aus der IXDF604-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, Logikeingang bis 35 V, Eingang bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit