smd mosfet

IR2106STRPBF aus der IR2106-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Soft-Turn-On, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Beschreibung P-Kanal Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET Technologie. Eigenschaften und Vorteile . 1,8 V Drain-Source-Durchlasswiderstand . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie Anwendungen . Relaistreiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . High-Side-Lastschalter . Schaltkreise

Vertikaler DMOS-Transistor im P-Kanal-Anreicherungsmodus Allgemeine Beschreibung Vertikaler P-Kanal-Verstärkungsmodus-DMOS-Transistor (Diffusion Metal-Oxide Semiconductor) in einem kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device). Merkmale: . Niedrige Schwellenspannung . Direkte Schnittstelle zu CMOS und Transistor-Transistor-Logik (TTL) . Hochgeschwindigkeits-Umschaltung . Keine sekundäre Aufschlüsselung Anwendungen: . Leitungsstromunterbrecher in Telefonapparaten . Relais-, Hochgeschwindigkeits- und Leitungstransformator-Treiber

Leistungs-MOSFET Merkmale - Kleine SMD Gehäuse - BVSS-Präfix für die Automobilindustrie und andere Anwendungen, die Besondere Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen haben - AEC-Q101 Qualifiziert und PPAP-fähig - Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS konform

MC34151DG aus der MC34151-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, CMOS/LSTTL-kompatibel mit Hysterese Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35 / 36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, UVLO mit Hysterese, latch-up-fest, interner 100-kO-Pulldown je Ausgang, keine Überstrom-/Thermal-Schutzfunktion. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2106STRPBF aus der IRS2106-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,29 A Source / 0,6 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

BSS138-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed

IRS2304SPBF aus der IRS2304-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,29 A Source / 0,6 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shoot-through-Schutz, Level-Shift-Technologie, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2213SPBF aus der IR2213-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2 A Source / 2,5 A Sink, VCC/VDD 12..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 17 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest, Desat/FAULT-Funktionen laut Datenblattfamilie prüfen. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 37A Verlustleistung: 69W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 39W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 43W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -11A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

L6388ED aus der L6388E-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, VCC/VDD ca. 12,5..17 V, CMOS/TTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 70 ns Rise Time, 40 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Interlocking/Shoot-through-Vermeidung, Dead-Time-Funktion, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -45...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

L6386ED aus der L6386E-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, VCC/VDD ca. 12,5..17 V, CMOS/TTL-Schmitt-Trigger Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 50 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, Komparator, dV/dt ±50 V/ns. Die Bauform SO-14, SMD, -45...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

BSS84-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Elektronikschaltungen. Geeignet für Lastschalter, Pegelsteuerungen, Signalpfade und platzsparende SMD-Designs. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed . Low Input/Output Leakage . Totally Lead-Free & Fully RoHS

1EDN7512BXTSA1 aus der 1EDN7512-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, GaN-FET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,2..20 V, TTL/CMOS-kompatibel, Eingang bis -10 V robust Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind invertierend und nicht invertierend, UVLO, Eingang bis -10 V robust, getrennte INV-/NINV-Eingänge, Ausgang bei UVLO definiert low. Die Bauform PG-SOT23-5-1, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27424QDRQ1 aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS, VIL/VIH ca. 1/2 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, AEC-Q100 unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27714D aus der UCC27714-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 90 ns Propagation Delay, 15 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, UVLO, Enable, getrennte Logic-/Driver-Grounds, negative Input-Spannungstoleranz. Die Bauform SOIC-14, SMD, -40...+150 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2108STRPBF aus der IR2108-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shoot-through-Schutz, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2184STRPBF aus der IR2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2110STRPBF aus der IR2110-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/TTL, separate Logikversorgung 3,3..20 V Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 500 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 35 ns Rise Time, 25 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MC34152DG aus der MC34152-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, CMOS/LSTTL-kompatibel mit Hysterese Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35 / 36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO mit Hysterese, latch-up-fest, interner 100-kO-Pulldown je Ausgang, keine Überstrom-/Thermal-Schutzfunktion. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 390mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 43W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 8.3nC Kanal-Art: stark

IRS2184SPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, Shoot-through-Schutz/Dead-Time, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 28A Verlustleistung: 68W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: IXYS Betriebsspannung: 650V Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: MOSFET Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Dimmung PWM Eigenschafte integrierter Schaltkreise: gleitende Dimmung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: LED Steuerung Ausgangsstrom: 1.7A

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 16A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark