Suche verfeinern
Filtern
Alles löschen
Kategorie
✓Preis
✓Marke
✓Verkäufer
✓Deine Suche ergab leider keine Ergebnisse. Bitte ändere die zuletzt verwendeten Filter und versuche es erneut.
Anzeige
Zeigt 181 - 210 von 438 Ergebnissen
Filtern
Sortieren:
Beste Treffer
Beste Treffer
Preis: niedrig bis hoch
Preis: hoch bis niedrig

DIODES INCORPORATED BSS138-7-F - MOSFET, N-Kanal, 50V, 0,2A, 3,5R, SOT-23
BSS138-7-F von DIODES INCORPORATED ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen. . Low On-Resistance . Low Gate Threshold Voltage . Low Input Capacitance . Fast Switching Speed
0,10€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

INFINEON IRS2304SPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,29/0,6A SOIC-8
IRS2304SPBF aus der IRS2304-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,29 A Source / 0,6 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shoot-through-Schutz, Level-Shift-Technologie, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,90€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

INFINEON IR2213SPBF - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 2/2,5A SOIC-16
IR2213SPBF aus der IR2213-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2 A Source / 2,5 A Sink, VCC/VDD 12..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 25 ns Rise Time, 17 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest, Desat/FAULT-Funktionen laut Datenblattfamilie prüfen. Die Bauform 16-SOIC, SMD, -55...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
10,20€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

INFINEON IR2103STRPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,21/0,36A SOIC-8
IR2103STRPBF aus der IR2103-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,21 A Source / 0,36 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, invertierend + nicht invertierend, Shoot-through-Protection, UVLO, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,70€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

INFINEON IR21094STRPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2/0,35A SOIC-14
IR21094STRPBF aus der IR21094-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, Shutdown, programmierbare Dead-Time, latch-immune HVIC, dV/dt-fest. Die Bauform 14-SOIC, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,65€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

INFINEON IR2108STRPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2/0,35A SOIC-8
IR2108STRPBF aus der IR2108-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shoot-through-Schutz, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,55€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -2÷2A Kanäle: 2 IXDI602SI MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_IXDI602SI
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: -2...2A Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Ausgangs-Art: reversibel Anschaltzeit: 93ns Ausschaltzeit: 93ns
3 Wochen
8,26€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 3x Transistor: N-MOSFET 55V unipolar 68W 28A DPAK IRLR2705TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 28A Verlustleistung: 68W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,70€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W 55V 17A unipolar DPAK IRLR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,28€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 2W -55V -3,4A IRF7342TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -3.4A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,86€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W unipolar 55V 16A DPAK IRFR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 16A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,76€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x -4÷4A Kanäle: 2 IXDF604SIA MOSFET/IGBT-Treiber low-side,Steuerung für Gates _1GH_IXDF604SIA
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: -4...4A Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Ausgangs-Art: reversibel Anschaltzeit: 81ns Ausschaltzeit: 79ns
3 Wochen
7,98€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

INFINEON IR2184STRPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,9/2,3A SOIC-8
IR2184STRPBF aus der IR2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,99€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 22A 500W 600V TO263 IXFA22N60P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA22N60P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 390mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,73€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 200A unipolar 250W D2PAK CSD18542KTTT N-Kanal-Transis _1GH_CSD18542KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 250W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube
3 Wochen
7,24€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 20x Transistor: N-MOSFET unipolar 170mA 60V Idm: 900mA NX7002BKR N-Kanal-Transisto _1GH_NX7002BKR
Hersteller: NEXPERIA Drainstrom im Impuls: 900mA Gate-Ladung: 1nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 170mA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Gehäuse: TO236AB Widerst im Leitungszust: 5.7Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,37€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET 90W 710V 12A unipolar DPAK STD16N65M5 N-Kanal-Transistore _1GH_STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 90W Polarisierung: unipolar Technologie: MDmesh™ Drainstrom: 12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 710V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: 279mΩ Gate-Source Spannung: 25V
3 Wochen
8,84€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V 43W 4A unipolar D2PAK IRF510SPBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 43W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 8.3nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,18€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

INFINEON IRS2184SPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,9/2,3A SOIC-8
IRS2184SPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shutdown, Shoot-through-Schutz/Dead-Time, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,90€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

TNE 1x low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 2 UCC27524AD MOSFET/IGBT-Treiber -5÷5A _1GH_UCC27524AD
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Versorgungsspannung: 4.5...18V DC Montage: SMD Gehäuse: SO8 Betriebstemperatur: -40...140°C Verpackungs-Art: Tube Ausgangsstrom: -5...5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel Sicherung: Unterspannung Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2
3 Wochen
8,70€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x 580V 400kHz L6386ED MOSFET/IGBT-Treiber 750mW Kanäle: 2 400mA _1GH_L6386ED
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: Betriebstemperatur: -40...125°C Topologie: Montage: SMD Versorgungsspannung: 17V Ausgangsstrom: 400mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver DC Versorgungsstrom: 320µA Leistung: 7W Ausgangsspannung: 580V Verpackungs-Art: Tube Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 2 Frequenz: 400kHz
3 Wochen
8,63€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

INFINEON 2ED020I12-FI - Isol. Halbbr. MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5/2,5A DSO-16
1200 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, comparator and OPAMP 2ED020I12-FI aus der 2ED020I12 Familie ist ein Isolierter Halbbrücken-Gate-Treiber für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Source / 2,5 A Sink, Logikeingänge, galvanisch getrennt Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / Halbbrücke, galvanische Isolation, galvanische Isolation, UVLO, getrennte High-/Low-Side-Ansteuerung. Die Bauform PG-DSO-16, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,99€
+ 5,95€ Versand
Zum Shop
reichelt.de

TNE 1x -9÷9A low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 1 IXDD609SI MOSFET/IGBT-Treiber -EP _1GH_IXDD609SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 115ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 105ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 1 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -9...9A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
9,43€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A X2-Class 650V 150W TO252 IXFY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 105ns
3 Wochen
6,55€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 10x Transistor: N-MOSFET 0,225W 0,115A unipolar 60V SOT323 2N7002W N-Kanal-Transis _1GH_2N7002W-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Verlustleistung: 0.225W Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,79€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 2,3A 0,5W SOT23 BSS306NH6327XTSA1 N-Kanal-Tr _1GH_BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 93mΩ Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
6,34€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A 57W unipolar ™ C2 600V SOT223 WMF10N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMF10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 57W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 720mΩ Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
6,06€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 3x Transistor: N-MOSFET 12A unipolar 30V 30W DPAK STD17NF03LT4 N-Kanal-Transistor _1GH_STD17NF03LT4
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 60mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
6,43€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de

TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V ™ M3 130W unipolar 13A TO263 WMM13N80M3 N-Kanal-Tran _1GH_WMM13N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 130W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 480mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,21€
Versand: frei!
Zum Shop
kaufland.de
www-tne-de