leistungs mosfet

Die Leistungs-MOSFETs der IR-MOSFET-Familie nutzen bewährte Siliziumprozesse und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Merkmale fortschrittliche Prozesstechnologie extrem niedriger Einschaltwiderstand dynamischer dv/dt-Wert 175°C Betriebstemperatur schnelles Schalten vollständige Avalanche-Bewertung

Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler. Besondere Merkmale . niedriger RDSon (= 13 mOhm) . geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 13°C/W) . niedriges Profil (= 1,0 mm) . Industriestandard Pinout

IRF7319, HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung HEXFETs der fünften Generation nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Design, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauteil für eine Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften und die Fähigkeit zur Verwendung mehrerer Bauelemente zu verbessern, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Dank dieser Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung eingesetzt werden, wobei der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Merkmale: . Generation V Technologie . Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand . Dual N- und P-Kanal-MOSFET . Oberflächenmontage . Vollständig Avalanche-geeignet

IRLZ14, Leistungs-MOSFET Merkmale . Dynamischer dV/dt-Wert . Logic-Level Gate Drive . RDS(on) spezifiziert bei VGS = 4 V und 5 V . 175 °C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Einfaches Parallelisieren . Einfache Antriebsanforderungen . Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

Dual N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

P-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Lastschalter BLDC-Motorantriebe

Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler. Besondere Merkmale . niedriger RDSon (= 16 mOhm) . geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 13°C/W) . niedriges Profil (= 1,0 mm) . Industriestandard Pinout

Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler. Besondere Merkmale . niedriger RDSon (= 135 mOhm) . geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 13°C/W) . niedriges Profil (= 1,0 mm) . Industriestandard Pinout

STripFET II POWER MOSFET Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartiger "Single Feature Size" Prozesses auf Streifenbasis. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand auf, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte und damit eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit bei der Herstellung. Hinweis Ersatz für BUZ71A

Dual N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

Dual N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 175°C Betriebssperrschichttemperatur RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode Bleifrei Anwendungen Anwendungen für bürstenbehaftete Motorantriebe Anwendungen für BLDC-Motorantriebe Batteriebetriebene Schaltungen Halbbrücken- und Vollbrückentopologien Synchrongleichrichter-Anwendungen Stromversorgungen im Resonanzmodus OR-ing und redundante Leistungsschalter DC/DC- und AC/DC-Wandler DC/AC-Wechselrichter

30V Single N-Kanal StrongIRFET Power MOSFET in einem PQFN 5x6 Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bausteine eignen sich ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC-DC-Wandler. Merkmale Industriestandard-Gehäuse für die Oberflächenmontage Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 175°C Betriebssperrschichttemperatur RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

Dual N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

IRF7341PbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch ein kundenspezifisches Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften zu verbessern und die Fähigkeit zur Mehrfachbestückung zu erhöhen, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Platinenplatz eingesetzt werden. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt.Eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W ist in einer typischen PCB-Montage-Anwendung möglich. Merkmale . Generation V Technologie . Ultra niedriger Ein-Widerstand . Zweifach-N-Kanal-Mosfet . Oberflächenmontage . Verfügbar in Tape & Reel . Dynamischer dv/dt-Wert . Schnell schaltend . Bleifrei

HEXFETÆ-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand bei allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak ist für Hochstromanwendungen geeignet, da es einen niedrigen internen Verbindungswiderstand und kann bis zu 2,0W in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung. Die Durchgangslochversion (IRF630NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . dynamische dv/dt Bewertung . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-geeignet . schnelles Schalten . einfache Parallelisierung . bleifrei

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 175°C Betriebssperrschichttemperatur RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 175°C Betriebssperrschichttemperatur RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen BLDC-Motorsteuerung Batterie-Power-Management DC-DC-Wandler Sekundäre synchrone Gleichrichtung

Der N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus MOSFET ist für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Solenoid-, Motor- und Magnetspulen, Motortreiber, Relaistreiber. Eigenschaften . RDS(ON) = 0,4O@ VGS = 10 V . extrem niedrige Gate-Ladung (typisch 19 nC) . niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (CRSS = typisch 80 pF) . schnelle Schaltfähigkeit . Avalanche Energie spezifiziert . verbesserte dv/dt-Fähigkeit

Leistungs-MOSFET Beschreibung Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziellen Industrieanwendungen bei Verlustleistungen bis etwa 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei. Merkmale . Dynamische dV/dt Bewertung . Wiederholte Avalanche-Bewertung . P-Kanal . 175 °C Betriebstemperatur . Schnelles Umschalten . Leichte Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten. extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRds auf * Qg und EOSS sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit einfach zu verwenden/zu betreiben bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse zugelassen für Standardanwendungen

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Logikpegel Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten ESD-geschützt 2,5KV (HBM) RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen Niedrige Seitelastschaltung Level-Shift-Schaltungen Allgemeine Schaltungen

Leistungs-MOSFET PowerTrench Diese P-Kanal-MOSFET ist unter Verwendung der proprietären PowerTrench-Prozess von Fairchild Semiconductor hergestellt, um einen niedrigen rDS(on) und eine optimierte Bvdss-Fähigkeit zu erreichen und so einen überlegenen Leistungsvorteil in den Anwendungen und optimierte Schaltleistung zur Reduzierung der Verlustleistung in Wandler-/Wechselrichteranwendungen zu bieten. Merkmale Leistungsstarke Trench-Technologie für extrem niedrige r DS(on) RoHS-konform Anwendungen Wechselrichter Stromversorgungen

Leistungs-MOSFET PowerTrench, Specified Diese für 1,8 V spezifizierten P-Kanal-MOSFET verwendet den Niederspannungs-PowerTrench-Prozess von onsemi. Es ist für Batterie-Power-Management-Anwendungen optimiert. Merkmale Schnelle Schaltgeschwindigkeit Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON) Pb-frei und halogenfrei Anwendungen Batterie-Management Lastschalter Batterieschutz

Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei. Merkmale . dynamische dV/dt-Bewertung . wiederholter Avalanche Nennwert . 175 °C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen . bleifrei (Pb) erhältlich

STP40NF10 Dieser N-Kanal-100-V-Leistungs-MOSFET ist die jüngste Entwicklung des einzigartigen streifenbasierten Prozesses von STMicroelectronics mit nur einem Merkmal. Der daraus resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für einen niedrigen On-Widerstand, robuste Avalanche-Eigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf, was eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit bei der Herstellung ermöglicht. Eigenschaften . außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit . niedrige Gate-Ladung . 100% Avalanche-getestet Anwendung . Schaltanwendungen

N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Logikpegel Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten ESD-geschützt 2,5KV (HBM) RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen Niedrige Seitelastschaltung Level-Shift-Schaltungen Allgemeine Schaltungen

Dual N-Kanal Leistungs-MOSFET Merkmale Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von Leitungsverlusten Logikpegel Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten ESD-geschützt 2,5KV (HBM) RoHS-konform Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Anwendungen Niedrige Seitelastschaltung Level-Shift-Schaltungen Allgemeine Schaltungen