smd mosfet

UCC27523D aus der UCC27523-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, invertierend, UVLO, Enable, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2103STRPBF aus der IR2103-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,21 A Source / 0,36 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend + nicht invertierend, Shoot-through-Protection, UVLO, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR21094STRPBF aus der IR21094-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, Shutdown, programmierbare Dead-Time, latch-immune HVIC, dV/dt-fest. Die Bauform 14-SOIC, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

L6384ED013TR aus der L6384ED-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, single-input / invertierend laut Distributor, Cross-Conduction-Schutz, UVLO, einstellbare Dead-Time. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2184STRPBF aus der IR2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 390mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 250W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube

Hersteller: NEXPERIA Drainstrom im Impuls: 900mA Gate-Ladung: 1nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 170mA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Gehäuse: TO236AB Widerst im Leitungszust: 5.7Ω Montage: SMD

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 90W Polarisierung: unipolar Technologie: MDmesh™ Drainstrom: 12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 710V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: 279mΩ Gate-Source Spannung: 25V

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 43W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 8.3nC Kanal-Art: stark

IRS2184SPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, Shoot-through-Schutz/Dead-Time, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Betriebsspannung: 650V Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: MOSFET Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Dimmung PWM Eigenschafte integrierter Schaltkreise: gleitende Dimmung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: LED Steuerung Ausgangsstrom: 1.7A

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 28A Verlustleistung: 68W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 16A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

IR2108STRPBF aus der IR2108-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shoot-through-Schutz, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: IXYS Betriebsspannung: 650V Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: MOSFET Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Dimmung PWM Eigenschafte integrierter Schaltkreise: gleitende Dimmung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: LED Steuerung Ausgangsstrom: 1.7A

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-DSO-8 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Technologie: ™ Spannungsklasse: 600/650/1200V Integrierten Schaltkreises-Art: high-side Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 1 Topologie: einzelner Transistor Montage: SMD Versorgungsspannung: 3.1...17/13...18V Ausgangsstrom: -3...3A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: ive Miller cl Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung

TQM2N7002KDCU6 RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

BSS138P,215 von NEXPERIA ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

IR2104STRPBF aus der IR2104-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,21 A Source / 0,36 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Schutz gegen Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27424DR aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27511DBVR aus der UCC27511-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS-kompatibel, duale IN+/IN- Eingänge Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 13 ns Propagation Delay, 9 ns Rise Time, 7 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend und nicht invertierend, UVLO, Ausgang low bei UVLO, rail-to-rail, minimierter Shoot-through-Strom. Die Bauform SOT-23-6, SMD, -40...+140 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS20752LTRPBF aus der IRS20752-Familie ist ein High-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 0,16 A Source / 0,24 A Sink, VCC/VDD 10..18 V, VIL/VIH ca. 0,8/2,2 V Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 215 ns Propagation Delay, 85 ns Rise Time, 40 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform PG-SOT23-6, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27710D aus der UCC27710-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,5 A Source / 1 A Sink, VCC/VDD 10..20 IGBT / 10..17 MOSFET V, TTL/CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 620 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / HI-LI-Logik mit Interlock, UVLO, Interlock, negative HS-Transientenfestigkeit, robustes Level-Shifting. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2109STRPBF aus der IR2109-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, abhängig angesteuert, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2112STRPBF aus der IR2112-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 135 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, matched propagation delay. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2184STRPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.