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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Verlustleistung: 1.6W Gehäuse: SuperSOT-6 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 53mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 25nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,71€
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ONSEMI BSS 84 NXP - MOSFET, P-Ch, -50V -0,13A 10R, SOT-23 BSS84
Vertikaler DMOS-Transistor im P-Kanal-Anreicherungsmodus Allgemeine Beschreibung Vertikaler P-Kanal-Verstärkungsmodus-DMOS-Transistor (Diffusion Metal-Oxide Semiconductor) in einem kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device). Merkmale: . Niedrige Schwellenspannung . Direkte Schnittstelle zu CMOS und Transistor-Transistor-Logik (TTL) . Hochgeschwindigkeits-Umschaltung . Keine sekundäre Aufschlüsselung Anwendungen: . Leitungsstromunterbrecher in Telefonapparaten . Relais-, Hochgeschwindigkeits- und Leitungstransformator-Treiber
0,11€
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NEXPERIA BSS 138P NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,36A 0,9R, SOT-23 BSS138P
Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,06€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2A 86W unipolar TO263 1kV 800ns IXTA2N100P N-Kanal-Transi _1GH_IXTA2N100P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 2A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 800ns
3 Wochen
9,52€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 3,8W 17A D2PAK IRL530NSTRLPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 3.8W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
7,87€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 3,6A 1,3W 40V SOT23 IRLML0040TRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 3.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,92€
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TEXAS INSTRUMENTS LM5106MM/NOPB - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,2/1,8A 10-VSSOP
LM5106MM/NOPB aus der LM5106MM-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,2 A Source / 1,8 A Sink, VCC/VDD 8..14 / 9..14 V, TTL/CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 100 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend, UVLO, programmierbare Dead-Time, Level-Shift, Shoot-through-Vermeidung über Dead-Time. Die Bauform 10-VSSOP, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,15€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 250W Gate-Ladung: 50nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 28A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 129mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: SMD
3 Wochen
8,14€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -200V unipolar 74W -4A D2PAK IRF9630SPBF P-Kanal-Transist _1GH_IRF9630SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 74W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -200V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 800mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
8,75€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 4A 30V 1,4W unipolar SOT23 DMG3402L-7 N-Kanal-Transistore _1GH_DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verlustleistung: 1.4W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 0.085Ω Gate-Source Spannung: 12V Montage: SMD
3 Wochen
5,45€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
Hersteller: IXYS Bereitschaftszeit: 250ns Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Technologie: HiPerFET™ Technologie: ™ Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 330W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 16A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
9,47€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 50A 30V unipolar 68W PG-TO252-3 IPD050N03LGATMA1 N-Kanal- _1GH_IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 68W Gehäuse: PG-TO252-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,21€
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TNE 1x Transistor: N/P-MOSFET 4/-3A 30/-30V 1,4W unipolar IRF7309TRPBF Multikanaltra _1GH_IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N/P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 4/-3A Verlustleistung: 1.4W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 50/Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,98€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -2A -100V 25W unipolar DPAK IRFR9110PBF P-Kanal-Transisto _1GH_IRFR9110PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -2A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 8.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,03€
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STMICROELECTRONICS L6388ED - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,4/0,65A SOIC-8
L6388ED aus der L6388E-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, VCC/VDD ca. 12,5..17 V, CMOS/TTL-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 70 ns Rise Time, 40 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Interlocking/Shoot-through-Vermeidung, Dead-Time-Funktion, dV/dt-fest. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -45...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,19€
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STMICROELECTRONICS L6386ED - High/Low-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,4/0,65A SO-14
L6386ED aus der L6386E-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,4 A Source / 0,65 A Sink, VCC/VDD ca. 12,5..17 V, CMOS/TTL-Schmitt-Trigger Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für schnelle, verlustarme Schaltvorgänge mit 50 ns Rise Time, 30 ns Fall Time. Weitere Vorteile sind integrierte Bootstrap-Diode, nicht invertierend, UVLO, integrierte Bootstrap-Diode, Komparator, dV/dt ±50 V/ns. Die Bauform SO-14, SMD, -45...+125 TJ °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,30€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -5÷5A Kanäle: 2 UCC27528D MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_UCC27528D
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Versorgungsspannung: 4.5...18V DC Montage: SMD Gehäuse: SO8 Betriebstemperatur: -40...140°C Verpackungs-Art: Tube Ausgangsstrom: -5...5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel Sicherung: Unterspannung Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2
3 Wochen
8,52€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 69W 37A 55V DPAK IRFR1205TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 37A Verlustleistung: 69W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,17€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 -30V unipolar -4,9A 2W IRF7316TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -4.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V 11A unipolar 39W DPAK IRLR120NTRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 39W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,31€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET 2W -6,9A unipolar -20V TSOP6 IRLTS2242TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRLTS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -6.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
10,07€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 43W unipolar 5A 200V DPAK IRFR220NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 43W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,98€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 38W unipolar -11A -55V DPAK IRFR9024NTRPBF P-Kanal-Transi _1GH_IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -11A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,05€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -5,8A unipolar 2W -30V TSOP6 IRFTS9342TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -5.8A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,84€
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TNE 1x Kanäle: 1 IXDD609D2TR MOSFET/IGBT-Treiber low-side,Steuerung für Gates -9÷9A _1GH_IXDD609D2TR
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: DFN8 Ausgangsstrom: -9...9A Anzahl Kanäle: 1 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 115ns Ausschaltzeit: 105ns
3 Wochen
7,30€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 63W ™ C2 600V 9A unipolar TO252 WMO11N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMO11N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,92€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar 70W ™ M3 7A TO252 WMO08N80M3 N-Kanal-Transi _1GH_WMO08N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 70W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.38Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,99€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V 1,2A unipolar SOT223 BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.8Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 2W 5,8A SOT26 DMN3033LDM-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3033LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.04Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 100A unipolar VSONP8 116W 5x6mm CSD18533Q5AT N-Kanal- _1GH_CSD18533Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 116W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.7mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
3 Wochen
6,63€
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