smd mosfet

UCC27511DBVR aus der UCC27511-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS-kompatibel, duale IN+/IN- Eingänge Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 13 ns Propagation Delay, 9 ns Rise Time, 7 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind invertierend und nicht invertierend, UVLO, Ausgang low bei UVLO, rail-to-rail, minimierter Shoot-through-Strom. Die Bauform SOT-23-6, SMD, -40...+140 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27424DR aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MC34151DG aus der MC34151-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, CMOS/LSTTL-kompatibel mit Hysterese Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35 / 36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, UVLO mit Hysterese, latch-up-fest, interner 100-kO-Pulldown je Ausgang, keine Überstrom-/Thermal-Schutzfunktion. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2106STRPBF aus der IRS2106-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,29 A Source / 0,6 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 74W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -200V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 800mΩ Gate-Source Spannung: 20V

BSS138-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 68W Gehäuse: PG-TO252-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -2A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 8.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

IRS2304SPBF aus der IRS2304-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,29 A Source / 0,6 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shoot-through-Schutz, Level-Shift-Technologie, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2213SPBF aus der IR2213-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2 A Source / 2,5 A Sink, VCC/VDD 12..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 17 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest, Desat/FAULT-Funktionen laut Datenblattfamilie prüfen. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 37A Verlustleistung: 69W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 39W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 43W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -11A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

L6388ED aus der L6388E-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, VCC/VDD ca. 12,5..17 V, CMOS/TTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 70 ns Rise Time, 40 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Interlocking/Shoot-through-Vermeidung, Dead-Time-Funktion, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -45...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

L6386ED aus der L6386E-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, VCC/VDD ca. 12,5..17 V, CMOS/TTL-Schmitt-Trigger Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 50 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, Komparator, dV/dt ±50 V/ns. Die Bauform SO-14, SMD, -45...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

BSS84-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Elektronikschaltungen. Geeignet für Lastschalter, Pegelsteuerungen, Signalpfade und platzsparende SMD-Designs. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed . Low Input/Output Leakage . Totally Lead-Free & Fully RoHS

UCC27424QDRQ1 aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS, VIL/VIH ca. 1/2 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, AEC-Q100 unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27714D aus der UCC27714-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 90 ns Propagation Delay, 15 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, UVLO, Enable, getrennte Logic-/Driver-Grounds, negative Input-Spannungstoleranz. Die Bauform SOIC-14, SMD, -40...+150 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2108STRPBF aus der IR2108-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shoot-through-Schutz, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2184STRPBF aus der IR2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2110STRPBF aus der IR2110-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/TTL, separate Logikversorgung 3,3..20 V Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 500 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 35 ns Rise Time, 25 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 390mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 250W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 90W Polarisierung: unipolar Technologie: MDmesh™ Drainstrom: 12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 710V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: 279mΩ Gate-Source Spannung: 25V

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 43W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 8.3nC Kanal-Art: stark

IRS2184SPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, Shoot-through-Schutz/Dead-Time, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 28A Verlustleistung: 68W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: IXYS Betriebsspannung: 650V Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: MOSFET Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Dimmung PWM Eigenschafte integrierter Schaltkreise: gleitende Dimmung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: LED Steuerung Ausgangsstrom: 1.7A