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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar MDmesh™ || 600V 20A 250W STP34NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STP34NM60N
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar MDmesh™ || 600V 20A 250W STP34NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STP34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Verlustleistung: 250W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 105mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 94W 27A TO247AC IRFP140NPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP140NPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 94W 27A TO247AC IRFP140NPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP140NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 27A Verlustleistung: 94W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 52mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 62.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 43A 150V 200W unipolar TO247AC IRFP3415PBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP3415PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 43A 150V 200W unipolar TO247AC IRFP3415PBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFP3415PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 43A Verlustleistung: 200W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 42mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 133.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 55V unipolar 68W 28A DPAK IRLR2705TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR2705TRPBF
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 55V unipolar 68W 28A DPAK IRLR2705TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR2705TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 28A Verlustleistung: 68W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W 55V 17A unipolar DPAK IRLR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR024NTRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W 55V 17A unipolar DPAK IRLR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRLR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W unipolar 55V 16A DPAK IRFR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR024NTRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 38W unipolar 55V 16A DPAK IRFR024NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 16A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 12A 208W TO263 AOB190A60L N-Kanal-Transisto _1GH_AOB190A60L
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 12A 208W TO263 AOB190A60L N-Kanal-Transisto _1GH_AOB190A60L
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 15A 100V 52W unipolar DPAK IRFR3910TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRFR3910TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 15A 100V 52W unipolar DPAK IRFR3910TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 300W 10A 800V unipolar TO247-3 IXFH10N80P N-Kanal-Transis _1GH_IXFH10N80P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 300W 10A 800V unipolar TO247-3 IXFH10N80P N-Kanal-Transis _1GH_IXFH10N80P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 300W Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Gate-Ladung: 40nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 15A 52W DPAK IRLR3410TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR3410TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 15A 52W DPAK IRLR3410TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR3410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 52W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 48W unipolar 50V 14A TO252AA RFD14N05LSM N-Kanal-Transist _1GH_RFD14N05LSM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 48W Gate-Ladung: 40nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 14A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 50V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO252AA Widerst im Leitungszust: Ω Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 26A 500W 500V unipolar TO263 IXFA26N50P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA26N50P3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 26A 500W 500V unipolar TO263 IXFA26N50P3 N-Kanal-Transist _1GH_IXFA26N50P3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 26A Verlustleistung: 500W Gehäuse: TO263 Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 42nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 32W unipolar 7A 600V PG--3-FP SPA07N60C3 N-Kanal-Transist _1GH_SPA07N60C3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 32W unipolar 7A 600V PG--3-FP SPA07N60C3 N-Kanal-Transist _1GH_SPA07N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: PG-TO220-3-FP Montage: THT Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 0.6Ω Gate-Source Spannung: 20V Verlustleistung: 32W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ Drainstrom: 7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -100V unipolar 180W -15A TO247AC IRFP9140PBF P-Kanal-Tran _1GH_IRFP9140PBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -100V unipolar 180W -15A TO247AC IRFP9140PBF P-Kanal-Tran _1GH_IRFP9140PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -15A Verlustleistung: 180W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 61nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 69W 37A 55V DPAK IRFR1205TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR1205TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 69W 37A 55V DPAK IRFR1205TRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR1205TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 37A Verlustleistung: 69W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V 11A unipolar 39W DPAK IRLR120NTRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120NTRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V 11A unipolar 39W DPAK IRLR120NTRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 39W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 38W unipolar -11A -55V DPAK IRFR9024NTRPBF P-Kanal-Transi _1GH_IRFR9024NTRPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET 38W unipolar -11A -55V DPAK IRFR9024NTRPBF P-Kanal-Transi _1GH_IRFR9024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -11A Verlustleistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 43W unipolar 5A 200V DPAK IRFR220NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR220NTRPBF
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 43W unipolar 5A 200V DPAK IRFR220NTRPBF N-Kanal-Transisto _1GH_IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 43W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 200W unipolar Polar™ 12A IXTP12N50P N-Kanal-Transis _1GH_IXTP12N50P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 200W unipolar Polar™ 12A IXTP12N50P N-Kanal-Transis _1GH_IXTP12N50P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: Polar™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 12A Verlustleistung: 200W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 300ns
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10,22€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 28A 250W unipolar 300V D2PAK FDB28N30TM N-Kanal-Transisto _1GH_FDB28N30TM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 250W Gate-Ladung: 50nC Polarisierung: unipolar Technologie: UniFET™ Drainstrom: 28A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 300V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 129mΩ Gate-Source Spannung: 30V Montage: SMD
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8,14€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 400V 14A 280W TO247AC IRFP360PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP360PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 400V 14A 280W TO247AC IRFP360PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP360PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 14A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 200mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 210nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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12,76€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -200V unipolar 74W -4A D2PAK IRF9630SPBF P-Kanal-Transist _1GH_IRF9630SPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -200V unipolar 74W -4A D2PAK IRF9630SPBF P-Kanal-Transist _1GH_IRF9630SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 74W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -200V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 800mΩ Gate-Source Spannung: 20V
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8,75€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V ™ unipolar 330W 16A TO263 IXFA16N50P3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFA16N50P3
Hersteller: IXYS Bereitschaftszeit: 250ns Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Technologie: HiPerFET™ Technologie: ™ Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V Verlustleistung: 330W Gate-Ladung: 29nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 16A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 500V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 29A 280W 200V TO247AC IRFP260PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP260PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 29A 280W 200V TO247AC IRFP260PBF N-Kanal-Transis _1GH_IRFP260PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 29A Verlustleistung: 280W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 55mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 230nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
12,15€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 50A 30V unipolar 68W PG-TO252-3 IPD050N03LGATMA1 N-Kanal- _1GH_IPD050N03LGATMA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 50A 30V unipolar 68W PG-TO252-3 IPD050N03LGATMA1 N-Kanal- _1GH_IPD050N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 68W Gehäuse: PG-TO252-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5mΩ Montage: SMD Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300A 120V 136W PG--3 IPP114N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP114N12N3GXKSA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300A 120V 136W PG--3 IPP114N12N3GXKSA1 N-Kanal-T _1GH_IPP114N12N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 300A Verlustleistung: 136W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.4mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300V X3-Class 38A 240W IXFP38N30X3 N-Kanal-Tran _1GH_IXFP38N30X3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 300V X3-Class 38A 240W IXFP38N30X3 N-Kanal-Tran _1GH_IXFP38N30X3
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X3-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 38A Verlustleistung: 240W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: Ω Montage: THT Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 90ns
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TNE 1x Transistor: N/P-MOSFET 4/-3A 30/-30V 1,4W unipolar IRF7309TRPBF Multikanaltra _1GH_IRF7309TRPBF
TNE 1x Transistor: N/P-MOSFET 4/-3A 30/-30V 1,4W unipolar IRF7309TRPBF Multikanaltra _1GH_IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N/P-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 4/-3A Verlustleistung: 1.4W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 50/Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -2A -100V 25W unipolar DPAK IRFR9110PBF P-Kanal-Transisto _1GH_IRFR9110PBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET -2A -100V 25W unipolar DPAK IRFR9110PBF P-Kanal-Transisto _1GH_IRFR9110PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -2A Verlustleistung: 25W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 8.7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1kV 125W unipolar TO247-3 3A 820ns IXTH3N100P N-Kanal-Tra _1GH_IXTH3N100P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1kV 125W unipolar TO247-3 3A 820ns IXTH3N100P N-Kanal-Tra _1GH_IXTH3N100P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 820ns
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