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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -2A -100V 25W unipolar DPAK IRFR9110PBF P-Kanal-Transisto _1GH_IRFR9110PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -2A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 8.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,03€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -5÷5A Kanäle: 2 UCC27528D MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_UCC27528D
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Versorgungsspannung: 4.5...18V DC Montage: SMD Gehäuse: SO8 Betriebstemperatur: -40...140°C Verpackungs-Art: Tube Ausgangsstrom: -5...5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel Sicherung: Unterspannung Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2
3 Wochen
8,52€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 -30V unipolar -4,9A 2W IRF7316TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -4.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V 11A unipolar 39W DPAK IRLR120NTRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 39W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,31€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET 2W -6,9A unipolar -20V TSOP6 IRLTS2242TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRLTS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -6.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
10,07€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -5,8A unipolar 2W -30V TSOP6 IRFTS9342TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -5.8A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,84€
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TNE 1x Kanäle: 1 IXDD609D2TR MOSFET/IGBT-Treiber low-side,Steuerung für Gates -9÷9A _1GH_IXDD609D2TR
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: DFN8 Ausgangsstrom: -9...9A Anzahl Kanäle: 1 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 115ns Ausschaltzeit: 105ns
3 Wochen
7,30€
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NEXPERIA NX2301P NXP - MOSFET, P-Ch, -20V -2A 0,1R , SOT-23 NX2301P,215
20 V, 2 A, P-Kanal-Trench-MOSFET Beschreibung: P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device) unter Verwendung der Trench-MOSFET-Technologie. Merkmale und Vorteile: . 1,8 V RDSon ausgelegt für Niederspannungs-Gate-Antrieb . Sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert Anwendungen: . Relaistreiber . Hochgeschwindigkeits-Lineare Treiber . High-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,13€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 63W ™ C2 600V 9A unipolar TO252 WMO11N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMO11N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,92€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar 70W ™ M3 7A TO252 WMO08N80M3 N-Kanal-Transi _1GH_WMO08N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 70W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.38Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,99€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V 1,2A unipolar SOT223 BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.8Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 2W 5,8A SOT26 DMN3033LDM-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3033LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.04Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 100A unipolar VSONP8 116W 5x6mm CSD18533Q5AT N-Kanal- _1GH_CSD18533Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 116W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.7mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
3 Wochen
6,63€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 200A unipolar 250W D2PAK CSD18542KTTT N-Kanal-Transis _1GH_CSD18542KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200A Verlustleistung: 250W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.3mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 44nC Verpackungs-Art: Tube
3 Wochen
7,24€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V unipolar 1,8A SOT223 BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.8A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
3 Wochen
6,66€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 2,3A 20V 0,5W unipolar SOT23 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal-T _1GH_BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 82mΩ Montage: SMD
3 Wochen
5,72€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET unipolar 170mA 60V Idm: 900mA NX7002BKR N-Kanal-Transisto _1GH_NX7002BKR
Hersteller: NEXPERIA Drainstrom im Impuls: 900mA Gate-Ladung: 1nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 170mA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23 Gehäuse: TO236AB Widerst im Leitungszust: 5.7Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 400V 6,3A D2PAK IRF740SPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,40€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 325mW unipolar 0,12A 60V SOT23 NX7002AK.215 N-Kanal-Trans _1GH_NX7002AK.215
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 3W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 6.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
5,41€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 0,11A 300mW SOT323 NX3020NAKW.115 N-Kanal-Tr _1GH_NX3020NAKW.115
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 300mW Gate-Ladung: 0.44nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 9.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
5,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 13,3A 200V 140W unipolar D2PAK FQB19N20LTM N-Kanal-Transi _1GH_FQB19N20LTM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Montage: SMD Verlustleistung: 140W Gate-Ladung: 35nC Polarisierung: unipolar Technologie: QFET® Drainstrom: 13.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
7,60€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 90W 710V 12A unipolar DPAK STD16N65M5 N-Kanal-Transistore _1GH_STD16N65M5
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 90W Polarisierung: unipolar Technologie: MDmesh™ Drainstrom: 12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 710V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: 279mΩ Gate-Source Spannung: 25V
3 Wochen
8,84€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO252 IXTY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
3 Wochen
8,51€
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TNE 1x -4÷4A Kanäle: 2 IXDF604SIA MOSFET/IGBT-Treiber low-side,Steuerung für Gates _1GH_IXDF604SIA
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: -4...4A Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Ausgangs-Art: reversibel Anschaltzeit: 81ns Ausschaltzeit: 79ns
3 Wochen
7,98€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 2,1W 55V 2A unipolar SOT223 IRLL014NTRPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 2A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,86€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -2÷2A Kanäle: 2 IXDI602SI MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_IXDI602SI
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: -2...2A Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Ausgangs-Art: reversibel Anschaltzeit: 93ns Ausschaltzeit: 93ns
3 Wochen
8,26€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 2W -55V -3,4A IRF7342TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -3.4A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,86€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -4÷4A -EP Kanäle: 2 IXDD604SI MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_IXDD604SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 81ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 79ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -4...4A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
9,73€
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INFINEON 2ED020I12-FI - Isol. Halbbr. MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5/2,5A DSO-16
1200 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, comparator and OPAMP 2ED020I12-FI aus der 2ED020I12 Familie ist ein Isolierter Halbbrücken-Gate-Treiber für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Source / 2,5 A Sink, Logikeingänge, galvanisch getrennt Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / Halbbrücke, galvanische Isolation, galvanische Isolation, UVLO, getrennte High-/Low-Side-Ansteuerung. Die Bauform PG-DSO-16, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,99€
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TNE 1x -9÷9A low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 1 IXDD609SI MOSFET/IGBT-Treiber -EP _1GH_IXDD609SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 115ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 105ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 1 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -9...9A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
9,43€
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