smd mosfet

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-DSO-8 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Technologie: ™ Spannungsklasse: 600/650/1200V Integrierten Schaltkreises-Art: high-side Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 1 Topologie: einzelner Transistor Montage: SMD Versorgungsspannung: 3.1...17/13...18V Ausgangsstrom: -3...3A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: ive Miller cl Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung

Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: Betriebstemperatur: -40...125°C Topologie: Montage: SMD Versorgungsspannung: 17V Ausgangsstrom: 400mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver DC Versorgungsstrom: 320µA Leistung: 7W Ausgangsspannung: 580V Verpackungs-Art: Tube Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 2 Frequenz: 400kHz

TQM2N7002KDCU6 RFG von TAIWAN-SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET für kompakte Schalt- und Steueraufgaben. Ideal für Logikpegel-Anwendungen, Signalsteuerungen, Treiberstufen und platzsparende SMD-Schaltungen.

IR2104STRPBF aus der IR2104-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,21 A Source / 0,36 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, 3,3-V-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, Shutdown, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Schutz gegen Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS20752LTRPBF aus der IRS20752-Familie ist ein High-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert einem Kanal, 0,16 A Source / 0,24 A Sink, VCC/VDD 10..18 V, VIL/VIH ca. 0,8/2,2 V Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 200 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 215 ns Propagation Delay, 85 ns Rise Time, 40 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform PG-SOT23-6, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

UCC27710D aus der UCC27710-Familie ist ein High-Side-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,5 A Source / 1 A Sink, VCC/VDD 10..20 IGBT / 10..17 MOSFET V, TTL/CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 620 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / HI-LI-Logik mit Interlock, UVLO, Interlock, negative HS-Transientenfestigkeit, robustes Level-Shifting. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C, Catalog unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR2109STRPBF aus der IR2109-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, abhängig angesteuert, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IRS2184STRPBF aus der IRS2184-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,9 A Source / 2,3 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / abhängige Ausgänge, UVLO, latch-immune HVIC, dV/dt-fest, Cross-Conduction-Vermeidung. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

600 V half-bridge gate driver IC with integrated bootstrap diode 2EDL05N06PFXUMA1 aus der 2EDL05N06-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,7 A Peak-Ausgangsstrom, VCC/VDD 10..17,5 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3-V-Logik kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit typ. 300 ns Propagation Delay. Weitere Vorteile sind UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, Offline-Gate-Clamping, LS-SOI-Technologie. Die Bauform PG-DSO-8, SMD, -40...+95 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 60mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 26A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 42nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -8A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.013Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD

L6384ED aus der L6384E-Familie ist ein High-Voltage-Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, CMOS/TTL Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, single-input / invertierend laut Distributor, Cross-Conduction-Schutz, UVLO, einstellbare Dead-Time. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangsstrom: 400mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Leistung: 7W Ausgangsspannung: 580V Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 2 Frequenz: 400kHz Topologie: Versorgungsspannung: 14.6...16.6V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -150V Drainstrom: -13A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: STMicroelectronics Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Topologie: Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: 400mA Ausgangsspannung: 580V Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 17V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Frequenz: 400kHz Verpackungs-Art: Tube

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-DSO-8 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Technologie: ™ Spannungsklasse: 600/650/1200V Integrierten Schaltkreises-Art: high-side Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 1 Topologie: einzelner Transistor Montage: SMD Versorgungsspannung: 3.1...17/13...18V Ausgangsstrom: -1...1A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: ive Miller cl Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -3.6A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark

IR2106STRPBF aus der IR2106-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Soft-Turn-On, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

IR4427STRPBF aus der IR4427-Familie ist ein Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 2,3 A Source / 3,3 A Sink, VCC/VDD 6..20 V, CMOS/LSTTL-kompatibel Eingänge. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, latch-immune CMOS, Ausgangsstufe gegen Cross-Conduction optimiert. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+150 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Leistungs-MOSFET Merkmale - Kleine SMD Gehäuse - BVSS-Präfix für die Automobilindustrie und andere Anwendungen, die Besondere Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen haben - AEC-Q101 Qualifiziert und PPAP-fähig - Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS konform

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Verlustleistung: 48W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.8mΩ Montage: SMD

IR2111SPBF aus der IR2111-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,42 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, internes Dead-Time/Shoot-through-Vermeidung, latch-immune HVIC, Ausgangsstufe mit geringer Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns

Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 300mW Gate-Ladung: 0.44nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 9.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.8A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 82mΩ Montage: SMD