leistungs mosfet

Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlüssen (Serie IRFU/SiHFU) ist für die Durchsteckmontage Montageanwendungen. Die Verlustleistung beträgt bis zu 1,5 W sind in typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage möglich. Eigenschaften . dynamische dV/dt-Bewertung . repetitive Avalanche-Bewertung . Oberflächenmontage (IRFR420/SiHFR420) . gerade Leitung (IRFU420/SiHFU420) . verfügbar in Tape and Reel . schnelles Schalten . einfache Parallelisierung

HEXFET-Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken. Die Version mit geradem Anschluss (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage. Verlustleistungen von bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage möglich. Eigenschaften . Logik-Level Gate Drive . Oberflächenmontage (IRLR024N) . gerader Anschluss (IRLU024N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . Rds(on) spezifiziert bei Vgs=4V & %V

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage vorgesehen. Verlustleistung bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage Anwendungen möglich. Eigenschaften . Oberflächenmontage (IRLR120N) . gerade Leitung (IRLU120N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche Rated . bleifrei

Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . Dynamischer dv/dt-Wert . P-Kanal . schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen

Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauelementedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusepreise des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . dynamische dV/dt-Bewertung . repetitive Avalanche-Bewertung . P-Kanal . schnelles Schalten . einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen . Materialkategorisierung: für Definitionen der Konformität

HEXFET der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in einem bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Die Durchgangslochversion (IRL530NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . Oberflächenmontage (IRL530NS) . Durchgangsbohrung mit niedrigem Profil (IRL530NL) . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-geeignet . bleifrei

IRF2804PbF, HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung Dieser speziell für Automotive-Anwendungen entwickelte HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in Automotive-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Applikationen. Merkmale . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Wiederholte Avalanche bis Tjmax erlaubt . Bleifrei

Leistungs-MOSFET Dual N & P-Kanal PowerTrench Diese dual N- und P-Kanal-MOSFETs sind mit dem fortschrittlichem PowerTrench-Prozess von onsemi hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Einschaltwiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Diese Bauelemente wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr kleinem Platzbedarf zu bieten für Anwendungen, bei denen die größeren und teurere SO-8- und TSSOP-8-Gehäuse unpraktisch sind. Merkmale Schnelle Schaltgeschwindigkeit Hohe Leistung und Handlingsfähigkeit in einem weit verbreiteten Gehäuse für die Oberflächenmontage Anwendungen Wechselrichter Synchroner Buck

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage vorgesehen. Verlustleistung bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage Anwendungen möglich. Eigenschaften . Logic Level Gate Drive . Oberflächenmontage (IRLR3410) . gerade Leitung (IRLU3410) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche Rated . bleifrei

Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . Dynamischer dv/dt-Wert . P-Kanal . schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen

Feldeffekttransistor N-Kanal, Anreicherungsmodus Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus sind mit der von Onsemi entwickelten DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Diese Produkte wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung zu bieten. Diese Produkte sind besonders für Anwendungen mit niedriger Spannung geeignet, wie z. B. die Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen. Merkmale Hochdichtes Zellendesign für niedrigen RDS(ON) Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter Robust und zuverlässig Hoher Sättigungsstrom Pb-frei und Halogenfrei

Die fünfte Generation der HEXFETs von International Representative nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen. Mit dem TO-220 Fullpark entfällt die Notwendigkeit zusätzlicher isolierender Hardware in kommerziellen und industriellen Anwendungen. Die verwendete Formmasse widersteht einer 100-Mikron-Glimmer-Barriere bei Standard-TO-220-Produkten. Der Fullpark wird mit einem einzigen Clip oder einer einzigen Schraube an einem Kühlkörper befestigt. . Fortschrittliche Prozesstechnologie . isoliertes Gehäuse . hochspannungsisolierung = 2,5KVRMS . Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung = 4,8 mm . vollständig Avalanche-geeignet . Bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . Logik-Level Gate Drive . fortschrittliche Prozesstechnologie . dynamische dv/dt Bewertung . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-geeignet

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlüssen (Serie IRFU) ist für die Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Eigenschaften . extrem niedriger On-Widerstand . P-Kannal . Oberflächenmontage (IRFR9024N) . gerader Anschluss (IRFU9024N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich . bleifrei

Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industrielle Anwendungen bei Verlustleistungen Verlustleistung bis etwa 50 W. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . dynamische dV/dt-Bewertung . wiederholte Lawine Nenn . 175 °C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen . bleifrei (Pb) Verfügbar

Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . wiederholter Lawinenabgang bewertet . schnelles Schalten . einfache Antriebsanforderungen . einfache Parallelschaltung

HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung Dieser HEXFET Power MOSFET wurde speziell für Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Rate bei sich wiederholenden Schaltvorgängen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in Automobilanwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen. Merkmale . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger On-Widerstand . Dynamische dv/dt Bewertung . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Umschalten . Wiederholungs-Avalanche bis Tjmax erlaubt . Bleifrei

HEXFET der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in einem bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäuse. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Die Durchgangslochversion (IRL530NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . Oberflächenmontage (IRL540NS) . Durchgangsbohrung mit niedrigem Profil (IRL540NL) . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-geeignet . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage vorgesehen. Verlustleistung bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage Anwendungen möglich. Eigenschaften . Oberflächenmontage (IRLR120N) . gerade Leitung (IRLU120N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche Rated . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Eigenschaften . extrem niedriger Durchlasswiderstand . Oberflächenmontage (IRFR024N) . gerader Anschluss (IRFU024N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . vollständig Avalanche-geeignet . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Eigenschaften . extrem niedriger Durchlasswiderstand . Oberflächenmontage (IRFR024N) . gerader Anschluss (IRFU024N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . vollständig Avalanche-geeignet . bleifrei

IRF520, Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale: . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche . 175 °C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Einfaches Parallelisieren . Einfache Antriebsanforderungen . Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Eigenschaften . dynamischer dv/dt-Wert . Oberflächenmontage (IRFR0320) . Repetitive Avalanche-Bewertung . gerader Anschluss (IRFU0320) . Erhältlich in Band- und Spulenform . schnelles Schalten . einfacheParallelisierung

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Eigenschaften . extrem niedriger Durchlasswiderstand . Oberflächenmontage (IRFR1205) . gerader Anschluss (IRFU1205) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . vollständig Avalanche-geeignet . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlüssen (Serie IRFU) ist für die Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Eigenschaften . Oberflächenmontage (IRFR9024N) . gerader Anschluss (IRFU9024N) . P-Kanal . extrem niedriger On-Widerstand . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industrielle Anwendungen mit einer Verlustleistung bis etwa 50 Watt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . dynamische dv/dt Bewertung . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . voll Avalanche-geeignet . P-Kanal . bleifrei

IRF9Z34N , HEXFETPower MOSFET Beschreibung HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie. Anwendungen . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . P-Kanal . Vollständig Avalanche-geeignet

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-247-Gehäuse wird für kommerziell-industrielle Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungspegel die Verwendung von TO-220-Bauteilen ausschließen. Das TO_247-Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . 175°C Betriebstemperatur . dynamische dv/dt-Bewertung . bleifrei . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich . P-Kanal

IRFZ34N HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Power-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger On-Widerstand . Dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Einfaches Parallelisieren

Feldeffekttransistor N-Kanal, Anreicherungsmodus Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus sind mit der von Onsemi entwickelten DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Diese Produkte wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung zu bieten. Sie können in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 500 mA DC benötigen. Diese Produkte sind besonders für Anwendungen mit niedriger Spannung geeignet, wie z. B. die Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen. Merkmale Hochdichtes Zellendesign für niedrigen RDS(ON) Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter Robust und zuverlässig Hoher Sättigungsstrom Pb-frei