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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 94W 27A TO247AC IRFP140NPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 27A Verlustleistung: 94W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 52mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 62.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,26€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 43A 150V 200W unipolar TO247AC IRFP3415PBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 43A Verlustleistung: 200W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 42mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 133.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,38€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -13A -150V 110W DPAK IRFR6215TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFR6215TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -150V Drainstrom: -13A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,86€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 800V 10A 300W TO263 IXFA10N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFA10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,62€
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TFT Transistortester TC-T7-H Farbige Grafikanzeige für Diode Triode Kondensator Widerstand Transistor NPN-PNP-MOSFET K6P-GM-GS13575
PRODUKTNAME --- Transistortester; Kondensator: 25pF-100mF; Widerstand: 0,01–50 MΩ; Induktor: 0,01 mH-20H; Batterie: 0,1-4,5 V TFT GRAPHIC --- Die Messergebnisse des Transistortesters werden durch eine TFT-Grafik angezeigt. Die Tastenbedienung und das automatische Herunterfahren (Timeout-Einstellung) INFRAROTWELLENFORMENANZEIGE --- Der Transistortester unterstützt Infrarotcodierung, Infrarotwellenformanzeige und Infrarotempfangsanweisungen LITHIUM ION BATTERY --- Der Transistortester ist mit einem wiederaufladbaren Lithium-Ionen mit hoher Kapazität und einer Spannungserkennung für Lithium-Ionen-Akkus ausgestattet AUTOMATISCHE ERFASSUNG --- Der Transistortester unterstützt die automatische Erkennung der Zenerdiode 0,01-20V; Selbsttest mit automatischer Kalibrierung
36,16€
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Kerindas
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 89A 48W unipolar PG-TDSON-8 BSC0902NSIATMA1 N-Kanal-T _1GH_BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Verlustleistung: 48W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.8mΩ Montage: SMD
3 Wochen
6,60€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250V 280W unipolar 24A TO247AC IRFP264PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP264PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 24A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 210nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
12,51€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 300W unipolar 120V PG--3 IPP048N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 120A Verlustleistung: 300W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.8mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,69€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 52A unipolar 200V 357W D2PAK FDB52N20TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB52N20TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: UniFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 52A Verlustleistung: 357W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 49mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,59€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30A 160W 100V unipolar TO247AC IRFP150NPBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP150NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 30A Verlustleistung: 160W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 36mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 110nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,58€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200W unipolar 7A 800V Polar™ IXFP7N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFP7N80P
Hersteller: IXYS Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Gehäuse: Montage: THT Polarisierung: unipolar Widerst im Leitungszust: 1.44Ω Verlustleistung: 200W Technologie: HiPerFET™ Technologie: Polar™ Kanal-Art: stark Gate-Ladung: 32nC Bereitschaftszeit: 250ns Gate-Source Spannung: 30V Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
9,26€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -21A 120W -100V TO247AC IRFP9140NPBF P-Kanal-Tra _1GH_IRFP9140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -21A Verlustleistung: 120W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.117Ω Montage: THT Gate-Ladung: 64.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,52€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 69W 37A 55V DPAK IRFR1205TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 37A Verlustleistung: 69W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,17€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V 11A unipolar 39W DPAK IRLR120NTRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 39W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,31€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 38W unipolar -11A -55V DPAK IRFR9024NTRPBF P-Kanal-Transi _1GH_IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -11A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,05€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 43W unipolar 5A 200V DPAK IRFR220NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 43W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,98€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 200W unipolar Polar™ 12A IXTP12N50P N-Kanal-Transis _1GH_IXTP12N50P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Polar™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 200W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 300ns
3 Wochen
10,22€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 250W Gate-Ladung: 50nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 28A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 129mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: SMD
3 Wochen
8,14€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 400V 14A 280W TO247AC IRFP360PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP360PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 14A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 210nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
12,76€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -200V unipolar 74W -4A D2PAK IRF9630SPBF P-Kanal-Transist _1GH_IRF9630SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 74W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -200V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 800mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
8,75€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
Hersteller: IXYS Bereitschaftszeit: 250ns Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Technologie: HiPerFET™ Technologie: ™ Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 330W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 16A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
9,47€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 29A 280W 200V TO247AC IRFP260PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP260PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 29A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 55mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 230nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
12,15€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 50A 30V unipolar 68W PG-TO252-3 IPD050N03LGATMA1 N-Kanal- _1GH_IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 68W Gehäuse: PG-TO252-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,21€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300A 120V 136W PG--3 IPP114N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 300A Verlustleistung: 136W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.4mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,28€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300V X3-Class 38A 240W IXFP38N30X3 N-Kanal-Tran _1GH_IXFP38N30X3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X3-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 38A Verlustleistung: 240W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: Ω Montage: THT Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 90ns
3 Wochen
11,52€
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TNE 1x Transistor: N/P-MOSFET 4/-3A 30/-30V 1,4W unipolar IRF7309TRPBF Multikanaltra _1GH_IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N/P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 4/-3A Verlustleistung: 1.4W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 50/Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,98€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -2A -100V 25W unipolar DPAK IRFR9110PBF P-Kanal-Transisto _1GH_IRFR9110PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -2A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 8.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,03€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A X2-Class 650V 150W TO252 IXFY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 105ns
3 Wochen
6,55€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 20,8W 4A unipolar 700V FP N70R750P7SXKSA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPAN70R750P7S
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ P7 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 20.8W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 0.75Ω Montage: THT Gate-Ladung: 8.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
6,10€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 56A 168W unipolar 120V TK56E12N1,S1X(S N-Kanal-Transisto _1GH_TK56E12N1
Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Verlustleistung: 168W Gate-Ladung: 69nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 56A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 120V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 5.8mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
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