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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1kV 125W unipolar TO247-3 3A 820ns IXTH3N100P N-Kanal-Tra _1GH_IXTH3N100P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1kV 125W unipolar TO247-3 3A 820ns IXTH3N100P N-Kanal-Tra _1GH_IXTH3N100P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 3A Verlustleistung: 125W Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Gate-Ladung: 36nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 820ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2A 86W unipolar TO263 1kV 800ns IXTA2N100P N-Kanal-Transi _1GH_IXTA2N100P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 2A 86W unipolar TO263 1kV 800ns IXTA2N100P N-Kanal-Transi _1GH_IXTA2N100P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 2A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Montage: SMD Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 800ns
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 AO4805 Multikanaltransistoren unipolar 1,3W -7A -30V _1GH_AO4805
TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 AO4805 Multikanaltransistoren unipolar 1,3W -7A -30V _1GH_AO4805
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,41€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET 12W -20V unipolar -29A DFN3x3 EP AON7407 P-Kanal-Transist _1GH_AON7407
TNE 3x Transistor: P-MOSFET 12W -20V unipolar -29A DFN3x3 EP AON7407 P-Kanal-Transist _1GH_AON7407
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 3,8W 17A D2PAK IRL530NSTRLPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRL530NSTRLPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 3,8W 17A D2PAK IRL530NSTRLPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRL530NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Verlustleistung: 3.8W Gehäuse: D2PAK Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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7,87€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar ™ M3 13A 130W -3 WMK13N80M3 N-Kanal-Transis _1GH_WMK13N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 800V unipolar ™ M3 13A 130W -3 WMK13N80M3 N-Kanal-Transis _1GH_WMK13N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 130W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 480mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
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10,69€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 80V 84A unipolar Idm: 450A 220W DIT120N08 N-Kanal-Transi _1GH_DIT120N08-DIO
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 80V 84A unipolar Idm: 450A 220W DIT120N08 N-Kanal-Transi _1GH_DIT120N08-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Drainstrom im Impuls: 450A Verlustleistung: 220W Gate-Ladung: 163nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 84A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 80V Dicke Kühlkörper: max. 1.2mm Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: Widerst im Leitungszust: 4.9mΩ Gate-Source Spannung: 20V Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar ™ C2 8A 57W TO263 WMM10N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 650V unipolar ™ C2 8A 57W TO263 WMM10N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -7,7A 60W D2PAK IRF9Z24SPBF P-Kanal-Transis _1GH_IRF9Z24SPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -7,7A 60W D2PAK IRF9Z24SPBF P-Kanal-Transis _1GH_IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Verlustleistung: 60W Gate-Ladung: 19nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.7A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: D2PAK Widerst im Leitungszust: 280mΩ Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 950V 2,4A 37W K IPU95R2K0P7AKMA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPU95R2K0P7
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 950V 2,4A 37W K IPU95R2K0P7AKMA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPU95R2K0P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: K Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: THT Verlustleistung: 37W Gate-Ladung: 10nC Polarisierung: unipolar Technologie: ™ P7 Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 2.4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 950V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W ™ C2 650V unipolar 6A TO263 WMM09N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W ™ C2 650V unipolar 6A TO263 WMM09N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM09N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6A ™ C2 unipolar 600V 45W TO262 WMN09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMN09N60C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 6A ™ C2 unipolar 600V 45W TO262 WMN09N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMN09N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO262 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 940mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET 88W -60V -18A Idm: -72A unipolar IRF9Z34PBF P-Kanal-Tran _1GH_IRF9Z34PBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET 88W -60V -18A Idm: -72A unipolar IRF9Z34PBF P-Kanal-Tran _1GH_IRF9Z34PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -60V Drainstrom: -18A Drainstrom im Impuls: -72A Verlustleistung: 88W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 140mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 34nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 36W VSONP8 unipolar 25A 5x6mm CSD17579Q5AT N-Kanal-Tr _1GH_CSD17579Q5AT
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30V 36W VSONP8 unipolar 25A 5x6mm CSD17579Q5AT N-Kanal-Tr _1GH_CSD17579Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 25A Verlustleistung: 36W Gehäuse: VSONP8 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11.6mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 5.4nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Abmessungen: 5x6mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 3,9A 45W 800V K IPU80R900P7AKMA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPU80R900P7
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 3,9A 45W 800V K IPU80R900P7AKMA1 N-Kanal-Transis _1GH_IPU80R900P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ P7 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3.9A Verlustleistung: 45W Gehäuse: K Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.9Ω Montage: THT Gate-Ladung: 15nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET MDmesh™ || 20A unipolar 600V 250W TO247 STW34NM60N N-Kana _1GH_STW34NM60N
TNE 1x Transistor: N-MOSFET MDmesh™ || 20A unipolar 600V 250W TO247 STW34NM60N N-Kana _1GH_STW34NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Verlustleistung: 250W Gehäuse: TO247 Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 92mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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15,49€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar MDmesh™ || 600V 12,6A 140W STW26NM60N N-Kanal-Tr _1GH_STW26NM60N
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar MDmesh™ || 600V 12,6A 140W STW26NM60N N-Kanal-Tr _1GH_STW26NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO247 Verlustleistung: 140W Technologie: MDmesh™ || Gate-Source Spannung: 30V Polarisierung: unipolar Drainstrom: 12.6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 135mΩ
3 Wochen
15,54€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 8A 57W ™ C2 TO263 WMM10N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N60C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 600V unipolar 8A 57W ™ C2 TO263 WMM10N60C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM10N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 57W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 690mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,23€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar X3-Class 38A 300V 34W FP IXFP38N30X3M N-Kanal-Tr _1GH_IXFP38N30X3M
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar X3-Class 38A 300V 34W FP IXFP38N30X3M N-Kanal-Tr _1GH_IXFP38N30X3M
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X3-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 38A Verlustleistung: 34W Gehäuse: FP Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: Ω Montage: THT Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 90ns
3 Wochen
13,11€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 125W Idm: 32A 8A unipolar 500V IRF840APBF N-Kanal-Transi _1GH_IRF840APBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 125W Idm: 32A 8A unipolar 500V IRF840APBF N-Kanal-Transi _1GH_IRF840APBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 8A Drainstrom im Impuls: 32A Verlustleistung: 125W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: THT Gate-Ladung: 38nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm
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9,40€
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
TNE 3x Transistor: P-MOSFET -12V unipolar 1,6W -6A SuperSOT-6 FDC606P P-Kanal-Transis _1GH_FDC606P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: Power® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -12V Drainstrom: -6A Verlustleistung: 1.6W Gehäuse: SuperSOT-6 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 53mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 25nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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6,71€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 45W unipolar 3A MDmesh™ || -3 STP8NM50N N-Kanal-Tran _1GH_STP8NM50N
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 500V 45W unipolar 3A MDmesh™ || -3 STP8NM50N N-Kanal-Tran _1GH_STP8NM50N
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ || Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 3A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 790mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,79€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ C2 11A 700V unipolar 85W TO263 WMM14N70C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMM14N70C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ C2 11A 700V unipolar 85W TO263 WMM14N70C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMM14N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 530mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,46€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 9,6/30W 30V unipolar 22/85A DFN5x6 AOE6930 Multikanalt _1GH_AOE6930
TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 9,6/30W 30V unipolar 22/85A DFN5x6 AOE6930 Multikanalt _1GH_AOE6930
Hersteller: ALPHA
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,2W unipolar 0,115A SOT23 2N7002-TP N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-TP
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,2W unipolar 0,115A SOT23 2N7002-TP N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,21A 0,54W unipolar SOT23 DMN65D8L-7 N-Kanal-Transis _1GH_DMN65D8L-7
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,21A 0,54W unipolar SOT23 DMN65D8L-7 N-Kanal-Transis _1GH_DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V unipolar 1,8A SOT223 BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP373NH6327XTSA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V unipolar 1,8A SOT223 BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.8A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 2,3A 20V 0,5W unipolar SOT23 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal-T _1GH_BSS806NEH6327XTSA1
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 2,3A 20V 0,5W unipolar SOT23 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal-T _1GH_BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 82mΩ Montage: SMD
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,2W unipolar 60V 0,073A SOT323 2N7002W-7-F N-Kanal-Trans _1GH_2N7002W-7-F
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,2W unipolar 60V 0,073A SOT323 2N7002W-7-F N-Kanal-Trans _1GH_2N7002W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.073A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 1.8Ω Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V 2,1W 4,4A unipolar SOT223 IRLL024NTRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLL024NTRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V 2,1W 4,4A unipolar SOT223 IRLL024NTRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 65mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10.4nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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