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TNE 1x Transistor: N-MOSFET MDmesh™ || 8A 500V unipolar 25W FP STF14NM50N N-Kanal-Tra _1GH_STF14NM50N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 0.32Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,35€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 56A 168W unipolar 120V TK56E12N1,S1X(S N-Kanal-Transisto _1GH_TK56E12N1
Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Verlustleistung: 168W Gate-Ladung: 69nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 56A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 120V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 5.8mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
8,59€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 5A 17W WSON6 2x2mm CSD17313Q2T N-Kanal-Trans _1GH_CSD17313Q2T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Verlustleistung: 17W Gate-Ladung: 2.1nC Polarisierung: unipolar Technologie: NexFET™ Drainstrom: 5A Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Abmessungen: 2x2mm Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: WSON6 Widerst im Leitungszust: 26mΩ Gate-Source Spannung: 10V Montage: SMD
3 Wochen
7,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5,67A 400V 30W unipolar FP STP11NK40ZFP N-Kanal-Transisto _1GH_STP11NK40ZFP
Hersteller: STMicroelectronics Verlustleistung: 30W Polarisierung: unipolar Technologie: SuperMesh™ Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.67A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 400V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: FP Widerst im Leitungszust: 5Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT
3 Wochen
9,70€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 20,8W 4A unipolar 700V FP N70R750P7SXKSA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPAN70R750P7S
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ P7 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 20.8W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 0.75Ω Montage: THT Gate-Ladung: 8.3nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
6,10€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 150W 600V unipolar 4,3A TO247AC IRFPC40PBF N-Kanal-Transi _1GH_IRFPC40PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4.3A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.2Ω Montage: THT Gate-Ladung: 60nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
10,17€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,69€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5A unipolar MDmesh™ || 70W 600V K STU10NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STU10NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: K Verlustleistung: 70W Technologie: MDmesh™ || Gate-Source Spannung: 25V Polarisierung: unipolar Drainstrom: 5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 5Ω
3 Wochen
7,65€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4A 800V 45W unipolar ™ M3 -3 WMK05N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK05N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.3Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
3 Wochen
7,49€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET 2W -6,9A unipolar -20V TSOP6 IRLTS2242TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRLTS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -6.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
10,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 800V 150W unipolar 15A TO247-3 WMJ15N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ15N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ M3 Drainstrom: 15A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 800V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO247-3 Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
14,49€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 85W 800V unipolar ™ M3 -3 WMK10N80M3 N-Kanal-Transist _1GH_WMK10N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.03Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
3 Wochen
8,75€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5W unipolar ™ C2 700V 4A SOT223 WMF07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMF07N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 5W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 700V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
6,11€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET TO3P 500V unipolar 22A 350W 400ns IXTQ22N50P N-Kanal-Tran _1GH_IXTQ22N50P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 350W Gehäuse: TO3P Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 50nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 400ns
3 Wochen
15,02€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO263 IXTA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
3 Wochen
8,68€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 13A 86W ™ FD TO263 WMM16N60FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N60FD-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ FD Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 320mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 42W ™ C2 5A 650V unipolar -3 WMK07N65C2 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK07N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 42W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.14Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
3 Wochen
6,99€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO251 WMP14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMP14N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 405mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,27€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -5,8A unipolar 2W -30V TSOP6 IRFTS9342TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -5.8A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,84€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W 400V 1,9A unipolar I2PAK STD5NK40Z-1 N-Kanal-Transist _1GH_STD5NK40Z-1
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 1.9A Verlustleistung: 45W Gehäuse: I2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1800mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
8,04€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 -30V unipolar -4,9A 2W IRF7316TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -4.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30A 170W -3 unipolar 250V 82ns IXFP30N25X3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFP30N25X3
Hersteller: IXYS Verlustleistung: 170W Gate-Ladung: 21nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: junction x-class Drainstrom: 30A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 250V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220-3 Widerst im Leitungszust: 60mΩ Bereitschaftszeit: 82ns Montage: THT
3 Wochen
15,73€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 85W ™ M3 10A 800V TO252 WMO10N80M3 N-Kanal-Trans _1GH_WMO10N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.03Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,20€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 700V unipolar ™ C2 42W 4A TO251 WMP07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP07N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 42W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.45Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,99€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 49,5A unipolar 100V 214W TO3PN FQA70N10 N-Kanal-Transisto _1GH_FQA70N10
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 49.5A Verlustleistung: 214W Gehäuse: TO3PN Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 23mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,84€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 3A 650V 29W ™ C2 TO251 WMP04N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP04N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3A Verlustleistung: 29W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.9Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,47€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 45W unipolar 3A MDmesh™ || -3 STP8NM50N N-Kanal-Tran _1GH_STP8NM50N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 3A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 790mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,79€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Verlustleistung: 1.6W Gehäuse: SuperSOT-6 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 53mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 25nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,71€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6A ™ C2 unipolar 600V 45W TO262 WMN09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMN09N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO262 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,99€
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