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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5W unipolar ™ C2 700V 4A SOT223 WMF07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMF07N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 5W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 700V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 1.5 Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET 0,17W -0,33A unipolar -30V SOT23 BSH202.215 P-Kanal-Trans _1GH_BSH202.215
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -0.33A Verlustleistung: 0.17W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 900m Montage: SMD Gate-Ladung: 2.9nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,86€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar 4,4A 70W DPAK STD8N65M5 N-Kanal-Transistore _1GH_STD8N65M5
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 70W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 0.6 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
9,26€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 1,8W 0,12A SOT223 BSP125H6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0.12A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 45 Montage: SMD
3 Wochen
10,06€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 1,5A 0,5W 20V unipolar SOT323 BSS214NWH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSS214NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.5A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.25 Montage: SMD
3 Wochen
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TNE 20x Transistor: P-MOSFET unipolar -4,1A 1,7W -20V SOT23 LGE2305 P-Kanal-Transistor _1GH_LGE2305-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -4.1A Verlustleistung: 1.7W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 75m Montage: SMD Gate-Ladung: 7.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,28€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540m Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 40W 2,5A unipolar DPAK FDD3N50NZTM N-Kanal-Transisto _1GH_FDD3N50NZTM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: UniFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 2.5A Verlustleistung: 40W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 2.5 Montage: SMD Gate-Ladung: 8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,48€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -30V -0,61A 0,54W unipolar SOT23 IRLML5103TRPBF P-Kanal-T _1GH_IRLML5103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -0.61A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
8,36€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 240V 0,375A 1,5W SOT223 BSP89.115 N-Kanal-Transi _1GH_BSP89.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 240V Drainstrom: 0.375A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,50€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250W TO263 120A 75V unipolar 50ns IXTA120N075T2 N-Kanal-T _1GH_IXTA120N075T2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 120A Verlustleistung: 250W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 7.7m Montage: SMD Gate-Ladung: 78nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: thrench gate power mosfet Bereitschaftszeit: 50ns
3 Wochen
11,18€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET unipolar -1,2A -20V 890mW SOT23 BSH205G2R P-Kanal-Transis _1GH_BSH205G2R
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -1.2A Verlustleistung: 890mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 600m Montage: SMD Gate-Ladung: 6.5nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,82€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 1,6A 1,3W 100V SOT23 IRLML0100TRPBF N-Kanal-Tran _1GH_IRLML0100TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 270m Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,76€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar 60W -100V -4,8A D2PAK IRF9520SPBF P-Kanal-Transi _1GH_IRF9520SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 60W Gate-Ladung: 18nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -4.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -100V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 600m Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
7,90€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 0,225W 0,115A SOT23 2N7002 N-Kanal-Transisto _1GH_2N7002-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 3.75 Montage: SMD Verlustleistung: 0.225W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A
3 Wochen
6,65€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 1,4A 50W D2PAK IRFBC20SPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRFBC20SPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 1.4A Verlustleistung: 50W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.4 Montage: SMD Gate-Ladung: 10nC Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 0,11A 300mW SOT323 NX3020NAKW.115 N-Kanal-Tr _1GH_NX3020NAKW.115
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 300mW Gate-Ladung: 0.44nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 9.2 Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
7,70€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 86W 13A unipolar 650V ™ FD TO263 WMM16N65FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N65FD-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ FD Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 320m Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,80€
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TNE 25x Transistor: P-MOSFET 0,25W unipolar -50V -0,13A SOT23 MMFTP84 P-Kanal-Transist _1GH_MMFTP84-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.25W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10 Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -2÷2A Kanäle: 2 IXDI602SI MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_IXDI602SI
Hersteller: IXYS Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Gehäuse: SO8 Ausgangsstrom: -2...2A Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Ausgangs-Art: reversibel Anschaltzeit: 93ns Ausschaltzeit: 93ns
3 Wochen
8,35€
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TNE 1x low-side,Steuerung für Gates -4÷4A -EP Kanäle: 2 IXDD604SI MOSFET/IGBT-Treiber _1GH_IXDD604SI
Hersteller: IXYS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Ausgangs-Art: nicht reversibel Anschaltzeit: 81ns Gehäuse: SO8-EP Ausschaltzeit: 79ns Integrierten Schaltkreises-Art: low-side Integrierten Schaltkreises-Art: Steuerung für Gates Anzahl Kanäle: 2 Versorgungsspannung: 4.5...35V Ausgangsstrom: -4...4A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
3 Wochen
11,42€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -220V 1,5W unipolar -0,225A SOT223 BSP220.115 P-Kanal-Tra _1GH_BSP220.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -220V Drainstrom: -0.225A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 12 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,96€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V 1,2A unipolar SOT223 BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.8 Montage: SMD
3 Wochen
9,24€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V unipolar 1,8A SOT223 BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.8A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.24 Montage: SMD
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 0,5A 1,6W SOT89-3 VN2450N8-G N-Kanal-Transi _1GH_VN2450N8-G
Hersteller: (SUPERTEX) Gehäuse: SOT89-3 Drainstrom im Impuls: 0.5A Verlustleistung: 1.6W Polarisierung: unipolar Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 13 Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 2,3A 20V 0,5W unipolar SOT23 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal-T _1GH_BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 82m Montage: SMD
3 Wochen
7,86€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 325mW unipolar 0,12A 60V SOT23 NX7002AK.215 N-Kanal-Trans _1GH_NX7002AK.215
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 3W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 6.2 Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
8,22€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 13,3A 200V 140W unipolar D2PAK FQB19N20LTM N-Kanal-Transi _1GH_FQB19N20LTM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Montage: SMD Verlustleistung: 140W Gate-Ladung: 35nC Polarisierung: unipolar Technologie: QFET® Drainstrom: 13.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1 Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
9,06€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 50V 0,2W unipolar 0,2A SOT323 BSS138W-7-F N-Kanal-Transis _1GH_BSS138W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0.2A Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.5 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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