mosfet transistor

Hersteller: ALPHA

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1.1A Verlustleistung: 1.5W Gehäuse: SOT89 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 0.9Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Widerst im Leitungszust: 10Ω Verlustleistung: 0.36W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.12A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: Montage: SMD Widerst im Leitungszust: 0.065Ω Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 2.5W Gate-Source Spannung: 20V Polarisierung: unipolar Drainstrom: -5.1A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET x2

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Verlustleistung: 0.625W Gehäuse: SOT26 Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -30V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 0.23Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 6Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0.22A Verlustleistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 3.5Ω Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark

[Sicheres und zuverlässiges Design] Die automatische Entladefunktion schützt vor Beschädigungen, was sie zu einem unverzichtbaren Werkzeug für Elektronikbegeisterte macht, die Wert auf Sicherheit während des Tests legen. [Einfache Datenübertragung] Exportieren Sie mühelos Messdaten auf Ihren Computer für eine gründliche Analyse, perfekt für Profis, die detaillierte Berichte über ihre Ergebnisse benötigen. [Testoptionen] Austauschbare Testboards bieten Flexibilität beim Testen verschiedener Komponenten, die den vielfältigen Bedürfnissen von Hobbyisten und Technikern gleichermaßen gerecht werden. [Schnelle Identifizierung der Komponenten] Sparen Sie Zeit mit Identifikationsfunktionen, sodass Sie sich ohne unnötige Verzögerungen auf Ihre Projekte konzentrieren können. [PRÄDICTIVE ZENER DIODE MEASUREMENT] Messen Sie Zener-Dioden genau mit unserem K, der die Stromversorgungsanforderungen für eine optimale Leistung vorhersagt.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 3.6A Verlustleistung: 1.3W Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: STMicroelectronics Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: MDmesh™ V Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 4.4A Verlustleistung: 25W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: 25V Widerst im Leitungszust: 600mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Hersteller: DIODES INCORPORATED Gehäuse: SOT26 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Verlustleistung: 0.6W Polarisierung: unipolar Drainstrom: -1.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -20V Transistor-Typ: P-MOSFET x2 Gate-Source Spannung: 12V

Hersteller: IXYS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HiPerFET™ Technologie: X-Class Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 3.5A Drainstrom im Impuls: 10A Verlustleistung: 150W Gehäuse: TO263 Gate-Source Spannung: 30V Widerst im Leitungszust: 2.5Ω Montage: SMD Gate-Ladung: 7nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: junction x-class Bereitschaftszeit: 170ns

Hersteller: ALPHA

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4.3A Drainstrom im Impuls: 17A Verlustleistung: 25W Gehäuse: K Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 540mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 6.1nC Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: TOSHIBA Verlustleistung: 200mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Polarisierung: unipolar Drainstrom: -0.2A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: -60V Transistor-Typ: P-MOSFET Widerst im Leitungszust: 2Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: VISHAY Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -30V Drainstrom: -7.2A Drainstrom im Impuls: -30A Verlustleistung: 2.7W Gehäuse: Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 32mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 38nC Kanal-Art: stark

Hersteller: DIODES INCORPORATED Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -45V Drainstrom: -0.09A Drainstrom im Impuls: -1.6A Verlustleistung: 0.33W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 14Ω Montage: SMD Kanal-Art: stark

Hersteller: TOSHIBA Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4.2A Verlustleistung: 0.5W Gehäuse: UF6 Gate-Source Spannung: 10V Widerst im Leitungszust: 66mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 16.8nC Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate

Dieses Paket enthält 20 IRFZ44N MOSFET-Transistoren, eine großzügige Menge. Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET-Transistor, der ideal für größere Projekte oder als Ersatz bei regelmäßiger Wartung und Reparatur geeignet ist. Es ist eine praktische elektronische Komponente, die hauptsächlich von Elektronikprofis und Leiterplattenenthusiasten verwendet wird. Hochwertige Materialien: Die IRFZ44N MOSFET-Transistoren werden aus einem hochwertigen Metalloxid-Halbleitermaterial hergestellt, das eine ausgezeichnete thermische Stabilität und eine hohe

KIT CONTENTS: 50 TO-220 MOSFET transistors for repair, prototyping and teaching - contains 5x IRFZ44N (49A/55V), 5x IRF510N (5.6A/100V), 5x IRF520N (9.7A/100V), 5x IRF530N (17A/100V), 5x IRF540N (33A/100V), 5x IRF640N (18A/200V), 5x IRF740 (10A/400V), 5x IRF840 (8A/500V), 5x IRF3205 (110A/55V), 5x IRF9540 (23A/100V). POWER AND VOLTAGE RANGE: MOSFET selection covers a wide spectrum from 55V up to 500V and current ratings up to 110A, providing parts suited for both low-voltage high-current switching and higher-voltage power stages. STANDARD TO-220 FORM FACTOR: TO-220 package offers effective thermal transfer and compatibility with common heatsinks, through-hole PCB mounting and standard clamps for stable operation under load. DESIGN FLEXIBILITY: Mix of N-channel and P-channel MOSFETs supports switching, amplification and complementary arrangements such as H-bridges and push-pull configurations for motor drivers and power converters. WHO IT'S FOR: Suited for electronics hobbyists, bench technicians and students building motor controllers, DC-DC converters, audio amps and prototyping projects; each MOSFET datasheet to match electrical parameters to your circuit.

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: ® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2.7A Drainstrom im Impuls: 17A Verlustleistung: 0.8W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: 12V Widerst im Leitungszust: 80mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 2.9nC Kanal-Art: stark Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level

Hersteller: TOSHIBA Gehäuse: SC67 Montage: THT Widerst im Leitungszust: 2.2Ω Verpackungs-Art: Tube Verlustleistung: 35W Transistor-Typ: N-MOSFET Gate-Source Spannung: 30V Gate-Ladung: 11nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 3.5A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: NexFET™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 50A Verlustleistung: 94W Gehäuse: TO220-3 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 11mΩ Montage: THT Gate-Ladung: 14nC Verpackungs-Art: Tube Dicke Kühlkörper: 1.14...1.4mm

Hersteller: NTE Electronics Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.2A Drainstrom im Impuls: 0.5A Verlustleistung: 3W Gehäuse: TO92 Gate-Source Spannung: 20V Widerst im Leitungszust: 1.9Ω Montage: THT Kanal-Art: stark

Hersteller: TOSHIBA Polarisierung: unipolar Verlustleistung: 45W Gate-Ladung: 34nC Drainstrom: 11A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 600V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP Widerst im Leitungszust: 0.54Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT Drainstrom im Impuls: 44A

Hersteller: TOSHIBA Widerst im Leitungszust: 0.95Ω Gate-Source Spannung: 30V Montage: THT Drainstrom im Impuls: 24A Verlustleistung: 45W Gate-Ladung: 20nC Polarisierung: unipolar Drainstrom: 6A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: TO220FP

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drainstrom im Impuls: 1.2A Verlustleistung: 320mW Gate-Ladung: 0.39nC Polarisierung: unipolar Eigenschaften von Halbleiterelementen: protected gate Drainstrom: 0.4A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Widerst im Leitungszust: 1.75Ω Gate-Source Spannung: 20V

Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Verlustleistung: 0.2W Gehäuse: SOT323 Montage: SMD Verpackungs-Art: B Verpackungs-Art: Rolle Drainstrom im Impuls: 0.8A Polarisierung: unipolar Drainstrom: 0.115A Kanal-Art: stark Drain-Source Spannung: 60V Transistor-Typ: N-MOSFET Widerst im Leitungszust: 7.5Ω Gate-Source Spannung: 20V

Intelligentes Anti-Brand-Design: Der entladene Kondensator wird nach dem Einsetzen automatisch entladen, mit einem humanisierten Schutzmechanismus, um Schäden zu verhindern. Datenexport: Unterstützt die Verbindung zu einem Computer, um Daten zu exportieren, die gesammelten Messdaten einfach zu übertragen und weitere Analysen auf dem Computer zu erleichtern. Messersatzmodus: Innovativ nimmt austauschbare Testbretter an, um verschiedene Testanforderungen leicht zu erfüllen, bringt beispiellosen Komfort und Effizienz. Intelligente Komponentenidentifikation: einfaches Ein- und Ausstecken, Ein-Klick-schnelle Identifizierung der Komponentenparameter, spart Zeit und Mühe. Messung der Zener-Diode: Messkanal für Messdioden, Messung von 0,01-32 V mit vorhergesagter Stromversorgung, genaue Ergebnisse.

Transistor STB55NF06 60V 50A TO-220Mosfet