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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4,9A 100V unipolar 42W DPAK IRLR120TRPBF N-Kanal-Transist _1GH_IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.9A Verlustleistung: 42W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5A unipolar MDmesh™ || 70W 600V K STU10NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STU10NM60N
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5A unipolar MDmesh™ || 70W 600V K STU10NM60N N-Kanal-Tran _1GH_STU10NM60N
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: K Verlustleistung: 70W Technologie: MDmesh™ || Gate-Source Spannung: 25V Polarisierung: unipolar Drainstrom: 5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 5Ω
3 Wochen
7,65€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4A 800V 45W unipolar ™ M3 -3 WMK05N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK05N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 4A 800V 45W unipolar ™ M3 -3 WMK05N80M3 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK05N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 45W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.3Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
3 Wochen
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET 2W -6,9A unipolar -20V TSOP6 IRLTS2242TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRLTS2242TRPBF
TNE 3x Transistor: P-MOSFET 2W -6,9A unipolar -20V TSOP6 IRLTS2242TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRLTS2242TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -6.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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10,07€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 800V 150W unipolar 15A TO247-3 WMJ15N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ15N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET ™ M3 800V 150W unipolar 15A TO247-3 WMJ15N80M3 N-Kanal-Tr _1GH_WMJ15N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ M3 Drainstrom: 15A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 800V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: TO247-3 Widerst im Leitungszust: 360mΩ Gate-Source Spannung: 30V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar ™ C2 650V 63W 9A TO263 WMM11N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMM11N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 9A Verlustleistung: 63W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 85W 800V unipolar ™ M3 -3 WMK10N80M3 N-Kanal-Transist _1GH_WMK10N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 10A 85W 800V unipolar ™ M3 -3 WMK10N80M3 N-Kanal-Transist _1GH_WMK10N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.03Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5W unipolar ™ C2 700V 4A SOT223 WMF07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMF07N70C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 5W unipolar ™ C2 700V 4A SOT223 WMF07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMF07N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 5W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ C2 Drainstrom: 4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 700V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Gate-Source Spannung: 30V
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET TO3P 500V unipolar 22A 350W 400ns IXTQ22N50P N-Kanal-Tran _1GH_IXTQ22N50P
TNE 1x Transistor: N-MOSFET TO3P 500V unipolar 22A 350W 400ns IXTQ22N50P N-Kanal-Tran _1GH_IXTQ22N50P
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 22A Verlustleistung: 350W Gehäuse: TO3P Widerst im Leitungszust: 270mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 50nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: stard power mosfet Bereitschaftszeit: 400ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO263 IXTA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTA8N65X2
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 8A unipolar 650V X2-Class 150W TO263 IXTA8N65X2 N-Kanal-T _1GH_IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: X2-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 8A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 500mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 12nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Bereitschaftszeit: 200ns
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 13A 86W ™ FD TO263 WMM16N60FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N60FD-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 13A 86W ™ FD TO263 WMM16N60FD N-Kanal-Trans _1GH_WMM16N60FD-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ FD Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Verlustleistung: 86W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 320mΩ Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 42W ™ C2 5A 650V unipolar -3 WMK07N65C2 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK07N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 42W ™ C2 5A 650V unipolar -3 WMK07N65C2 N-Kanal-Transisto _1GH_WMK07N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5A Verlustleistung: 42W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.14Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Dicke Kühlkörper: 1.2...1.45mm
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO251 WMP14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMP14N60C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 11A ™ C2 600V 85W unipolar TO251 WMP14N60C2 N-Kanal-Trans _1GH_WMP14N60C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 405mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
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TNE 3x Transistor: P-MOSFET -5,8A unipolar 2W -30V TSOP6 IRFTS9342TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFTS9342TRPBF
TNE 3x Transistor: P-MOSFET -5,8A unipolar 2W -30V TSOP6 IRFTS9342TRPBF P-Kanal-Trans _1GH_IRFTS9342TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -5.8A Verlustleistung: 2W Gehäuse: TSOP6 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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9,84€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W 400V 1,9A unipolar I2PAK STD5NK40Z-1 N-Kanal-Transist _1GH_STD5NK40Z-1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 45W 400V 1,9A unipolar I2PAK STD5NK40Z-1 N-Kanal-Transist _1GH_STD5NK40Z-1
Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 1.9A Verlustleistung: 45W Gehäuse: I2PAK Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1800mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
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8,04€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 -30V unipolar -4,9A 2W IRF7316TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7316TRPBF
TNE 1x Transistor: P-MOSFET x2 -30V unipolar -4,9A 2W IRF7316TRPBF Multikanaltransis _1GH_IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -4.9A Verlustleistung: 2W Gehäuse: SO8 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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7,37€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30A 170W -3 unipolar 250V 82ns IXFP30N25X3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFP30N25X3
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 30A 170W -3 unipolar 250V 82ns IXFP30N25X3 N-Kanal-Transi _1GH_IXFP30N25X3
Hersteller: IXYS Verlustleistung: 170W Gate-Ladung: 21nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: junction x-class Drainstrom: 30A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 250V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220-3 Widerst im Leitungszust: 60mΩ Bereitschaftszeit: 82ns Montage: THT
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 85W ™ M3 10A 800V TO252 WMO10N80M3 N-Kanal-Trans _1GH_WMO10N80M3-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 85W ™ M3 10A 800V TO252 WMO10N80M3 N-Kanal-Trans _1GH_WMO10N80M3-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ M3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Verlustleistung: 85W Gehäuse: TO252 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.03Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
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6,20€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 700V unipolar ™ C2 42W 4A TO251 WMP07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP07N70C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 700V unipolar ™ C2 42W 4A TO251 WMP07N70C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP07N70C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4A Verlustleistung: 42W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.45Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,99€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 49,5A unipolar 100V 214W TO3PN FQA70N10 N-Kanal-Transisto _1GH_FQA70N10
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 49,5A unipolar 100V 214W TO3PN FQA70N10 N-Kanal-Transisto _1GH_FQA70N10
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 49.5A Verlustleistung: 214W Gehäuse: TO3PN Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 23mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 11nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
9,84€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 3A 650V 29W ™ C2 TO251 WMP04N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP04N65C2-CYG
TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 3A 650V 29W ™ C2 TO251 WMP04N65C2 N-Kanal-Transi _1GH_WMP04N65C2-CYG
Hersteller: WAYON Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ C2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3A Verlustleistung: 29W Gehäuse: TO251 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 1.9Ω Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,47€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,21A 0,54W unipolar SOT23 DMN65D8L-7 N-Kanal-Transis _1GH_DMN65D8L-7
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,21A 0,54W unipolar SOT23 DMN65D8L-7 N-Kanal-Transis _1GH_DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate
3 Wochen
5,41€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V 1,2A unipolar SOT223 BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP296NH6327XTSA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V 1,2A unipolar SOT223 BSP296NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.8Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 9,6/30W 30V unipolar 22/85A DFN5x6 AOE6930 Multikanalt _1GH_AOE6930
TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 9,6/30W 30V unipolar 22/85A DFN5x6 AOE6930 Multikanalt _1GH_AOE6930
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
7,46€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V 2,1W 4,4A unipolar SOT223 IRLL024NTRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLL024NTRPBF
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 55V 2,1W 4,4A unipolar SOT223 IRLL024NTRPBF N-Kanal-Trans _1GH_IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 65mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 10.4nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
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6,43€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,2W unipolar 0,115A SOT23 2N7002-TP N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-TP
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V 0,2W unipolar 0,115A SOT23 2N7002-TP N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23
3 Wochen
5,29€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,2W unipolar 60V 0,073A SOT323 2N7002W-7-F N-Kanal-Trans _1GH_2N7002W-7-F
TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,2W unipolar 60V 0,073A SOT323 2N7002W-7-F N-Kanal-Trans _1GH_2N7002W-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.2W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.073A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 1.8Ω Gate-Source Spannung: 20V
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V unipolar 1,8A SOT223 BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP373NH6327XTSA1
TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,8W 100V unipolar 1,8A SOT223 BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.8A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 2,3A 20V 0,5W unipolar SOT23 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal-T _1GH_BSS806NEH6327XTSA1
TNE 10x Transistor: N-MOSFET 2,3A 20V 0,5W unipolar SOT23 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal-T _1GH_BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 82mΩ Montage: SMD
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TNE 25x Transistor: P-MOSFET 0,25W unipolar -50V -0,13A SOT23 MMFTP84 P-Kanal-Transist _1GH_MMFTP84-DIO
TNE 25x Transistor: P-MOSFET 0,25W unipolar -50V -0,13A SOT23 MMFTP84 P-Kanal-Transist _1GH_MMFTP84-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.25W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10Ω Gate-Source Spannung: 20V
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