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TNE 25x Transistor: P-MOSFET 0,25W unipolar -50V -0,13A SOT23 MMFTP84 P-Kanal-Transist _1GH_MMFTP84-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.25W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.13A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -50V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 10Ω Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 0,375A 250V unipolar 1,5W SOT223 BSP126.115 N-Kanal-Trans _1GH_BSP126.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 0.375A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,29€
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TNE Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1,2A; 0,36W; SC70-6 FDG1024NZ Multikanaltransistoren 7657
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Technologie: PowerTrench® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.2A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SC70-6 Gate-Source Spannung: ±8V Widerstand im Leitungs 389m? Montage: SMD Gate-Ladung: 2.6nC Verpackungs-Art: Band Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
2-3 Werktage
7,19€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V 0,6W 5,8A unipolar SOT23 DMN3023L-7 N-Kanal-Transisto _1GH_DMN3023L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 0.028Ω Gate-Source Spannung: 20V Montage: SMD Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 5.8A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23
3 Wochen
5,97€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 0,225W 0,115A SOT23 2N7002 N-Kanal-Transisto _1GH_2N7002-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 3.75Ω Montage: SMD Verlustleistung: 0.225W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A
3 Wochen
5,44€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 60V unipolar 0,1A 0,2W SOT23 MMFTN3018W N-Kanal-Transisto _1GH_MMFTN3018W-DIO
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.1A Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 8Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,37€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 20V unipolar 0,5W 1,5A SOT23 BSS214NH6327XTSA1 N-Kanal-Tr _1GH_BSS214NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.5A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 0.25Ω Montage: SMD
3 Wochen
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PEAK ATLAS DCA55 – Komponenten-Analysegerät mit LCD-Display für Bipolare Transistoren, MOSFET, SCR, Triac, Dioden, Netze, Dioden, LED
Komponentenanalysator: Professionelles Gerät zur Analyse und Identifizierung elektronischer Komponenten Integriertes LCD-Display: Ausgestattet mit Flüssigkristall-Bildschirm für eine klare und sofortige Anzeige der Ergebnisse Breite Kompatibilität mit elektronischen Komponenten: Analysiert eine Vielzahl von elektronischen Komponenten wie bipolaren Transistoren, MOSFET, SCR, Triac, Dioden, Diodennetzwerken, FET (nur der als Gate identifizierte Pin), LED, zweifarbige LEDs und RGB Automatische Identifizierung und detaillierte Parameter: Identifiziert automatisch Komponententyp und Pinout, zeigt spezielle Komponenteninformationen wie Schutzdioden und Shunt-Widerstände an, Informationen zu Parametern wie Verstärkung und Leckstrom in Transistoren, MOSFET-Gate-Schwellenspannungen, Spannungsabfälle Kompakte Größe: Maße von 103 x 70 x 20 mm für einfache Portabilität und Verwendung in jeder Arbeitsumgebung Lieferumfang: Komponentenanalysator, drei Testspitzen und vollständige Bedienungsanleitung Automatische Abschaltung: Verfügt über eine manuelle und automatische Abschaltfunktion, die nach 30 Sekunden Inaktivität aktiviert wird, um die Lebensdauer der Batterie zu erhalten
126,97€
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TNE 5x Transistor: P-MOSFET -30V -0,61A 0,54W unipolar SOT23 IRLML5103TRPBF P-Kanal-T _1GH_IRLML5103TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: P-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -0.61A Verlustleistung: 0.54W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 23A Idm: 92A 190W 250V TO247AC IRFP254PBF N-Kana _1GH_IRFP254PBF
Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 23A Drainstrom im Impuls: 92A Verlustleistung: 190W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 140mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 140nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark
3 Wochen
11,34€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 500V 0,8A -3 60W 11ns IXTP08N50D2 N-Kanal-Transi _1GH_IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 0.8A Verlustleistung: 60W Gehäuse: TO220-3 Widerst im Leitungszust: 4.6Ω Montage: THT Gate-Ladung: 312nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: schwach Bereitschaftszeit: 11ns
3 Wochen
10,29€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET x2 35/67A unipolar 30V 9,6/15W DFN5x6 AOE6936 Multikanalt _1GH_AOE6936
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,04€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 100V unipolar 21,5A 53,5W TO252 AOD2910 N-Kanal-Transisto _1GH_AOD2910
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET unipolar 600V 1,8W 0,12A SOT223 BSP125H6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0.12A Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 45Ω Montage: SMD
3 Wochen
6,68€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 110W 43A Idm: 240A unipolar 55V DPAK IRLR2905ZTRPBF N-Kan _1GH_IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 43A Drainstrom im Impuls: 240A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 13.5mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
3 Wochen
7,15€
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TNE 10x Transistor: N-MOSFET 0,225W 0,115A unipolar 60V SOT323 2N7002W N-Kanal-Transis _1GH_2N7002W-LGE
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Verlustleistung: 0.225W Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,79€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET unipolar 6A 30V 1W SOT23F SSM3K333R,LF(B N-Kanal-Transist _1GH_SSM3K333R
Hersteller: TOSHIBA Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Verlustleistung: 1W Gate-Ladung: 3.4nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 30V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: SOT23F Widerst im Leitungszust: 42mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
6,48€
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TNE 25x Transistor: N-MOSFET 0,5W unipolar 60V 0,3A PG-SOT23 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal- _1GH_2N7002H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: PG-SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,47€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 30V unipolar 2,3A 0,5W SOT23 BSS306NH6327XTSA1 N-Kanal-Tr _1GH_BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 93mΩ Montage: SMD
3 Wochen
5,83€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET unipolar 1,5W -0,225A -250V SOT223 BSP225.115 P-Kanal-Tra _1GH_BSP225.115
Hersteller: NEXPERIA Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -250V Drainstrom: -0.225A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 15Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,48€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 3,1A 28W 650V unipolar K SL IPS65R1K5CEAKMA1 N-Kanal-Tran _1GH_IPS65R1K5CEAKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3.1A Verlustleistung: 28W Gehäuse: K SL Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Montage: THT Kanal-Art: stark
3 Wochen
6,83€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 0,89W unipolar 0,03A 600V SOT23A-3 AO3160 N-Kanal-Transis _1GH_AO3160
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,48€
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TNE 1x Transistor: P-MOSFET -7,1A 0,9W -30V unipolar ®3333-8 DMP3008SFGQ-7 P-Kanal-Tr _1GH_DMP3008SFGQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: ®3333-8 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.025Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.9W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET
3 Wochen
7,03€
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TNE 3x Transistor: N-MOSFET 30V 8,3W 15A unipolar DFN3x3 EP AON7410 N-Kanal-Transisto _1GH_AON7410
Hersteller: ALPHA
3 Wochen
6,77€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 120A 230W 40V unipolar Idm: 790A D2PAK IRL1404ZSTRLPBF N- _1GH_IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Verpackungs-Art: Rolle Drain-Source Spannung: 40V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 3.1mΩ Gate-Source Spannung: 16V Drainstrom im Impuls: 790A Verlustleistung: 230W Gate-Ladung: 75nC Polarisierung: unipolar Technologie: ® Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Drainstrom: 120A Kanal-Art: stark
3 Wochen
7,51€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 45W 60V 263A FP TK100A06N1,S4X(S N-Kanal-Transis _1GH_TK100A06N1
Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Gehäuse: TO220FP Verlustleistung: 45W Gate-Ladung: 140nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 263A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 2.7mΩ Gate-Source Spannung: 20V
3 Wochen
8,09€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET 1,5W 200V 0,55A unipolar SOT223 BSP122.115 N-Kanal-Transi _1GH_BSP122.115
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Verlustleistung: 1.5W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.55A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Gate-Source Spannung: 2V
3 Wochen
6,16€
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TNE 5x Transistor: N-MOSFET 20V 0,5W 1,4A unipolar SOT323 BSS816NWH6327XTSA1 N-Kanal- _1GH_BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1.4A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT323 Gate-Source Spannung: 8V Widerst im Leitungszust: 0.24Ω Montage: SMD
3 Wochen
5,59€
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TNE 20x Transistor: N-MOSFET 0,21A unipolar 0,3W 60V SOT23 2N7002-7-F N-Kanal-Transist _1GH_2N7002-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.21A Verlustleistung: 0.3W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark
3 Wochen
5,48€
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TNE 1x Transistor: N-MOSFET unipolar 9,4A Idm: 45A 650V 34W SPA15N60C3XKSA1 N-Kanal-T _1GH_SPA15N60C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Drainstrom im Impuls: 45A Verlustleistung: 34W Polarisierung: unipolar Technologie: ™ Drainstrom: 9.4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Gehäuse: PG-TO220 FP Widerst im Leitungszust: 280mΩ Gate-Source Spannung: 20V Montage: THT
3 Wochen
9,87€
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