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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4A 800V 45W unipolar ™ M3 -3 WMK05N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK05N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4A 800V 45W unipolar ™ M3 -3 WMK05N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK05N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.3Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 42W ™ C2 5A 650V unipolar -3 WMK07N65C2 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK07N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 42W ™ C2 5A 650V unipolar -3 WMK07N65C2 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK07N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 42W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.14Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET TO3P 500V unipolar 22A 350W 400ns IXTQ22N50P N-Kanal-Tran _1GH_IXTQ22N50P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET TO3P 500V unipolar 22A 350W 400ns IXTQ22N50P N-Kanal-Tran _1GH_IXTQ22N50P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 350W Gehäuse: TO3P Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 50nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 400ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 800V 150W unipolar 15A TO247-3 WMJ15N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ15N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 800V 150W unipolar 15A TO247-3 WMJ15N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ15N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ M3 Drainstrom: 15A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 800V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO247-3 Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 3A 650V 29W ™ C2 TO251 WMP04N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP04N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 3A 650V 29W ™ C2 TO251 WMP04N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP04N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3A Verlustleistung: 29W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.9Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W 400V 1,9A unipolar I2PAK STD5NK40Z-1 N-Kanal-Transist _1GH_STD5NK40Z-1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W 400V 1,9A unipolar I2PAK STD5NK40Z-1 N-Kanal-Transist _1GH_STD5NK40Z-1
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 1.9A Verlustleistung: 45W Gehäuse: I2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1800mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO263 IXTA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTA8N65X2
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO263 IXTA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 85W ™ M3 10A 800V TO252 WMO10N80M3 N-Kanal-Trans _1GH_WMO10N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 85W ™ M3 10A 800V TO252 WMO10N80M3 N-Kanal-Trans _1GH_WMO10N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.03Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 700V unipolar ™ C2 42W 4A TO251 WMP07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP07N70C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 700V unipolar ™ C2 42W 4A TO251 WMP07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP07N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 42W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.45Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 13A 86W ™ FD TO263 WMM16N60FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N60FD-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 13A 86W ™ FD TO263 WMM16N60FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N60FD-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ FD Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 320mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET MDmesh™ || 8A 500V unipolar 25W FP STF14NM50N N-Kanal-Tra _1GH_STF14NM50N
TNE 1x Transistor: N-MOSFET MDmesh™ || 8A 500V unipolar 25W FP STF14NM50N N-Kanal-Tra _1GH_STF14NM50N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 0.32Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6,93A MDmesh™ || 600V unipolar 25W STF13NM60N N-Kanal-Tra _1GH_STF13NM60N
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6,93A MDmesh™ || 600V unipolar 25W STF13NM60N N-Kanal-Tra _1GH_STF13NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6.93A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 0.36Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A 57W unipolar ™ C2 600V SOT223 WMF10N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMF10N60C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A 57W unipolar ™ C2 600V SOT223 WMF10N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMF10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 57W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 720mΩ Gate-Source Spannung: 30V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 72A 120V 255W unipolar TK72E12N1,S1X(S N-Kanal-Transisto _1GH_TK72E12N1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 72A 120V 255W unipolar TK72E12N1,S1X(S N-Kanal-Transisto _1GH_TK72E12N1
Hersteller: TOSHIBA Verlustleistung: 255W Gate-Ladung: 130nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 72A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 120V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 4.4mΩ Gate-Source Spannung: 20V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W 600V unipolar 4,3A TO247AC IRFPC40PBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFPC40PBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W 600V unipolar 4,3A TO247AC IRFPC40PBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFPC40PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4.3A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: THT Gate-Ladung: 60nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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10,17€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 5A 17W WSON6 2x2mm CSD17313Q2T N-Kanal-Trans _1GH_CSD17313Q2T
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 5A 17W WSON6 2x2mm CSD17313Q2T N-Kanal-Trans _1GH_CSD17313Q2T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Verlustleistung: 17W Gate-Ladung: 2.1nC Polarisierung: unipolar Technologie: NexFET™ Drainstrom: 5A Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Abmessungen: 2x2mm Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: WSON6 Widerst im Leitungszust: 26mΩ Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
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7,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A X2-Class 650V 150W TO252 IXFY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFY8N65X2
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 8A X2-Class 650V 150W TO252 IXFY8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFY8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 105ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 20,8W 4A unipolar 700V FP N70R750P7SXKSA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPAN70R750P7S
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 20,8W 4A unipolar 700V FP N70R750P7SXKSA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPAN70R750P7S
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ P7 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 20.8W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 0.75Ω Montage: THT Gate-Ladung: 8.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
6,10€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO252 WMO14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMO14N60C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO252 WMO14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMO14N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 405mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,63€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 420mW 0,28A 60V unipolar SOT23 2N7002P.215 N-Kanal-Transi _1GH_2N7002P.215
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 420mW 0,28A 60V unipolar SOT23 2N7002P.215 N-Kanal-Transi _1GH_2N7002P.215
Hersteller: NEXPERIA Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 420mW Gate-Ladung: 0.8nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.28A
3 Wochen
7,35€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 56A 168W unipolar 120V TK56E12N1,S1X(S N-Kanal-Transisto _1GH_TK56E12N1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 56A 168W unipolar 120V TK56E12N1,S1X(S N-Kanal-Transisto _1GH_TK56E12N1
Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Verlustleistung: 168W Gate-Ladung: 69nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 56A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 120V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 5.8mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET Idm: 310A unipolar 65V 160W 62A DIT090N06 N-Kanal-Transi _1GH_DIT090N06-DIO
TNE 1x Transistor: N-MOSFET Idm: 310A unipolar 65V 160W 62A DIT090N06 N-Kanal-Transi _1GH_DIT090N06-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Drainstrom im Impuls: 310A Verlustleistung: 160W Gate-Ladung: 94nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 62A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 65V Dicke Kühlkörper: max. 1.2mm Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 5.7mΩ Gate-Source Spannung: 20V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ M3 800V 5A 50W -3 WMK06N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK06N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ M3 800V 5A 50W -3 WMK06N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK06N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 50W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ C2 650V unipolar 9A 63W TO262 WMN11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMN11N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ C2 650V unipolar 9A 63W TO262 WMN11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMN11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO262 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V ™ M3 130W unipolar 13A TO263 WMM13N80M3 N-Kanal-Tran _1GH_WMM13N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V ™ M3 130W unipolar 13A TO263 WMM13N80M3 N-Kanal-Tran _1GH_WMM13N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 130W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 480mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,67A 400V 30W unipolar FP STP11NK40ZFP N-Kanal-Transisto _1GH_STP11NK40ZFP
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,67A 400V 30W unipolar FP STP11NK40ZFP N-Kanal-Transisto _1GH_STP11NK40ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 30W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.67A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 400V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: FP Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A X2-Class 650V 150W unipolar TO263 IXFA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFA8N65X2
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A X2-Class 650V 150W unipolar TO263 IXFA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXFA8N65X2
Hersteller: IXYS Technologie: HiPerFET™ Technologie: X2-Class Gehäuse: TO263 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 4Ω Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Gate-Source Spannung: 30V Bereitschaftszeit: 105ns Gate-Ladung: 11nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 45W 600V ™ C2 6A TO263 WMM09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N60C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 45W 600V ™ C2 6A TO263 WMM09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 8/13W 30V 31/54A unipolar DFN5x6 AON6998 Multikanaltra _1GH_AON6998
TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 8/13W 30V 31/54A unipolar DFN5x6 AON6998 Multikanaltra _1GH_AON6998
Hersteller: ALPHA
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