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Mosfet Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor Doppelwandiger Edelstahl-Thermobecher
Lustige Elektronik-Idee für Elektronik, die lustige nerdige Elektronik-Humor-Witze lieben. Elektronische Komponentenbekleidung, die ein Mosfet zeigt. Lustiges Design für Elektrotechniker. Ein MOSFET ist eine Art Transistor, der ein elektrisches Feld verwendet, um den Stromfluss in einem Stromkreis zu steuern. Es ist eine entscheidende Komponente in der modernen Elektronik, fungiert als Schalter zur Regulierung oder Verstärkung elektrischer Signale. Doppelwandig isoliert: hält Getränke heiß oder kalt Edelstahl, BPA-frei Auslaufsicherer Deckel mit transparentem Schieberegler
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INFINEON IRFD 014 - MOSFET, N-Ch 60V 1,7A 1,3W, HD-1 IRFD014PBF
Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . wiederholter Lawinenabgang bewertet . schnelles Schalten . einfache Antriebsanforderungen . einfache Parallelschaltung
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FREI IRF 9610 - MOSFET, P-Ch, -200V -1,8A 3,0R, TO-220AB
Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . Dynamischer dv/dt-Wert . P-Kanal . schnelles Schalten . Einfache Parallelisierung . einfache Antriebsanforderungen
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VISHAY IRFBG 30 - MOSFET, N-Ch 1000V 3,1A 5,0R, TO-220AB IRFBG30PBF
Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Eigenschaften . wiederholter Lawinenabgang bewertet . schnelles Schalten . einfache Antriebsanforderungen . einfache Parallelschaltung
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StarTech Transistortester LCR-T4 - LCR-Messgerät - Kondensator-ESR - Induktivität - Widerstand - NPN/PNP/MOSFET
Digitaler Bauteiltester zur automatischen Erkennung und Messung zahlreicher elektronischer Komponenten – mit einfacher Ein-Tasten-Bedienung und automatischer Abschaltung. Ihre Vorteile Erkennt NPN- und PNP-Transistoren, MOSFETs, JFETs, Dioden, Thyristoren und weitere Bauteile automatisch.Misst Widerstände, Kapazitäten, ESR, Transistorverstärkung und Schwellspannungen.Ermittelt die Anschlussbelegung und zeigt Symbole sowie Messwerte übersichtlich an.Sehr geringer Abschaltstrom von nur 20 nA. Automatische Bauteilerkennung: Der Tester identifiziert verschiedene Transistortypen, Schutzdioden, Darlington-Transistoren, ein- und bidirektionale Thyristoren sowie Gleichrichterbrücken. Die Pinbelegung wird automatisch bestimmt. Präzise Messungen: Widerstände werden mit einer Auflösung von 0,1 Ω bis 50 MΩ gemessen. Kapazitäten lassen sich von 30 pF bis 100 mF mit 1-pF-Auflösung erfassen. Bei Kondensatoren ab 2 µF kann zusätzlich der ESR-Wert bis 0,01 Ω angezeigt werden. Transistor- und Diodenanalyse: Ermittelt werden unter anderem Stromv
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