leistungs mosfet

Bauform: SOT-23 Polarität: N Drain-Spannung: 30 V Drain-Strom: 3,8 A Leistung: 1,4 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Beschreibung SuperSOTTM-3 N-Kanal Logikpegel-Anreicherungsmodus Leistungs-Feldeffekttransistoren werden mit Fairchilds proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser sehr Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell auf die Minimierung des On-State-Widerstand zu minimieren. Diese Bauelemente sind besonders geeignet für Niederspannungsanwendungen in Notebooks, tragbaren Telefonen Telefonen, PCMCIA-Karten und anderen batteriebetriebenen Schaltungen wo schnelles Schalten und eine geringe Inline-Verlustleistung in einem in einem sehr kleinen, oberflächenmontierbaren Gehäuse benötigt werden. Eigenschaften . 2,2 A, 30 V - RDS(ON) = 0,065 W @ VGS = 4,5 V - RDS(ON) = 0,082 W @ VGS = 2,5 V . Industriestandard SOT-23-Gehäuse für Oberflächenmontage mit proprietärem SuperSOTTM-3-Design für hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften . Zellendesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen RDS(ON) . Außergewöhnlicher Einschaltwiderstand und maximale DC-Strom fähigkeit

Entdecken Sie die Leistungsfähigkeit unserer 8-Kanal-MOS-FET-Verstärkerplatine, die für optimale Klangqualität und zuverlässige Leistung entwickelt wurde. Dank der optischen Einkopplung ist das Gerät widerstandsfähig gegen starke Störungen, was eine klare Klangwiedergabe ermöglicht. Das Gehäuse besteht aus flammhemmendem Material und ist für die Montage auf einer standardmäßigen DIN35mm-Hutschine konzipiert, was die Installation einfach und sicher macht. Die Verstärkerplatine ist mit einem Signal- und einem Stromversorgungsanzeiger ausgestattet, sodass der Status des Geräts jederzeit sichtbar ist. Diese Verstärkerplatine ist ideal für den professionellen Einsatz in Audioanlagen, wo Qualität und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind. Verbessern Sie Ihr Klangerlebnis mit dieser fortschrittlichen Verstärkerlösung.

Entdecken Sie die Leistungsfähigkeit unserer 8-Kanal-MOS-FET-Verstärkerplatine, die für optimale Klangqualität und zuverlässige Leistung entwickelt wurde. Dank der optischen Isolierung ist das Gerät widerstandsfähig gegen starke Störungen, was eine klare Klangwiedergabe ermöglicht. Das Gehäuse besteht aus flammhemmendem Material und ist für die Montage auf einer standardmäßigen DIN35mm-Hutschine konzipiert, was die Installation einfach und sicher macht. Die Verstärkerplatine ist mit einem Signal- und einem Stromversorgungsanzeiger ausgestattet, sodass Sie jederzeit den Status Ihres Geräts im Blick haben. Diese Verstärkerplatine ist ideal für den professionellen Einsatz in Audioanlagen, wo Qualität und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.

Beschreibung SuperSOTTM-3 N-Kanal Logikpegel-Anreicherungsmodus Leistungs-Feldeffekttransistoren werden mit Fairchilds proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser sehr Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell auf die Minimierung des On-State-Widerstand zu minimieren. Diese Bauelemente sind besonders geeignet für Niederspannungsanwendungen in Notebooks, tragbaren Telefonen Telefonen, PCMCIA-Karten und anderen batteriebetriebenen Schaltungen wo schnelles Schalten und eine geringe Inline-Verlustleistung in einem in einem sehr kleinen, oberflächenmontierbaren Gehäuse benötigt werden. Eigenschaften . 1.9 A, 30 V - RDS(ON) = 0,090 W @ VGS = 4,5 V - RDS(ON) = 0,060 W @ VGS = 10 V . Industriestandard SOT-23-Gehäuse für Oberflächenmontage mit proprietärem SuperSOTTM-3-Design für hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften . Zellendesign mit hoher Dichte für extrem niedrigen RDS(ON) . Außergewöhnlicher Einschaltwiderstand und maximale DC-Strom fähigkeit

Großer Kühlkörper sorgt für besseren Wärmeabfluss Extra großer Kühlkörper, der maximale Strom kann 30A oder mehr erreichen Ausgezeichnete Leistung von MOSFET (max. 280A) Mit dem Heißbett der Serie können Sie den Signalausgang direkt steuern Geeignet für 5-24V digitale Signale zur Steuerung Dieses Produkt ist ein leistungsstarkes Erweiterungsmodul für 3D-Drucker, das mit einem Wärmeableiter von 28 x 28 x 15 mm ausgestattet ist. Der Wärmeableiter deckt das MOS-Rohr mit hoher Leistungskennzahl auf der Karte vollständig ab und die Wärmeableitung ist stärker, wodurch das Problem der Erhitzung des Moduls durch die übermäßige Leistung des Warmbetts gelöst wird. Bei normaler thermischer Ableitung kann dieses Modul lange Zeit stabil arbeiten, wenn der gemessene Strom 30 A beträgt. Macht auf 30a. Ausgestattet mit einem Kühlkörper. Es kann direkt durch das Ausgangssignal des Heizbettes der Mutterkarten aus der - und -Serie gesteuert werden. 4. . Kann eine digitale 5-24 V Signalsteuerung verwenden. Erst tragen und dann einschalten. Bei de

Diese N-Kanal-Leistungs-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus werden mit der proprietären planaren DMOS-Technologie von Fairchild hergestellt. Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell darauf zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren, eine überragende Schaltleistung zu bieten und hohen Energieimpulsen im Avalanche- und Kommutierungsmodus standzuhalten. Diese Bauelemente eignen sich gut für hocheffiziente Schaltnetzteile, Leistungsfaktorkorrektur und elektronische Lampenvorschaltgeräte auf Halbbrückenbasis. Merkmale . 4,5A, 500V, RDS(on) = 1,5O @VGS = 10 V . niedrige Gate-Ladung (typisch 27 nC) . niedriger Crss (typisch 17 pF) . schnelles Schalten . 100% Avalanche-getestet . verbesserte dv/dt-Fähigkeit

Bauform: TSOP6 Polarität: N Drain-Spannung: 20 V Drain-Strom: 2,5/ 3,4 A Leistung: 1,1 W Temperaturbereich: -55 ... +150 °C

Niedrige Wärmestruktur: Dieses TPA3255-Board wurde für Audiophile und Heimkino-Enthusiasten entwickelt und minimiert durch seine robuste Bauweise die Wärmeentwicklung und sorgt so für eine stabile Leistung bei längerem Gebrauch. Vielseitige Musiklösung: Diese Verstärkerplatine ist ideal für den Betrieb von Heimmusiksystemen, Studiomonitoren oder Außenlautsprechern und reproduziert Musik, Filme und Live-Event-Soundtracks präzise und klar. Dual-Core-Verstärkerplatine: Diese TPA3255-Verstärkerplatine verfügt über zwei 600-W-Kerne mit verbessertem elektrischen Schutz, die einen stabilen 50-V-Betrieb und Kompatibilität mit 2-16-Ohm-Lautsprechern für robuste Leistung unterstützen. Optimiertes Wärmemanagement: Das TPA3255-Board kombiniert hohe Ausgangsleistung mit extrem geringer Verzerrung durch fortschrittliches thermisches Design und bietet anspruchsvollen Benutzern ein beeindruckendes Hörerlebnis. Effizientes MOSFET-Design: Die Verstärkerplatine nutzt 85-mR-MOSFET-Technologie und ein erstklassiges Netzteil, um dynamischen Klang zu liefern und gleichzeitig den Standby-Stromverbrauch auf unter 2,5 W zu senken, um einen energiesparenden Betrieb zu ermöglichen.

IRF3205 IRF3205PBF MOSFET Transistoren . Nennspannung: 55V; Nennstrom: 110A; Verlustleistung: 150 W; Widerstand der Abflussquelle: 8,00 mΩ. Eigenschaften und Vorteile: Schalter & schnell und geringer Stromverbrauch. Breite Anwendung: IRF3205-MOSFET Transistoren werden oft in verschiedenen Anwendungen eingesetzt. Humanisierte Verpackung für einfache Aufbewahrung und Verwendung. # Bedruckte Markierungen für einfache Identifikation. Verlust: 150 WNominale Spannung: 55 V. Nennstrom: 110ADrain Quellenwiderstand: 8 mΩ Betriebstemperatur: -55 °C 150 °C Verpackt in kleinen Boxen # Leicht zu speichern und zu verwenden Modelletikett in hellen Farben # Leicht zu unterscheiden, 10 Stück IRF3205 IRF3205PBF MOSFET Transistors Die Quelle ist in Übereinstimmung mit unserem Markenlogo "Alle elektronischen Komponenten sind in unserem Laden." Wir bemühen uns, die modernsten elektronischen Komponenten und andere Produkte anzubieten, wobei wir den Grundsatz respektieren, dass Qualität die erste Priorität ist und Service der Schlüssel ist. Ich hoff

Dieses Paket enthält 20 IRFZ44N MOSFET-Transistoren, eine großzügige Menge. Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET-Transistor, der ideal für größere Projekte oder als Ersatz bei regelmäßiger Wartung und Reparatur geeignet ist. Es ist eine praktische elektronische Komponente, die hauptsächlich von Elektronikprofis und Leiterplattenenthusiasten verwendet wird. Hochwertige Materialien: Die IRFZ44N MOSFET-Transistoren werden aus einem hochwertigen Metalloxid-Halbleitermaterial hergestellt, das eine ausgezeichnete thermische Stabilität und eine hohe

【Hohe Qualität】 Der Gleichrichter für C Sport besteht aus einer hochwertigen Aluminiumlegierung und ABS-Material, um eine hervorragende Wärmeableitungsleistung und eine solide Struktur zu gewährleisten. 【Merkmale】 Der UTV-ATV-Gleichrichter wird von einer professionellen Fertigung verarbeitet. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit und stabile Leistung aus. 【Gute Leistung】 Gleichrichter mosfet modul für TRX / SXS werden zur Gleichrichtung und Spannungsstabilisierung verwendet, wodurch die Lebensdauer von elektronischem Zubehör verlängert werden kann. 【Einfach zu installieren】 Der Spannungsregler verfügt über 17 Klemmen für eine einfache Installation. 【Großartiger Ersatz】 Gemäß dem ursprünglichen Standarddesign kann der Gleichrichter den alten und beschädigten direkt ersetzen.

300 W-450 W automatisch einstellbare Leistung: ChenXL FH020AA MOSFET Spannungsregler Gleichrichter passt sich automatisch zwischen 300 W-450 W an und sorgt für eine stabile und effiziente Leistungsregulierung für Motorräder und ATVs. Stabiler 14,5-V-Ausgang: Bietet eine konsistente 14,5-V-geregelte Ausgangsleistung, verhindert Über- oder Unterladung der Batterie, sorgt für optimale elektrische Leistung und längere Akkulaufzeit. Fortschrittliche MOSFET-Technologie: Aufgerüstet von traditionellen SCR-Reglern für höhere Effizienz, geringere Wärmeentwicklung und verbessertes Energiemanagement, für verbesserte Haltbarkeit. 【Breite Kompatibilität】Direkter Ersatz für Shindengen FH020AA, kompatibel mit Yamaha, Honda, Kawasaki, Suzuki, BMW, Ducati, KTM, Can-Am, Sea-Doo, Triumph Motorräder und ATVs. Langlebig und einfach zu installieren: Gebaut mit hochwertigen Materialien für überlegene Wärmeableitung und Überlastschutz. Plug-and-Play-Design mit Standard-Anschlüssen für schnelle und problemlose Installation.

Funktion:1. Verwendung eines erstklassigen ultrakleinen Optokopplers mit starker Anti-Interferenz-Fähigkeit, zuverlässiger Leistung und vollständiger Isolierung von Eingangssignal und Ausgang. 2. Eingangssignal: 320V PWM-Signal 3. Ausgangskapazität: DC 3,7 V 27 V, Strom ≤ 10 A 4. PWM-Frequenz: 0 1 kHz 5. Anwendung: Der Ausgang kann Hochleistungsgeräte, Glühbirnen, LED-Streifen, Gleichstrommotoren, Mikropumpen, Magnetventile usw. steuern. Er kann ein PWM-Signal eingeben, um die Motorgeschwindigkeit, die Lampenhelligkeit usw. zu steuern. Spezifikation:1: Produktmodell: YYNMOS-1, unter Verwendung eines hochwertigen, ultrakleinen Optokopplers, mit starker Entstörungsfähigkeit, stabiler Leistung, vollständiger Isolierung von Eingangssignal und Ausgang. 2: Eingangssignal: 320V PWM-Signal 3: Ausgangskapazität: DC 3,7V27V, Strom ≤ 10A 4: PWM-Frequenz: 01kHz 5: Anzeigeleuchte: Mit Eingangs-/Ausgangssignalanzeige 6: Anwendung: Der Ausgang kann Hochleistungsgeräte, Glühbirnen, LED-Streifen, Gleichstrommotoren, Mikropumpen, Magnetventile

TrenchP Leistungs-MOSFET P-Kanal Anreicherungsmodus

Polar Leistungs-MOSFET P-Kanal Anreicherungsmodus

TrenchT2 HiperFET Leistungs-MOSFET N-Kanal-Verstärkungsmodus Schnelle intrinsische Diode

Polar Leistungs-MOSFET N-Kanal-Verstärkungsmodus Schnelle intrinsische Diode

X3-Class HiPerFET Leistungs-MOSFET N-Kanal-Verstärkungsmodus Schnelle intrinsische Diode

Polar3TM HiPerFET Leistungs-MOSFET N-Kanal-Verstärkungsmodus Schnelle intrinsische Diode

X3-Class HiPerFET Leistungs-MOSFET N-Kanal-Verstärkungsmodus Schnelle intrinsische Diode

STripFET VII DeepGATE Leistungs-MOSFET Diese Bauelemente nutzen die 7. Generation der Designregeln der STripFET-Technologie mit einer neuen Gate-Struktur von ST. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist den niedrigsten RDS(on) in allen Gehäusen auf. Merkmale Extrem niedriger Einschaltwiderstand 100% Avalanche getestet Anwendungen Schaltanwendungen

IRF6644TRPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

HEXFET Leistungs-MOSFET Merkmale Extrem niedriger Einschaltwiderstand P-Kanal MOSFET Erhältlich in Tape & Reel Bleifrei

. 【Langlebiges Material】: Der Thyristor besteht aus zuverlässigem Material und gewährleistet hohe Leistung und Haltbarkeit. . 【Produkttyp】: 2P4M TO-126 2A400V Unidirektionaler Thyristor. . 【Vielseitiger Einsatz】: Dieser unidirektionale Thyristor kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter Leistungssteuerungssysteme, Motorsteuerungen, Überspannungsschutzschaltungen und mehr. . Lieferumfang: 20 Stück TO-126 2A400V unidirektionaler Thyristor. . 【Weit verbreitet】: Schalter-, Relais- und Lichtsteuerung, kleine Motorsteuerung, Auslaufschutz, Motorradzündung und andere Netzstromsteuerung.

Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis der OptiMOS-Serie Mit dem kombinierten Portfolio von Infineons OptiMOS- und StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familien bietet Infineon die richtige Wahl für alle unterschiedlichen Kunden und deren Anforderungen. Insbesondere für Kunden, die eine einfache und preisgünstige Lösung suchen, aber dennoch eine stabile Versorgung in der bewährten Infineon-Qualität genießen wollen, bieten wir die richtigen Produkte.

Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis der OptiMOS-Serie Mit dem kombinierten Portfolio von Infineons OptiMOS- und StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familien bietet Infineon die richtige Wahl für alle unterschiedlichen Kunden und deren Anforderungen. Insbesondere für Kunden, die eine einfache und preisgünstige Lösung suchen, aber dennoch eine stabile Versorgung in der bewährten Infineon-Qualität genießen wollen, bieten wir die richtigen Produkte.

IRF1404S / IRF1404L , HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: HEXFET-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand . Dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Vollständige Avalanche-Bewertung

STW88N65M5 von STMICROELECTRONICS ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Hochvolt-Schaltanwendungen. Geeignet für Schaltnetzteile, PFC-Stufen, Leistungswandler und industrielle Stromversorgungen.

STP38N65M5 von STMICROELECTRONICS ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Hochvolt-Schaltanwendungen. Geeignet für Schaltnetzteile, PFC-Stufen, Leistungswandler und industrielle Stromversorgungen.