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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300V X3-Class 38A 240W IXFP38N30X3 N-Kanal-Tran _1GH_IXFP38N30X3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X3-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 38A Verlustleistung: 240W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: Ω Montage: THT Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 90ns
3 Wochen
11,52€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 250W Gate-Ladung: 50nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 28A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 129mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: SMD
3 Wochen
8,14€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 400V 14A 280W TO247AC IRFP360PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP360PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 14A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 210nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
12,76€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 69W 37A 55V DPAK IRFR1205TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 37A Verlustleistung: 69W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,17€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
Hersteller: IXYS Bereitschaftszeit: 250ns Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Technologie: HiPerFET™ Technologie: ™ Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 330W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 16A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
9,47€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300A 120V 136W PG--3 IPP114N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 300A Verlustleistung: 136W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.4mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,28€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 43W unipolar 5A 200V DPAK IRFR220NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 43W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,98€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 38W unipolar -11A -55V DPAK IRFR9024NTRPBF P-Kanal-Transi _1GH_IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -11A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,05€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 50A 30V unipolar 68W PG-TO252-3 IPD050N03LGATMA1 N-Kanal- _1GH_IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 68W Gehäuse: PG-TO252-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,21€
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Equivera 10 Stück IRLZ44N MOSFET-Transistoren, N-Kanal, 47 A, 55 V – elektronische Schalter und regelbare Gleichrichter, MOSFET für Logikpegel, kompakte Bauform TO-220 für elektronische Schaltungen
10 Stück IRLZ44N MOSFET-Transistoren, N-Kanal, 47 A, 55 V – Elektronische Schalter und regelbare Gleichrichter: Lernen Sie die 10 Stück IRLZ44N MOSFET-Transistoren, N-Kanal, 47 A, 55 V – Elektronische Schalter und regelbare Gleichrichter kennen: eine praktische und vielseitige Wahl für den täglichen Gebrauch. Dieses Produkt wurde mit Liebe zum Detail entwickelt und ist auf Langlebigkeit ausgelegt, damit Sie lange Freude daran haben. Egal, ob Sie es zu Hause, im Büro oder unterwegs verwenden – die 10 Stück IRLZ44N MOSFET-Transistoren, N-Kanal, 47 A, 55 V – Elektronische Schalter und regelbare Gleichrichter vereinen Funktionalität mit einem ansprechenden, modernen Design. Wichtige Merkmale: - MOSFET für Logikpegel, kompaktes TO-220-Gehäuse für elektronische Schaltungen. Spezifikationen: - Hersteller: LYMISPIYA - Artikelnummer: irlz44n - Paketabmessungen: 8 x 4 x 0,6 cm; 20 g - ASIN: B0H1M7T9GN - Platz in der liste: #25.845 in Business, Industrie & Wissenschaft (Top 100 in Business, Industrie & Wissenschaft anzeigen) #50 in MOSFE
3-6 Werktage
38,91€
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Azoro
Sessleger 50 Stück 10 Arten Transistor-Sortiment-Set Mosfet Serie IRF, einschließlich IRFZ44 / 510/520/530/540/640/740/840/3205/9540
Neun N-Kanal-Transistoren und ein P-Kanal-Transistoren mit sehr geringem Widerstand im Zustand, der durch Siliziumzone verläuft. Dynamische DV/DT-Bewertung, robust Dieses Set enthält 50 Transistoren und 10 IRF-Serien, nur eine perfekte Kombination, um Ihre Bedürfnisse zu erfüllen. Jedes Transistormodell ist zur einfachen Identifizierung deutlich gekennzeichnet. Profis und Amateure wissen, dass Leistungs-MOSFETs extreme Effizienz und Zuverlässigkeit bieten.
24,64€
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Quintina Thompson
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 52A unipolar 200V 357W D2PAK FDB52N20TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB52N20TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: UniFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 52A Verlustleistung: 357W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 49mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,59€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 89A 48W unipolar PG-TDSON-8 BSC0902NSIATMA1 N-Kanal-T _1GH_BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Verlustleistung: 48W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.8mΩ Montage: SMD
3 Wochen
6,60€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -13A -150V 110W DPAK IRFR6215TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFR6215TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -150V Drainstrom: -13A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,86€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -21A 120W -100V TO247AC IRFP9140NPBF P-Kanal-Tra _1GH_IRFP9140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -21A Verlustleistung: 120W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.117Ω Montage: THT Gate-Ladung: 64.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,52€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30A 160W 100V unipolar TO247AC IRFP150NPBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP150NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 30A Verlustleistung: 160W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 36mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 110nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,58€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 300W unipolar 120V PG--3 IPP048N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 120A Verlustleistung: 300W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.8mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,69€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250V 280W unipolar 24A TO247AC IRFP264PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP264PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 24A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 210nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
12,51€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 800V 10A 300W TO263 IXFA10N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFA10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,62€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200W unipolar 7A 800V Polar™ IXFP7N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFP7N80P
Hersteller: IXYS Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Gehäuse: Montage: THT Polarisierung: unipolar Widerst im Leitungszust: 1.44Ω Verlustleistung: 200W Technologie: HiPerFET™ Technologie: Polar™ Kanal-Art: stark Gate-Ladung: 32nC Bereitschaftszeit: 250ns Gate-Source Spannung: 30V Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
9,26€
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ISTOVO 5pcs IRFZ44N IRFZ44 Power Transistor MOSFET N-Channel 49A 49 amp 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (ON): 17.5mΩ Spannung : 55V
18,95€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 26A 500W 500V unipolar TO263 IXFA26N50P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA26N50P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 26A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 42nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
8,00€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -100V unipolar 180W -15A TO247AC IRFP9140PBF P-Kanal-Tran _1GH_IRFP9140PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -15A Verlustleistung: 180W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 61nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,06€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 15A 52W DPAK IRLR3410TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR3410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
6,14€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 300W 10A 800V unipolar TO247-3 IXFH10N80P N-Kanal-Transis _1GH_IXFH10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
13,11€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
6,34€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 15A 100V 52W unipolar DPAK IRFR3910TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,36€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 32W unipolar 7A 600V PG--3-FP SPA07N60C3 N-Kanal-Transist _1GH_SPA07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-TO220-3-FP Montage: THT Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 0.6Ω Gate-Source Spannung: 20V Verlustleistung: 32W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ Drainstrom: 7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V
3 Wochen
7,75€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A 700V -3 150W 200ns IXTP8N70X2 N-Kanal-Transis _1GH_IXTP8N70X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO220-3 Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: junction x-class Bereitschaftszeit: 200ns
3 Wochen
11,80€
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