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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO252 IXTY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTY8N65X2
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO252 IXTY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar MDmesh™ || Plus 600V 7A 25W STF13N60M2 N-Kanal-T _1GH_STF13N60M2
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar MDmesh™ || Plus 600V 7A 25W STF13N60M2 N-Kanal-T _1GH_STF13N60M2
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Plus Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 0.38Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
7,95€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 2,1W 55V 2A unipolar SOT223 IRLL014NTRPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRLL014NTRPBF
TNE 3x Transistor: N-MOSFET 2,1W 55V 2A unipolar SOT223 IRLL014NTRPBF N-Kanal-Transis _1GH_IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 2A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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5,86€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 63W ™ C2 600V 9A unipolar TO252 WMO11N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMO11N60C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 63W ™ C2 600V 9A unipolar TO252 WMO11N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMO11N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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5,92€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 2W 5,8A SOT26 DMN3033LDM-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3033LDM-7
TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 2W 5,8A SOT26 DMN3033LDM-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3033LDM-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.04Ω Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 250W 800V unipolar 21A TO247-3 WMJ25N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ25N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 250W 800V unipolar 21A TO247-3 WMJ25N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ25N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 250W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ M3 Drainstrom: 21A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 800V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO247-3 Widerst im Leitungszust: 260mΩ Gate-Source Spannung: 30V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V 32W 2,7A unipolar K IPU80R1K4P7AKMA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPU80R1K4P7
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V 32W 2,7A unipolar K IPU80R1K4P7AKMA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPU80R1K4P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ P7 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 2.7A Verlustleistung: 32W Gehäuse: K Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.4Ω Montage: THT Gate-Ladung: 10nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 100A unipolar VSONP8 116W 5x6mm CSD18533Q5AT N-Kanal- _1GH_CSD18533Q5AT
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 60V 100A unipolar VSONP8 116W 5x6mm CSD18533Q5AT N-Kanal- _1GH_CSD18533Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Verlustleistung: 116W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4.7mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 29nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 DFN6 AON5820 Multikanaltransistoren 8A 20V unipolar 1W _1GH_AON5820
TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 DFN6 AON5820 Multikanaltransistoren 8A 20V unipolar 1W _1GH_AON5820
Hersteller: ALPHA
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 2W -55V -3,4A IRF7342TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7342TRPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 unipolar 2W -55V -3,4A IRF7342TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -55V Drainstrom: -3.4A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar 70W ™ M3 7A TO252 WMO08N80M3 N-Kanal-Transi _1GH_WMO08N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar 70W ™ M3 7A TO252 WMO08N80M3 N-Kanal-Transi _1GH_WMO08N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Verlustleistung: 70W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.38Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 325mW unipolar 0,12A 60V SOT23 NX7002AK.215 N-Kanal-Trans _1GH_NX7002AK.215
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 325mW unipolar 0,12A 60V SOT23 NX7002AK.215 N-Kanal-Trans _1GH_NX7002AK.215
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 3W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 6.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 85W ™ C2 11A -3 WMK14N60C2 N-Kanal-Transist _1GH_WMK14N60C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 85W ™ C2 11A -3 WMK14N60C2 N-Kanal-Transist _1GH_WMK14N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 405mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 9A 650V ™ C2 63W TO251 WMP11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP11N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 9A 650V ™ C2 63W TO251 WMP11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 15A ™ M3 35W 800V unipolar F WML15N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WML15N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 15A ™ M3 35W 800V unipolar F WML15N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WML15N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 15A Verlustleistung: 35W Gehäuse: TO220F Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 360mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 13,3A 200V 140W unipolar D2PAK FQB19N20LTM N-Kanal-Transi _1GH_FQB19N20LTM
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 13,3A 200V 140W unipolar D2PAK FQB19N20LTM N-Kanal-Transi _1GH_FQB19N20LTM
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Gehäuse: D2PAK Montage: SMD Verlustleistung: 140W Gate-Ladung: 35nC Polarisierung: unipolar Technologie: QFET® Drainstrom: 13.3A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1Ω Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 400V 6,3A D2PAK IRF740SPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRF740SPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 125W 400V 6,3A D2PAK IRF740SPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRF740SPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 6.3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 63nC Kanal-Art: stark
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 0,11A 300mW SOT323 NX3020NAKW.115 N-Kanal-Tr _1GH_NX3020NAKW.115
TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 0,11A 300mW SOT323 NX3020NAKW.115 N-Kanal-Tr _1GH_NX3020NAKW.115
Hersteller: NEXPERIA Verlustleistung: 300mW Gate-Ladung: 0.44nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 9.2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD
3 Wochen
5,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,69€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5A unipolar MDmesh™ || 70W 600V K STU10NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STU10NM60N
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5A unipolar MDmesh™ || 70W 600V K STU10NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STU10NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: K Verlustleistung: 70W Technologie: MDmesh™ || Gate-Source Spannung: 25V Polarisierung: unipolar Drainstrom: 5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 5Ω
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7,65€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4A 800V 45W unipolar ™ M3 -3 WMK05N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK05N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4A 800V 45W unipolar ™ M3 -3 WMK05N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK05N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.3Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
3 Wochen
7,49€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET 2W -6,9A unipolar -20V TSOP6 IRLTS2242TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRLTS2242TRPBF
TNE 3x Transistor: P-MOSFET 2W -6,9A unipolar -20V TSOP6 IRLTS2242TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRLTS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -6.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
10,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 800V 150W unipolar 15A TO247-3 WMJ15N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ15N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 800V 150W unipolar 15A TO247-3 WMJ15N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ15N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ M3 Drainstrom: 15A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 800V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO247-3 Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
14,49€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 85W 800V unipolar ™ M3 -3 WMK10N80M3 N-Kanal-Transist _1GH_WMK10N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 85W 800V unipolar ™ M3 -3 WMK10N80M3 N-Kanal-Transist _1GH_WMK10N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.03Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5W unipolar ™ C2 700V 4A SOT223 WMF07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMF07N70C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5W unipolar ™ C2 700V 4A SOT223 WMF07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMF07N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 5W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 700V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
6,11€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET TO3P 500V unipolar 22A 350W 400ns IXTQ22N50P N-Kanal-Tran _1GH_IXTQ22N50P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET TO3P 500V unipolar 22A 350W 400ns IXTQ22N50P N-Kanal-Tran _1GH_IXTQ22N50P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 350W Gehäuse: TO3P Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 50nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 400ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO263 IXTA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTA8N65X2
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO263 IXTA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 13A 86W ™ FD TO263 WMM16N60FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N60FD-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 13A 86W ™ FD TO263 WMM16N60FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N60FD-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ FD Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 320mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 42W ™ C2 5A 650V unipolar -3 WMK07N65C2 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK07N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 42W ™ C2 5A 650V unipolar -3 WMK07N65C2 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK07N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 42W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.14Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
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