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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 2,1W 55V 2A unipolar SOT223 IRLL014NTRPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 2A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,86€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 2 UCC27524AD MOSFET/IGBT-Treiber -5÷5A _1GH_UCC27524AD
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Versorgungsspannung: 4.5...18V DC Montage: SMD Gehäuse: SO8 Betriebstemperatur: -40...140°C Verpackungs-Art: Tube Ausgangsstrom: -5...5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel Sicherung: Unterspannung Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2
3 Wochen
8,70€
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TNE 1x 580V 400kHz L6386ED MOSFET/IGBT-Treiber 750mW Kanäle: 2 400mA _1GH_L6386ED
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: Betriebstemperatur: -40...125°C Topologie: Montage: SMD Versorgungsspannung: 17V Ausgangsstrom: 400mA Integrierten Schaltkreises-Typ: driver DC Versorgungsstrom: 320µA Leistung: 7W Ausgangsspannung: 580V Verpackungs-Art: Tube Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT Anzahl Kanäle: 2 Frequenz: 400kHz
3 Wochen
8,63€
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INFINEON 2ED020I12-FI - Isol. Halbbr. MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5/2,5A DSO-16
1200 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, comparator and OPAMP 2ED020I12-FI aus der 2ED020I12 Familie ist ein Isolierter Halbbrücken-Gate-Treiber für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Source / 2,5 A Sink, Logikeingänge, galvanisch getrennt Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / Halbbrücke, galvanische Isolation, galvanische Isolation, UVLO, getrennte High-/Low-Side-Ansteuerung. Die Bauform PG-DSO-16, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,99€
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TNE 1x -9÷9A low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 1 IXDD609SI MOSFET/IGBT-Treiber -EP _1GH_IXDD609SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 115ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 105ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 1 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -9...9A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
9,43€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A X2-Class 650V 150W TO252 IXFY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 105ns
3 Wochen
6,55€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 0,225W 0,115A unipolar 60V SOT323 2N7002W N-Kanal-Transis _1GH_2N7002W-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Verlustleistung: 0.225W Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,79€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 2,3A 0,5W SOT23 BSS306NH6327XTSA1 N-Kanal-Tr _1GH_BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 93mΩ Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
6,34€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A 57W unipolar ™ C2 600V SOT223 WMF10N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMF10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 57W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 720mΩ Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
6,06€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 12A unipolar 30V 30W DPAK STD17NF03LT4 N-Kanal-Transistor _1GH_STD17NF03LT4
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 60mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
6,43€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V ™ M3 130W unipolar 13A TO263 WMM13N80M3 N-Kanal-Tran _1GH_WMM13N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 130W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 480mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,21€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 14A unipolar 48W 50V DPAK RFD14N05SM9A N-Kanal-Transistor _1GH_RFD14N05SM9A
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: SMD Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: DPAK Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,02€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 5A 17W WSON6 2x2mm CSD17313Q2T N-Kanal-Trans _1GH_CSD17313Q2T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Verlustleistung: 17W Gate-Ladung: 2.1nC Polarisierung: unipolar Technologie: NexFET™ Drainstrom: 5A Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Abmessungen: 2x2mm Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: WSON6 Widerst im Leitungszust: 26mΩ Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
7,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 45W 600V ™ C2 6A TO263 WMM09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A X2-Class 650V 150W unipolar TO263 IXFA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Gehäuse: TO263 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 4Ω Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Gate-Source Spannung: 30V Bereitschaftszeit: 105ns Gate-Ladung: 11nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
6,44€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 4,9A 25W DPAK IRFR014PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFR014PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,54€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET unipolar -20V 2,5W -8A DMP2022LSS-13 P-Kanal-Transistore _1GH_DMP2022LSS-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -8A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.013Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,84€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO252 WMO14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMO14N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 405mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,63€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 420mW 0,28A 60V unipolar SOT23 2N7002P.215 N-Kanal-Transi _1GH_2N7002P.215
Hersteller: NEXPERIA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 420mW Gate-Ladung: 0.8nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.28A
3 Wochen
7,35€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 3,6A 1,3W 40V SOT23 IRLML0040TRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 3.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
5,92€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 3,8W 17A D2PAK IRL530NSTRLPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 3.8W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
7,87€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ C2 11A 700V unipolar 85W TO263 WMM14N70C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMM14N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 530mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,46€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 50V 0,36W 0,22A unipolar SOT23 MMFTN138 N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN138-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0.22A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,50€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -7,7A 60W D2PAK IRF9Z24SPBF P-Kanal-Transis _1GH_IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 60W Gate-Ladung: 19nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 280mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,83€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 9,9A 2,5W IRL6342TRPBF N-Kanal-Transistoren _1GH_IRL6342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9.9A Verlustleistung: 2.5W Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 14.6mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,08€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -0,12A unipolar 0,36W -60V SOT23 NDS0610 P-Kanal-Transist _1GH_NDS0610
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 10Ω Verlustleistung: 0.36W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
5,59€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,21A unipolar 0,3W 60V SOT23 2N7002-7-F N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.3W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,48€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,1A 1,5W 100V unipolar SOT89 ZXMN10A07ZTA N-Kanal-Transi _1GH_ZXMN10A07ZTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.1A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT89 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.9Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,40€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W ™ C2 650V unipolar 6A TO263 WMM09N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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