smd mosfet

UCC27710D aus der UCC27710-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,5 A Source / 1 A Sink, VCC/VDD 10..20 IGBT / 10..17 MOSFET V, TTL/CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 620 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / HI-LI-Logik mit Interlock, UVLO, Interlock, negative HS-Transientenfestigkeit, robustes Level-Shifting. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2109STRPBF aus der IR2109-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, abhängig angesteuert, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2184STRPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

600 V half-bridge gate driver IC with integrated bootstrap diode 2EDL05N06PFXUMA1 aus der 2EDL05N06-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,7 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17,5 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 300 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, Offline-Gate-Clamping, LS-SOI-Technologie. Die Bauform PG-DSO-8, SMD, -40...+95 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

1EDC30I12MH aus der 1EDC30I12MH-Familie ist ein Isolierter Single-Gate-Treiber / High-Side für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 3 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD VCC1 3,1..5,5, VCC2 n. g. V, 3,3-/5-V-Logik Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, galvanische Isolation UL1577 / n. g. kVrms, galvanische Isolation, aktiver Miller-Clamp, UVLO. Die Bauform PG-DSO-8 Wide Body, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie. ±3.0 A with 3.0 A Miller clamp

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 26A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 42nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -8A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.013Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

BSS138NH6327XTSA2 von INFINEON ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Logic level . dv /dt rated . Pb-free lead-plating; RoHS compliant . Qualified according to AEC Q101

BSS84-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Elektronikschaltungen. Geeignet für Lastschalter, Pegelsteuerungen, Signalpfade und platzsparende SMD-Designs. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed . Low Input/Output Leakage . Totally Lead-Free & Fully RoHS

1EDN7512BXTSA1 aus der 1EDN7512-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, GaN-FET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 4 A Source / 8 A Sink, VCC/VDD 4,2..20 V, TTL/CMOS-kompatibel, Eingang bis -10 V robust Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind invertierend und nicht invertierend, UVLO, Eingang bis -10 V robust, getrennte INV-/NINV-Eingänge, Ausgang bei UVLO definiert low. Die Bauform PG-SOT23-5-1, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27524AD aus der UCC27524-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27714D aus der UCC27714-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17 V, TTL/CMOS Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 90 ns Propagation Delay, 15 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, UVLO, Enable, getrennte Logic-/Driver-Grounds, negative Input-Spannungstoleranz. Die Bauform SOIC-14, SMD, -40...+150 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27424QDRQ1 aus der UCC27424-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4..15 V, TTL/CMOS, VIL/VIH ca. 1/2 V Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 25/35 ns Propagation Delay, 20 ns Rise Time, 15 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, nicht invertierend, minimierter Shoot-through, Enable, Dual-Ausgänge parallel schaltbar. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, AEC-Q100 unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

FAN3111CSX aus der FAN3111-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 1,4 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, CMOS-Eingang Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 30 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind invertierend oder nicht invertierend konfigurierbar, MillerDrive-Ausgang, Rail-to-Rail, Reverse-Current-Fähigkeit. Die Bauform SOT-23-5, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

MC34151DG aus der MC34151-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 6,5..18 V, CMOS/LSTTL-kompatibel mit Hysterese Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 35 / 36 ns Propagation Delay, 14 ns Rise Time, 16 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend, UVLO mit Hysterese, latch-up-fest, interner 100-kO-Pulldown je Ausgang, keine Überstrom-/Thermal-Schutzfunktion. Die Bauform 8-SOIC, SMD, 0...+70 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

BSS138-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed

IR2213SPBF aus der IR2213-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2 A Source / 2,5 A Sink, VCC/VDD 12..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 17 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest, Desat/FAULT-Funktionen laut Datenblattfamilie prüfen. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27523D aus der UCC27523-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 5 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 4,5..18 V, TTL/CMOS, negative Eingangsspannung bis -5 V tolerant Eingänge. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 17 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind Enable-/Shutdown-Eingang, invertierend, UVLO, Enable, minimierter Shoot-through, negative Eingangsspannungstoleranz. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+140 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2103STRPBF aus der IR2103-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,21 A Source / 0,36 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend + nicht invertierend, Shoot-through-Protection, UVLO, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR21094STRPBF aus der IR21094-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, Shutdown, programmierbare Dead-Time, latch-immune HVIC, dV/dt-fest. Die Bauform 14-SOIC, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

L6384ED013TR aus der L6384ED-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, single-input / invertierend laut Distributor, Cross-Conduction-Schutz, UVLO, einstellbare Dead-Time. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2184STRPBF aus der IR2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 390mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 250W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube

Hersteller: NEXPERIA Drainstrom im Impuls: 900mA Gate-Ladung: 1nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 170mA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Gehäuse: TO236AB Widerst im Leitungszust: 5.7Ω Montage: SMD

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 90W Polarisierung: unipolar Technologie: MDmesh™ Drainstrom: 12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 710V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: 279mΩ Gate-Source Spannung: 25V

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 43W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 8.3nC Kanal-Art: stark

IRS2184SPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, Shoot-through-Schutz/Dead-Time, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Betriebsspannung: 650V Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: MOSFET Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Dimmung PWM Eigenschafte integrierter Schaltkreise: gleitende Dimmung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: LED Steuerung Ausgangsstrom: 1.7A

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 28A Verlustleistung: 68W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level