smd mosfet

Hersteller: ALPHA

G3VM MOSFET-Relais Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics zeichnen sich durch Leistung, Größe und Eigenschaften aus, die ideal für eine Vielzahl von Branchen geeignet sind. Zu den Anwendungen gehören automatische Testgeräte, medizinische Geräte, Messgeräte, Sicherheitsausrüstung, automatische Zählerablesung, Kfz-Diagnosegeräte und Kommunikation. Die G3VM-MOSFET-Relais von Omron Electronics sind in ein- und zweipoligen Konfigurationen mit PCB-, SMT-, DIP-, SOP-, SSOP- oder USOP-Gehäuse erhältlich. Omron bietet Allzweckmodelle und andere Relaisoptionen an, darunter Modelle mit Strombegrenzung, hoher Spannungsfestigkeit zwischen Eingang und Ausgang, Schließer- und Öffnerkontakten, niedrigem Durchlasswiderstand, hohem Dauerlaststrom, geringer Kapazität zwischen den Anschlüssen, hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und hoher Schaltgeschwindigkeit. Merkmale Große Auswahl an Bauformen Ein- und Zweikontaktmodelle mit NO- und NC-Kontakten erhältlich Einschaltwiderstand von nur 5 mΩ (typisch) AUS-Zustandskapazität von nur 0,3 pF (typisch) Trigger-LED-Durchlassströme von nur 0,2 mA Schaltzeiten bis zu 0,2ms Modelle mit Strombegrenzungsfunktionen erhältlich 100000 Stunden Dauerbetrieb Durchschlagsfestigkeit bis zu 5000VAC für 1s Modelle mit einer Schaltleistung von bis zu 10A in einem kleinen Gehäuse

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 22mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -3A Verlustleistung: 1W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 140mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: Infineon (IRF) Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -2.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 12.5A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark

Hersteller: ALPHA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 1.4W Gate-Ladung: 6nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 26.5m? Gate-Source Spannung: ±12V

Hersteller: ALPHA

DMN65D8LQ-13 von DIODES INCORPORATED ist ein kompakter SMD-MOSFET für platzsparende Elektronikdesigns. Geeignet für Lastschalter, Signalsteuerungen, Power-Management und allgemeine Schaltanwendungen. Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate

Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: HEXFET® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 55V -Drainstrom: 3.8A -Verlustleistung: 2.1W -Gehäuse: SOT223 -Montage: SMD -Verpackungs-Art: Rolle -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 2 Stk.

Technische Daten: -Transistor-Typ: N-MOSFET -Technologie: ® -Polarisierung: unipolar -Drain-Source Spannung: 20V -Drainstrom: 6.3A -Verlustleistung: 1.3W -Gehäuse: SOT23 -Gate-Source Spannung: ±12V -Widerst im Leitungszust: 21mΩ -Montage: SMD -Gate-Ladung: 8.9nC -Kanal-Art: stark -Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level -Lieferumfang: 5 Stk.

SIPMOS SMD-Kleinleistungs-MOSFET Merkmale Anreicherungsmodus Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform Qualifiziert nach AEC Q101 Halogenfrei nach IEC61249-2-21

DMP3056L-7 von DIODES INCORPORATED ist ein P-Kanal-SMD-MOSFET für kompakte Lastschalter und portable Elektronik. Geeignet für Power-Management, Verpolschutz, Akkuschaltungen und platzsparende Schaltanwendungen. Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Leistung: 6W Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Ausschaltzeit: 150ns Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Topologie: MOSFET Harücke Montage: SMD Versorgungsspannung: 10...20V DC Ausgangsstrom: -270...130mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Betriebstemperatur: -40...125°C Spannungsklasse: 600V Anschaltzeit: 680ns

MMBF170LT1G von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

2N7002 von DIOTEC ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

2N7002NXAKR von NEXPERIA ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

BSS138K von ONSEMI ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

MC33153DR2G aus der MC33153-Familie ist ein Low-Side-IGBT-Gate-Treiber für IGBT, MOSFET, Bipolartransistor. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1 A Source / 2 A Sink. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, Desaturation-/Overcurrent-Sense, UVLO, Fault/Protection-Funktionen. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+105 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

NCP81151MNTBG aus der NCP81151MNTBG-Familie ist ein Synchronous-Buck-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, n, g, A Peak-Ausgangsstrom, PWM/SMOD-kompatibel, n. g. Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 20 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, adaptive Non-Overlap-/Shoot-through-Vermeidung, VR12.5-kompatibel, UVLO. Die Bauform DFN-8 2x2, SMD, n. g. °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

NCP3420DR2G aus der NCP3420-Familie ist ein Synchronous-Buck-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, n, g, A Peak-Ausgangsstrom, PWM/OD-Logik, n. g. Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 20 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, adaptive Non-Overlap-Schaltung, Output Disable, UVLO. Die Bauform SOIC-8, SMD, n. g. °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MOSFET-Treiber Ausgangsstrom max.: 3,2 µA Treiberkonfiguration: High-Side MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur max.: +125 °C Betriebstemperatur min.: -40 °C Eingangsspannung max.: 75 V Eingangsspannung min.: 5 V Gehäusegröße: SOT-23 Montage-Typ: SMD Pinanzahl: 6

2N7002DWH6327XTSA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Enhancement mode . Logic level . Avalanche rated . Fast switching . Qualified according to AEC Q101

TQM2N7002KCX RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

UCC27324DR aus der UCC27324-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDN609SI aus der IXDN609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz. Die Bauform 8-SOIC-EP, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27322DR aus der UCC27322-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, Enable, Split Outputs, hohe Miller-Stromfähigkeit. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS44273LTRPBF aus der IRS44273-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, MOSFET-/IGBT-Ansteuerung. Die Bauform 5-lead SOT-23, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IXDI609SIA aus der IXDI609-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 9 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..35 V, VIL/VIH 0,8/3,0 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 40 ns Propagation Delay, 22 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend, latch-up-fest, Eingang bis -5 V, niedrige Ausgangsimpedanz, Schutz gegen Cross-Conduction/Shoot-through. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

FAN3100TSX aus der FAN3100-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.