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TNE 25x Transistor: P-MOSFET 0,25W unipolar -50V -0,13A SOT23 MMFTP84 P-Kanal-Transist _1GH_MMFTP84-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.25W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
5,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 0,375A 250V unipolar 1,5W SOT223 BSP126.115 N-Kanal-Trans _1GH_BSP126.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 0.375A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,29€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 13,3A 200V 140W unipolar D2PAK FQB19N20LTM N-Kanal-Transi _1GH_FQB19N20LTM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Montage: SMD Verlustleistung: 140W Gate-Ladung: 35nC Polarisierung: unipolar Technologie: QFET® Drainstrom: 13.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
7,60€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 400V 6,3A D2PAK IRF740SPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,40€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 0,11A 300mW SOT323 NX3020NAKW.115 N-Kanal-Tr _1GH_NX3020NAKW.115
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 300mW Gate-Ladung: 0.44nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 9.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
5,41€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 0,225W 0,115A SOT23 2N7002 N-Kanal-Transisto _1GH_2N7002-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 3.75Ω Montage: SMD Verlustleistung: 0.225W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A
3 Wochen
5,44€
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DY294 Digitaler Transistortester für Halbleiter Dioden MOSFETs Thyristoren mit LCD Display Bauteiltester 150x100mm
Präzise Halbleiteranalyse: Der DY294 testet zuverlässig DC-Parameter von Dioden, Transistoren, Thyristoren und MOSFETs sowie 78/79-Spannungsregler. für ideal für schnelle Fehlerdiagnose und Qualitätskontrolle in der Elektronikfertigung. Umfangreiche Komponentenprüfung: Erkennt und misst automatisch Kondensator-Spannungsfestigkeit, Varistor-Schutzspannung und Isolationswerte. Ein unverzichtbares Werkzeug für Techniker zur umfassenden Bauteilverifizierung. Kristallklares LCD-Display: Ausgestattet mit einem hochauflösenden Großbildschirm für direkte Ablesbarkeit der Messwerte. Der ergonomische Drehknopf ermöglicht eine intuitive Bereichswahl und einfache Bedienung im Laboralltag. Robustes & Kompaktes Design: Gefertigt aus langlebigem ABS-Material (150x100x70mm) mit festen Buchsen für stabilen Kontakt. Perfekt als tragbarer Tester für Reparaturen vor Ort oder den Einsatz in Werkstätten. Breite Anwendbarkeit: Geeignet für Elektroniker, Labore und Hobbybastler zur Prüfung von für smd-Komponenten und diskreten Bauteilen. Lieferumfang umfasst Gerät und praktische Aufbewahrungstasche für sicheren Transport.
53,19€
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kedijia
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A X2-Class 650V 150W TO252 IXFY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 105ns
3 Wochen
6,55€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A X2-Class 650V 150W unipolar TO263 IXFA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Gehäuse: TO263 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 4Ω Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Gate-Source Spannung: 30V Bereitschaftszeit: 105ns Gate-Ladung: 11nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
6,44€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 2 UCC27524AD MOSFET/IGBT-Treiber -5÷5A _1GH_UCC27524AD
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Versorgungsspannung: 4.5...18V DC Montage: SMD Gehäuse: SO8 Betriebstemperatur: -40...140°C Verpackungs-Art: Tube Ausgangsstrom: -5...5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Ausgangs-Art: nicht reversibel Sicherung: Unterspannung Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2
3 Wochen
8,70€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 0,225W 0,115A unipolar 60V SOT323 2N7002W N-Kanal-Transis _1GH_2N7002W-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Verlustleistung: 0.225W Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,79€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 420mW 0,28A 60V unipolar SOT23 2N7002P.215 N-Kanal-Transi _1GH_2N7002P.215
Hersteller: NEXPERIA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 420mW Gate-Ladung: 0.8nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.28A
3 Wochen
7,35€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 45W 600V ™ C2 6A TO263 WMM09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO252 WMO14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMO14N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 405mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,63€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A 57W unipolar ™ C2 600V SOT223 WMF10N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMF10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 57W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 720mΩ Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
6,06€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V ™ M3 130W unipolar 13A TO263 WMM13N80M3 N-Kanal-Tran _1GH_WMM13N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 130W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 480mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,21€
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TNE 25x Transistor: N-MOSFET 0,5W unipolar 60V 0,3A PG-SOT23 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal- _1GH_2N7002H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: PG-SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,47€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 2,3A 0,5W SOT23 BSS306NH6327XTSA1 N-Kanal-Tr _1GH_BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 93mΩ Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
6,34€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 12A unipolar 30V 30W DPAK STD17NF03LT4 N-Kanal-Transistor _1GH_STD17NF03LT4
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 60mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
6,43€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar 1,5W -0,225A -250V SOT223 BSP225.115 P-Kanal-Tra _1GH_BSP225.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -250V Drainstrom: -0.225A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 15Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,48€
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TNE 1x -9÷9A low-side,Steuerung für Gates Kanäle: 1 IXDD609SI MOSFET/IGBT-Treiber -EP _1GH_IXDD609SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 115ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 105ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 1 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -9...9A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
9,43€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 5A 17W WSON6 2x2mm CSD17313Q2T N-Kanal-Trans _1GH_CSD17313Q2T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Verlustleistung: 17W Gate-Ladung: 2.1nC Polarisierung: unipolar Technologie: NexFET™ Drainstrom: 5A Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Abmessungen: 2x2mm Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: WSON6 Widerst im Leitungszust: 26mΩ Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
7,07€
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INFINEON 2ED020I12-FI - Isol. Halbbr. MOSFET/IGBT 2-Kanäle 1,5/2,5A DSO-16
1200 V half-bridge gate driver IC with galvanic isolation, comparator and OPAMP 2ED020I12-FI aus der 2ED020I12 Familie ist ein Isolierter Halbbrücken-Gate-Treiber für IGBT, MOSFET. Der Treiber kombiniert zwei Kanälen, 1,5 A Source / 2,5 A Sink, Logikeingänge, galvanisch getrennt Eingänge, Offset-/High-Side-Spannung 1200 V. Damit eignet er sich für zuverlässige Gate-Ansteuerung in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Leistungselektronik. Weitere Vorteile sind UVLO, nicht invertierend / Halbbrücke, galvanische Isolation, galvanische Isolation, UVLO, getrennte High-/Low-Side-Ansteuerung. Die Bauform PG-DSO-16, SMD, -40...+125 °C unterstützt eine einfache Auswahl für Entwicklung, Reparatur und Serie.
2,96€
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reichelt.de
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 4,9A 25W DPAK IRFR014PBF N-Kanal-Transistore _1GH_IRFR014PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,54€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,5W 200V 0,55A unipolar SOT223 BSP122.115 N-Kanal-Transi _1GH_BSP122.115
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Verlustleistung: 1.5W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.55A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Gate-Source Spannung: 2V
3 Wochen
6,16€
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Transistortester, BSIDE Pro Digitaler Transistor-Kondensator-Tester SMD-Komponenten-Messgerät
Testen Sie die Stiftelemente automatisch und zeigen Sie sie auf dem LCD an. Eine Tastenbetätigung, Boot-Test, ein Schlüssel zu bekommen. Automatische Erkennung von Komponenten wie NPN-, PNP-Bipolartransistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET, Dioden (einschließlich Doppeldioden), Thyristoren, Transistoren, Widerständen und Kondensatoren usw. Kann die Vorwärtsvorspannung des Transistoremitters, die MOSFET-Schutzdiode und die Verstärkungsfaktorreferenz erkennen. Großes LCD-Display mit Hintergrundbeleuchtung für einfaches Ablesen.
38,36€
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yapdi
TNE 5x Transistor: N-MOSFET 20V 0,5W 1,4A unipolar SOT323 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.4A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,59€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Verlustleistung: 1.6W Gehäuse: SuperSOT-6 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 53mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 25nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,71€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar ™ C2 8A 57W TO263 WMM10N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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