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ONSEMI BSS 84LT1G ONS - MOSFET, P-CH, 50V 0,13A 0,225W, SOT-23 BSS84LT1G
Leistungs-MOSFET Merkmale - Kleine SMD Gehäuse - BVSS-Präfix für die Automobilindustrie und andere Anwendungen, die Besondere Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen haben - AEC-Q101 Qualifiziert und PPAP-fähig - Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS konform
0,15€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 800V 10A 300W TO263 IXFA10N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFA10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,62€
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INFINEON IR2106STRPBF - H/L-Side MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2/0,35A SOIC-8
IR2106STRPBF aus der IR2106-Familie ist ein High-/Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,35 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS/LSTTL, bis 3,3 V kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend, UVLO, Soft-Turn-On, High-Voltage Level-Shift. Die Bauform SOIC-8, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,71€
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INFINEON IR2111STRPBF - Halbbrücke MOSFET/IGBT 2-Kanäle 0,2/0,42A SOIC-8
IR2111SPBF aus der IR2111-Familie ist ein Halbbrücken-Gate-Treiber für MOSFET, IGBT. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 0,2 A Source / 0,42 A Sink, VCC/VDD 10..20 V, CMOS-kompatibel Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 600 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind nicht invertierend / abhängig angesteuert, UVLO, internes Dead-Time/Shoot-through-Vermeidung, latch-immune HVIC, Ausgangsstufe mit geringer Cross-Conduction. Die Bauform 8-SOIC, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
1,25€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V unipolar 0,1A 0,2W SOT23 MMFTN3018W N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN3018W-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.1A Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,37€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 20V unipolar 0,5W 1,5A SOT23 BSS214NH6327XTSA1 N-Kanal-Tr _1GH_BSS214NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.5A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.25Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,68€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 4A 30V 1,4W unipolar SOT23 DMG3402L-7 N-Kanal-Transistore _1GH_DMG3402L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verlustleistung: 1.4W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 0.085Ω Gate-Source Spannung: 12V Montage: SMD
3 Wochen
5,45€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,69€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET 2W -6,9A unipolar -20V TSOP6 IRLTS2242TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRLTS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -6.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
10,07€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -30V -0,61A 0,54W unipolar SOT23 IRLML5103TRPBF P-Kanal-T _1GH_IRLML5103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -0.61A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,97€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5W unipolar ™ C2 700V 4A SOT223 WMF07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMF07N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 5W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 700V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
6,11€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO263 IXTA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
3 Wochen
8,68€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 13A 86W ™ FD TO263 WMM16N60FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N60FD-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ FD Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 320mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 250W Gate-Ladung: 50nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 28A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 129mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: SMD
3 Wochen
8,14€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 -30V unipolar -4,9A 2W IRF7316TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -4.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,37€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -5÷5A Kanäle: 2 UCC27528D MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_UCC27528D
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Versorgungsspannung: 4.5...18V DC Montage: SMD Gehäuse: SO8 Betriebstemperatur: -40...140°C Verpackungs-Art: Tube Ausgangsstrom: -5...5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel Sicherung: Unterspannung Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2
3 Wochen
8,52€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
Hersteller: IXYS Bereitschaftszeit: 250ns Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Technologie: HiPerFET™ Technologie: ™ Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 330W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 16A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
9,47€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 85W ™ M3 10A 800V TO252 WMO10N80M3 N-Kanal-Trans _1GH_WMO10N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.03Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,20€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 1,8W 0,12A SOT223 BSP125H6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0.12A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 45Ω Montage: SMD
3 Wochen
6,68€
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TNE IC: driver; Steuerung für Gates; SO8; Kanäle: 1; 4,5÷20V MIC4129YME MOSFET/IGBT-Treiber 7860
Hersteller: MICROCHIP (MICREL) Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Anzahl Kanäle: 1 Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Impulsanstiegszeit: 25ns Impulsabfallzeit: 25ns Betriebsspannung: 4.5...20V Ausgangs-Art: reversibel
2-3 Werktage
6,19€
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NEXPERIA NX2301P NXP - MOSFET, P-Ch, -20V -2A 0,1R , SOT-23 NX2301P,215
20 V, 2 A, P-Kanal-Trench-MOSFET Beschreibung: P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device) unter Verwendung der Trench-MOSFET-Technologie. Merkmale und Vorteile: . 1,8 V RDSon ausgelegt für Niederspannungs-Gate-Antrieb . Sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert Anwendungen: . Relaistreiber . Hochgeschwindigkeits-Lineare Treiber . High-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,13€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO252 IXTY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
3 Wochen
8,51€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,21A 0,54W unipolar SOT23 DMN65D8L-7 N-Kanal-Transis _1GH_DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
5,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V 1,2A unipolar SOT223 BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.8Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 2,1W 55V 2A unipolar SOT223 IRLL014NTRPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 2A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,86€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 63W ™ C2 600V 9A unipolar TO252 WMO11N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMO11N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,92€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 2W 5,8A SOT26 DMN3033LDM-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3033LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.04Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 100A unipolar VSONP8 116W 5x6mm CSD18533Q5AT N-Kanal- _1GH_CSD18533Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 116W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.7mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
3 Wochen
6,63€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,2W unipolar 0,115A SOT23 2N7002-TP N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23
3 Wochen
5,29€
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