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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 29A 280W 200V TO247AC IRFP260PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP260PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 29A 280W 200V TO247AC IRFP260PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP260PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 29A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 55mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 230nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 200W unipolar Polar™ 12A IXTP12N50P N-Kanal-Transis _1GH_IXTP12N50P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 200W unipolar Polar™ 12A IXTP12N50P N-Kanal-Transis _1GH_IXTP12N50P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Polar™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 200W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 300ns
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10,22€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300V X3-Class 38A 240W IXFP38N30X3 N-Kanal-Tran _1GH_IXFP38N30X3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300V X3-Class 38A 240W IXFP38N30X3 N-Kanal-Tran _1GH_IXFP38N30X3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X3-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 38A Verlustleistung: 240W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: Ω Montage: THT Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 90ns
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11,52€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 250W Gate-Ladung: 50nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 28A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 129mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: SMD
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 400V 14A 280W TO247AC IRFP360PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP360PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 400V 14A 280W TO247AC IRFP360PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP360PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 14A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 210nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 69W 37A 55V DPAK IRFR1205TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR1205TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 69W 37A 55V DPAK IRFR1205TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 37A Verlustleistung: 69W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
Hersteller: IXYS Bereitschaftszeit: 250ns Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Technologie: HiPerFET™ Technologie: ™ Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 330W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 16A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300A 120V 136W PG--3 IPP114N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP114N12N3GXKSA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300A 120V 136W PG--3 IPP114N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 300A Verlustleistung: 136W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.4mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 43W unipolar 5A 200V DPAK IRFR220NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR220NTRPBF
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 43W unipolar 5A 200V DPAK IRFR220NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 43W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 38W unipolar -11A -55V DPAK IRFR9024NTRPBF P-Kanal-Transi _1GH_IRFR9024NTRPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET 38W unipolar -11A -55V DPAK IRFR9024NTRPBF P-Kanal-Transi _1GH_IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -11A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 50A 30V unipolar 68W PG-TO252-3 IPD050N03LGATMA1 N-Kanal- _1GH_IPD050N03LGATMA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 50A 30V unipolar 68W PG-TO252-3 IPD050N03LGATMA1 N-Kanal- _1GH_IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 68W Gehäuse: PG-TO252-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 26A 500W 500V unipolar TO263 IXFA26N50P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA26N50P3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 26A 500W 500V unipolar TO263 IXFA26N50P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA26N50P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 26A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 42nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -100V unipolar 180W -15A TO247AC IRFP9140PBF P-Kanal-Tran _1GH_IRFP9140PBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -100V unipolar 180W -15A TO247AC IRFP9140PBF P-Kanal-Tran _1GH_IRFP9140PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -15A Verlustleistung: 180W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 61nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 15A 52W DPAK IRLR3410TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR3410TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 15A 52W DPAK IRLR3410TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR3410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 300W 10A 800V unipolar TO247-3 IXFH10N80P N-Kanal-Transis _1GH_IXFH10N80P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 300W 10A 800V unipolar TO247-3 IXFH10N80P N-Kanal-Transis _1GH_IXFH10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 12A 208W TO263 AOB190A60L N-Kanal-Transisto _1GH_AOB190A60L
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 12A 208W TO263 AOB190A60L N-Kanal-Transisto _1GH_AOB190A60L
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 15A 100V 52W unipolar DPAK IRFR3910TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRFR3910TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 15A 100V 52W unipolar DPAK IRFR3910TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 32W unipolar 7A 600V PG--3-FP SPA07N60C3 N-Kanal-Transist _1GH_SPA07N60C3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 32W unipolar 7A 600V PG--3-FP SPA07N60C3 N-Kanal-Transist _1GH_SPA07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-TO220-3-FP Montage: THT Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 0.6Ω Gate-Source Spannung: 20V Verlustleistung: 32W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ Drainstrom: 7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 52A unipolar 200V 357W D2PAK FDB52N20TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB52N20TM
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 52A unipolar 200V 357W D2PAK FDB52N20TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB52N20TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: UniFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 52A Verlustleistung: 357W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 49mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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8,59€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 89A 48W unipolar PG-TDSON-8 BSC0902NSIATMA1 N-Kanal-T _1GH_BSC0902NSIATMA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 89A 48W unipolar PG-TDSON-8 BSC0902NSIATMA1 N-Kanal-T _1GH_BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Verlustleistung: 48W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 2.8mΩ Montage: SMD
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -13A -150V 110W DPAK IRFR6215TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFR6215TRPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -13A -150V 110W DPAK IRFR6215TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFR6215TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -150V Drainstrom: -13A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -21A 120W -100V TO247AC IRFP9140NPBF P-Kanal-Tra _1GH_IRFP9140NPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -21A 120W -100V TO247AC IRFP9140NPBF P-Kanal-Tra _1GH_IRFP9140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -21A Verlustleistung: 120W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.117Ω Montage: THT Gate-Ladung: 64.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30A 160W 100V unipolar TO247AC IRFP150NPBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP150NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30A 160W 100V unipolar TO247AC IRFP150NPBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP150NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 30A Verlustleistung: 160W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 36mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 110nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 300W unipolar 120V PG--3 IPP048N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP048N12N3GXKSA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 300W unipolar 120V PG--3 IPP048N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP048N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 120A Verlustleistung: 300W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.8mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250V 280W unipolar 24A TO247AC IRFP264PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP264PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 250V 280W unipolar 24A TO247AC IRFP264PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP264PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 24A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7Ω Montage: THT Gate-Ladung: 210nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 800V 10A 300W TO263 IXFA10N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFA10N80P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 800V 10A 300W TO263 IXFA10N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFA10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200W unipolar 7A 800V Polar™ IXFP7N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFP7N80P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 200W unipolar 7A 800V Polar™ IXFP7N80P N-Kanal-Transisto _1GH_IXFP7N80P
Hersteller: IXYS Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Gehäuse: Montage: THT Polarisierung: unipolar Widerst im Leitungszust: 1.44Ω Verlustleistung: 200W Technologie: HiPerFET™ Technologie: Polar™ Kanal-Art: stark Gate-Ladung: 32nC Bereitschaftszeit: 250ns Gate-Source Spannung: 30V Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: N-MOSFET
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ISTOVO 5pcs IRFZ44N IRFZ44 Power Transistor MOSFET N-Channel 49A 49 amp 55V
ISTOVO 5pcs IRFZ44N IRFZ44 Power Transistor MOSFET N-Channel 49A 49 amp 55V
MOSFET-Typ: N-Kanal- Aktuelle Bewertung: 49A RDS (ON): 17.5mΩ Spannung : 55V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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