smd mosfet

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 250W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube

IR21094STRPBF aus der IR21094-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, Shutdown, programmierbare Dead-Time, latch-immune HVIC, dV/dt-fest. Die Bauform 14-SOIC, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2108STRPBF aus der IR2108-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, Shoot-through-Schutz, latch-immune HVIC, tolerant gegen negative Transienten, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 26A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 42nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-DSO-8 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Technologie: ™ Spannungsklasse: 600/650/1200V Integrierten Schaltkreises-Art: high-side Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 1 Topologie: einzelner Transistor Montage: SMD Versorgungsspannung: 3.1...17/13...18V Ausgangsstrom: -3...3A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: ive Miller cl Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -8A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.013Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: Betriebstemperatur: -40...125°C Topologie: Montage: SMD Versorgungsspannung: 17V Ausgangsstrom: 400mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver DC Versorgungsstrom: 320µA Leistung: 7W Ausgangsspannung: 580V Verpackungs-Art: Tube Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 2 Frequenz: 400kHz

Hersteller: IXYS Betriebsspannung: 650V Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: MOSFET Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Dimmung PWM Eigenschafte integrierter Schaltkreise: gleitende Dimmung Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: SO8 Integrierten Schaltkreises-Art: LED Steuerung Ausgangsstrom: 1.7A

IR2109STRPBF aus der IR2109-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, abhängig angesteuert, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

TQM2N7002KDCU6 RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

IRS20752LTRPBF aus der IRS20752-Familie ist ein High-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 0,16 A Source / 0,24 A Sink, VCC/VDD 10..18 V, VIL/VIH ca. 0,8/2,2 V Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 215 ns Propagation Delay, 85 ns Rise Time, 40 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform PG-SOT23-6, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27710D aus der UCC27710-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,5 A Source / 1 A Sink, VCC/VDD 10..20 IGBT / 10..17 MOSFET V, TTL/CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 620 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / HI-LI-Logik mit Interlock, UVLO, Interlock, negative HS-Transientenfestigkeit, robustes Level-Shifting. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2104STRPBF aus der IR2104-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,21 A Source / 0,36 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Schutz gegen Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2184STRPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: UniFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 52A Verlustleistung: 357W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 49mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Verlustleistung: 48W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.8mΩ Montage: SMD

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangsstrom: 400mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Leistung: 7W Ausgangsspannung: 580V Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 2 Frequenz: 400kHz Topologie: Versorgungsspannung: 14.6...16.6V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -150V Drainstrom: -13A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-DSO-8 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Technologie: ™ Spannungsklasse: 600/650/1200V Integrierten Schaltkreises-Art: high-side Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 1 Topologie: einzelner Transistor Montage: SMD Versorgungsspannung: 3.1...17/13...18V Ausgangsstrom: -1...1A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: ive Miller cl Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -3.6A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Beschreibung P-Kanal Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET Technologie. Eigenschaften und Vorteile . 1,8 V Drain-Source-Durchlasswiderstand . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie Anwendungen . Relaistreiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . High-Side-Lastschalter . Schaltkreise

Leistungs-MOSFET Merkmale - Kleine SMD Gehäuse - BVSS-Präfix für die Automobilindustrie und andere Anwendungen, die Besondere Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen haben - AEC-Q101 Qualifiziert und PPAP-fähig - Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS konform

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

IR2106STRPBF aus der IR2106-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Soft-Turn-On, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2111SPBF aus der IR2111-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,42 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, internes Dead-Time/Shoot-through-Vermeidung, latch-immune HVIC, Ausgangsstufe mit geringer Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.1A Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.5A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.25Ω Montage: SMD