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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W 55V 17A unipolar DPAK IRLR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,28€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 2W -55V -3,4A IRF7342TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -3.4A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,86€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W unipolar 55V 16A DPAK IRFR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 16A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,76€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 6A 30V 1W SOT23F SSM3K333R,LF(B N-Kanal-Transist _1GH_SSM3K333R
Hersteller: TOSHIBA Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Verlustleistung: 1W Gate-Ladung: 3.4nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23F Widerst im Leitungszust: 42mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,48€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar 1,5W -0,225A -250V SOT223 BSP225.115 P-Kanal-Tra _1GH_BSP225.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -250V Drainstrom: -0.225A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 15Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A 57W unipolar ™ C2 600V SOT223 WMF10N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMF10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 57W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 720mΩ Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
6,06€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 5A 17W WSON6 2x2mm CSD17313Q2T N-Kanal-Trans _1GH_CSD17313Q2T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Verlustleistung: 17W Gate-Ladung: 2.1nC Polarisierung: unipolar Technologie: NexFET™ Drainstrom: 5A Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Abmessungen: 2x2mm Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: WSON6 Widerst im Leitungszust: 26mΩ Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
7,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A X2-Class 650V 150W TO252 IXFY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 105ns
3 Wochen
6,55€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 0,225W 0,115A unipolar 60V SOT323 2N7002W N-Kanal-Transis _1GH_2N7002W-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Verlustleistung: 0.225W Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,79€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -7,1A 0,9W -30V unipolar ®3333-8 DMP3008SFGQ-7 P-Kanal-Tr _1GH_DMP3008SFGQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: ®3333-8 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.025Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.9W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
7,03€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 2,3A 0,5W SOT23 BSS306NH6327XTSA1 N-Kanal-Tr _1GH_BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 93mΩ Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO252 WMO14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMO14N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 405mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,63€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 2,1A 0,35W unipolar 20V SOT23 LGE2302 N-Kanal-Transistore _1GH_LGE2302-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.1A Verlustleistung: 0.35W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 115mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,93€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,5W 200V 0,55A unipolar SOT223 BSP122.115 N-Kanal-Transi _1GH_BSP122.115
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Verlustleistung: 1.5W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.55A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Gate-Source Spannung: 2V
3 Wochen
6,16€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 420mW 0,28A 60V unipolar SOT23 2N7002P.215 N-Kanal-Transi _1GH_2N7002P.215
Hersteller: NEXPERIA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 420mW Gate-Ladung: 0.8nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.28A
3 Wochen
7,35€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V ™ M3 130W unipolar 13A TO263 WMM13N80M3 N-Kanal-Tran _1GH_WMM13N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 130W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 480mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,21€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A X2-Class 650V 150W unipolar TO263 IXFA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Gehäuse: TO263 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 4Ω Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Gate-Source Spannung: 30V Bereitschaftszeit: 105ns Gate-Ladung: 11nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
6,44€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 45W 600V ™ C2 6A TO263 WMM09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 25x Transistor: N-MOSFET 0,5W unipolar 60V 0,3A PG-SOT23 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal- _1GH_2N7002H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: PG-SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,47€
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TNE 1x -9÷9A low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 1 IXDD609SI MOSFET/IGBT-Treiber -EP _1GH_IXDD609SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 115ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 105ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 1 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -9...9A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
9,43€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2A 86W unipolar TO263 1kV 800ns IXTA2N100P N-Kanal-Transi _1GH_IXTA2N100P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 2A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 800ns
3 Wochen
9,52€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 3,6A 1,3W 40V SOT23 IRLML0040TRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 3.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,92€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 3,8W 17A D2PAK IRL530NSTRLPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 3.8W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
7,87€
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PMV 32UP NXP - MOSFET, P-Ch, -20V -4A 0,032R, SOT-23 PMV32UP,215
Beschreibung P-Kanal Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET Technologie. Eigenschaften und Vorteile . 1,8 V Drain-Source-Durchlasswiderstand . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie Anwendungen . Relaistreiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . High-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,27€
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ONSEMI BSS 84 NXP - MOSFET, P-Ch, -50V -0,13A 10R, SOT-23 BSS84
Vertikaler DMOS-Transistor im P-Kanal-Anreicherungsmodus Allgemeine Beschreibung Vertikaler P-Kanal-Verstärkungsmodus-DMOS-Transistor (Diffusion Metal-Oxide Semiconductor) in einem kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device). Merkmale: . Niedrige Schwellenspannung . Direkte Schnittstelle zu CMOS und Transistor-Transistor-Logik (TTL) . Hochgeschwindigkeits-Umschaltung . Keine sekundäre Aufschlüsselung Anwendungen: . Leitungsstromunterbrecher in Telefonapparaten . Relais-, Hochgeschwindigkeits- und Leitungstransformator-Treiber
0,11€
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NEXPERIA BSS 138P NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,36A 0,9R, SOT-23 BSS138P
Beschreibung . N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET-Technologie. Eigenschaften und Vorteile . Logik-Pegel-kompatibel . sehr schnelles Schalten . Trench-MOSFET-Technologie . AEC-Q101-qualifiziert Anwendungen . Relais-Treiber . Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber . Low-Side-Lastschalter . Schaltkreise
0,06€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar ™ C2 8A 57W TO263 WMM10N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -7,7A 60W D2PAK IRF9Z24SPBF P-Kanal-Transis _1GH_IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 60W Gate-Ladung: 19nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 280mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,83€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,1A 1,5W 100V unipolar SOT89 ZXMN10A07ZTA N-Kanal-Transi _1GH_ZXMN10A07ZTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.1A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT89 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.9Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,40€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 0,625W -30V -1,5A unipolar SOT26 ZXM62P03E6TA P-Kanal-Tra _1GH_ZXM62P03E6TA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verlustleistung: 0.625W Gehäuse: SOT26 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.23Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,34€
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