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Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . wiederholter Lawinenabgang bewertet . schnelles Schalten . einfache Antriebsanforderungen . einfache Parallelschaltung
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FREI IRF 9610 - MOSFET, P-Ch, -200V -1,8A 3,0R, TO-220AB
Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . Dynamischer dv/dt-Wert . P-Kanal . schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen
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VISHAY IRFBG 30 - MOSFET, N-Ch 1000V 3,1A 5,0R, TO-220AB IRFBG30PBF
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