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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 420mW 0,28A 60V unipolar SOT23 2N7002P.215 N-Kanal-Transi _1GH_2N7002P.215
Hersteller: NEXPERIA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 420mW Gate-Ladung: 0.8nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.28A
3 Wochen
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TNE 1x 580V 400kHz L6386ED MOSFET/IGBT-Treiber 750mW Kanäle: 2 400mA _1GH_L6386ED
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: Betriebstemperatur: -40...125°C Topologie: Montage: SMD Versorgungsspannung: 17V Ausgangsstrom: 400mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver DC Versorgungsstrom: 320µA Leistung: 7W Ausgangsspannung: 580V Verpackungs-Art: Tube Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 2 Frequenz: 400kHz
3 Wochen
8,63€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 2 UCC27524AD MOSFET/IGBT-Treiber -5÷5A _1GH_UCC27524AD
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Versorgungsspannung: 4.5...18V DC Montage: SMD Gehäuse: SO8 Betriebstemperatur: -40...140°C Verpackungs-Art: Tube Ausgangsstrom: -5...5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel Sicherung: Unterspannung Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2
3 Wochen
8,70€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ C2 11A 700V unipolar 85W TO263 WMM14N70C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMM14N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 530mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,46€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 50V 0,36W 0,22A unipolar SOT23 MMFTN138 N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN138-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0.22A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,50€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -7,7A 60W D2PAK IRF9Z24SPBF P-Kanal-Transis _1GH_IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 60W Gate-Ladung: 19nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 280mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,83€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 9,9A 2,5W IRL6342TRPBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRL6342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9.9A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 14.6mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,08€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -0,12A unipolar 0,36W -60V SOT23 NDS0610 P-Kanal-Transist _1GH_NDS0610
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 10Ω Verlustleistung: 0.36W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
5,59€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,21A unipolar 0,3W 60V SOT23 2N7002-7-F N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.3W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,48€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,1A 1,5W 100V unipolar SOT89 ZXMN10A07ZTA N-Kanal-Transi _1GH_ZXMN10A07ZTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.1A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT89 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.9Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,40€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W ™ C2 650V unipolar 6A TO263 WMM09N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 8A 57W ™ C2 TO263 WMM10N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 100V 0,17A 0,36W unipolar SOT23 MMFTN123 N-Kanal-Transist _1GH_MMFTN123-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 6Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,53€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 250V 2,4A 42W DPAK IRFR224PBF N-Kanal-Transistor _1GH_IRFR224PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 2.4A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.1Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 14nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,62€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar ™ C2 8A 57W TO263 WMM10N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 20V 0,5W 1,4A unipolar SOT323 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.4A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,59€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 36W VSONP8 unipolar 25A 5x6mm CSD17579Q5AT N-Kanal-Tr _1GH_CSD17579Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 25A Verlustleistung: 36W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.6mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 5.4nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
3 Wochen
7,07€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 25V 0,4W 0,23A SOT23 DMG301NU-13 N-Kanal-Transis _1GH_DMG301NU-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.23A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 25V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 8V Verlustleistung: 0.4W Polarisierung: unipolar
3 Wochen
5,51€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 2,5W unipolar -30V -5,1A DMP3056LSD-13 Multikanaltran _1GH_DMP3056LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.065Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2.5W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -5.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET x2
3 Wochen
6,67€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 0,625W -30V -1,5A unipolar SOT26 ZXM62P03E6TA P-Kanal-Tra _1GH_ZXM62P03E6TA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verlustleistung: 0.625W Gehäuse: SOT26 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.23Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,34€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Verlustleistung: 1.6W Gehäuse: SuperSOT-6 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 53mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 25nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,71€
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ONSEMI BSS 84 NXP - MOSFET, P-Ch, -50V -0,13A 10R, SOT-23 BSS84
Vertikaler DMOS-Transistor im P-Kanal-Anreicherungsmodus Allgemeine Beschreibung Vertikaler P-Kanal-Verstärkungsmodus-DMOS-Transistor (Diffusion Metal-Oxide Semiconductor) in einem kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device). Merkmale: . Niedrige Schwellenspannung . Direkte Schnittstelle zu CMOS und Transistor-Transistor-Logik (TTL) . Hochgeschwindigkeits-Umschaltung . Keine sekundäre Aufschlüsselung Anwendungen: . Leitungsstromunterbrecher in Telefonapparaten . Relais-, Hochgeschwindigkeits- und Leitungstransformator-Treiber
0,11€
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NEXPERIA BSS 138P NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,36A 0,9R, SOT-23 BSS138P
Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,06€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 3,8W 17A D2PAK IRL530NSTRLPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 3.8W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
7,87€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 3,6A 1,3W 40V SOT23 IRLML0040TRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 3.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,92€
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TEXAS INSTRUMENTS LM5106MM/NOPB - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,2/1,8A 10-VSSOP
LM5106MM/NOPB aus der LM5106MM-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,2 A Source / 1,8 A Sink, VCC/VDD 8..14 / 9..14 V, TTL/CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 100 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, programmierbare Dead-Time, Level-Shift, Shoot-through-Vermeidung über Dead-Time. Die Bauform 10-VSSOP, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,15€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 250W Gate-Ladung: 50nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 28A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 129mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: SMD
3 Wochen
8,14€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -200V unipolar 74W -4A D2PAK IRF9630SPBF P-Kanal-Transist _1GH_IRF9630SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 74W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -200V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 800mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
8,75€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 4A 30V 1,4W unipolar SOT23 DMG3402L-7 N-Kanal-Transistore _1GH_DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verlustleistung: 1.4W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 0.085Ω Gate-Source Spannung: 12V Montage: SMD
3 Wochen
5,45€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
Hersteller: IXYS Bereitschaftszeit: 250ns Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Technologie: HiPerFET™ Technologie: ™ Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 330W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 16A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
9,47€
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