leistungs mosfet

STW38N65M5 von STMICROELECTRONICS ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Hochvolt-Schaltanwendungen. Geeignet für Schaltnetzteile, PFC-Stufen, Leistungswandler und industrielle Stromversorgungen.

IRFB4410PBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IXTH7P50 von LITTLEFUSE ist ein P-Kanal-HiPerFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schalt- und Industrieanwendungen. Geeignet für Stromversorgungen, Leistungswandler, Motorsteuerungen und Hochvolt-Schaltstufen.

STW45N65M5 von STMICROELECTRONICS ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Hochvolt-Schaltanwendungen. Geeignet für Schaltnetzteile, PFC-Stufen, Leistungswandler und industrielle Stromversorgungen.

SiC Leistungs-MOSFET Merkmale Niedrige Anstiegs und niedrige Schaltverluste Hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich Reduzierte Temperaturabhängigkeit Anwendung Motorantrieb Wechselrichter, Umrichter Photovoltaik, Windenergieerzeugung Induktionsheizgeräte Aufbau Dieses Produkt ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus SiC-DMOS und SiC SBD von ROHM

HUF75345P3 von ONSEMI ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für allgemeine Schalt-, Steuer- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für Lastschalter, Motorsteuerungen, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen.

IRF100P218AKMA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET der StrongIRFET-Familie. Geeignet für hohe Ströme, niedrige Leitverluste, Motorsteuerungen, Lastschalter und DC/DC-Anwendungen.

IRFB52N15DPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

STP34NM60ND von STMICROELECTRONICS ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Hochvolt-Schaltanwendungen. Geeignet für Schaltnetzteile, PFC-Stufen, Leistungswandler und industrielle Stromversorgungen.

STripFET Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung Allgemeine Merkmale Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit Niedrige Gate-Ladung 100% Avalanche getestet Beschreibung Diese mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisierte Leistungs-MOSFET-Serie wurde speziell zur Minimierung der Eingangskapazität und der Gate-Ladung entwickelt. Sie eignet sich daher als Primärschalter in fortschrittlichen, hocheffizienten isolierten DC-DC-Wandlern. Anwendungen Schaltende Anwendung

SPW17N80C3FKSA1 von INFINEON ist ein CoolMOS-Leistungs-MOSFET für effiziente Hochvolt-Schaltanwendungen. Geeignet für Schaltnetzteile, PFC-Stufen, Netzteile und industrielle Leistungswandler mit hohem Wirkungsgrad.

APT7F120B von MICROCHIP ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für allgemeine Schalt-, Steuer- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für Lastschalter, Motorsteuerungen, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen.

HUF75344G3 von ONSEMI ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für allgemeine Schalt-, Steuer- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für Lastschalter, Motorsteuerungen, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen.

Leistungs-MOSFET N-Kanal QFET Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus ist mit proprietärer Planarstreifen- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt. iese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell darauf zugeschnitten, den Einschaltwiderstand zu verringern und eine hervorragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energiestärke zu erzielen. Diese Bauelemente sind für Schaltnetzteile geeignet, aktive Leistungsfaktorkorrektur und elektronische Lampenvorschaltgeräte.

IRF100P219AKMA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET der StrongIRFET-Familie. Geeignet für hohe Ströme, niedrige Leitverluste, Motorsteuerungen, Lastschalter und DC/DC-Anwendungen Marking: IRF100P219

SiC Leistungs-MOSFET Merkmale Niedrige Anstiegs und niedrige Schaltverluste Hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich Reduzierte Temperaturabhängigkeit Anwendung Motorantrieb Wechselrichter, Umrichter Photovoltaik, Windenergieerzeugung Induktionsheizgeräte Aufbau Dieses Produkt ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus SiC-DMOS von ROHM

Leistungs-MOSFET P-Kanal QFET Dieser P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus ist mit proprietärer Planarstreifen- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell darauf zugeschnitten, den Einschaltwiderstand zu verringern und eine überragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energiestärke zu bieten. Diese Bauelemente eignen sich für Schaltnetzteile, Audioverstärker, DC-Motorsteuerung und variable Schaltleistungsanwendungen.

IRFB3077PBFXKMA1 von INFINEON ist ein N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für robuste Schaltanwendungen. Geeignet für Motorsteuerungen, Netzteile, Lastschalter, DC/DC-Wandler und industrielle Leistungsstufen.

Leistungs-MOSFET P-Kanal QFET Dieser P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus ist mit proprietärer Planarstreifen- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell darauf zugeschnitten, den Einschaltwiderstand zu verringern und eine überragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energiestärke zu bieten. Diese Bauelemente eignen sich für Schaltnetzteile, Audioverstärker, DC-Motorsteuerung und variable Schaltleistungsanwendungen.

IRFBG20, Leistungs-MOSFET Beschreibung Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauelementedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Merkmale . Dynamische dV/dt-Bewertung . Repetitive Avalanche-Bewertung . Schnelles Schalten . Leichte Parallelisierung . Einfache Antriebsanforderungen . Materialkategorisierung: Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com/doc?99912

IRFS4410ZTRLPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IRF3710S , HEXFET Leistungs-MOSFET Beschreibung: Die fortschrittlichen HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Die-Größen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Merkmale: . Fortschrittliche Prozesstechnologie . Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand . Dynamischer dv/dt-Wert . 175°C Betriebstemperatur . Schnelles Schalten . Vollständig Avalanche-geeignet . Bleifrei

Leistungs-MOSFET N-Kanal QFET Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus ist mit proprietärer Planarstreifen- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt. iese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell darauf zugeschnitten, den Einschaltwiderstand zu verringern und eine hervorragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energiestärke zu erzielen. Diese Bauelemente sind für Schaltnetzteile geeignet, aktive Leistungsfaktorkorrektur und elektronische Lampenvorschaltgeräte.

Leistungs-MOSFET N-Kanal QFET Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus ist mit proprietärer Planarstreifen- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt. iese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell darauf zugeschnitten, den Einschaltwiderstand zu verringern und eine hervorragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energiestärke zu erzielen. Diese Bauelemente sind für Schaltnetzteile geeignet, aktive Leistungsfaktorkorrektur und elektronische Lampenvorschaltgeräte.

Dieser HEXFET Leistungs-MOSFET wurde speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelt. Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere 175°C Sperrschicht-Betriebstemperatur, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Repetitive Avalanche Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem extremeffizientes und zuverlässiges Bauteil für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen. . Logische Ebene . fortschrittliche Prozesstechnologie . ultra-niedriger Einschalt-Widerstand . 175°C Betriebstemperatur . schnelles Schalten . wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt

SiC Leistungs-MOSFET Merkmale Niedrige Anstiegs und niedrige Schaltverluste Hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich Reduzierte Temperaturabhängigkeit Anwendung Motorantrieb Wechselrichter, Umrichter Photovoltaik, Windenergieerzeugung Aufbau Dieses Produkt ist ein Choppermodul bestehend aus SiC-DMOS und SiC SBD von ROHM

IRF740SPBF von VISHAY ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

IRF1405STRLPBF von INFINEON ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für effiziente Schalt- und Stromversorgungsanwendungen. Geeignet für DC/DC-Wandler, Motorsteuerungen, Lastschalter und industrielle Leistungsstufen.

SiC Leistungs-MOSFET Merkmale Niedrige Anstiegs und niedrige Schaltverluste Hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich Reduzierte Temperaturabhängigkeit Anwendung Motorantrieb Wechselrichter, Umrichter Photovoltaik, Windenergieerzeugung Aufbau Dieses Produkt ist ein Choppermodul bestehend aus SiC-DMOS und SiC SBD von ROHM

SiC Leistungs-MOSFET Merkmale Niedrige Anstiegs und niedrige Schaltverluste Hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich Reduzierte Temperaturabhängigkeit Anwendung Motorantrieb Wechselrichter, Umrichter Photovoltaik, Windenergieerzeugung Aufbau Dieses Produkt ist ein Choppermodul bestehend aus SiC-DMOS und SiC SBD von ROHM