leistungs mosfet

HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-Pak ist für die Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt. Die Version mit gerader Zuleitung (IRFU-Serie) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. Bei typischen Anwendungen zur Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Merkmale . Ultra-niedriger On-Widerstand . Oberflächenmontage (IRFR5305) . Gerade Anschlüsse (IRFU5305) . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Schnelles Umschalten . Vollständig Avalanchetauglich . Bleifrei

Beschreibung HEXFETs der fünften Generation von international rectifierr nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . Logik-Pegel-Gate-Ansteuerung . fortschrittliche Prozesstechnologie . dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . voll Avalanche-tauglich . schnelles Schalten

Leistungs-MOSFET PowerTrench Diese N+P-Kanal-MOSFETs sind mit dem fortschrittlichem PowerTrench-Prozess von onsemi hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Einschaltwiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Diese Bauelemente wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr kleinem Platzbedarf zu bieten für Anwendungen, bei denen die größeren und teurere SO-8- und TSSOP-8-Gehäuse unpraktisch sind. Merkmale Niedrige Gate-Ladung Schnelle Schaltgeschwindigkeit Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON) SUPERSOT-6-Gehäuse: Kleine Grundfläche 72% (kleiner als Standard SO-8); niedriges Profil (1 mm dick) Pb-frei Anwendungen DC-DC-Wandler Lastschalter LCD-Anzeige Wechselrichter

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlüssen (Serie IRFU) ist für die Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich. Eigenschaften . Oberflächenmontage (IRFR120N) . gerader Anschluss (IRFU120N) . fortschrittliche Prozesstechnologie . schnelles Schalten . voll Avalanche-tauglich . bleifrei

HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt.Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . extrem niedriger On-Widerstand . Zweifach-N-Kanal-MOSFET . Oberflächenmontage . erhältlich in Tape & Reel . dynamische dv/dt-Bewertung . schnelles Schalten

Feldeffekttransistor N-Kanal, Anreicherungsmodus Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus sind mit der von Onsemi entwickelten DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Diese Produkte wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung zu bieten. Sie können in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 500 mA DC benötigen. Diese Produkte sind besonders für Anwendungen mit niedriger Spannung geeignet, wie z. B. die Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen. Merkmale Hochdichtes Zellendesign für niedrigen RDS(ON) Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter Robust und zuverlässig Hoher Sättigungsstrom Pb-frei

Der UTC 2N7000 wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig ein robustes, zuverlässiges und schnelles Schaltverhalten zu bieten. Er kann in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400 mA Gleichstrom erfordern, und kann gepulste Ströme bis zu 2 A liefern. Das Produkt eignet sich besonders für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen, wie z.B. die Steuerung kleiner Servomotoren, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen. Eigenschaften . Zellendesign mit hoher Dichte für niedrigen RDS(ON) . spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter . robust und zuverlässig . hohe Sättigungsstromfähigkeit

Leistungs-MOSFET PowerTrench Diese für 100 V spezifizierten N-Kanal-MOSFETs sind mit dem onsemi's fortschrittlichem PowerTrench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Einschaltwiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Diese Bauelemente wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr kleinem Platzbedarf zu bieten für Anwendungen, bei denen die größeren und teurere SO-8- und TSSOP-8-Gehäuse unpraktisch sind. Merkmale Niedrige Gate-Ladung (3,7 nC typisch) Schnelle Schaltgeschwindigkeit Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON) SUPERSOT-6-Gehäuse: Kleine Grundfläche 72% (kleiner als Standard SO-8); niedriges Profil (1 mm dick) Pb-frei Anwendungen Lastschalter Batterieschutz Power Management

Diese Digital Audio MosFET-Halbbrücke ist speziell für Class-D-Audioverstärkeranwendungen konzipiert. Er besteht aus zwei Leistungs-MOSFET-Schaltern, die in einer Halbbrücken-Konfiguration verbunden sind. Der neueste Prozess wird verwendet, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus wurden Gate-Ladung, Body-Diode-Reverse-Recovery und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Leistungsfaktoren von Class-D-Audioverstärkern wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Diese Kombination macht diese Halbbrücke zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässiges Bauteil für Class-D-Audioverstärkeranwendungen. Merkmale: . integriertes Halbbrückengehäuse . reduziert die Anzahl der Bauteile um die Hälfte . ermöglicht besseres PCB-Layout . optimierte Schlüsselparameter für Class-D Audioverstärkeranwendungen . optimiert niedriger RDS(ON) für verbesserten Wirkungsgrad . niedriger RDS(ON) für verbesserten Wirkungsgrad . niedrige Qg und Qsw für besseren THD und verbesserten Wirkungsgrad . niedriges Qrr für besseren Klirrfaktor und geringere EMI . kann bis zu 300 W pro Kanal an eine 8O Last in Halbbrücken-Konfiguration Verstärker . Bleifreies Gehäuse

IRL510, SiHL510 Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industrielle Anwendungen mit einer Verlustleistung Verlustleistung bis etwa 50 W. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breite Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche Nennwert . Logik-Level Gate Drive . RDS(on) Angegeben bei VGS = 4 V und 5 V . 175 °C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Einfaches Parallelisieren . Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt.Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . volle Avalanche-Bewertung . bleifrei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe für verbesserte thermische Eigenschaften modifiziert, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Dank dieser Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung eingesetzt werden, wobei der Platz auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Eigenschaften . Technologie der Generation V . extrem niedriger On-Widerstand . Oberflächenmontage . bleifrei . vollständig avalanche-reated

Leistungs-MOSFET Dual, N-Channel, Logic Level, PowerTrench Diese N-Kanal-MOSFETs sind mit dem fortschrittlichem PowerTrench-Prozess von onsemi hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Einschaltwiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Diese Bauelementen eignen sich für alle Anwendungen, bei denen eine kleine Größe erwünscht ist, insbesondere aber für eine kostengünstige DC/DC-Wandlung in batteriebetriebenen Systemen. Merkmale Niedrige Gate-Ladung (2,1 nC typisch) Sehr schnelle Schaltgeschwindigkeit Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON) SUPERSOT-6-Gehäuse: Kleine Grundfläche (72% kleiner als Standard SO-8); niedriges Profil (1 mm dick) Pb-frei

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe für verbesserte thermische Eigenschaften und Dual-Die-Fähigkeit modifiziert, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Dank dieser Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung eingesetzt werden, wobei der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W ist in einer typischen PDB-Montageanwendung möglich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . extrem niedriger On-Widerstand . Zweifach-N-Kanal-MOSFET . Oberflächenmontage . erhältlich in Tape & Reel . dynamische dv/dt-Bewertung . schnelles Schalten

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe für verbesserte thermische Eigenschaften und Dual-Die-Fähigkeit modifiziert, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Dank dieser Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung eingesetzt werden, wobei der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W ist in einer typischen PDB-Montageanwendung möglich. Eigenschaften . fortschrittliche Prozesstechnologie . extrem niedriger On-Widerstand . Zweifach-N-Kanal-MOSFET . Oberflächenmontage . erhältlich in Tape & Reel . dynamische dv/dt-Bewertung . schnelles Schalten

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe für verbesserte thermische Eigenschaften modifiziert, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Dank dieser Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung eingesetzt werden, wobei der Platz auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Eigenschaften . Technologie der Generation V . extrem niedriger On-Widerstand . Oberflächenmontage . bleifrei . vollständig avalanche-reated

Klar markierte Anschlüsse machen den Verbindungsprozess für die schnelle Prototyping oder Debuggen geeignet Kann die Ladung mit 100 V, 33 A Strom steuern, sehr geeignet für Leistungsmotoren und Regler Vier MOSFET-Kanäle ermöglichen die gleichzeitige Steuerung mehrerer Geräte und bieten flexible Anwendungsoptionen, wie mehrere Motoren und parallele Verbindungen für andere Ladungen Mit Photokapulator-Isolationstechnologie, reduziert effektiv die Auswirkungen auf die Benutzersteuerung und den Steuerkreis und die Sicherheit Mit 12-V-Netzteil, kompatibel mit vielen gängigen Stromversorgungssystemen, geeignet für Anwendungen in verschiedenen Szenen, wie Automobilen und Industrieausrüstung

STD1NK60, N-CHANNEL 600V - 8O - 1A DPAK SuperMESH MOSFET Beschreibung: Die SuperMESH-Serie ist das Ergebnis einer extremen Optimierung des bewährten streifenbasierten PowerMESH-Layouts von ST. Neben der deutlichen Senkung des On-Widerstands wurde besonders darauf geachtet, dass eine sehr gute dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist. Diese Serie ergänzt die gesamte Palette der Hochspannungs-MOSFETs von ST, einschließlich der revolutionären MDmesh-Produkte. Merkmale . TYPISCH RDS(on) = 8 O . EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT . VERBESSERTE ESD-FÄHIGKEIT . 100% AVALANCHE-GETESTET . NEUER HOCHSPANNUNGS-BENCHMARK . GATE-LADUNG MINIMIERT Anwendungen . BATTERIELADEGERÄTE MIT GERINGER LEISTUNG . SCHALTNETZTEILE MIT GERINGER LEISTUNG (SMPS) . NIEDRIGE LEISTUNG, VORSCHALTGERÄTE, CFL (KOMPAKT LEUCHTSTOFFLAMPEN)

AO3400A, 30V N-Kanal MOSFET Beschreibung: Der AO3400A kombiniert fortschrittliche Trench-MOSFET-Technologie mit einem niederohmigen Gehäuse und bietet so einen extrem niedrigen RDS(ON). Dieser Baustein eignet sich für den Einsatz als Lastschalter oder in PWM-Anwendungen. Bauform: SOT-23 Polarität: N Drain-Spannung: 30 V Drain-Strom: 5,7 A Leistung: 1,4 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: DPAK Polarität: P Drain-Spannung: 60 V Drain-Strom: 26 A Leistung: 60 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: DPAK Polarität: P Drain-Spannung: 30 V Drain-Strom: 70 A Leistung: 90 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: DPAK Polarität: N Drain-Spannung: 40 V Drain-Strom: 50 A Leistung: 50 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: SOT-23 Polarität: P Drain-Spannung: 20 V Drain-Strom: 3 A Leistung: 1,4 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: SOT-23 Polarität: P Drain-Spannung: 20 V Drain-Strom: 4 A Leistung: 1,5 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: SOT-23 Polarität: P Drain-Spannung: 30 V Drain-Strom: 4 A Leistung: 1,4 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: SO-8 Polarität: P Drain-Spannung: 30 V Drain-Strom: 12 A Leistung: 3,1 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: SOT-23 Polarität: N Drain-Spannung: 55 V Drain-Strom: 2,1 A Leistung: 1,25 W Temperaturbereich: -55 ... +175 °C

Bauform: SO-8 Polarität: N Drain-Spannung: 60 V Drain-Strom: 4,5 A Leistung: 2 W Temperaturbereich: -55 ... +150°C

Allgemeine Beschreibung Der AOD4185 / AOI4185 verwendet fortschrittliche Trench Technologie, um ein hervorragendes RDS (ON) und eine niedrige Gateladung bereitzustellen. Mit der hervorragenden Wärmebeständigkeit des DPAK / IPAK-Pakets eignet sich dieses Gerät gut für Hochstromanwendungen. -RoHS-konform -Halogen frei* Bauform: DPAK Polarität: P Drain-Spannung: 40 V Drain-Strom: 50 A Leistung: 2,5 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Bauform: SOT-23 Polarität: N Drain-Spannung: 30 V Drain-Strom: 3,8 A Leistung: 1,4 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C