leistungs mosfet

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Sehr niedrige Gate-Ladung Sehr niedriger R DS(on) bei 4,5V VGS Ultra-niedrige Gate-Impedanz Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom Bleifrei Anwendungen Steuer-MOSFET für Sync-Buck-Wandler zur Stromversorgung von Notebook-Prozessoren Steuer-MOSFET für isolierte DC-DC-Wandler in Netzwerksystemen

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Sehr niedriger R DS(on) bei 4,5V VGS Ultra-niedrige Gate-Impedanz Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und -Strom Bleifrei Anwendungen Optimiert für USV/Inverter-Anwendungen Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler für die Stromversorgung von Computerprozessoren Isolierte Hochfrequenz-DC/DC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung für Telekommunikation und Industrie

HEXFET-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs für die HEXFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein extrem effizientes Bauelement für einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken. Die Version mit geradem Anschluss (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage. Verlustleistungen von bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage möglich. Eigenschaften . Logik-Level Gate Drive . Oberflächenmontage (IRLR024N) . gerader Anschluss (IRLU024N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche Rated . bleifrei

-20V P-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 2x2-Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.

IRFBC30, Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche-Bewertung . Schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

IRF820, Leistungs-MOSFET BESCHREIBUNG Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für kommerziell-industrielle Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. EIGENSCHAFTEN . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche-Bewertung . Schnelles Schalten . Einfaches Parallelisieren . Einfache Antriebsanforderungen . Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

Die fortschrittlichen HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak ist für Hochstromanwendungen geeignet aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstandes und kann bis zu 2,0 W in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung ableiten. Die Version mit Durchgangsbohrung (IRF3205L) ist für Low-Profile Anwendungen verfügbar. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . Oberflächenmontage (IRF 1310NS) . flache Durchgangsbohrung (IRF 1310NL) . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich

HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die HEXFET-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungspaket, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringst möglichen On-Widerstand in allen existierenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines niedrigen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann bis zu 2,0 W in einer typischen Oberflächenmontage-Anwendung. Die Durchsteckversion (IRF640NL) ist für Flachbildschirme erhältlich. Anwendung. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Dynamische dv/dt Bewertung . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Umschalten . Vollständig Avalanche-tauglich . Leichte Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Bleifrei

N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET Merkmale: . Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 erhältlich . TrenchFET Leistungs-MOSFET . 100 % Rg und UIS-geprüft . Materialkategorisierung: für Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com/doc?99912 Anwendungen: . Batterie-Schalter . DC/DC-Wandler

TQM070NH04LCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

Die fortschrittlichen HEXFETÆ Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign der HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur einen extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das für Chipgrößen bis zu HEX-4 geeignet ist. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen Durchlasswiderstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak ist für Hochstromanwendungen geeignet, da es niedrigen internen Verbindungswiderstand und kann bis zu bis zu 2,0 W in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung. Die Durchgangslochversion (IRF540NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . dynamische dv/dt Bewertung . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-geeignet . extrem niedriger Einschaltwiderstand . bleifrei

TQM056NH04LCR RLG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

HEXFET Leistungs-MOSFET Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind hohe Schaltgeschwindigkeit und robuste Geräteausführung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen. Merkmale Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltung Vollständig Avalanche bewertet Bleifrei

HEXFET Leistungs-MOSFET Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind hohe Schaltgeschwindigkeit und robuste Geräteausführung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen. Merkmale Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltung Vollständig Avalanche bewertet Bleifrei

IRFR9310PBF von INFINEON ist ein P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schaltanwendungen. Geeignet für Motorsteuerungen, Netzteile, Lastschalter, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen. . Advanced process technology . Fully avalanche rated . Surface-mount (IRFR9310, SiHFR9310) . Straight lead (IRFU9310, SiHFU9310) . P-channel . Fast switching

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedrige Gate-Ladung für schnelle Schaltung Bleifreie Beschichtung RoHS-konform Halogenfreie Formmasse Anwendungen Netzwerktechnik Lastschalter LED-Beleuchtungssteuerung AC-DC-Sekundärgleichrichtung

HEXFET Leistungs-MOSFET Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind hohe Schaltgeschwindigkeit und robuste Geräteausführung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen. Merkmale Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltung Vollständig Avalanche bewertet Bleifrei

Der N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus ist für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltungen sowie für Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Magnetspulen, Motor- und Magnetspulen, Motortreiber, Relaistreiber geeignet. Merkmale . 8A, 500V, niedriger RDS(ON)=0,85O. . einzelimpuls-Avalanche Energie Nennwert . robust - SOA ist verlustleistungsbegrenzt . schnelle Schaltgeschwindigkeiten . lineare Übertragungseigenschaften . hohe Eingangsimpedanz . . . .

HEXFET Leistungs-MOSFET Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind hohe Schaltgeschwindigkeit und robuste Geräteausführung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen. Merkmale Fortschrittliche Prozesstechnologie Dynamischer dv/dt-Wert 175°C Betriebstemperatur Schnelle Schaltung Vollständig Avalanche bewertet Bleifrei

Leistungs-MOSFET Beschreibung: Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die Oberflächenmontage unter Verwendung von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken vorgesehen. Die Version mit gerader Leitung (Serie IRFU, SiHFU) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. Bei typischen Anwendungen zur Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 W möglich. Merkmale: . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Avalanche-Bewertung . SMD-Montage (IRFR9024, SiHFR9024) . Gerade Anschlüsse (IRFU9024, SiHFU9024) . Verfügbar als gegurtete Ware . P-Kanal . Schnelles Umschalten

Leistungs-MOSFET Beschreibung Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziellen Industrieanwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei. Merkmale . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Lawinen-Bewertung . Schnelles Umschalten . Leichte Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Blei (Pb)-frei verfügbar

Dieser N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungsfeldtransistor im Anreicherungsmodus Leistungs-Feldeffekttransistor ist ein fortschrittlicher Leistungs-MOSFET, der getestet und garantiert, dass er einer bestimmten Energiemenge Energie im Avalanche-Durchbruchmodus zu widerstehen. Alle diese diese Leistungs-MOSFETs sind für Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Motortreiber, Relaistreiber Relaistreibern und Treibern für bipolare Hochleistungs- Schalttransistoren Transistoren, die eine hohe Geschwindigkeit und eine niedrige Gate-Treiberleistung erfordern. Diese Typen können direkt von integrierten Schaltungen betrieben Schaltungen betrieben werden. Anwendungen . switch Mode Power Supply ( SMPS) . unterbrechungsfreie Stromversorgung . hohe Schaltgeschwindigkeit Vorteile . niedrige Gate-Ladung Qg resultiert in einfachem Antriebsbedarf . vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-Spannung und Strom . verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit . niedrige Gate-Ladung Qg resultiert in einfacher Ansteuerungsanforderung . effektiver Coss spezifiziert (siehe AN 1001)

30V Single N-Kanal StrongIRFET MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

30V Single N-Kanal StrongIRFET MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler.

HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung Die HEXFET-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SOT-223-Gehäuse ist für die Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt. Sein einzigartiges Gehäusedesign ermöglicht eine einfache automatische Bestückung wie bei anderen SOT- oder SOIC-Gehäusen, hat aber den zusätzlichen Vorteil einer verbesserten thermischen Leistung durch eine vergrößerte Lasche zur Wärmeableitung. In einer typischen Oberflächenmontage-Anwendung ist eine Verlustleistung von 1,0 W möglich. Merkmale . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger On-Widerstand . Dynamische dv/dt Bewertung . Schnelles Umschalten . Vollständig lawinentauglich . Bleifrei

Die fortschrittlichen HEXFETÆ-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Beschreibung . fortschrittliche Prozesstechnologie . extrem niedriger On-Widerstand . dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . volle Avalanche-Bewertung . bleifrei

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

IRFB3607PbF , HEXFET Leistungs-MOSFET Vorteil: . Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit . Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA . Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Anwendungen: . Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS . Unterbrechungsfreie Stromversorgung . Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil . Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen

Leistungs-MOSFET Merkmale - Kleine SMD Gehäuse - BVSS-Präfix für die Automobilindustrie und andere Anwendungen, die Besondere Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen haben - AEC-Q101 Qualifiziert und PPAP-fähig - Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS konform

Der UTC UF540 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der die fortschrittliche Technologie von UTC nutzt, um dem Kunden einen minimalen Durchlasswiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit zu bieten. Der UTC UF540 eignet sich für AC&DC-Motorsteuerungen und Schaltnetzteile usw. Eigenschaften . RDS(on)