mosfet transistor

Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Gehäuse: TO220FP Verlustleistung: 45W Gate-Ladung: 140nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 263A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Widerst im Leitungszust: 2.7mΩ Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.115A Verlustleistung: 0.225W Gehäuse: SOT323 Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: ®3333-8 Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.025Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.9W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -7.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ 2 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 93mΩ Montage: SMD

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Verlustleistung: 1.5W Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.55A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 200V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Gehäuse: SOT223 Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Gate-Source Spannung: 2V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 43A Drainstrom im Impuls: 240A Verlustleistung: 110W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: 16V Widerst im Leitungszust: 13.5mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 35nC Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.3A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: PG-SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 4Ω Montage: SMD Kanal-Art: stark

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3.1A Verlustleistung: 28W Gehäuse: K SL Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.5Ω Montage: THT Kanal-Art: stark

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: ALPHA

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.3A Drainstrom im Impuls: 17A Verlustleistung: 25W Gehäuse: K Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 6.1nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: TOSHIBA Verlustleistung: 200mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7.2A Drainstrom im Impuls: -30A Verlustleistung: 2.7W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Kanal-Art: stark

Komponentenanalysator: Professionelles Gerät zur Analyse und Identifizierung elektronischer Komponenten Integriertes LCD-Display: Ausgestattet mit Flüssigkristall-Bildschirm für eine klare und sofortige Anzeige der Ergebnisse Breite Kompatibilität mit elektronischen Komponenten: Analysiert eine Vielzahl von elektronischen Komponenten wie bipolaren Transistoren, MOSFET, SCR, Triac, Dioden, Diodennetzwerken, FET (nur der als Gate identifizierte Pin), LED, zweifarbige LEDs und RGB Automatische Identifizierung und detaillierte Parameter: Identifiziert automatisch Komponententyp und Pinout, zeigt spezielle Komponenteninformationen wie Schutzdioden und Shunt-Widerstände an, Informationen zu Parametern wie Verstärkung und Leckstrom in Transistoren, MOSFET-Gate-Schwellenspannungen, Spannungsabfälle Kompakte Größe: Maße von 103 x 70 x 20 mm für einfache Portabilität und Verwendung in jeder Arbeitsumgebung Lieferumfang: Komponentenanalysator, drei Testspitzen und vollständige Bedienungsanleitung Automatische Abschaltung: Verfügt über eine manuelle und automatische Abschaltfunktion, die nach 30 Sekunden Inaktivität aktiviert wird, um die Lebensdauer der Batterie zu erhalten

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 3.5A Drainstrom im Impuls: 10A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: junction x-class Bereitschaftszeit: 170ns

Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ V Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 600mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -20V Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Gate-Source Spannung: 12V

Hersteller: TOSHIBA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4.2A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: UF6 Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 66mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Hersteller: NTE Electronics Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.2A Drainstrom im Impuls: 0.5A Verlustleistung: 3W Gehäuse: TO92 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.9Ω Montage: THT Kanal-Art: stark

Hersteller: TOSHIBA Gehäuse: SC67 Montage: THT Widerst im Leitungszust: 2.2Ω Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 35W Transistor-Typ: N-MOSFET Gate-Source Spannung: 30V Gate-Ladung: 11nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 3.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.7A Drainstrom im Impuls: 17A Verlustleistung: 0.8W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 80mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 2.9nC Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: TOSHIBA Polarisierung: unipolar Verlustleistung: 45W Gate-Ladung: 34nC Drainstrom: 11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP Widerst im Leitungszust: 0.54Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT Drainstrom im Impuls: 44A

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 94W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 14nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -45V Drainstrom: -0.09A Drainstrom im Impuls: -1.6A Verlustleistung: 0.33W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14Ω Montage: SMD Kanal-Art: stark

Hersteller: TOSHIBA Widerst im Leitungszust: 0.95Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT Drainstrom im Impuls: 24A Verlustleistung: 45W Gate-Ladung: 20nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT323 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Drainstrom im Impuls: 0.8A Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V

[Sicheres und zuverlässiges Design] Die automatische Entladefunktion schützt vor Beschädigungen, was sie zu einem unverzichtbaren Werkzeug für Elektronikbegeisterte macht, die Wert auf Sicherheit während des Tests legen. [Einfache Datenübertragung] Exportieren Sie mühelos Messdaten auf Ihren Computer für eine gründliche Analyse, perfekt für Profis, die detaillierte Berichte über ihre Ergebnisse benötigen. [Testoptionen] Austauschbare Testboards bieten Flexibilität beim Testen verschiedener Komponenten, die den vielfältigen Bedürfnissen von Hobbyisten und Technikern gleichermaßen gerecht werden. [Schnelle Identifizierung der Komponenten] Sparen Sie Zeit mit Identifikationsfunktionen, sodass Sie sich ohne unnötige Verzögerungen auf Ihre Projekte konzentrieren können. [PRÄDICTIVE ZENER DIODE MEASUREMENT] Messen Sie Zener-Dioden genau mit unserem K, der die Stromversorgungsanforderungen für eine optimale Leistung vorhersagt.

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drainstrom im Impuls: 1.2A Verlustleistung: 320mW Gate-Ladung: 0.39nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1.75Ω Gate-Source Spannung: 20V

[Variety Kit] Enthält 10 beliebte MOSFET-Modelle (wie IRFZ44N, IRF540N, IRF3205, IRF9540N), 50 Stück insgesamt, geeignet für zahlreiche Schaltungsdesigns und Ersatzteile. [Hohe Leistung] Hält starke Ströme bis zu 110 A und einen breiten Spannungsbereich von 55 V bis 500 V, passend für anspruchsvolle industrielle und elektronische Projekte. [TO-220-Paket] Standardpaket ermöglicht eine unkomplizierte Montage und bietet effektives Wärmemanagement für stabile, konsistente Leistung. [Zuverlässige Qualität] Hergestellt aus starken Materialien für konsistenten Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen wie Netzteilen, Motortreibern und Steuerungssystemen. [Praktisches Set] Unverzichtbar für Ingenieure, Bastler und Reparaturtechniker, die an Verstärkern, Wechselrichtern, Stromwandlern und DIY-Elektronik-Experimenten arbeiten.